Ku波段功率放大器的研制
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在提取的lipROOT模型的基础上对放大器电路1、2进行模拟、优化,在这过程中,根据HPROOT模型的特点,对器件工作状态进行模拟,并由此调整匹配元件值。小信号和输出功率模拟结果如图4、5所示。
5制作工艺和器件选择
单片功率放大器采用0.5umPHEMT工艺,翻作的0.5mm栅宽器件fmax~60GHz左右·在Ku波段高端,器件频率特性比较临界,只能基本满足放大器对器件频率特性的需求。同时由于采用矩形栅工艺(未采用T形栅工艺),因此器件单指橱宽不宜过大.设计中放大器1前级器件单指栅宽35um.后级器件单指栅宽50um;放大器2器件单指栅宽50um。电容采用Si,N‘和TaOIvlllvl电容,方块容值分别为260pf/mm2和600pf/mm2。电阻采用TaN金属薄膜电阻,方块阻值25o。整个单片工艺在南京电子器件研究所中76ram工艺线上完成。
研制的放大器芯片如图6所示。
图6a放大器1芯片(芯片尺
寸:1,4¥mmX2.3ram)
研制结果
由于放大器工作
频率较高,常规的装
配测试将对放大器的
性能产生影响,不能
准确的反映放大器的
特性,较好的解决办
法是采用微波探针在
片测试。图7所示的
是微波探针测量的单
片放大器l的小信号
特性。将放大器单片
装盒后测量的功率特
性结果如图8所示。
从圈7和圈8的测量
结果和模拟结果比较
图6b放大器2芯片(芯片
尺寸:3.15mmX3.14ram)
图7单片放大器1小信号测试结果
图8a放大器1输出功率特性fPin=mdRml
·382·图8b放大器2输出功率特性
(Pin---24dBm)
分析可以看出。实验结果与模拟结果比较吻合.这表明设计所采用的非线性模型lipRoot"模型在一定范围内准确、可用。
图9放大器电路框图图10Ku波段功率放大器输出功率特性(Pin=6dBm)
根据需求,按照图9所示的电路框图进行放大器的组装,由于采用Lange耦合器进行功率合成,放大器具有非常好的输出驻波性能,在所需要的频段内,输岱驻波比基本在1.5以内.最终放大嚣的输出功率特性如图l驯养示,输出功率大于32dBm.由于采用GaAsIvIMIC芯片,整个放大器尺寸为20Ⅱ蛐×18mm×7mm。效率≥12%。
感谢:本课题在研制过程中得到南京电子器件研究所一中心3英寸GaAs工艺线和设计部广大人员的大力协作,在此深衰感谢.
·383·
Ku波段功率放大器的研制
作者:钱峰, 蒋幼泉, 叶育红, 徐波
作者单位:南京电子器件研究所
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引用本文格式:钱峰.蒋幼泉.叶育红.徐波Ku波段功率放大器的研制[会议论文] 2002