第1章 半导体器件习题及答案综述

第1章 半导体器件

一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）

5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ）

6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ）

7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ）

8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ）

9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ）

10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）

12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。（ ）

18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到

0.60

60()100

BE be B U r k I ∆-=

==Ω∆- （ ）

二、选择题

(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有

B. 没有

C. 少数

D. 多数

2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子

B. 空穴

C. 正离子

D. 电子-空穴对

3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴

4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子

5、P型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子

6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有

很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷

7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压

时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

A.大于

B.小于

C.等于

D.变宽

E.变窄

F.不变

8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。（A1．15% B1．大于

15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。

（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）

9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A1．上移B1．下移C1．不变）

说明此时反向电流________。（A2．减小B2．增大C2．不变）.

10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则

电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定

图1.10 图1.11 图1.13

11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。当温度为20O C时测得二极管的电压U D=0.7V。当温

度上生到为40O C时,则U D的大小将是[ ]

A.仍等于0.7V

B.大于0.7V

C. 小于0.7V

D.不能确定

12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升

到40℃时，则I的大小将是。 A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击

穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]

A. 0.1 mA

B. 2.5 mA

C. 5mA

D. 15 mA

14、二极管的主要特性是[ ]

A.放大特性

B.恒温特性

C.单向导电特性

D.恒流特性

15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮

的灯是_________。 A. b B. c C. a

16、二极管电路如下图1.16所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压V o为______。(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V

图1.15 图1.16 图1.17 图1.18

17、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压V o为______(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V 18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压V o为______。(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V

19、电路如下图1.19所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降为0.7V。）

A. 6.7V

B. 6V

C. 5.7V

D. 6.7V

20、已知如下图1.20所示电路中V A＝0V，V B＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定V o

的值为_____。（设二极管的正向压降为0.7V。）A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V

图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b)

21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图1.21(a)

中电路的输出电压V o为_______；可求出图1.21(b)中电路的输出电压V o为_______；可求出图1.21(c)中输出电压V o为_______；可求出图1.21(d)中输出电压V o为_______。

A.0.7V

B.1.4V

C.5V

D.7V

E.8V G..13V H.17V

F.11.6V

图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b)

22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中，

输出电压为_________；可求得图1.22(b)中输出电压为_________。

A. 1V

B. 5V

C. 6V

D. 13V

E. 7V