二氧化锡薄膜的制备和应用研究进展

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二氧化锡薄膜用于取暖的原理_概述说明

二氧化锡薄膜用于取暖的原理_概述说明

二氧化锡薄膜用于取暖的原理概述说明1. 引言1.1 概述取暖是人类生活中重要的需求之一。

随着科技的不断发展,人们对取暖设备的要求也越来越高。

二氧化锡薄膜作为一种新型的取暖材料,因其独特的物理性质和优异的性能而备受关注。

本文将详细介绍二氧化锡薄膜作为取暖材料的原理以及其在家庭、工业和商业建筑等领域的应用案例。

1.2 文章结构本文包括五个主要部分:引言、二氧化锡薄膜的基本性质、二氧化锡薄膜取暖原理、应用案例分析和结论与展望。

首先,在引言部分概述了文章的背景和意义,并介绍了整篇文章的结构安排。

然后,将详细介绍二氧化锡薄膜的制备方法、物理特性以及热导率和电导率等方面内容。

接下来,我们将重点讨论二氧化锡薄膜作为取暖材料所具有的远红外辐射特性、可调节的温度控制性能以及能源效率和环保性能等方面的原理。

随后,我们将通过具体的家庭、工业和商业建筑取暖应用实例,分析二氧化锡薄膜在不同领域中的应用情况。

最后,我们将总结本文的主要观点,并展望未来对二氧化锡薄膜取暖技术进一步发展的可能性。

1.3 目的本文旨在深入探讨二氧化锡薄膜作为一种新型取暖材料的原理和特性,以及其在不同领域中的应用案例。

通过对二氧化锡薄膜取暖技术进行全面而系统的分析,提供给读者对该技术有更深入了解和判断力,并为进一步研究和开发提供参考依据。

同时,我们希望通过本文推广利用二氧化锡薄膜作为取暖材料的可能性,促进可持续发展和节能减排的目标实现。

2. 二氧化锡薄膜的基本性质2.1 薄膜的制备方法二氧化锡(SnO2)薄膜可通过多种方法进行制备,包括物理气相沉积、溶液法、射频磁控溅射等。

其中,物理气相沉积方法是常用的一种制备技术,可以通过热蒸发、电子束蒸发和离子束法来制备均匀、致密的二氧化锡薄膜。

此外,溶液法也是制备二氧化锡薄膜的有效途径,通过将合适浓度的二氧化锡前驱体溶解于有机溶剂中,并在衬底上进行旋涂、喷涂或浸渍等方法得到所需的二氧化锡薄膜。

2.2 薄膜的物理特性二氧化锡薄膜具有多种重要的物理特性。

P型导电二氧化锡薄膜的制备和研究的开题报告

P型导电二氧化锡薄膜的制备和研究的开题报告

P型导电二氧化锡薄膜的制备和研究的开题报告一、研究背景二氧化锡是一种重要的半导体材料,其具有优异的光电性能和化学稳定性,在石墨烯透明导电薄膜、氧化锌的太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。

其中,P型导电二氧化锡薄膜是很有前途的一种材料,但目前其制备方法仍存在一定的难点。

因此,对于P型二氧化锡薄膜的制备和研究具有很重要的意义。

二、研究内容本研究旨在通过不同的制备方法,制备出P型导电二氧化锡薄膜,并对制备出的样品进行表征和研究。

具体研究内容如下:1.使用溶胶-凝胶法、射频磁控溅射法、气相沉积法等制备不同方法的P型导电二氧化锡薄膜。

2.对制备出的样品进行表征,包括结构分析、形貌观察、光学性质测试、电学性质测试等方面。

3.探究制备条件对P型二氧化锡薄膜结构和性质的影响,根据实验结果分析其制备机理。

三、研究意义1.二氧化锡薄膜具有广阔的应用前景,其中P型导电二氧化锡薄膜对于石墨烯透明导电薄膜、氧化锌的太阳能电池等领域具有特殊的应用需求。

2.通过对P型二氧化锡薄膜的制备和性质研究,可以深入了解该材料的结构、性质和制备机理,为相关应用和研究提供支持。

3.本研究可以为P型二氧化锡薄膜的制备提供一定的方法和理论基础,在材料制备领域具有重要的意义。

四、研究方法1.制备方法:溶胶-凝胶法、射频磁控溅射法、气相沉积法等。

2.表征方法:X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)、霍尔效应测量仪等。

3.研究方法:通过实验得到制备条件对制备的样品性质的影响,探究P型二氧化锡薄膜的制备机理。

五、研究计划阶段一:文献调研和准备实验室时间安排:2周阶段二:制备不同制备方法的P型导电二氧化锡薄膜时间安排:4周阶段三:对制备出的样品进行表征和性质测试时间安排:6周阶段四:研究不同制备条件对P型二氧化锡薄膜性质的影响时间安排:6周阶段五:分析实验结果,撰写论文和报告时间安排:2周总时间安排:20周。

SiO2薄膜制备的现行方法综述

SiO2薄膜制备的现行方法综述

SiO2薄膜制备的现行方法综述在导电基体上制作薄膜传感器的过程中,需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜。

二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能,并且稳定性好,膜层牢固,长期使用温度可达1000℃以上,应用十分广泛。

通常制备SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶-溶胶法等。

本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合,并对这些方法做了比较。

正文:SiO2薄膜以其优异的性能在半导体、微波、光电子、光学器件以及薄膜传感器等领域获得了广泛的应用。

在微电子技术中SiO2膜被用作扩散掩蔽层、MOS器件的绝缘栅、多层布线的绝缘隔离层以及器件表面的钝化保护层等。

SiO2膜还以其折射率低(n=1.458)、透光性好的特性用于光学零件的表面防护以及减反射涂层。

此外SiO2膜具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性,硬度高、结构精细、膜层牢固、抗磨耐腐蚀、熔点高而用于多层薄膜传感器的绝缘层。

为此,多年来人们对SiO2膜制作方法及性能等进行了广泛的研究。

对于应用于微电子技术和传感器技术中的SiO2膜,人们关心的是SiO2薄膜的介电常数、击穿场强、绝缘电阻、固定电荷和可动电荷密度等电性能指标。

应用于光学镀膜领域的SiO2膜,人们更关心膜层的折射率、消光系数及透明区间等光学性能指标。

通常制备SiO2薄膜现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积(CVD)、热氧化法、凝胶- 溶胶法等。

1、SiO2薄膜的制备方法1.1、磁控溅射磁控溅射自1970年问世以来,由于其沉积速率快、衬底温度低、薄膜厚度的可控性、重复性及均匀性与其它SiO2薄膜制备方法相比有明显的改善和提高,避免粉尘污染,以及溅射阴极尺寸可以按比例扩大等优点,已应用于从微电子器件到数平方米玻璃镀膜的诸多领域,并逐渐发展成为大面积高速沉积的主流方法。

