第一章：TD-LTE室分系统技术介绍

一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分多系统同步覆盖要求
移动TD-LTE室内覆盖与原TD-SCDMA室分系统合路，需考虑两者的同步覆盖： TD-LTE和TD-SCDMA合路共用天馈分布，两者边缘覆盖场强需同时满足要求。
信源
3G设备 总功率20W RSCP：30dBm (43dBm) 3G信源 RSRP:?dBm
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE双通道室分性能建设要求—双流功率平衡
双通道天线 功率差5dB
近、中、远点 下行吞吐量下降6.8% 平均统计分析 上行吞吐量下降8.8%
远点位置 下行吞吐量下降20.2% 统计分析 上行吞吐量下降27.8%
实测分析：随着LTE双通道室分两路功率不平衡加剧，系统性能成下降趋势！ 测试结论：从系统性能和工程实施等角度考虑，通道功率差异应在5dB以内。 工程建议：信源预留2～3dB功率，新建支路侧增加衰减器，验收增加评估。
HQ（N型）器件 (应用于室分中级)
● 互调指标为PIM3:<-130dBc@2*43dBm的无源器件
适合于2W/每载波至20W/每载波场景，提高网络质量；
HQ（Din型）器件 (应用于室分前级)
● 互调指标为PIM3:<-140dBc@2*43dBm的无源器件
适合于20W/每载波以上超大功率环境，提高网络质量。
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE双通道室分性能建设要求--单/双极化天线MIMO测试
两个单极化不同间距MIMO性能测试 上行（Mbps） 下行(Mbps) 1 2 3 平均 1 2 3 平均 58.9 61.9 60.5 55.1
天线 间距
2λ 12.7 12.5 12.1 12.5 59.5 57.3 60.0 4λ 13.6 13.0 13.4 13.3 60.7 60.3 64.7 10λ 12.9 14.3 13.1 13.4 61.7 62.6 57.3 15λ 13.8 13.6 14.5 14.0 54.6 57.3 53.4
LTE信源
LTE设备 总功率?
分布系统损耗+空间损耗+遮挡损耗
终端
3G:5dBm
10m
ANT
30m 5m
LTE:?dBm
20dB耦合器
6dB耦合器
30m
3G:UE 3G:-85dBm LTE:-105dBm
LTE:UE
二功分
覆盖传播距离d为（米） 室内天馈分布系统损耗PLdas(dB) = 基站输出功率 -天线口功率 空间传播损耗PLair(dB) = 自由空间损耗 + 遮挡损耗
2.6GHz TD-LTE室分覆盖仿真 88.7%
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--原3G室分2.6GHz 改造
3G室内覆盖 TD-LTE室内覆盖 3G室内覆盖 TD-LTE室内覆盖
LTE弱覆盖
LTE覆盖盲区
天线分裂
“小功率，多天线”
改造前：利旧3G室分TD-LTE覆盖不足
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--同步覆盖分析
LTE双网融合提升用户业务体验：
信号覆盖、信号质量、业务容量！
2.1GHz TD-S室分覆盖仿真
95.5%
TD-SCDMA 2100系统
TD-LTE 2.3GHz TD-LTE 2.6GHz
2.3GHz TD-LTE室分覆盖仿真
第一章：TD-LTE室分系统技术介绍
目
录
一
二
TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分规划设计方案
三
四
TD-LTE与2G&3G室分对比
多系统共建室分的设计要点
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分性能关键要素
WLAN AP 2G信源 2G信源 LTE信源 多频合路器 WLAN 合路器
室分双极化天线和两个单极化
改造后：3G&TD-LTE室分同步覆盖
注： 3G系统为2.1GHz频段，TD-LTE为2.6Hz频段； 原室分器件和天线支持2.6GHz频段，否则需更换。
