半导体陶瓷物理效应.ppt
半导体PN结_图文

21
1.1.3 半导体载流子的运动
漂移运动:两种载流子(电子和空穴)在
电场的作用下产生的定向运动。
两种载流子运动产生的电流方向一致。
空穴
电流I
. 。 。 。
.
∙
电子
电场作用下的漂移运动
因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半 导体原子中的价电子形成共价键,而多余的一个价电子 因无共价键束缚而很容易被激发而成为自由电子。
在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供;空穴是少数载流子, 由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。
按电容的定义:
即电压变化将引起电荷变化, 从而反映出电容效应。 而PN结两端加上电压, PN结内就有电荷的变
化, 说明PN结具有电容效应。 PN结具有的电容效应,由两方面的因素决定。 一是势垒电容CB 二是扩散电容CD
40
1) 势垒电容CT
势垒电容是由阻挡层内空间电荷引起的。 空间电荷区是由不能移动的正负杂质离子所形成的,均 具有一定的电荷量, 所以在PN结储存了一定的电荷, 当外 加电压使阻挡层变宽时, 电荷量增加;反之, 外加电压使阻 挡层变窄时, 电荷量减少。 即阻挡层中的电荷量随外加电压变化而改变, 形成了电容效 应, 称为势垒电容,用 CT表示。
如果外加电压使PN结中: P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压, 简称正偏; P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压, 简称反偏。
30
在一定的温度条件下 ,由本征激发决定的少子 浓度是一定的,故少子形 成的漂移电流是恒定的, 基本上与所加反向电压的 大小无关,这个电流也称 为反向饱和电流。
半导体物理与器件
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发光器件
发光原理
半导体中的载流子复合时,以光子的形式释放能量。
发光器件类型
包括发光二极管(LED)、激光器等。
工作原理
发光器件利用半导体中的载流子复合发光原理,将电能转换为光能。在外加电压或电流作用下,半导体 中的载流子获得能量并发生复合,以光子的形式释放能量并发出可见光或其他波段的光。
04
CATALOGUE
氧化物半导体材料
如氧化锌(ZnO)、氧化铟镓(InGaO3)等,具有透明 导电、压电等特性,可用于透明电子器件、传感器等领域 。
有机半导体材料
具有柔韧性好、可大面积制备、低成本等优点,可用于柔 性电子器件、有机发光二极管(OLED)等领域。
二维材料在半导体器件中的应用
石墨烯
具有优异的电学、热学和力学性能,可用于 高速电子器件、柔性电子器件等领域。
品中。
陶瓷封装
使用陶瓷材料作为封装外壳,具有 优异的耐高温、耐湿气和机械强度 等性能,适用于高端电子产品和特 殊应用场合。
金属封装
利用金属材料(如铝、铜等)进行 封装,具有良好的散热性能和机械 强度,适用于大功率半导体器件。
测试技术
直流参数测试
通过测量半导体器件的直 流电压、电流等参数,评 估其性能是否符合设计要 求。
荷区,即PN结。
二极管的结构
由P型半导体、N型半导体以 及PN结组成,具有单向导电
性。
二极管的伏安特性
描述二极管两端电压与电流之 间的关系,包括正向特性和反
向特性。
二极管的主要参数
包括最大整流电流、最高反向 工作电压、反向电流等。
双极型晶体管
晶体管的结构
由发射极、基极和集电极组成 ,分为NPN型和PNP型两种。
半导体高中物理