溅射的一般原理是将衬底承片台正对着靶,在靶和衬底之间充入氩气(Ar),由于电场作用气体辉光放电,大量的气体离子将撞击靶材的表面,使被溅射材料以原子状态脱离靶的表面飞溅出来,淀积到衬底上形成薄膜。

二氧化锡薄膜的制备和应用研究进展

二氧化锡薄膜的制备和应用研究进展
1 Sn02薄膜的制备 1.1溶胶一凝胶法
溶胶凝胶法作为低温或温和条件下合成无
机化合物或无机材料的重要方法,在软化学合 成中占有重要地位。该法采用无机盐或金属有 机化合物,如醇盐(即金属烷氧基化合物)为前 驱物,首先将其溶于溶剂(水或有机液体)中.通 过在溶剂内发生水解或醇解作用.反应生成物 缩合聚集形成溶胶,然后经蒸发干燥由溶胶转 变为凝胶[3]。用溶胶凝胶技术制备二氧化锡薄 膜,既具有低温操作的优点.又可严格控制掺杂 量的准确性,而且还克服了其他方法制备较大 面积薄膜时的困难,因此获得了广泛应用。如 Sungr”以锡的异丙醇盐为前驱物.用溶胶一凝胶 法制成SnOz薄膜,研究了反应物浓度、pH、基片 提拉速度、热处理温度、时间等因素对薄膜的厚 度、电学以及光学性能的影响。刘威“等以 SnCI。·2H2()及乙醇为原料,利用溶胶凝胶法 制备了纳米SnO。薄膜,探讨了制膜的t艺条件, 同时考察了薄膜的晶相结构、晶粒尺寸、表面形 貌以及薄膜中元素的化学状态与热处理条件之 间的相互关系。郭玉忠”1等人通过溶胶体系流 变学实验研究,给出了切粘度、特性粘度及pH 随时间的变化曲线,在此基础上深入研究分析 了SnO。胶粒生长动力学过程特征、结构演变规 律及其生长过程中伴随的质子H+释放现象。 实验和理论揭示出SnO。胶粒遵循三阶段模型和 胶粒结构不变性规律,同时溶胶酸性对生长动 力学速率有较大影响.这为SnOz薄膜溶胶一凝胶 工艺提供了深厚的理论基础。
膜的发展趋势和应用前景。
关t词:SnO。薄膜I制备}应用;应用研究进展
中图分类号;()649
文献标识码;A
文章编号:0258—3283(2003)04—0203—04
近年来,伴随着电子工业科技的飞速发展,薄 膜技术日臻成熟,新的工艺使氧化物功能薄膜等 作为半导体材料、介电材料、电极材料、催化剂和 传感器等新材料,在许多领域得到了广泛应用,一 门新的代表高科技发展方向的产业——薄膜产业 应运而生,其中以透明导电薄膜、传感器、薄膜太 阳能电池等为代表的薄膜产业尤为突出。众所周 知,SnO。是最早使用也是目前应用最广的一种气 敏材料,是整个薄膜行业的基础。因此,有关二氧 化锡薄膜的制备及性能的研究,已成为纳米薄膜 材料和传感器材料研究领域中一个很重要的部 分,在近几年得到了迅猛的发展。

F掺杂二氧化锡导电薄膜的制备及机理研究(DOC)

F掺杂二氧化锡导电薄膜的制备及机理研究(DOC)

摘要本文以SnCl2·2H2O、NH4F为原料,采用溶胶-凝胶法制备FTO透明导电薄膜。

通过对薄膜制备的各种工艺参数包括FTO溶胶的配制、基体的处理、涂层厚度、热处理等的实验分析,利用太阳膜透过率测量仪、测试电阻等手段,以光电性能为测试内容,综合探讨了F掺杂浓度、热处理温度、薄膜厚度对薄膜的光电性能的影响。

实验得出FTO溶胶的配置方案为:SnO2的浓度为0.4 mol/L,H2O /SnCl2·2H2O=4 (mol ratio),pH=2-3,F:Sn (mol%)=5 %。

在FTO薄膜中,适量的F掺杂会显著提高薄膜的导电性,并且透光率良好;随着热处理温度的提高,薄膜的导电性略微提高,透光率提高;薄膜厚度的增加使其导电性提高,但透光率有所下降。

最终得出:F掺杂浓度为5 mol%,热处理温度为500 ℃,薄膜厚度为3层时,FTO薄膜的光电性能最优,其平均透光率可达81.5 %,每厘米间电阻为978 。

关键词:溶胶-凝胶;FTO;SnO2;透明导电薄膜;F掺杂AbstractIn this paper, FTO composite transparent conductive films were prepared by sol-gel method. The raw materials are SnCl2·2H2O and NH4F. The various parameters of film preparation were studied, including the configuration of FTO sol, matrix processing, coating thickness, heat treatment temperature, etc. According to optical performance test, the effect of F doping concentration, heat treatment temperature and film thickness on the surface morphology and optical properties were studied by solar film transmittance measurement instrument and multimeter.The optimal configuration of SnO2sol: sol concentration 0.4 mo1/L, H2O /SnCl2·2H2O=4 (mol ratio), pH=2-3;For FTO film, the appropriate amount of F doping can significantly improve the film conductivity and transmittance. As the increase of heat treatment temperature, the film conductivity and transmittance increase. As the increase of film thickness, the film conductivity increased, but the transmittance decreased.When the F doping concentration is 5mol%, heat treatment temperature at 500 ℃, and film thickness is 3, the FTO film has the best optical properties, the average light transmission rate is up to 81.5 %, and resistance is 978 per centimeter.Key words: sol-gel; FTO; SnO2; transparent conductive film; F doping目录第1章绪论 (1)1.1 SnO2薄膜的研究进展 (1)1.2 SnO2薄膜的制备方法 (4)1.2.1 磁控溅射镀膜 (4)1.2.2 热喷涂技术 (5)1.2.3 化学气相沉积法(CVD) (5)1.2.4 溶胶-凝胶法 (5)1.3 SnO2薄膜的结构和性能 (6)1.3.1 SnO2薄膜的结构和性能 (6)1.3.2 FTO薄膜的导电机理 (7)1.4 透明导电薄膜的应用 (8)1.4.1 显示器件中的应用 (8)1.4.2 建筑玻璃领域中的应用 (8)1.4.3 在光电、光热、电热及气敏器件中的应用 (8)1.4.4 其他方面的应用 (8)1.5 课题研究的目的和主要内容 (9)第2章实验内容与方法 (10)2.1 实验原理 (10)2.2 实验设备 (10)2.3 实验用试剂及药品 (11)2.4 FTO溶胶配置方案的确定 (11)2.4.1 SnO2浓度的变化 (11)2.4.2 水加入量的变化 (12)2.4.3 pH值的变化 (13)2.4.4 F掺杂浓度 (13)2.5 实验主要步骤 (14)2.5.1 FTO溶胶的配制 (14)2.5.2 玻璃基体的清洗 (15)2.5.3 FTO薄膜的制备及热处理 (15)2.6 对试样进行性能表征 (16)2.6.1 薄膜光学性能表征 (16)2.6.2 薄膜电学性能表征 (16)第3章实验结果与分析 (17)3.1 FTO溶胶不同配置方案对薄膜性能的影响 (17)3.1.1 不同的SnO2浓度对薄膜质量的影响 (17)3.1.2 不同去离子水加入量对薄膜质量的影响 (17)3.1.3 不同的PH值对薄膜质量的影响 (18)3.2 F的掺杂浓度对FTO薄膜光电性能的影响 (19)3.2.1 F掺杂浓度对FTO薄膜透光率的影响 (19)3.2.2 F掺杂浓度对FTO薄膜导电性的影响 (20)3.3 热处理温度对FTO薄膜光电性能的影响 (20)3.3.1 热处理温度对FTO薄膜透光率的影响 (20)3.3.2 热处理度对FTO薄膜导电性的影响 (21)3.4 薄膜厚度对FTO薄膜光电性能的影响 (22)3.4.1 薄膜厚度对FTO薄膜透光率的影响 (22)3.4.2 薄膜厚度对FTO薄膜导电性的影响 (23)第4章结论 (25)参考文献 (26)致谢 (27)附录A 译文 (28)附录B 英文材料 (35)第1章绪论薄膜作为一种特殊形态物质,已经成为微电子学、光电子学、磁电子学、材料表面改性、传感器、太阳能利用、液晶显示等新兴交叉科学的重要材料基础,并广泛应用于当代科学技术的各个领域,特别是高新技术领域[1]。

