微压力传感器参数设计及灵敏度分析

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Parameter Design and Analysis of Sensitivity Micro-Pressure Sensor
ZHENG Wei—weil”,HU Xue—guanl,ZHAO Guang-xia3 of Information,Suzhou University,Suzhou
对传感器的灵敏度的理论进行了详细的分析,得到了传感
器的灵敏度与应力和应变的关系,除提高扩散电阻的压阻系数 外,芯片结构对传感器灵敏度有很大的影响。在这里设计了双 岛梁结构,能大大提高传感器的灵敏度。
通过有限元仿真软件对传感器尺寸进行了详细地探索,分
析了膜片的厚度、岛的高度和梁膜片的长度对传感器性能的影 响。发现随着膜厚的增加,理论输出值逐渐减小,并且近似呈 线数规律下降。随着岛的高度的增加,传感器的灵敏度呈现下 降趋势,而抗过载能力和线性度却得到了提高。随着梁膜片边 长的增大,传感器的灵敏度和线性度都得到了提高。芯片参数 的分析,为传感器芯片的设计提供了重要的依据。
u=K杀紧嵩‰
硅膜片上产生的应变与应力值的大小和分布。

传感器灵敏度的主要影响因素有扩散电阻的压阻系数和
扩散电阻的压阻系数主要与电阻材料有关,在这里选用多
晶硅作为传感器的敏感材料,这是因为多晶硅与单晶硅相比具
有压阻系数高、耐高温、耐腐蚀和价格低廉等优点。 对于不同结构的芯片,将会产生不同的应力和应变分布, 所以在敏感材料确定之后,另一个重点工作就是选择传感器的 芯片结构。
。(1.School
215123,China;
2.Department of Electronics and Information,Zhenjiang College,Zhenjiang 212003,China;
3.Department
of
Mechanical Engineering,Zhenjiang




碘 杈 螺
巢膜片边-l:c/mm
圈8膜片上最大形变分布
参考文献:
圈7膜片上应力分布 [1]
ANDERSEN P D,JORGENSEN B H,LADINGL.Sensor foresight—
表3梁膜边长对传感器性能的影响
[2]
technology and
ma.d【et.Technovation.2004(24):311—320.
摘要:对传感器的灵敏度理论进行了详细分析,得到了传感器的灵敏度与应力和应变的关系。通过有限元仿真软件 对传感器的灵敏度和线性度进行了研究,分析了膜片的厚度、岛的高度和梁膜片的长度对传感器性能的影响,为传感器芯 片的设计提供了重要的依据。 关键词:传感器;灵敏度;理论分析;参数仿真
中图分类号:TP212 文献标识码:A 文章编号:1002—1841(2011)07—0015—03
率随着被测介质的压力而增加或减小,从而使惠斯登电桥的4
收稿日期:2010—09—13收修改藕日期:2011—04—29
文中设计的传感器是低微压力传感器,要求在很小的外界
万方数据
16
Instrument Technique and Sensor
Jul 20
压力下传感器芯片应变膜上能够产生很大的应力,进而转化为 较大的电压输出。综合平膜、岛膜等结构,这里采用岛梁结构, 如图1所示。这种结构综合了双岛结构抗过载的优点,叉具有 梁膜结构灵敏度高的优点。而且设计出的双岛结构应力分布 的对称性良好,在中间位置将会出现正的极大应力,而在边缘 位置出现符号相反的负极大应力,将惠斯登电桥的两对电阻分 别放于中间与边缘。根据上面分析可知,将会产生最大的电压 输出,大大地提高了传感器的灵敏度,特别适合作于微压压力 传感器的芯片。所以通过原理分析,确定了采用多晶硅岛梁结 构作为传感器的芯片。 2芯片结构仿真分析与研究 该部分主要对应变膜的厚度、双岛的高度及粱膜区边长等 参数对传感器性能的影响进行了探索。在每次分析中,都建立 了多个模型,进行相关研究。由于模拟软件无法直接计算出惠 斯登电桥的电压输出,间接地对纵横应力差进行分析研究,这 是因为纵横应力与电压输出成正比。在分析其线性度时,主要 分析最大的变形程度,进而分析其线性度和抗过载能力。 2.1应力分布研究 在进行参数分析之前,先对传感器膜片上的应力分布进行 研究。找出膜片上应力最值处,从而确定电阻条放置位置,进 行惠斯登电桥设计。 分析了整个膜片上表面应力平面分布图”’.结果如图2所 示。通过分析,可以粗略地发现,应力的极值大概在膜片的中 间处和边缘处取得。 从图4和表1可以看出在应变膜面积固定的情况下,随着 膜厚的增加,理论输出值逐渐减小,并且近似呈线数规律下降。 因此,在强度允许的情况下,应该尽量减薄应变膜,以获得更高
0引言
个桥臂电压推动平稳,使电桥有电压输出,且输出的电压与外 在压力成正比。
微传感器一是MEMS设备中的主要产品,在已开发的 MEMS产品中,微传感器占到90%…。微传感器的体积小、功 耗低、响应快,便于和信号处理部分集成以构成微传感器测试 系统,这些特性使其可以应用于汽车、航空航天、电机、医学、家 用电器、生物化学、环境检测等广阔领域。 在微传感器中,微压力传感器是其中一个主要的分支。而 目前微压力传感器的量程一般为1 kPa左右,更加微小的压力 很难进行测量Bo。因此,对微压力传感器的研究显得十分紧 迫。 传感器的灵敏度和线性度是传感器最重要的性能特征,特 别是对于超微压力传感器而言。文中为设计600 Pa量程的微 压力传感器,对传感器的灵敏度和线性度进行了一系列的探索
图1芯片结构示图
如果使用恒流源激励时,电桥的输出与力敏感电阻之间的 关系如式(1):
如果使用恒压源激励,电桥的输出与力敏感电阻之间的关 系可表达为式(2):
嘲篇揣