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE双通道室分性能建设要求--双流性能测试
测试结论：双通道室分对于下行速率有较大提升，上行远点有改善。
综合考虑测试结论及工程安装实际条件（TD-LTE 2.3GHz），结论及建议： 天线间距在10λ =1.25m最佳；安装受限，天线间距应不小于4λ =0.5m。
两个单极化和1个双极化天线的MIMO测试（单位：Mbps）
天线配置 单极化天线间距 1.25m 双极化天线 下行近点 吞吐量 18.0 16.2 下行中点 吞吐量 15.8 15.0 下行远点 吞吐量 11.1 9.1
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分多系统同步覆盖要求
TD-SCDMA系统： 2100MHz ；TD-LTE系统：2300MHz 两个系统的频段相近，其馈线损耗和传播损耗特性类似。 馈线损耗（百米损耗）
馈线类型 900MHz 1800MHz 1900MHz 2100MHz 2300MHz 2400MHz 2500MHz 2600MHz 1/2〞 7/8〞 6 4 10 5.7 10.3 5.85 10.6 6.05 11.4 6.6 11.7 6.9 12.1 7.1 12.5 7.3
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分器件和天线选型要求--室分器件2.6GHz测试
现有器件在2.6GHz的性能测试（抽检）： 原3G室利旧用于TD-LTE(2.6GHz)覆盖：
建议更换所有无源器件和室分天线，则原室 内分布只剩下馈线可利旧，改造工程量非常大、 施工麻烦、建设周期长、物业协调难度剧增。 适合重新物业协调容易、原天馈布线简单、 原无源器件和天线标签清晰、建设周期要求不 高的场景。 TD-LTE(2.6GHz)室分新建或新解决方案： 现有室分器件和天线指标不支持2.6GHz； 不同个体存在差异，大部分会有恶化趋势。 1）新建TD-LTE（2.6GHz）室内分布系统； 2）采用新解决方案（光纤分布、SmallCell）。
TD-SCDMA 覆盖指标：RSRP≥ -85dBm。
空间传播损耗PLair(dB) = 自由空间损耗 + 遮挡损耗 = 天线口功率+天线增益-边缘指标 = 5+2-（-85） = 92dB
3G:5dBm
10m
3G设备 总功率 20W RSCP；30dBm (43dBm)
天线增益2dBi
3G信源
RSRP：12.2dBm LTE设备 总功率20W (43dBm)
根据室内分布系统不同节点的馈入功率等级，合理选用无源器件类别。
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分器件和天线选型要求--器件选取
集采常规型
1、频段范围：800-2500 2、平均功率：200W
高端N型
1、频段范围：800-2700 2、平均功率：300W 3、峰值功率：1000W 4、三阶互调：-130dBc
自由空间损耗
遮挡损耗 900M 1800M 2100M 2400M 2600M 1m 31.5 37.5 38.8 40.0 40.7 5m 45.5 51.5 52.8 54.0 54.7 10m 51.5 57.5 58.8 60.0 60.7 15m 55.0 61.0 62.4 63.5 64.2
高端DIN型
1、频段范围：800-2700 2、平均功率：500W 3、峰值功率：1500W 4、三阶互调：-140dBc
3、峰值功率：无要求
4、三阶互调：-120dBc
集采常规型产品满足一般场合的室内分布系； 多系统、多载波、高负荷室分场景难以满足。
HQ器件指标高，符合复杂室分场景； 支持运营商新系统、多系统接入要求。
30
25
12
25.5
12
26
5
2 7 10 58.8 10 18
-13.5
2 -11.5 10 59.6 10 19
-14
2 -12 10 60.7 10 20
Plair 「无 线 传播」
5
-84.8 -85
5
-105.1 -105
5
-107.7 -105
2.3G频段TD-LTE可与TD-S系统直接合路；2.6G频段与3G直接合路覆盖稍有不足。
30m 5m