二氧化锡的制备及研究

二氧化锡的制备及研究
6、一种固相反应制备二氧化锡纳米晶的方法,采用无水SnCl2、Na2CO3为原料,采用NaCl为稀释剂,经脱水预处理后,在球磨机中球磨得到含SnO的前驱体,前驱体在马弗炉或气氛炉中焙烧得半成品,半成品经真空抽滤、蒸馏水洗涤,烘干即得成品SnO2纳米晶。本发明制备SnO2纳米晶,可以简化实验过程,减小前驱体的团聚现象,并有利于前驱体热处理过程中获得纳米级的SnO2;所得产品纳米晶粒径可达20~30nm,且产品纯度高,SnO2含量大于99.2%,粒径分布均匀,活性大,有利于提高气敏材料的选择性、稳定性和灵敏度。7、用溶胶凝胶法在有序的阳极氧化铝模板中制备了二氧化锡纳米管.用扫描电子显微镜、透射电子显微镜对二氧化锡纳米管的微观形貌进行了表征;用选区电子衍射,X射线衍射对其结构进行了表征。结果表明:用此方法制备的纳米管为多晶的锡石结构,管壁厚度约为20—30nm,管径约100—200nm,长度在微米量级。
4、复合掺杂二氧化锡纳米晶材料的制备方法。本发明采用机械化学反应法,采用分析纯SnCl2·5H2O、掺杂金属氯化物、Na2CO3为原料,NaCl为稀释剂,通过高能球磨,焙烧制得含掺杂金属氧化物的半成品,半成品经真空抽滤、洗涤,低温烘干即得SnO2基复合掺杂氧化物纳米晶材料。本发明操作方便,合成工艺简单,且粒度可控,污染少,同时又可以避免或减少液相合成中易出现的硬团聚现象,可以简化实验过程;利用本发明的方法所得产品粒径小、分布均匀、生产成本低、材料设计灵活,可得到平均晶粒尺寸为13~20nm的复合掺杂氧化物纳米晶。本发明中的掺杂金属可以是Zn、Cd、Fe、Sb、Cu、V、Pt、Pd。
水热法制备的纳米粒子具有晶粒发育完整粒度小分布均匀颗粒团聚较少分散性好和成分纯净等特点而且制备过程污染小成本低工艺简单尤其是无需后期的高温处理避免了高温处理过程中晶粒的长大缺陷的形成和杂质的引入制得的粉体具有较高的烧结活电弧气化合成法

一种碳包覆二氧化锡材料的制备方法及其应用

一种碳包覆二氧化锡材料的制备方法及其应用

(原创版)审核人:_________________审批人:_________________编制单位:_______________编制时间:____年___月___日序言下载提示:该文档由本店铺原创并精心编排,下载后,可根据实际需要进行调整和使用,希望能够帮助到大家,谢射!Download Note: This document is original and carefully arranged by our store. After downloading, you can adjust and use it according to your actual needs. We hope that this can help you, thank you!一、材料制备1. 反应溶剂:丙酮2. 反应温度:120°C3. 反应时间:3h4. 催化剂:二硫化碳5. 碳包覆剂:碳粉6. 二氧化锡原料:SnO2 粉7. 溶剂热反应条件:反应溶剂为丙酮,温度为 120°C,时间为3h,催化剂为二硫化碳,碳包覆剂为碳粉,二氧化锡原料为 SnO2 粉。

二、材料性能表征1. 透射电子显微镜 (TEM) 表征:采用日本 TEM 公司JEM-2100F 型高场强透射电子显微镜,观察样品制备的薄膜样品。

2. 扫描电子显微镜 (SEM) 表征:采用日本 SEM 公司 S-4800 型扫描电子显微镜,观察样品表面形貌。

3. X 射线衍射 (XRD) 表征:采用日本 RIGAKU D-MAX 2500PC 型X 射线衍射仪,观察样品的晶体结构。

4. 红外光谱 (IR) 表征:采用美国 Nicolet 6700 型红外光谱仪,观察样品的官能团。

三、材料应用1. 太阳能电池:碳包覆二氧化锡材料具有优异的光学性能和热稳定性,可以应用于太阳能电池领域。

2. LED:碳包覆二氧化锡材料可以用于 LED 领域,具有良好的发光性能。

正交相二氧化锡薄膜的制备与性能

正交相二氧化锡薄膜的制备与性能
第 1 9卷 第 1期
2 0 1 3 年2 月
上海戈
报 ( 自 然科学版)
Vbl _1 9 No.1
F b. 2 0 1 3
J OURNAL OF S HANGHAI UNI VE RS I T Y( NA TUR AL S C I E NCE)
D OI : 1 0 . 3 9 6 9 / j . i s s n . 1 0 0 7 - 2 8 6 1 . 2 0 1 3 . 0 1 . 0 1 9
电子器件 、电池 能源 材料 以及光热转 换器 等领域广泛 应 用[ 1 - 3 】 .S n 0 2 主要 以金 红 石 四方相 锡 石 结构稳 定 存在.
r e p o r t s a k i n d o f e x pe r i me n t a l r e a l i z a t i o n o f a p u r e o r t h o r h o mb i c S nO2 t h i n i f l m u n d e r l o w p r e s s u r e a n d t e mp e r a t u r e t h a t a l ' e mu c h l o we r t ha n t h o s e o f t r a d i t i o n l a me t h o d s .Th e o p t i c a l p r o pe r t i e s o f a n o r t h o r h o mb i c S n02 t h i n i f l m
A bs t r a c t : Or t h o r h o mbi c p ha se S n O2 i s a ma t e r i a l wi t h u nk n o wn o p t i c a l ,e l e c t r i c a l ,a nd g a s s e n s i n g pr o p e r t i e s .