研究,采用双岛梁结构口1进行设计。对芯片结构的膜片厚度、
岛高及梁的尺寸进行了分析和仿真。 l传感器灵敏度理论分析 如图l所示,构成惠斯登电桥的4个扩散硅电阻,对称分 布在传感器芯片的膜片的力敏区域,其中2个电阻放于压应力 区,另2个电阻放于拉应力区域,使2对电阻感受到的应力的 符号相反,这样当芯片受到压力的作用时,膜片发生变形,应力 使载流子的运动状态发生改变M1,导致扩散硅的电阻值因电阻
8eIlSOr
High Vocational Technology
School,Zhenjiang 212016,China)
Abstract:Sensitivity theoretical analysis of
w88
carried out in detail.The relationship between sensitivity and stress and
portant scientific basis for
sensor
the performance of the sensor.It provides ira-
chip design.
Key words:sensor;sensitivit)r;theoretical analysis;parmneter simulation
were
¥train was presented.The sensitivity and linearity of
sensor
researched.The thickness of diaphragm,the altitude of the island
on
and length of the beam diaphragm we∞studied in order to explore the influence
压力,P吐
图6膜片上最大形变分布
万方数据
第7期
郑玮玮等:微压力传感器参数设计及灵敏度分析 表2岛高对传感器性能的影响
17
斯登电桥就会有比较大的电压输出,对传感器的灵敏度而言是 有利的。 从图8可以发现,随着梁膜片边长的增加,芯片上的最大
弯曲变形变得更小,即传感器的线性度得到了提高,传感器的
抗过载能力得到了一定程度的提高。 因此,综合传感器的灵敏度和线性,梁膜片的边长都应该 尽量长些,这样对传感器的性能的提高能起到很大的作用。但 是需要注意的是,由于芯片的总体尺寸长度有限,梁膜边的长 从图可以看出在应变膜面积和岛的长度和宽度都固定的 情况下,随着岛高的增加,应力差逐渐减小,即理论输出值逐渐 减小,也就是传感器的灵敏度有所减小。岛高越大,应变膜的
。5 口3 0
图2膜片上应力分布
为了更加精确地找出极值出现的坐标,义定义一条路径, 即从膜片上表面左端中央点至右端中央点(沿X轴方向),分析 该路径上应力分布情况,结果如图3所示。通过图3,町以精确 地找出应』极值处的坐标位置,在坐标为0、I 5和3的位置处 出现了最大值。将电阻放置此处将会使惠斯甓电桥有最大的 电压输出,从而提高了传感器的灵敏度。 2.2应变膜厚度对理论输出的影响 对模片厚度参数进行了分析,目的足找出模片的厚度对传 感器灵敏度的影响,使传感器的输出达到最大值。 以下分析中所采用的传感器芯片的长为4 ram,宽为4
mm,
槲 R 2.0 删1