LTE:-13.5dBm
6dB耦合器
30m
20dB耦合器
3G:UE 3G:-85dBm
LTE:UE
二功分 覆盖传播距离d为（米） 空间传播损耗PLair(dB) = 92dB + 1dB + 1dB = 94dB 天线口输入RSRP功率: 12-28.5=-13.5dBm
LTE信源
LTE:-105.5dBm
功分器 耦合器 室分壁挂天线
FDD-LTE（1.8GHz）？ TD-LTE （2.6GHz）？
接入网元 + （信源接入子系统） + 信号传输网络 分布子系统）
室分吸顶天线
+ 室分天线 + （覆盖子系统）
室分器件天线频段支持？
不同频段室分覆盖效ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ？
双通道室分建设的要求？
一、TD-LTE室分关键技术分析
链 路 预 算 分 析
室内天馈分布系统损耗PLdas(dB) = 25dB+0.5dB= 25.5dB
设备输出功率 RSRP:12dBm
LTE终端接收功率: -13.5+2-94=-105.5dBm
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--同步覆盖分析
链路预算项目 系统频段（MHz) 载波（MHz) 基站功率(dBm) Pldas 「分 布系 统」 导频功率(dBm) 分布损耗(dB) 天线口功率(dBm) 天线增益(dBi) 天线口EIRP(dBm) 最远覆盖距离(米） 自由空间损耗（dB) 衰落余量（dB) 墙体损耗（dB) 干扰储备（dB) 边缘信号电平（dBm) 边缘接收电平要求（dBm) TD-SCDMA 2100 1.6MHz 43 TD-LTE 2300 20MHz 43 TD-LTE 2600 20MHz 43
LTE系统制式不同，频段有差异， 传统室内分布系统融合建网困难。
TD-SCDMA 2100MHz覆盖 (20W） 占比 78.0% 10.0% 7.5% 4.5% 场强区间 （dBm） [-75,0] [-85,-75] [-95,-85] [-130,-95] 颜色 区间 TD-LTE系统覆盖(20W/每通道，20MHz) TD-LTE频段 2.3GHz 2.6GHz 场强区间 （dBm） [-85,0] [-95,-85] [-105,-95] [-135,-105] 百分比 75.3% 8.2% 9.3% 7.2% 百分比 72.9% 6.8% 9.0% 11.3%
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--同步覆盖分析
TD-LTE覆盖指标：RSRP≥ -105dBm;
TD-SCDMA:2100MHz TD-LTE :2300MHz(20MHz) 室内天馈分布系统损耗PLdas(dB) = 基站输出功率 -天线口功率 = 30 – 5 =25dB
遮挡损耗
遮挡损耗 混泥土墙 混泥土楼板 900MHz 1800MH 2100MHz 2400MHz 2600MHz 15dB 17dB 18dB 19dB 20dB 4dB 8.5dB 10dB 11.5dB 12.5dB 天花板 1~2dB 1~6dB 1~8dB 1.4~9dB 2.4~10dB 金属楼梯 2dB 4dB 5dB 7dB 8dB
TD-LTE室分器件和天线选型要求--互调干扰影响
TD-S&TD-LTE&GSM 多系统合路共用室分系统
多系统、多载波、高负荷，对于前端器件指标要求高。
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分器件和天线选型要求--器件指标对网络的影响
平均功率容量不足: 信号可能会产生毛刺 易产生上行干扰 峰值功率容量不足： 易产生上行干扰 严重情况易发生器件打火 击穿导致损坏 互调指标不达标： 产生同邻频干扰，造成 通话质量下降
影响基站上行信号接收
互调干扰造成相邻系统 无法正常运行 落入上行频段 的高阶互调 落入上行频段 的低阶互调
一、TD-LTE室分关键技术分析
TD-LTE室分器件和天线选型要求--器件选取
集采常规型器件 (应用于室分后级)
● 互调指标为PIM3:<-120dBc@2*43dBm的无源器件
适合于2W/每载波及以下小功率场景，降低组网成本；