二氧化锡薄膜制备

二氧化锡薄膜制备
溶胶凝胶法制备二氧化锡气敏薄膜
预备知识:
溶胶-凝胶法(Sol-Gel法,简称S-G法)基本原理:
无机物或金属醇盐作前驱体,在液相将这些原料均匀混合, 并进行水解、缩合化学反应,在溶液中形成稳定的透明溶胶体 系,溶胶经陈化,胶粒间缓慢聚合,形成三维空间网络结构的凝 胶,凝胶网络间充满了失去流动性的溶剂,形成凝胶。
凝胶经过干燥、烧结固化制备出分子乃至纳米亚结构的 材料。
化合物经过溶液、溶胶、凝胶而固化,再经热处理而成的 氧化物或其它化合物固体的方法
【1】李晨,徐博.溶胶-凝胶法的基本原理、发展及 应用现状[J]. 化学工业与工程,2009,26,(3)
金属醇盐:有机化合物的一个种类,可用通M(OR)n
来表示。这里M是价态为n的金属,R是烃基或芳香 基。它具有很强的反应活性,能与众多试剂发生化 学反应,尤其是含有羟基的试剂。
薄膜烧结过程中,高温作用下,溶胶开始脱水,溶胶中的C,H渐渐以气 态方式挥发脱离薄膜,锡离子被氧化生成成氧化锡晶粒。随后温度保持 一段时间的高温,薄膜晶粒受到孔隙的剪切力的作用,晶粒间的孔隙不 断减小,晶粒变得越来越致密,最终得到致密的SnO2薄膜
【1】谷清慧.溶胶凝胶法程。 缩聚反应, 即析出凝胶的反应。 实际过程中各反应分步进行,两种反应相 互交替,并无明显的先后。 可见,金属醇盐溶液水解法是利用无水醇 溶液加水后,OH -取代OR基进一步脱水而 形成M O M键,使金属氧化物发生聚合,按 均相反应机理最后生成凝胶
【1】李晨,徐博.溶胶-凝胶法的基本原理、发展及 应用现状[J]. 化学工业与工程,2009,26,(3) 【2】宋继芳,溶胶—凝胶技术的研究进展[J].无 机盐工业,2005,37,(11)
溶剂化:金属阳离子吸引水分子形成溶剂单

TiO2-SiO2_多功能薄膜的制备及其性能研究

TiO2-SiO2_多功能薄膜的制备及其性能研究

第52卷第11期表面技术2023年11月SURFACE TECHNOLOGY·347·TiO2-SiO2多功能薄膜的制备及其性能研究向军淮,徐志东,王军*(江西科技师范大学 江西省材料表面工程重点实验室,南昌 330013)摘要:目的改善普通玻璃的防雾性能。

方法采用溶胶−凝胶法在玻璃表面制备均匀透明的x TiO2-(1−x)SiO2(x为1.00、0.75、0.50、0.25、0)复合薄膜。

利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征TiO2-SiO2复合材料的微观结构和表面形貌,通过紫外可见近红外分光光度计、接触角测试仪测试TiO2-SiO2复合薄膜的光学性质和润湿性,通过热水浴实验评价镀膜前后玻璃的防雾性能。

结果XRD测试结果表明,TiO2-SiO2复合材料由锐钛矿相TiO2和非晶相SiO2构成,其相结构随着TiO2含量的变化而变化。

SEM和AFM结果表明,在TiO2-SiO2复合薄膜中,当SiO2的物质的量分数小于50%时,TiO2-SiO2复合薄膜表面均匀致密、粗糙度低;当SiO2的物质的量分数大于75%时,复合薄膜表面出现了孔洞和大颗粒,粗糙度增大。

光学性质测试结果表明,在TiO2-SiO2复合薄膜中,当SiO2的物质的量分数大于50%时,镀膜后的玻璃在可见光范围内的平均透过率高于85%。

润湿性测试结果表明,镀膜后玻璃表面的亲水性明显增强,当SiO2的物质的量分数小于50%时,TiO2-SiO2复合薄膜的接触角低于5°,表现为超亲水。

防雾性能测试结果表明,在玻璃表面制备TiO2-SiO2复合薄膜后,玻璃具有良好的防雾性能。

评价了0.50TiO2-0.50SiO2复合薄膜的耐久性,在室内放置60 d后,0.50TiO2-0.50SiO2复合薄膜的平均透过率在84%以上,且具有防雾性能,表明其耐久性较好。

结论在玻璃表面制备的0.50TiO2-0.50SiO2复合薄膜在可见光范围内具有高透明度和良好的防雾性能,且该薄膜的耐久性较好。

二氧化锡纳米材料的制备与扩展

二氧化锡纳米材料的制备与扩展
溶液pH值
溶液pH值可以影响纳米粒子的形 貌、粒径和分散性,合理调节pH 值对于制备高质量的二氧化锡纳米 材料至关重要。
形貌控制对二氧化锡纳米材料的影响
晶体结构
不同晶体结构会影响二氧化锡纳米材料的物理化学性质,如电学、光学和催 化性能。
形貌稳定性
不同形貌的二氧化锡纳米材料在应用过程中可能表现出不同的稳定性,如循 环使用性能和储存性能等。
2023
《二氧化锡纳米材料的制 备与扩展》
目录
• 引言 • 二氧化锡纳米材料制备方法 • 二氧化锡纳米材料的应用 • 二氧化锡纳米材料制备过程中的问题与挑战 • 二氧化锡纳米材料的扩展应用 • 结论与展望
01
引言
研究背景与意义
纳米科技的发展
纳米科技是在尺度上介于分子和宏观物体之间的科学技术,具有极高的研究和应用价值。
离子交换法
用离子交换剂将溶液中的离子与固相中的离子进行交换,从 而制备出二氧化锡纳米材料。
03
二氧化锡纳米材料的应用
在光催化领域的应用
降解有机染料
二氧化锡纳米材料可以作为光催化剂,在光照条件下有效降解有机染料,提 高废水处理效率。
抗菌消毒
二氧化锡纳米材料具有光催化抗菌消毒的作用,能够杀灭细菌和病毒,为医 疗、卫生和防疫等领域提供支持。
06
结论与展望
研究成果总结
要点一
成功合成二氧化锡纳 米材料
通过合适的制备条件,成功合成了二 氧化锡纳米材料,并对其形貌、结构 和性质进行了详细表征。
要点二
探讨了制备机理
针对二氧化锡纳米材料的制备机理进 行了深入研究,发现某些添加剂和温 度对二氧化锡的形貌和性能具有显著 影响。
要点三
验证了应用潜力

