氮化镓基PIN紫外探测器芯片研究
p--i--n型AlGaN基紫外探测器钝化特性的研究的开题报告
p--i--n型AlGaN基紫外探测器钝化特性的研究的开题报告一、研究背景随着人们对环境和生命健康日益关注，紫外光谱技术的应用越来越广泛。
紫外光谱在医学、化学、生物学、环境监测等领域具有重要的应用价值。
因此，开发高性能紫外探测器成为了一个热门研究方向。
AlGaN是一种具有宽带隙、高电场饱和漂移速度和优异的光电特性的材料，近年来在紫外探测器领域得到了广泛的应用。
尤其是p-i-n型AlGaN基紫外探测器，具有响应速度快、灵敏度高、噪声小等优点，在空气、水质等领域的光谱检测中具有广泛的应用前景。
然而，AlGaN材料表面的氧化物和杂质会导致载流子的陷阱，从而降低探测器的效率。
因此，研究p-i-n型AlGaN基紫外探测器的钝化特性，提高其光电转换效率，具有重要的研究意义和应用价值。
二、研究内容本课题旨在研究p-i-n型AlGaN基紫外探测器的钝化特性，并探究不同钝化方法对其性能的影响。
具体研究内容包括：1. 探究AlGaN材料表面的氧化物和杂质对载流子的陷阱作用机理；2. 研究不同钝化方法（如平面化处理、化学处理等）对AlGaN基紫外探测器性能的影响；3. 设计并制备p-i-n型AlGaN基紫外探测器，对其性能进行测试和分析；4. 对不同钝化方法下的探测器的灵敏度、响应速度和噪声等参数进行比较和分析。
三、研究意义通过研究p-i-n型AlGaN基紫外探测器的钝化特性，可以有效地降低其表面氧化物和杂质对载流子的陷阱作用，提高其光电转换效率，增强其探测灵敏度和响应速度。
这对于实现在空气、水质等领域的光谱检测具有重要的意义。
同时，研究结果还将为相关领域的技术开发和改进提供有力支持。
四、研究方法1. 材料制备：采用金属有机气相沉积技术制备AlGaN材料片；2. 简化模型：根据材料特性建立AlGaN基紫外探测器的简化模型；3. 钝化方法：采用不同的钝化方法处理探测器材料表面；4. 测试分析：对不同钝化方法下的探测器进行测试和分析，得到其灵敏度、响应速度和噪声等参数；5. 数据处理：对测试结果进行数据处理和统计分析。
氮化镓基PIN结构紫外探测器研究与应用
北京Ｔ业人学Ｔ学博Ｉ学｛々论文
ＬａｎｌｃｅＣｏｎｓｔａｎｔ（Ａ）
图３－１ＩＩＩ族氮化物、常用衬底和传统半导体材料的带隙、晶格常数对比
Ｆｉｇ．３－１．ＴｈｅｂａｎｄｇａｐｓｏｆＩＩＩ—ｎｉｔｒｉｄｅｓ．ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｃｏｍｏｎｌｙｕｓｅｄｆｏｒ
ｎｉｔｒｉｄｅｓａｎｄｏｔｈｅｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｔｓｖｓ．ｔｈｅｉｒｌａｔｔｉｃｅ
ｃｏｎｓｔａｎｔｓ．
由于ＧａＮ材料具有大的离子性，通常ＧａＮ基材料的热力学平衡相为六方密堆积，即纤锌矿结构。
其主要结构参数列于表３一ｌ眦“酬
３．Ｌ２ＧａＮ基材料的光学特性
图３—２典型ＧａＮ薄膜的ＰＬ谱图惭１给出了ＧａＮ及其ｎ、Ｐ型掺杂的典型ＰＬ光谱。
对掺杂特性的光谱研究以及掺杂浓度的影晌进行讨论，是材料生长方面的重要内容，特别是对用于器件制作的材料生长，例如，对用于紫外探测器制作的材料，要求其紫外光响应度／可见光响应度（ＵＶ／Ｖｉｓ）比要尽量大，从而保证探测器的灵敏度和分辨率，而ＧａＮＰＬ谱中的黄光峰无疑会降低Ｕ、，／Ｖｉｓ比，因此如何降低材料的ＰＬ谱黄光峰，就成为提高紫外探测器性能的重要研究工作。