半导体高中物理半导体是一种电子能带结构介于导体和绝缘体之间的材料,具有独特的导电性质。
在高中物理学中,半导体是一个重要的话题。
本文将探讨半导体的基本概念、性质和应用。
首先,我们来了解半导体的基本概念。
半导体是指在温度较高时表现为导体,而在温度较低时表现为绝缘体的物质。
它的导电性质是通过材料中的载流子(电子或空穴)传导电流来实现的。
在半导体中,电子和空穴是通过化学反应或热激发产生的。
半导体材料可以是单晶体(如硅、锗)或复合材料(如硅锗合金)。
半导体具有一些独特的性质。
首先是温度敏感性。
随着温度的升高,半导体的导电性会增强,因为更多的载流子会被激发出来。
这种特性使得半导体在温度传感器和温度控制器中得到广泛应用。
其次是光电性质。
半导体在受到光照时,会发生光生电效应,产生电子-空穴对。
这种特性使得半导体在光电器件(如太阳能电池、光电二极管)中有重要的应用。
半导体的导电性质可以通过掺杂来调节。
掺杂是指向半导体中引入杂质,改变其导电性质的过程。
掺杂分为施主掺杂和受主掺杂。
施主掺杂是向半导体中引入能够提供额外自由电子的杂质,如磷或砷。
这些自由电子可以增加半导体的导电性能,使其成为N型半导体。
受主掺杂是向半导体中引入能够提供额外空穴的杂质,如硼或铟。
这些空穴可以增加半导体的导电性能,使其成为P型半导体。
N型半导体和P型半导体的结合形成PN结。
PN结是半导体器件中最基本的结构之一。
当N型半导体和P型半导体相接触时,N型半导体中的自由电子会向P型半导体中的空穴扩散,形成电子-空穴对结合区域。
在这个结合区域中,自由电子和空穴会重新组合,形成电子空穴复合。
这种电子空穴复合过程会导致PN结的区域失去自由电荷,形成一个电势差,称为内建电势。
内建电势使得PN结形成一个单向导电的区域,即正向偏置和反向偏置。
PN结具有一些重要的应用。
其中之一是二极管。
二极管是一种电子器件,可以在电流只能从P端流向N端的情况下导电。
二极管广泛应用于电源电路、整流电路和信号调制电路中。
PPT+7+无机材料的电导性质+2011
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电 阻 率ρ(Ω· cm):R=ρh/S 即 ρ=RS/h
电 导 率σ(Ω-1· -1, S· -1) : σ=1/ρ cm cm
-
一、电导的基本性能
1、电导的常见参数
体积电阻与表面电阻
如图,总电流I由体积电流Iv和表面电 流Is两部分组成: I=Is+Iv 相应地,总电阻也可以分成体积电阻 Rv和表面电阻Rs Rv=U/Iv Rs=U/Is 所以有 1/R=1/Rs+1/Rv Rs与Rv是并联关系。
一、电导的基本性能
1、电导的常见参数 [3] 直流四端电极测量法 对于具有中高电导率的材料,为消除电极非欧姆接触对测量结 果的影响,通常采用直流四端电极法测量电导率。如图。 若内侧两电极间的电压为U,电极间距离为h,试样截面积为S。 则试样的电导率为 ρ=(U/I) S/h 体积电阻的测量
一、电导的基本性能
(3)法拉第转变态,没有确切的相变温度,是一个 温度范围,在此温度范围电导率缓慢上升。
二、离子电导性
2. 快离子相的概念
从实践中归纳出几条快离子导体的判据 (1)晶体中必须存在一定数量活化能很低的可动离子。 (2)晶格中应包含能量近似相等、而数目远比传导离子数 目多并可容纳传导离子的间隙位。 (3)可动离子可驻留的间隙位之间势垒不能太高,以使传 导离子在间隙位之间可以比较容易跃迁。 (4)可容纳传导离子的间隙位应彼此互相连接,间隙位的 分布应取共面多面体,构成一个立体间隙网络,其中 拥有贯穿晶格始末的离子通道以传输可动离子。
i ni qi i
i
该式反映电导率的微观本质,即宏观电导率σ与微 观载流子的浓度n、每一种载流子的电荷量q以及每 种载流子的迁移率μ的关系。
二、离子电导性
纳米陶瓷材料ppt课件

纳米陶瓷材料的应
04
用领域
航空航天领域
飞机发动机部件
纳米陶瓷材料具有优异的耐高温 性能,可用于制造飞机发动机的 部件,如涡轮叶片、燃烧室等。
轻量化结构材料
纳米陶瓷材料具有较低的密度和良 好的力学性能,可用于制造轻量化 的结构材料,如飞机框架、机身等 。
隐身材料
纳米陶瓷材料可以吸收电磁波,用 于制造隐身材料,如隐形飞机的外 壳、雷达吸收层等。
抗疲劳性
由于其纳米级的结构,使 得陶瓷材料在承受反复应 力时具有更高的抗疲劳性 。
热学性能
高热导率
纳米陶瓷材料具有很高的热导率 ,使其在高温环境下保持稳定的 热性能。
抗热冲击
由于其微小的热容量,使得纳米 陶瓷材料在经历快速温度变化时 不易破裂。
光学性能
透明性
某些纳米陶瓷材料具有优秀的透明性 ,可与玻璃相媲美。
汽车工业领域
发动机部件
纳米陶瓷材料可用于制造汽车发 动机的部件,如活塞、气缸套、
涡轮增压器等。
轻量化结构材料
纳米陶瓷材料可用于制造轻量化 的汽车结构材料,如刹车片、离
合器片等。
耐磨材料
纳米陶瓷材料具有较好的耐磨性 能,可用于制造汽车零部件,如
轴承、齿轮等。
能源领域
燃料电池
纳米陶瓷材料可以作为燃料电池的隔膜材料,提 高燃料电池的性能和寿命。
拓展应用领域及市场
总结词
纳米陶瓷材料具有广泛的应用前景,需要拓 展新的应用领域和市场。
详细描述
纳米陶瓷材料具有优异的物理、化学和机械 性能,使其在许多领域具有潜在的应用价值 。未来需要加强研究和开发,发掘新的应用 领域和市场,并推动纳米陶瓷材料的商业化 应用。
加强基础研究及理论探索
半导体陶瓷