二氧化锡多孔陶瓷膜的制备及其表征的开题报告

二氧化锡多孔陶瓷膜的制备及其表征的开题报告

二氧化锡多孔陶瓷膜的制备及其表征的开题报告1. 研究背景及意义二氧化锡是一种重要的半导体材料,具有较高的化学稳定性、生物相容性和光学性能,因此在光电子学、电化学、传感器等领域具有广泛的应用前景。

与此同时,多孔陶瓷膜具有高比表面积、可调孔径大小和良好的机械稳定性等优势,被广泛应用于催化、分离、过滤等领域。

因此,制备二氧化锡多孔陶瓷膜有着重要的理论研究意义和应用价值。

2. 研究内容和方法本文将研究以氧化锡为原料制备多孔陶瓷膜的方法。

具体步骤如下:(1) 制备氧化锡溶胶。

(2) 在陶瓷膜基底上沉积氧化锡溶胶。

(3) 利用流变学原理控制氧化锡溶胶在基底表面的扩散和晶化过程,形成多孔结构。

(4) 经过高温烧结处理,得到多孔陶瓷膜。

对制备得到的二氧化锡多孔陶瓷膜进行表征,包括表面形貌、孔径大小、孔隙率和晶体结构等方面的参数,并对其在光电子学和催化领域的应用进行探究。

3. 预期结果通过上述研究方法,预期可以制备出表面平整且具有多孔结构的二氧化锡陶瓷膜,并控制其孔径大小和孔隙率。

在对制备得到的二氧化锡多孔陶瓷膜进行表征的基础上,探究其在光电子学、催化和传感器等领域的应用前景,为相关领域的研究提供新思路和新方法。

4. 参考文献[1] Jiajun Li, Weimin Qiu, and Shian Zhang. SnO2 macroporous films with controlled porosity and crystallinity[J]. Journal of Materials Chemistry, 2010, 20(18):3700-3705.[2] Yongbo Zhai , Yoshio Bando ,Derrick T. W. Chuen , and Dmitri Golberg. Recent Advances in ZnO-Based Light-Emitting Diodes [J]. Journal of Materials Chemistry, 2010, 20(28): 5633-5645.[3] Qian Liu, Wenping Hu, Yu Huang, et al. Template-Free Synthesis of Monodispersed SnO2@Carbon Core–Shell Nanoparticles with Enhanced Lithium Storage Capability [J]. Journal of Physical Chemistry C, 2012, 116(28): 14923-14931.。