芝2

80

+中间应力差—、、二=、、
100 120 14t)160 1:30
『—-_边缘应力羞

2 410
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图5膜片上应力分布


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80 100 120 140 160 t80 200
应变膜长为3 mm、宽为3 mm,膜片的厚度从20~70斗m不等, 每增加10/xm制作1个模型,共建立了6个模型。图4为随着 厚度的变化,X轴处的Io-。一o-.I值的拟舍图.表1为通过分析等 到的相关数据。
度不宜过长,这样对后续电路的设计及封装将会带来一定的负
面影响。 3结论
刚度就越大,但必须保证应变膜在受压时有一定的变形量,且
和衬底玻璃间有一个用于过载保护的间隙,所以岛高不能超过 边框的高度。 同时,从图6和表2,可以看出:随着岛高的增加,应变膜片 的最大形变也呈现下降趋势,这就意味着传感器的线性度有所 提高,而且抗过载能力得到了提高。 因此综合灵敏度和线性度考虑,在满足要求的条件下,应 该选择合适的岛高,才能保证传感器良好的性能。 2.4梁膜片尺寸对传感器性能的影响 为了更加详细地了解传感器芯片的参数,对传感器膜片上 的梁膜结构进行了一系列的分析。在这里,固定了其他条件, 使梁膜片的边长从1 Innl到1.5 rnffl,第间隔0.1 rain建立一个 模型,共建立了6个模型。研究的是梁膜片的长度对传感器性 能的影响情况,分析的数据依然是纵横应力差和膜片上的最大 形变。结果如图7、图8和表3所示。
2005:210—267.
[6]Hale Waihona Puke Baidu
MADOU M.Fundamentals of Micmfabrication.CRC Press.Boca Ra- ton,1997.
从图7和表3,可以看出,随着梁膜片的边长的增加,中问 应力差和边缘应力差都呈现上升趋势,也就是说,在相同的外 在压力下,比较长的梁膜片能够有比较大的应力输出,通过惠
尹颞,杨恒。王文襄,等.抗高过载微压传感器.传感器技术。2001, 20(4):48—51.
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槲 R 理
20
30
40
50
60
70
厚度//zm
图4膜厚度对理论输出的影响
表1变膜厚度对理论输出的影响
m女R捌
的输出值。 2.3岛高对传感器性能的影响
l 焉黑澄揣一
x轴坐标/mm
在这部分的仿真中,岛高从80 p,m到200斗m,每间隔 20“m建立一个模型,共7个模型行模拟,其他条件相对固定, 模拟结果如罔5、图6和表2所示。
2011年 第7期
仪表技术与传感器
Instrument Technique and Sensor
201l No.7
www.grain17.com
微压力传感器参数设计及灵敏度分析
郑玮玮k2,刘学观1,赵光霞3
(1.苏州大学电子信息学院,江苏苏州215123;2.镇江高等专科学校电子与信息系,江苏镇江212003; 3.镇江高等职业技术学校机电工程系,江苏镇江212016)
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