量子棒中磁极化子的回旋共振特性和光学声子平均数

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的增大。
图4 表示磁极化子 的声子平均数 Ⅳ在不同电子一 声子耦合强度 O下随磁场的 回旋频率 。 l 的变化 。
由图4可看出, Ⅳ随 的增加而增大 , 这表明外磁场将加强量子棒 中电子一 声子- 磁场相互作用, 电子 使 与更多声子相互作用 , 导致磁极化子的声子平均数增大。另外, Ⅳ随 ∞ 的变化产生显著影响 , 对 。 当回
由于量子棒在材料裁剪方面的 自由度和在生物标记 及光电器件 中有非常广泛的应用, 因此 , 近年来 , 量子棒性质的研究更为引人注 目。H u等p用半经验赝势方法计算 了 C S de量子棒的电子态 ;
Zag 4】 hn 等[5 .在有效质量包络函数理论的框架下研究了 C S 量子棒的线偏振等的光学性质;i de L等 采 用赝势方法分别计算了考虑 自旋与轨道耦合、 电子一 空穴屏蔽库仑相互作用下量子棒 的高激发能和不同 材料的量子棒中电子的结构。不难看出, 上述工作均未涉及声子效应 。然而 , 由于大多数的纳米结构是
回旋共振频率和平均声子数与磁场的回旋频率 、 电子- 声子耦合强度、 量子棒 的纵横 比和受限强度的关 系。结果表明 : 量子棒 中强耦合磁极化子的声子平均数和 回旋共振频率 随磁场的回旋频率、 电子- 声子 耦合强度和量子棒 的受限强度 的增加而增大, 随量子棒纵横 比的增加而减小。
看出, 对 J随 e 口 『 、 r 的变化产生显著影响。当量子棒纵横 比 e 取一定值时 , Ⅳ随 的增加而增大, 但增加
的幅度却随 e 的增加而减小 , 因而随着 e 的增加 , 一些不 同O t 值对应的Ⅳ一 e 曲线将出现重叠 , 这表明此 时开始 O对 Ⅳ一 t e曲线产生的影响可以忽略。 图6 表示磁极化子的声子平均数 』在不同电子一 \ r 声子耦合强度 O下随量子棒横向受限强度 I t 的变
日去( =
) (+22e21 2 p  ̄, 2一 砌 + y4 t + p 2 2 m
+.) 日・ c ( 1 )
+≯砌: ∞ 6 等 6 “ ,:+ 6 ( 2 + e Ⅵ
式中 m, , 和 r=( z ) 分别为电子的带质量、 坐标和动量, 和 分别为横向和纵 向限制频率 ; b) l 6 (
将( )~ 3 式和( ) ( ) 1 () 5 ,6 式代人 ( ) , 4 式 可得
( ,) + + ) I = 等 + + ∞ I 等 等 +[o一 )  ̄zp羔 + vx ( 叫

( 7 )
() 8 () 9
其中∞ = B m 为磁场的回旋频率。计算 FL, ,) 。 e/ c ( A 对 ( ) A的变分极值可以确定磁极化 和
代表波矢为 ( q 的L = 芍 : O声子的产生( ) 湮灭) 算符,为量子棒的纵横比, = e/, e 2 c B
( ) 门等) ( ) 门吉一) ( 去 ( 1
其中 是晶体的体积 , 为电子一 O l 声子耦合强度 , 和 。 分别是高频和静态介电常数。
4 期
韩超 等
量子棒 中磁极化子 的回旋共振特性和光学声子平均数
4 9

( ) + , ) 一 )= ) ( r( ( s
F A , ) I H ) பைடு நூலகம் , =( U UI
( 3 )
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其中 = ,,; xyzA为变分参量 , 表示磁极化子 的振动频率 。为了研究量子棒中磁极化子的基态 回旋 共振特性 , 讨论变分函数 F a , ) ( , 的期待值 及变分极值 问题 。式中
4期
韩超等
量 子棒中磁极 化子 的回旋共振特性和光学声子平均数


5 1

4 5 6
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-t ‘
图 5 声子平均数 Ⅳ在 不同 下随 e 化 s 的变
图 6 平均声子数 Ⅳ在不 同 0下随 ∞0 c 的变化
3 结

