薄膜的物理气相沉积

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三.分类
蒸发法: 1、较高的沉积速度;
2、相对较高的真空度,导致较高 的薄膜质量。
最常见的 PVD方法
溅射法: 1、在沉积多元合金薄膜时化学成
分容易控制; 2、沉积层对衬底的附着力较好。
脉冲激光沉积法
第一节 物质的热蒸发 (Thermal Evaporation)
一、元素的蒸发速率 二、元素的蒸气压 三、化合物和合金的
二、元素的平衡蒸气压
一.平衡蒸气压的推导
克劳修斯-克莱普朗方程指出,物质的平衡蒸气压pe随温 度T的变化率可以定量地表达为:
dpe H dT TV
(2-3)
其中,ΔH——蒸发过程中单位摩尔物质的热焓变化, 随着温度不同而不同,
ΔV——相应过程中物质体积的变化。
由于在蒸发时, V气 V固(V液)

VV V气 V固(V液) V气 V
nRT
利用理想气体状态方程
P NA

1mol气体的体积为: V NA RT VV 代入
nP
克-克方程,则有
dpe dT
pH RT2
(2-4)
作为近似,可以利用物质在某一温度时的气化热 ΔHe代替ΔH,从而得到物质蒸气压的两种近似 表达方式:
lnpe
He RT
其中α为一个系数,它介于0~1之间;
Pe——平衡蒸气压;
ph——实际分压
当α=1速率
( pe ph) M 2 RT
(2-2)
二.影响蒸发速率的因素
由于物质的平衡蒸气压随着温度的上升增 加很快,因而对物质蒸发速度影响最大的因 素是蒸发源的温度。。
C例外
三、化合物和合金的热蒸发
一.化合物的蒸发
1.化合物蒸发中存在的问题: a) 蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分;
(蒸气组分变化) b) 在气相状态下,还可能发生化合物各组元间的化合与分解
过程。后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物正确的化 学组成。 2.化合物蒸发过程中可能发生的各种物理化学变化 无分解蒸发、固态分解蒸发和气态分解蒸发
ln
Pe
15993 T
14.533
0.999 lg T
3.52106T
贡献较小
P-T关系: ln Pe与1 T 两者之间基本上保持为线性关系
二.元素的蒸发
根据物质的蒸发特性,物质的蒸发模式可被划分 为两种类型:
1、将物质加热到其熔点以上(固-液-气) 例如:多数金属
2、利用由固态物质的升华,实现物质的气相沉积。 (固-气) 例如:Cr,Ti,Mo,Fe,Si等
引言
一.定义
物理气相沉积Physical Vapor Deposition(PVD): 利用某种物理的过程(如热蒸发和溅射),实现物质原子从源 物质到薄膜的可控转移的过程。
二.特点(相对化学气相沉积而言):
1、需要使用固态的或者熔融态的物质作为沉积过程的 源 物质;
2、源物质要经过物理过程进入气相; 3、需要相对较低的气体压力环境; 4、在气相中及衬底表面并不发生化学反应。
2)热力学描述
当组元B与合金间的吸引作用较小时,它将 拥有较高的蒸气压;反之,其蒸气压将相对较 低。用活度αB代替式2-7中的浓度xB,应有
pB BpB(0) (2-8)
其中 B BxB
(2-9)
γB为元素B在合金中的活度系数
由物质蒸发的速度公式
NA( pe ph ) 2 MRT
得到合金组元A,B的蒸发速率之比为
A AxApA(0) MB B BxBpB(0) MA
(2-10)
结论: 当需要制备的薄膜成分已知时,由上式就可以确 定所需使用的合金蒸发源的成分。
例如:已知在1350K的温度下,Al的蒸气压高于Cu,
因而为了获得Al-2%Cu成分的薄膜,需要使用的蒸发 源的大致成分应该是Al-13.6%Cu 。
蒸发
一、物质的蒸发速度
一.蒸发速率的表达式
1.元素的净蒸发速率
在一定的温度下,每种液体或固体物质都具有特定的平衡 蒸气压。当环境中被蒸发物质的分压降低到了其平衡蒸气压 以下时,就会发生物质的净蒸发。由气体分子通量的表达式, 单位表面上净蒸发速率应为:
NA( pe ph ) 2 MRT
(2-1)
第二节 薄膜沉积的厚度均匀性和纯度
一、薄膜沉积的方向性和阴影效应 二、蒸发沉积薄膜的纯度
一、薄膜沉积的方向性和阴影效应
在物质的蒸发过程中,蒸发原子的运动具有明显的方 向性。并且,由于被蒸发原子的运动具有方向性,因 而沉积薄膜本身的均匀性以及其微观组织也将受到影 响。
二.合金的蒸发
1.合金蒸发与化合物蒸发的区别与联系 联系:也会发生成分偏差。 区别:合金中原子间的结合力小于在化合物中 不 同原子间的结合力,因而合金中各元素原子的蒸 发过程实际上可以被看做是各自相互独立的过程, 就像它们在纯元素蒸发时的情况一样。
2.合金蒸发的热力学定律描述
1)理想溶液的拉乌尔定律
3.组元蒸发速率随时间变化
对于初始成分确定的蒸发源来说,确定的物质 蒸发速率之比将随着时间变化而发生变化。
解决办法: 1、用较多的蒸发物质作为蒸发源;
2、采用向蒸发容器中每次只加入少量被蒸发物 质的方法,使不同的组元能够实现瞬间的同步蒸 发;
3、利用加热至不同温度的双源或多源的方法, 分别控制和调节每一组元的蒸发速率。
I
He
pe Be RT
(2 5a) (2 5b)
其中,I——积分常数, B——相应的系数。
说明: 1. 由于使用了近似条件ΔHe=ΔH ,即热焓变化=汽化
热,故蒸气压表达式只在某一温度区间才严格成立。 2. 要准确地描述Pe-T的关系,应该将△H写成△H(T )
的函数形式。
例如:液态下的Al
相比小可于以纯忽组略元B不的计蒸,气则压p在B(一0),定并的与温它度在下合金,中稀的溶摩液尔的分蒸 气压数等xB于成纯正比溶,剂即的蒸气压与其分子分数的乘积。
p x p (0)
B
BB
(2-6)
对于A-B二元理想溶液来讲,A、B两组元的气压之比为 pA = xApA (0) pB xB pB (0)
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