３．１．３ＧａＮ基材料的杂质及其掺杂
ＧａＮ材料的缺陷分为三类：本征缺陷（Ｎａｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓ），浅施主缺陷（Ｓｈａｌｌｏｗｄｏｎｏｒｓ）以及受主缺陷（Ａｃｃｅｐｔｏｒｓ），前者主要由材料生长过程中的本身特性决定，后两者则主要与杂质掺杂有关。
PIN结构GaN光电探测器性能的研究
太阳能光电工程学院《PIN结构GaN光电探测器性能的研究》课程设计报告书题目：PIN结构GaN光电探测器性能的研究*名：***专业：光伏材料加工与应用技术班级：光伏材料加工与应用技术本科班准考证号： 014411304226设计成绩：指导教师：摘要半导体光电探铡器主要分成两类，光电导型和光伏型。
光电导型原理是由于光生载流子造成电导率的变化，光伏型原理是耗尽区的电场使光生载流子产生定向运动形成电流。
常见的光伏型探测器是pn结和pin型光电二极管，另一类型是肖特基型光电二极管，其耗尽区是肖特基原理形成。
与光伏型相比，光电导型探测器有两个主要优点：具有内增益和制作简单。
然而，光电导型探测器要求加偏置，暗电流大，而且速度慢。
肖特基型光探测器被认为是速度最快的探测器，但是它的势垒较低，漏电流比pin型大。
由于耗尽区窄，而且GaN材料中耗尽区外产生的载流子扩散长度短，肖特基型光探测器量子效率较低。
所以本文选择了pin型光探测器的研究，加入i层是为了扩展耗尽区的宽度，增加对光的吸收。
关键词：氮化镓探测器 PIN 饱和电流目录绪言 (3)第一章 GaN基pin型探测器 (4)1.1 pin型探测器工作原理 (4)1.2 量子效率及光谱晌应 (6)1.3 瞬态响应 (7)1.4 GaN基pin型探测器研究现状 (8)第二章 Ga基pin型紫外探测器的研制 (10)2.1 GaN基pin型探测器分析 (10)2.1.1 GaN材料p诅紫外探测器 (10)2.1.2 pin紫外探测器分析 (10)2.2 材料生长及器件制作 (12)2.2.1 材料生长 (12)2.2.2 版图设计 (12)2.2.3 器件制备 (14)3.1 暗电流 (15)3.2 光电流 (16)第四章 GaN基pin型紫外探测器高温电气性能 (17)4.1 不同温度下I—V性能测试及分析 (17)4.1.1 测试系统的建立 (17)4.1.2 测试结果处理及分析 (18)4.2 不同温度下C-V性能测试及分析 (18)4.2.1 测试系统的建立 (18)4.2.2 测试结果处理及分析 (19)结论 (20)参考文献 (21)绪言半导体紫外探测器体积小，性能稳定，使用方便。
氮化镓基紫外探测器
2）存在的主要问题 Si衬底上外延GaN，其晶格失配为17% Si衬底和GaN之间56%的热膨胀系数差 异导致较大的热失配，从而产生微裂。 Si扩散及SiNx形成问题
3）采用的研究方案
采用高温AlN缓冲层技术，抑制Si扩散，缓解晶 格失配。 采用插入层技术，解决由于热失配导致的GaN层 微裂问题。 可协变衬底技术，解决晶格失配和热失配问题。
GaN grown by the two-step method
2 m
3）自行设计组装了MOCVD设备在位监测 系统，对GaN基材料的生长规律和过程有 了更深刻的理解，进一步优化了N型GaN 、P型GaN和AlGaN的生长参数，材料质量 得到了进一步的提高
B
40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
4000
3000
PL Intensity (a.u.)