在有效质量近似下 , 基于 H yr h 的线性组合算符法和 【 LwPns ube t cs - -i 变分法 , o e 研究了磁场对量 子棒中抛物势下强耦合磁极化子 回旋共振频率和声子平均数的影响。导出了量子棒中强耦合磁极化子
子的回旋共振频率 , 再利用上述变分参数还可进一步求得体系的声子平均数为 Ⅳ =( ,u 1 ∑ U ) + l cI -( 6 b) I =∑ I Ⅳ 其中
N=∑i I f ,
为磁极化子的声子平均数。
2 结果与讨论
为更清楚、 直观地表 明量子棒中强耦合磁极化子的基态回旋共振频率 A和声子平均数 Ⅳ与量子棒 的受限强度 ∞ 纵横 比 e, 磁场的回旋频率 ∞ 和电子・ 。 声子耦合强度 O有关 , t 笔者在此给出了数值计算 结果 , 如图 1 一图 6 。图中以 ( O O 作为 A 和 0 L , 的单位。
图 1 频率 A在不同 下随 的变化
图 2 频率 A 在不同 下随e p 的变化
图1 表示量子棒 中强耦合磁极化子的回旋共振频率 A在不同电子一 声子耦合强度 下随磁场的回 旋频率 。 的变化 。由图 1 可看出, A随 。或磁场 B 的增加而增大 , ( ) 这表明外磁场 的加入将引起晶格
图2表示磁极化子的回旋共振频率 A在不同电子一 声子耦合强度 下随量子棒纵横比 e的变化。 由图 2 可看出 , e A随 I 的增加而减小 , 这是因为e = / 2 ) 其 中 为量子棒的纵 向长度, L (R ( R为量子棒的 横向半径)所以, e , 随 的增加 , 量子棒的纵向长度变大, 以声子为媒介的电子一 声子相互作用因粒子纵向 运动空间的扩大而减弱 , 致使极化子振动频率较小。从由图 2 还可看出, 对 A随 e的变化也产生显著 影响。A随 O的增加而增大 , l 增加的幅度却随 e 的增加而减小 , 因而 随着 e的增加 , 一些不 同 o l 值对应
首先, 引入 H yr hs ub ct线性组合算符 e
基金项目: 河北省自然科学基金项目( 20006 ) A 08043 。 ・河北科技师范学院理化学院物理学专业 20 级学生。 05
收稿 日期 : 01 5 3 修 改稿 收到 日 :0 1 9 9 21- - ; 00 期 21- - 00
化。由图 6 可看 出, N随 0 的增加而显著增大, 这是 因为随着量子棒横向限定势( 1 的增加, I ) 以声子
为媒介的电子. 声子之间相互作用由于粒子运动范围缩小而增强 , 电子与更多声子相互作用, 使 导致磁
极化子的声子平均数增大。由图 6 还可以看出, 0 当 取一定值时 , 电子一 声子耦合强度 a 越大磁极化子 的平均声子数越大 。这是因为随着电子- 子耦合强度的增强 , ) 誊 电子- 声子之间的相互作用增强 , 使电子 与更多的声子相互作用 , 导致磁极化子周围声子平均数增大。
量 子棒 中磁 极化 子的 回旋 共振 特 性 和 光 学声 子平 均数
韩 超 李海峰 徐华伟 , , , 额尔敦朝鲁
( 1河 北科 技 师 范 学 院 理 化学 院 , 北 秦 皇 岛 ,6 O4 2秦 皇 岛 市 广 播 电 视 大 学 ) 河 O6 O ;
摘要 : 基于 H yr h 线性组合算符法 , ub ct e s 采用 Le o-i s e— wP e 幺正变换和变分技术研究 了磁场中量子棒 内抛物 L n 限制势下电子一 体纵光学声子强耦 合磁极化子基态的回旋共振特性 , 导出磁极 化子 回旋 共振频率和光学声 推 子平均数与磁场 的回旋频率 、 电子一 声子耦合强度 、 棒的纵横 比和受限强度 的变化规 律。数值 结果表 明: 量子 磁极化子的光学声子平均数 和回旋共振频率随磁场的 回旋频率 、 一 子耦合 强度和量 子棒 的受限强度 的 电子 声 增加而增大 , 随量子棒纵横 比的增加而减 小。 关键词 : 量子棒 ; 磁极化子 ; 回旋共振频率 ; 光学声子数平均数 中图分 类号 : 4 9 0 6 文献标志码 : A 文章编号 :17 - 8 (0 1 o -38o 6 27 3 2 1 ) 4a 4 -5 9