二氧化锡负极材料

二氧化锡负极材料

二氧化锡负极材料二氧化锡(SnO2)是一种重要的无机化合物,广泛应用于电子、催化、传感器等领域。

作为锂离子电池负极材料,二氧化锡因其高理论比容量、低成本和环境友好等优点而备受关注。

本文将从二氧化锡的制备方法、性质、应用以及研究进展等方面进行详细介绍。

一、二氧化锡的制备方法二氧化锡的制备方法主要有固相法、液相法和气相法等。

1. 固相法:固相法是通过高温固相反应来制备二氧化锡。

将锡粉与氧化剂(如过氧化氢、高锰酸钾等)混合,经过研磨、干燥、烧结等步骤,得到二氧化锡粉末。

2. 液相法:液相法是通过溶液中的化学反应来制备二氧化锡。

将锡粉或锡盐溶液与氧化剂(如过氧化氢、高锰酸钾等)反应,经过滤、洗涤、干燥等步骤,得到二氧化锡粉末。

3. 气相法:气相法是通过气相反应来制备二氧化锡。

将锡粉或锡盐在氧气气氛下加热,经过氧化反应得到二氧化锡粉末。

二、二氧化锡的性质1. 外观:二氧化锡为白色或淡黄色粉末,具有较为稳定的性质。

2. 溶解性:二氧化锡在水中具有一定的溶解性,可溶于稀酸和碱溶液。

3. 热稳定性:二氧化锡具有较高的热稳定性,熔点约为1500℃。

4. 电化学性能:二氧化锡具有良好的电化学性能,可作为锂离子电池负极材料。

三、二氧化锡的应用1. 锂离子电池负极材料:二氧化锡因其高理论比容量(约为1000mAh/g)、低成本和环境友好等优点,被认为是替代石墨负极材料的有力竞争者。

2. 催化剂:二氧化锡具有催化活性,可用于催化氧化、还原等反应。

3. 传感器:二氧化锡具有良好的敏感性能,可用于制备气体传感器、湿度传感器等。

4. 电子元器件:二氧化锡可用于制备电子元器件,如电容器、电阻器等。

四、二氧化锡的研究进展近年来,研究者们对二氧化锡进行了大量研究,主要集中在提高其电化学性能、稳定性和安全性等方面。

1. 改性研究:通过掺杂、复合等手段对二氧化锡进行改性,以提高其电化学性能和稳定性。

如掺杂金属离子(如钴、镍等)、复合石墨烯等。

SiO_2薄膜在金属基体表面防护领域中的进展

SiO_2薄膜在金属基体表面防护领域中的进展

( , ,M 1 R e s e a r c h C e n t e r o f L a s e r F u s i o n C h i n a A c a d e m o f E n i n e e r i n P h s i c s i a n a n 6 2 1 9 0 0; 2 S t a t e K e L a b o r a t o r y g g y y g y y , , C u l t i v a t i o n B a s e f o r N o n m e t a l C o m o s i t e s a n d F u n c t i o n a l M a t e r i a l s S c h o o l o f M a t e r i a l S c i e n c e a n d E n i n e e r i n S o u t h w e s t p g g ,M , o f S c i e n c e a n d T e c h n o l o i a n a n 6 2 1 0 1 0; 3 L a b o r a t o r f o r E x t r e m e C o n d i t i o n s M a t t e r P r o e r t i e s U n i v e r s i t g y y g y p y , ,M ) S c h o o l o f M a t e r i a l S c i e n c e a n d E n i n e e r i n S o u t h w e s t U n i v e r s i t o f S c i e n c e a n d T e c h n o l o i a n a n 6 2 1 0 1 0 g g y g y y g r o t e c t i o n A b s t r a c t i O o a t i n i s n o w w i d e l u s e d i n t h e f i e l d o f m e t a l s u r f a c e d u e t o i t s w e a r a n d c o r r o s i o n S p g y 2c , a n d h a s a t t r a c t e d m u c h a t t e n t i o n .W i t h a b r i e f i n t r o d u c t i o n o f a n d m o d i f i c a t i o n t h e r e a r a t i o n r o c e s s e s r e s i s t a n c e p p p , r e s e a r c h r o r e s s o f S i O o a t i n s f o r m e t a l s u r f a c e r o t e c t i o n i n r e c e n t e a r s i s r e v i e w e d . S e v e r a l k i n d s o f m e t a l s f o r p g g p y 2c , ,m , , i n s t a n c e s t a i n l e s s s t e e l a n e s i u m a n d a l u m i n u m e t c c a n b e e f f e c t i v e l b S i O o a t i n s .M o r e o v e r t h e r o t e c t e d g y y g p 2c r o s e c t a n d c h a l l e n e a r e m e n t i o n e d a s w e l l . f u t u r e p p g ,m ,m , K e w o r d s i O c o a t i n o d i f i c a t i o n e t a l s u r f a c e r o t e c t i o n S g p 2, y

P型透明导电SnO_2薄膜的研究进展

P型透明导电SnO_2薄膜的研究进展

P型透明导电SnO2薄膜的研究进展倪佳苗 赵修建3 郑小林 赵 江(武汉理工大学硅酸盐材料工程中心教育部重点实验室 武汉 430070)Latest Progress of P2Type SnO2Transparent Conducting Oxide FilmsNi Jiamiao,Zhao X iujian3,Zheng X iaolin,Zhao Jiang(K ey Laboratory o f Silicate Materials Science and EngineeringMinistry o f Education,Wuhan Univer sity o f Technology,Wuhan430070,China) Abstract The latest advance of p2type SnO2transparent conducting oxide thin films,as one of the wide2band semi2 conductor materials,was reviewed in a thought prov oking way.The strengths and weaknesses of a variety of p2type SnO2 film growth techniques,such as spray pyrolysis,magnetron sputtering,and s ol2gel based chemical route,were tentatively analyzed.Discussion als o focused on fabrication of hom ogeneous p2n junctions by doping of im purities,and its possible ap2 plications.The p2type SnO2film with the highest conductivity of51952Ω-1cm-1has been success fully grown.The high quality p2n junctions made of indium tin oxide(IT O)films with g ood nonlinear current v oltage characteristics were als o reported. K eyw ords SnO2film,P2type transparent conducting film,Review,T ransparent Oxide 摘要 SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料。

溶胶_凝胶法制备二氧化锡薄膜

溶胶_凝胶法制备二氧化锡薄膜

溶胶2凝胶法制备二氧化锡薄膜潘庆谊 张剑平 董晓雯 程知萱 施利毅(上海大学理学院化学系,上海 200072) 摘 要 以无机物(SnCl4・5H2O)为前驱物采用溶胶2凝胶技术、浸渍涂布法制备二氧化锡薄膜。

研究了凝胶的脱水与晶化过程,得到经600℃热处理后凝胶晶化完整。

同时对不同粘度的涂布液与成膜厚度以及不同提拉速度与成膜厚度的关系进行研究,得到较好的直线关系。

膜厚与提拉速度的关系式为t≈V0158。

关键词 溶胶凝胶法 二氧化锡 薄膜 厚度1 引言二氧化锡(SnO2)薄膜具有高导电率、高透明度、化学性能稳定等独特的优点,广泛应用于光电材料、太阳能电池、气体传感器等方面。

可做透明电极、带电防护膜、微波反射膜等[1,2]。

二氧化锡薄膜的性能依赖于制备方法。

采用喷涂、C VD、电蒸发、溅射等方法制备二氧化锡薄膜等工作已有不少报道[3],它们各有优点,但均需昂贵的设备。

采用溶胶2凝胶技术制备二氧化锡薄膜,既具有低温操作的优点,又可严格控制掺杂量的准确性,而且还克服了其它方法在制备较大面积薄膜时的困难,因此该法方法简单,易于实施[2]。

本研究以无机物四氯化锡(SnCl4・5H2O)为前驱原料,加入少量溶胶作助剂,采用溶胶2凝胶技术制备纳米级二氧化锡凝胶。

再加入粘合剂,以浸渍涂膜法,制备二氧化锡薄膜,研究该凝胶的脱水和结晶过程及二氧化锡薄膜形成过程中膜厚与凝胶的粘合及与提拉速度的关系,并对影响薄膜质量的因素进行了讨论。

2 实验方法211 纳米SnO2凝胶的制备以分析纯四氯化锡为前驱体,在室温下用去离子水配成015m ol・L21的溶胶,控制一定的搅拌速度,滴加2m ol・L21氨水及少量溶胶形成助剂表面活性剂,使溶液pH=7,形成良好溶胶。

在40℃恒温静置获得凝胶[4]。

212 二氧化锡薄膜的制备以倾滤法将上述所得凝胶洗净,离心分离,加入不同量的成膜助剂PVC及去离子水,用超声波振荡器充分分散,使之形成成膜凝胶涂布液。

掺杂氧化锡薄膜制备的研究进展及趋势 前言

掺杂氧化锡薄膜制备的研究进展及趋势 前言

掺杂氧化锡薄膜制备的研究进展及趋势前言氧化锡(SnO2)是一种广泛应用于透明导电膜、光电器件和传感器等领域的半导体材料。

掺杂氧化锡薄膜是近年来研究的热点之一,可以通过掺杂不同的元素来改变氧化锡薄膜的电学、光学和磁学性质,从而拓展其应用领域。

本文将对掺杂氧化锡薄膜制备的研究进展及趋势进行全面详细地介绍。

一、掺杂氧化锡薄膜制备方法1. 溶液法溶液法是制备掺杂氧化锡薄膜的常用方法之一。

该方法通过在溶液中添加不同元素的化合物,如硼酸、铝酸盐和钴盐等,将其与氧化锡溶解在一起形成混合溶液,然后通过旋涂、喷涂或浸渍等方法将混合溶液沉积在基底上,并经过退火处理形成掺杂氧化锡薄膜。