2000
1000
0
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
Wavelength (Angstrom)
3 氮化镓基激光器
1）通过计算机模拟计算和分析确定了分 别限制异质结结构的激光器结构的 各层 基本参数；
P-electrode
Si衬底GaN基 LED及LD等器件便于集成。 低成本、高质量和大面积的Si衬底。
Si基GaN器件制作较SiC和Al2O3衬底器件简 单，成本低。
Si衬底生长GaN基材料取向为： GaN(0001)[2-1-10]//Si(111)[02-2], 因此，Si衬底生长的GaN基外延片易解理 ，更适合大批量生产。 Si衬底优越的散热性能，在大面积集成 、显示方面的应用将显示出更多的优越 性
GaN基PIN型核辐射探测器性能研究的开题报告
GaN基PIN型核辐射探测器性能研究的开题报告一、选题背景及意义随着核能技术的广泛应用，核辐射探测器作为核能技术的重要组成部分，受到了广泛的关注和研究。
GaN材料具有优异的物理特性，如高电子饱和迁移速度、高极限电场、高热导率、高辐射抗性等，因此逐渐成为了新一代的核辐射探测器材料。
GaN材料的PIN型结构可以将其应用于核辐射探测器中，因此研究GaN基PIN型核辐射探测器的性能对于优化核辐射探测器的性能具有重要的意义。
二、研究内容及方法本次研究将以GaN材料为基础，研究GaN基PIN型核辐射探测器的性能特点。
具体研究内容包括：1.研究GaN材料的制备方法及物理特性；2.建立GaN基PIN型核辐射探测器的模型，并确定适合该模型的条件；3.通过实验测试，分析GaN基PIN型核辐射探测器的性能特点，包括灵敏度、分辨率、响应速度等；4.对实验数据进行分析，探究GaN基PIN型核辐射探测器性能特点的原因。
三、预期成果及目标本次研究的预期成果包括：1.掌握GaN材料的制备及其物理特性；2.建立GaN基PIN型核辐射探测器的模型，并确定适合该模型的条件；3.实验测试GaN基PIN型核辐射探测器的性能特点，包括灵敏度、分辨率、响应速度等；4.分析实验数据，探究GaN基PIN型核辐射探测器性能特点的原因；5.提出改进方案，以提高GaN基PIN型核辐射探测器的性能。
四、研究意义及应用前景GaN材料具有良好的物理特性，因此其应用前景广阔。
本次研究可以深入了解GaN基PIN型核辐射探测器的性能特点，为其进一步的开发、应用提供理论基础。
此外，本研究对于优化核辐射探测器性能，提高辐射监测和辐射剂量评估具有重要的应用价值。
氮化镓基紫外光电探测器的研究的开题报告
氮化镓基紫外光电探测器的研究的开题报告
一、选题背景及意义
随着光通讯、摄像、安防等领域的飞速发展，高性能紫外光电探测器的需求不断增加。
氮化镓基紫外光电探测器具有高响应速度、低噪声、高灵敏度等优点，成为当
前热门的研究领域之一。
在国内外，已有许多关于氮化镓基紫外光电探测器的研究报道，但在国内相关研究还相对较少。
本研究旨在开展氮化镓基紫外光电探测器的研究，为相关领域提供新型高性能光电探测器。
二、研究内容和方法
本研究主要从以下几个方面展开：
1. 氮化镓材料制备：使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备氮化镓材料，优化制备工艺，提高材料质量。
2. 光电器件结构设计：设计氮化镓基紫外光电探测器结构，包括光电极、传输层、活性层等，优化器件结构参数，提高器件性能。
3. 光电特性测试：采用光电测试系统对氮化镓基紫外光电探测器的响应度、暗电流、噪声等性能进行测试，分析其性能特点。
4. 结果分析与讨论：对测试结果进行分析，探讨影响氮化镓基紫外光电探测器性能的主要因素，给出优化建议。
三、预期成果
1. 成功制备氮化镓材料并优化制备工艺。
2. 设计出优秀的氮化镓基紫外光电探测器结构，优化器件性能。
3. 完成对氮化镓基紫外光电探测器的光电特性测试，得出性能特点。
4. 分析氮化镓基紫外光电探测器的性能特点及其对应的优化策略。
四、研究意义
1. 为氮化镓基紫外光电探测器的应用提供新型高性能器件。
2. 推动我国光电器件相关技术的发展和进步。
3. 促进国内工业界的技术进步和创新能力。
PIN结构GaN光电探测器性能的研究
太阳能光电工程学院《PIN结构GaN光电探测器性能的研究》课程设计报告书题目：PIN结构GaN光电探测器性能的研究*名：***专业：光伏材料加工与应用技术班级：光伏材料加工与应用技术本科班准考证号： 014411304226设计成绩：指导教师：摘要半导体光电探铡器主要分成两类，光电导型和光伏型。
光电导型原理是由于光生载流子造成电导率的变化，光伏型原理是耗尽区的电场使光生载流子产生定向运动形成电流。