等[J 1研究了量子棒中弱耦合极化子的基态能量; D 巴燕燕等 【J l研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱 i 耦合杂质束缚极化子的性质。笔者基于 H yr h 线性组合算符法 , ub ct e s 采用 Le o — ns e— wP e 幺正变换和变分 L i 技术研究了磁场中量子棒内抛物限制势下电子一 体纵光学声子强耦合磁极化子基态的回旋共振特性。
河北科技师范学院学报
2 卷 5
极化场加强 , 致使量子棒中电子一 声子一 磁场三体相互作用的能量增加 , 从而导致磁极化子的回旋共振振动 增大。由图 1 还可看出, A随 的变化产生显著影响, A随 的增加而增大。这是因为随 O的增 对 即 t
加, 电子一 声子之间相互作用能量增加 , 致使磁极化子的能量增大, 导致磁极化子的振动频率的增大。
河北科技师范学 院学报
第2 5卷第 4期 ,0 1 1 2 1 年 2月
J un lo b iNoma iest fS in e& T c n lg o. 5 N . c 2 1 o ra fHe e r lUnvri o ce c y eh ooy V 12 o 4 De ,0 1
旋频率 。 取一定值时, Ⅳ随 O的增加而增大。 t 图 5表示磁极化子 的平均声子数 J在不同电子一 『 、 r 声子耦合强度 下随量子棒纵横 比 e的变化。由 图5 可看出 , Ⅳ随 e的增加而减小 , 这是 因为随 e的增加 , 量子棒的纵 向长度变大 , 以声子为媒介 的电 子一 声子相互作用因粒子纵 向运动空间的扩大而减弱, 致使磁极化子周围声子平均数减小。由图 5 还可
的 ~ e曲线将出现重叠 , 这表明此时开始 对 A~ e 曲线产生的影响可 以忽略。
图 3 频率 A在不 同 下随 甜 的变化 0
图 4 声子平均数 Ⅳ在不 同 下随 的变化
图3 表示磁极化子的回旋共振频率 A在不同电子一 声子耦合强度 下随量子棒受限强度 ∞8 的变 化。由图 3 可看出, A随 0 的增加而迅速增大 , 这是因为随着量子棒横向限定势( I 的增加, I ) 以声子 为媒介的电子一 声子之间相互作用由于粒子运动范围缩小而增强 , 导致了量子棒中磁极化子的振动频率
U=ep ∑ 6 x( b) )
是 LP幺正变换[ , L 1 其中, 和 是变分参数 , I ) () 1) I> =l z )0 o 6 () 6 是绝对零度 ( ) 0K 下体系的基态尝试波函数。其 中, () 为电子 方向的波 函数 , I ) 满足 ( I ( ) () = ,0 z ) 1 1) 为零声子态 ,0 为极化子基态。 1)
哈密顿量与变分计 算
设量子棒中c子在 平面内和 方向上被不同的抛物势限制 , a 并与离子晶体或极性半导体的体纵 光学(og ui l pc ,O 声子场相互作用 , Lnidn ta L ) t aO i l 则量子棒 中的电子一 体纵 L O声子相互作用体系的哈密 顿量为 [川 ∞
离子晶体或极性材料 , 电子一 声子耦合强烈的影响着它们的物理性质 , J因此 , 近年来 , 量子棒 中电子- 声 子相互作用的问题也逐渐引起人们的重视。C m s 9 o a 等【 用连续介质理论分析了半导体量子棒 中表面极 化子的光学声子的性质 , 并将计算 出来 的结果与球形量子点和 准球形量子点进行了比较 ; 最近, n Wag
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