2. 磁控溅射法磁控溅射法是一种常用的物理气相沉积方法,可以制备高质量的掺杂氧化锡薄膜。

该方法主要通过在真空室中加热目标材料并施加外加电场,使得目标材料蒸发并沉积在基底上形成薄膜。

通过在溅射过程中掺入不同元素的靶材,可以制备出具有不同性质的掺杂氧化锡薄膜。

3. 气相沉积法气相沉积法是一种常用的化学气相沉积方法,可以制备高质量、均匀厚度的掺杂氧化锡薄膜。

该方法主要通过将金属有机化合物和氧源混合后送入反应室,在高温下分解生成氧化锡和掺杂元素,并在基底上形成薄膜。

二、掺杂元素对氧化锡薄膜性质的影响1. 电学性质掺杂不同元素可以改变氧化锡薄膜的导电性能。

例如,硼、铝等元素的掺杂可以使得氧化锡薄膜呈现p型导电性,而钴、铜等元素的掺杂则可以使其呈现n型导电性。

2. 光学性质掺杂不同元素还可以改变氧化锡薄膜的光学性质。

例如,铝、铬等元素的掺杂可以使得氧化锡薄膜具有较高的透明度和折射率,而硼、钴等元素的掺杂则会降低其透明度和折射率。

3. 磁学性质部分过渡金属元素的掺杂还可以使得氧化锡薄膜呈现磁性。

例如,铁、钴等元素的掺杂可以使得氧化锡薄膜具有铁磁性或反铁磁性。

三、未来发展趋势1. 多功能复合掺杂未来的研究将更加注重多功能复合掺杂。

通过同时引入多种不同元素进行复合掺杂,可以实现对氧化锡薄膜多种性质的调节和优化,从而拓展其应用领域。

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圈1 a.表面氧空位俘获传导电子降低导电率 h当氧负离子和易燃气体反应,被俘获电子 退回导带时,导电率增强
2.1.2 SnOz在气敏材料(气体传感器)中的 应用
SnO:传感器如今已经得到了普遍使用。由 SnO。组成的传感器,已成为需要及时准确的对易 燃,易爆、有毒有害气体进行检测预报和自动控制 的天然气、煤炭、石油、化工等部门不可缺少的一 部分。到目前为止,这种半导体传感器已可检测 包括城市煤气、oz、H。o、cO、C02、NQ、s(k、 H:S、C。H。OH、甲苯、二甲苯等多种气体,并且已 有各种固定嘲号的传感器在市场上出售,甚至还 有一些“专职传感器”,如费加罗技和矢崎技器分 别独立完成的cO传感器。另外,智能型SnO。气 敏传感器在高新技术领域的应用更为广泛,例如 结合仿生学和传感器电子技术而研制的性能类似 殉鼻子的“电子鼻”,能在复杂的混合气体中对气 体进行定量组分分析和识别[】“。“电子鼻”一经 问世,便引起了广泛的关注。Lee D S[1”等人研 究/-9个分离传感器的传感阵列,该阵列可以定 性识别一些可燃气体,如甲烷、丙烷等。通过使用 担载了不同添加剂的纳米传感材料,这种阵列能 产生均匀的热分布,并且在低温下具有高灵敏度 和良好的重现性。 2.1.3 Sn()。气敏材料(气体传感器)的展望
随着高新技术和信息科学的发展,对气敏材
料性能的要求也越来越高。对二氧化锡而言,要
求探索新方法,制备一定厚度的薄膜,使其灵敏
度、响应和恢复时间等方面的性能有进一步的提
高。采用适当的元素对二氧化锡进行掺杂,降低
上作温度.以向实用化方向发展;利用硅微电子技
术及使用生产集成电路的平面工艺技术,研制薄
膜型、多功能、集成化气体传感器;利用一些测量
热固体表面(称为衬底或基体)上进行化学反应, 形成层固态沉积物的过程。由于它是通过一个 个分子的成核和生长,特别适宜在形状复杂的基 体上形成高度致密和厚度均匀的薄膜,且沉积温 度远低于薄膜组分物的熔点,从而成为高技术领 域不可或缺的薄膜制备技术。Lee S WL61等人采 用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以四乙 基锡作为有机台属源制备SnO。薄膜,利用XRD、 SEM、AES等力法对其结构进行表彳iF,并与采用 金属有机分解法(MOD)制备的SnO:薄膜进行微 结构比较,得出了如下结论:MOCVD法制得的 薄膜具有粗糙、浓密的柱状结构,而MOD法制得 的厚膜具有孔结构。王雅静”一等人用等离子激活 化学气相沉积法(PECVD)制备了非晶SnO。薄 膜。PECVD是制备薄膜的一种新型方法,它兼 备了化学气相沉积和等离子体沉积的低反应温 度、高活化能的优点。另外,准分子激光CVD是 近年来迅速崛起的精确成膜技术,它可利用激光 光束的选择性以及光强依赖性,实现图形的转换 以及直接图形生长。王庆亚“1等人采用该技术首 先进行厂SnO。薄膜生长规律的研究,然后利用这 一规律实现了SnO。薄膜宽约80“m窄条形和面 积1 00x 100tim2方块形图形生长。 I.3 物理气相沉积(PVD)法
二氧化锡是一种受到广泛重视的宽禁带半导 体材料,具有一些独特的性能,例如掺杂后具有高 导电率、高透射率以及较好的化学和热稳定性等, 这些性质可应用在很多技术领域,包括太阳能电 池、液晶显示器、光探测器、保护涂层等“]。近30 年来,二氧化锡一直处于金属氧化物半导体电阻 式气体传感器研究的中心。
二氧化锡材料主要有烧结型、厚膜型和薄膜 型几种,其中薄膜型材料由于在一致性、小型化、 集成化和智能化等方面的优势,以及能满足实用 中的要求,使国内外对于二氧化锡薄膜的研制开 发近年来给}T极大的重视“。用来制备二氧化 锡薄膜的方法主要有化学气相沉积(CVD)、物理 气相沉积(PVD)、喷涂热解(spray pyrolysis)和 溶胶凝胶等方法。本文将系统地对有关SnO。薄 膜的制备[艺、应用与研究进展予以阐述,以期对 有关的研究开发人员有所帮助。
第25卷第4期
张谢群等:二氧化锡薄膜的制备和应用研究进展 化学试剂,2003,25(4),203~206
二氧化锡薄膜的制备和应用研究进展
张谢群,余家国‘,赵修建,赵丽.刘升卫
(武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北武议430070)
摘要:介绍了近年来_二氧化锅薄膜的制备方法和在功能材料中的应用。探时了各种方法的特点.提出了今后二氧化锡薄