常见的光伏型探测器是pn结和pin型光电二极管，另一类型是肖特基型光电二极管，其耗尽区是肖特基原理形成。
与光伏型相比，光电导型探测器有两个主要优点：具有内增益和制作简单。
然而，光电导型探测器要求加偏置，暗电流大，而且速度慢。
肖特基型光探测器被认为是速度最快的探测器，但是它的势垒较低，漏电流比pin型大。
由于耗尽区窄，而且GaN材料中耗尽区外产生的载流子扩散长度短，肖特基型光探测器量子效率较低。
所以本文选择了pin型光探测器的研究，加入i层是为了扩展耗尽区的宽度，增加对光的吸收。
关键词：氮化镓探测器 PIN 饱和电流目录绪言 (3)第一章 GaN基pin型探测器 (4)1.1 pin型探测器工作原理 (4)1.2 量子效率及光谱晌应 (6)1.3 瞬态响应 (7)1.4 GaN基pin型探测器研究现状 (8)第二章 Ga基pin型紫外探测器的研制 (10)2.1 GaN基pin型探测器分析 (10)2.1.1 GaN材料p诅紫外探测器 (10)2.1.2 pin紫外探测器分析 (10)2.2 材料生长及器件制作 (12)2.2.1 材料生长 (12)2.2.2 版图设计 (12)2.2.3 器件制备 (14)3.1 暗电流 (15)3.2 光电流 (16)第四章 GaN基pin型紫外探测器高温电气性能 (17)4.1 不同温度下I—V性能测试及分析 (17)4.1.1 测试系统的建立 (17)4.1.2 测试结果处理及分析 (18)4.2 不同温度下C-V性能测试及分析 (18)4.2.1 测试系统的建立 (18)4.2.2 测试结果处理及分析 (19)结论 (20)参考文献 (21)绪言半导体紫外探测器体积小，性能稳定，使用方便。
氮化镓基紫外探测器光电特性研究的开题报告
氮化镓基紫外探测器光电特性研究的开题报告
一、研究的目的和意义：
氮化镓是一种优良的半导体材料，在电子学、光电子学等领域有广泛的应用前景。
特别是氮化镓在紫外探测器方面具有很高的潜力，可以广泛应用于日光紫外线探测、
臭氧层监测、火焰检测、远程探测等领域。
因此，开展氮化镓基紫外探测器光电特性
研究是十分必要和具有重要意义的。
二、研究内容和方法：
1. 紫外探测器的制备：选择优质的氮化镓材料，采用分子束外延法或金属有机气相沉积法等制备氮化镓基紫外探测器；
2. 光电性能测试：测量氮化镓基紫外探测器的器件结构参数、电学特性、光谱响应等光电性能参数；
3. 光学特性测试：研究氮化镓基紫外探测器在紫外波段（200-400nm）下的光学特性，如吸收特性、反射特性等；
4. 表征分析：通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪等表征手段对制备的氮化镓基紫外探测器进行形貌和结构分析。
三、预期研究结果和意义：
1. 研究氮化镓基紫外探测器的光电特性，并实现其在紫外探测方面的应用；
2. 探究氮化镓材料的结构和性质，为材料的进一步研究提供支持和依据；
3. 推动我国紫外探测技术的发展，为紫外探测领域提供重要的科学研究成果。
氮化镓基紫外探测器
P-GaN
P-AlGaN
InGaNMQW n-AlGaN n-AlInGaN SiO2 n-electrode
GaN
Al2O3 substrate
2） 利用现有的MOCVD设备研究了 GaN侧向外延技术，基本上掌握了侧 向外延中生长参数对材料特性影响的 一般性规律，侧向外延掩膜区的缺陷 密度大幅度降低，目前已经达到 107/cm2量级, 在侧向外延技术方面我 们还申请了一项国家发明专利，该专 利解决了侧向外延技术中的晶向倾斜 问题和常规外延外延生长中相邻GaN条 合并的困难，可获得平整表面的GaN样 品
此项目顺利通过验收，标志着我 国具有了自主规模化生产氮化镓蓝绿 光LED的能力，我们所也成为在国内 同类项目中率先实现产业化技术转移 的研究单位。
积累了产业化的经验，提升了科 研能力。 今后将继续为深圳方大的氮化镓基 蓝绿光LED生产线提供技术支持和服务。
2 Si衬底上氮化镓基LED
1)研究意义
斩波器
■ ■
·
·
示波器
紫外光探测器的光响应测试系统
4） 制作出 MSM GaN 紫外探测器，其特 性为： 10V 电压时暗电流7.6 pA； 50V 电压时暗电流94.6 pA；100V 电压时暗电 流0.46 nA。 外加100V电压时没有击穿的 迹象。在15V 偏压下,暗电流为11.4pA, 响应度在365nm 波长处达到了0.166 A/W ，相应外量子效率为56% ，截止波长为 365nm-375 nm。
6 “Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD”, J. Phys. D: Appl. Phys., 35, 2731 (2002) 7 “crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth”, Sciences in China A, 45, 1461 (2002) 8 “GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制”, 中国科学A辑, 32, 737 (2002) 9“横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究“, 核技术, 25, 770 (2002) 10 “Thermal annealing behaviour of Ni/Au on N-GaN Schottky contacts” J. Phys. D: Appl. Phys., 35, 1-4 (2002)
GaN基PIN紫外光电探测器
• （前注入）
探测器的性能参数
• 1：探测器的串阻RS: 根据探测器的I-V曲线 由公式（1）计算.（のv/のI) ×I=nKT/q+RS ×I • 2：量子效率η • 3：响应度R • 4：噪声等效功率（NEP) • 5：探测率D • 6：响应时间 • 7：探测灵敏度（D*) • 8：探测器的噪声
光谱响应度公式：R=AJtot/pin
• 根据外延片的结构参数：
• • • • s1=107cm/s,s2=104cm/s, Dn=52cm2/s,Dp=5.2cm2/s, Ln=0.721μm,Lp=0.228μm. ai≈an=a(λ） 可得出光谱响应度R与探测器的各层厚度关系。
P型区的厚度变化对应的光谱响应图
探测器结构厚度的计算
• 根据光谱响应来计算探测器的厚度参数 • 计算模型：pin 表示入射光的功率，a表示吸收系数，A表示光敏面积， r表示表面反射率
•
wP
wi
wn
1：P型区光生载流子产生率G1(λ)
G1( ) P p x) in (1 r ) p exp( Ah
2：i-AIlnGaN有源层中的光生载流 子产生率G2(λ)
1100 截止波 长（nm） 控测率 紫外选 择性 可靠性 实用性 价格 中 差 好 高 低
300400 中 中 中 中 高
525 中 差 好 中 中
200365 中 好 中 中 中
225 中 好 中 低 高
350450 中 好 中 低
紫外光电探测器的结构种类
1：光电导结构 2：PIN（PN)型结构 3：肖特基型结构 4：MSM结构 5：APD结构
GaN基紫外探测器存在困难
1：AIGaN 与GaN之间晶格失配导致外 延层位错密度较高。 2：P型材料中空穴浓度底。 3：难以获得良好的欧姆接触。的工作原理
GaN基p-i-n紫外探测器性能研究.doc
GaN基p-i-n紫外探测器性能研究科技在发展,探测技术也越来越先进,最先出现的红外和激光探测的科研成果已经不能满足需要。
新兴的紫外探测技术越来越受到重视,在军民两个领域均占据重要席位。
GaN基p-i-n型紫外探测器具有工作电压低,输入阻抗高,暗电流低等优势,是目前紫外探测技术发展的一个主要方向。
本论文针对GaN基p-i-n紫外探测器进行优化并分析其性能。
根据p-i-n结构的紫外探测器的工作原理,分析不同的本征i层厚度对器件性能的影响,以及不同的尺寸对器件的影响。
通过表征其结晶质量、电流电压特性、电容电压特性以及光谱响应特性,对其性能进行了详细分析。
并且将该探测器管芯加工成不同的尺寸,分别测试光电流和暗电流,计算出光暗电流比,比较分析。
本文发现紫外探测器的i-GaN层厚度的增加,能提升结晶质量。
本文中结晶质量最好的外延片i层厚度为990 nm,根据公式得到,螺位错密度和刃位错密度分别为3.6 1011 cm-2和8.8 1011 cm-2。
认为i层厚度的逐步加厚,可以降低位错密度,提高结晶质量。
针对该外延片分别进行I-V曲线分析、C-V曲线分析和光谱响应分析。
通过I-V测试得到,在反向1 V偏压下的漏电流只有0.19 pA,光电流为66 nA,相差了5个数量级,说明i层对光的有效吸收能力很强,光生载流子的产生率很高。
通过C-V曲线可以得到i层的本征掺杂浓度。
通过光谱响应测试得到,355 nm 时,光电流达到4.56 10-8 A,光谱响应度达到0.18 A/W。
说明该器件性能良好,值得继续研究。
比较并分析了不同尺寸的探测器的光电流的和暗电流的I-V曲线,分析表明随着紫外探测器芯片尺寸的增大,暗电流和光电流在相同的偏置电压下均增加。
本文实验结果中性能最好的器件在反向5 V偏压下的光暗电流比为6.1 105,该探测器的尺寸在所有样品中居中,说明选择恰当的尺寸非常必要。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。