超声雾化喷涂法是在常压喷涂工艺的纂础r 采用超声增强雾化的一种新工艺。我们知道,振 荡频率为10”Hz数最级的超声波.可穿透金属、 玻璃等固体材料,而SnCI。水溶液吸收超声波后, 会分解生成以水分子和SnCl。分子为丰组成的雾 化蒸气,向雾化杯中通以氧气或氮气,携带出雾化 的sncl。、}i:0蒸汽,喷洒在加热的衬底表面|., 反应物在衬底表面受热氧化,从而生成SnO:薄 膜。周之斌““等人运用该技术成功地制备了 SnO:薄膜,将其用于太阳电池光学减反射涂层. 获得初步成功。
收纂日期;2002 07 18 基盒项目:国家自然科学基金资助项目(50272049. 50072016);高等学校骨干教师资助计划。 作者简舟t张谢群(1 978一),女,安徽人,硕士研究生,t霹 研究方向为功船薄膜材料.
万方数据
204
化学试剂
1.2 化学气相沉积法 化学气相沉积法是利用气态(蒸气)物质在一
比为8:2)条件F RF溅射SnO。靶,然后退火获 得SnO。薄膜。制备技术的小同,所获得的SnO, 薄膜结构与性能差异很大.用RGT()技术制备的 SnO。薄膜多孔,疏松.灵敏度高、稳定性好.丽用 RF技术制备的SnO:薄膜粒径大、疏松,容易吸附 有机大分子。
脉冲激光物理沉积方法(Laser Ablation)也 是制备sm):薄膜的一种有效方法。与其他方法 相比,它具有污染小、沉积速率高、好的卒间选择 性等优点。张兵临”1等人运用该技术成功制备 r SnO:薄膜。结果表明,采用该技术制备的薄 膜,比之_}}I蒸发成膜所制备的薄膜具有较高的分 辨率。 1.4 喷涂法
2 Snth薄膜的应用 2.1 二氧化锡薄膜在气敏材料巾的虚用 2.1.1 Sn0,气敏机理
关于Sn()。气敏材料的敏感机理,南于研究方 法及实验条件的不同,所提出的机理有表面电导、 晶界势垒和颈部控制等不同的模型[1¨。如表由 吸附控制模型u“认为,在洁净的空气(氧化惟气
万方数据
第2j卷第4期
技术,如Auger谱及EPR等手段,检定半导体中
局域化未成对电子的浓度及吸附氧的浓度;用热
致脱附谱(TDs)与质谱连用,在超真空度时可以 估算单层膜的氧覆盖率及一些可能的脱附现象,
运用红外光谱及四极质谱等检定脱附物的组成和
浓度;结合动力学的一些方法.推测气固反应的
催化机制,研究和探讨二氧化锡的气敏机理,以便
张谢群等:一氧化锡薄膜的制备和应用研究进展
氟)中加热到一一定的温度时,对氧进行表面吸附 (I自j二二氧化锡处于SnO。。的状态,表面活性较 高,存有催化剂的情况下很容易吸附氧),在材料 的晶界处(材料处于多晶状态,或本身就是由纳米 级的微粒维成的)形成势垒,该势垒能束缚电子在 电场作用下的漂移运动,使之不易穿过势垒,从而 引起材料电导降低;在还原性被测气氛中,吸附被 测气体并与吸附氧交换位置或发生反应,使晶界 处的吸附氧脱附,致使表面势垒降低,从而引起材 料电导的增加。通过材料电导的变化可用来检测 气体.见图1(以Co为例):
喷涂热处理工艺是将反应物喷涂彳F热衬底表 面,经热分解而产生SnO。薄膜,在此工艺中,反应 溶液多采用SnCI。、Sn(cH。),C12等的水溶液,水 为氧化剂、N:、(),等为携带气体,酒精、EfI醇等物 质作为稀释剂加入反直溶液中。越泽廷“21等人 根据气敏光学特性的要求,用可控气压喷涂和高 温处理的新方法,制成SnOz膜。膜面平整均匀, 晶粒结构细密,缺陷较少,其光学特性比用其他方 法制成的薄膜好,使用的设备及工艺简单。用这 种方法可在外型结构较为复杂的光波导表面L喷 涂上敏感膜,还可用于各种膜片(包括电阻喇气 敏膜)的制作,并适合工厂化生产。
于开发出性能更为优越的气敏材料““。
2.2
SnOz薄膜在电子工业中的应用
二氧化锡电热膜又称半导体电热膜、无机电
热膜、透明电热膜等,是电热膜中最常用的一种。
该膜本身硬度高,与载体结合牢,高温性能稳定,
能在较高温度下工作,有很好的抗氧化性、化学腐
蚀能力,以及较好的阻值稳定性,并具有节能、轻
巧、长寿、无明火、起动电流小等主要特性。它厚
度极薄,一般以微米(】0“)计,其独特之处是透明
性,可见光透过率可达90%以.卜。在电子工业
物理气相沉积法是用电弧、高频或等离子体 将原料加热,使之气化或形成等离子体,然后骤 冷。使之凝结成超微粒子。可采取通入惰性气体, 改变压力的办法来控制微粒大小。通常,它包括 真空蒸发、溅射、离子镀等方法。
溅射工艺以惰性气体放电而产生的正离子轰 击固体阴极而把其材料轰击出来,有直流溅射、射 频溅射和磁控溅射等方法。溅射工艺重复性及可 控性好,可以制备超微粒薄膜,但设备昂贵.生长 速度较慢。李建平”3等分别用液延生长热氧化 法(RGTO)、室温直流(CD)溅射法、射频(RF)溅 射法制备了SnO。薄膜,其中R(;TO技术是意大 利学者Sberveglieri G【lo?发明的一种制备金属氧 化物薄膜的方法。制备过程分两步:首先采用磁 控溅射在温度稍高于sn熔点(232℃)的基片上, 沉积约l sO nm厚度的Sn膜层.然后使金属Sn 膜在高温下产生热氧化反应,从而制备成SnO:薄 膜。L、D溅射技术的Sn膜是在室温下沉积生成 的.而RF溅射技术则关t词:SnO。薄膜I制备}应用;应用研究进展
中图分类号;()649
文献标识码;A
文章编号:0258—3283(2003)04—0203—04
近年来,伴随着电子工业科技的飞速发展,薄 膜技术日臻成熟,新的工艺使氧化物功能薄膜等 作为半导体材料、介电材料、电极材料、催化剂和 传感器等新材料,在许多领域得到了广泛应用,一 门新的代表高科技发展方向的产业——薄膜产业 应运而生,其中以透明导电薄膜、传感器、薄膜太 阳能电池等为代表的薄膜产业尤为突出。众所周 知,SnO。是最早使用也是目前应用最广的一种气 敏材料,是整个薄膜行业的基础。因此,有关二氧 化锡薄膜的制备及性能的研究,已成为纳米薄膜 材料和传感器材料研究领域中一个很重要的部 分,在近几年得到了迅猛的发展。
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