半导体陶瓷专题报告一.半导体陶瓷简介半导体陶瓷概念:具有半导体特性、电导率约在10-6~10-5S/m的陶瓷。
半导体陶瓷的电导率因外界条件(温度、光照、电场、气氛和温度等)的变化而发生显著的变化,因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号,制成各种用途的敏感元件。
半导体陶瓷生产工艺的共同特点是必须经过半导化过程。
半导化过程可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子(例如,BaTiO3中的Ba2+被La3+取代),使晶格产生缺陷,形成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。
另一种方法是控制烧成气氛、烧结温度和冷却过程。
例如氧化气氛可以造成氧过剩,还原气氛可以造成氧不足,这样可使化合物的组成偏离化学计量而达到半导化。
半导体陶瓷敏感材料的生产工艺简单,成本低廉,体积小,用途广泛。
半导体陶瓷的分类:按用途分类:1.压敏陶瓷压敏陶瓷系指对电压变化敏感的非线性电阻陶瓷。
目前压敏陶瓷主要有SiC、TiO2、SrTiO3和ZnO四大类,但应用广、性能好的当属氧化锌压敏陶瓷,由于ZnO压敏陶瓷呈现较好的压敏特性,在电力系统、电子线路、家用电器等各种装置中都有广泛的应用,尤其在高性能浪涌吸收、过压保护、超导性能和无间隙避雷器方面的应用最为突出。
它们的电阻率相对于电压是可变的,在某一临界电压下电阻值很高,超过这一临界电压则电阻急剧降低。
自七十年代日本首先使用ZnO无间隙避雷器取代传统的SiC串联间隙避雷器以来,国内外都相继开展了这方面的研究。
但氧化锌压敏陶瓷在高压领域的应用还存在局限性。
如生产高压避雷器,则需要大量的ZnO压敏电阻阀片叠加,不仅加大了产品的外形尺寸,而且高压避雷器要求较低的残压比也极难实现,为此必须研究开发新的高性能高压压敏陶瓷材料。
通过对试样结果的分析,用化学级原料成功地制备出性能优异的SnO2压敏陶瓷,新型SnO2压敏陶瓷显示出优异的非线性电流——电压特性,与目前国内外市场上流行的ZnO压敏材料相比,其性能高于前者。
材料的电学性能幻灯片

• 加上电场后,由于电场力的作用,使得晶体中间隙离子的 势垒不再对称。正离子顺电场方向,“迁移”容易,反电 场方向“迁移”困难。
P顺60exp (U0U)/kT
P逆60exp (U0U)/kT
单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数为:
- P60exp (U0U)/kT 60exp(U0U)/kT
强度下,间隙离子单从电场中获得的能量不足以克服势垒 进行跃迁,因而热运动能是间隙离子迁移所需能量的主要 来源。
• 间隙离子的势垒变化
•
• 单位时间沿某一方向跃迁的次数 •
Pv60 expU ( 0/kT)
• 离子迁移与势垒U0的关系;ν0-间隙原子在半稳定位置上 振动频率
• 无外加电场时,各方向迁移的次数都相同,宏观上无电荷 的定向运动。故介质中无导电现象。
地增大。
• E与晶体结构有关,一般Es<Ef,只有结构很松,离子半 径很小的情况下,才容易形成弗仑克尔缺陷。
•
• (2)杂质电导的载流子浓度
• 杂质电导(extrinsic conduction)的载流子浓度决定于 杂质的数量和种类。由于杂质的存在,不仅增加了载流子 数,而且使点阵发生畸变,使得离子离解能变小。在低温 下,离子晶体的电导主要是杂质电导。如在Al2O3晶体中 掺入MgO或TiO2杂质
• 杂质电导:由固定较弱的离子(杂质)的运动造 成,由于杂质离子是弱联系离子,故在较低温度 下其电导也表现得很显著。
4.2.1 载流子浓度
(1)本征电导的载流子浓度 • 固有电导(本征电导)中,载流子由晶体本身的热缺陷提供。
晶体的热缺陷主要有两类:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。 Frenker缺陷指正常格点的原子由于热运动进入晶格间隙, 而在晶体内正常格点留下空位。空位和间隙离子成对产生。 • 弗仑克尔缺陷:
第三章 纳米材料基本的物理效应

(4)特殊的力学性质 4
由于纳米材料粒度非常微小,具有良好的表面效应 由于纳米材料粒度非常微小 具有良好的表面效应 克纳米材 具有良好的表面效应,1克纳米材 料的表面积达到几百平方米。因此,用纳米材料制成的产品其 料的表面积达到几百平方米。因此 用纳米材料制成的产品其 强度、柔韧度、延展性都十分优越 都十分优越, 强度、柔韧度、延展性都十分优越,就象一种有千万对脚的 毛毛虫,当它吸附在光滑的玻璃面上时,由于接触面积大, 毛毛虫,当它吸附在光滑的玻璃面上时,由于接触面积大, 12级台风有也吹不掉它。 级台风有也吹不掉它。 级台风有也吹不掉它 陶瓷材料在通常情况下呈脆性,陶瓷茶壶一摔就碎, 陶瓷材料在通常情况下呈脆性 , 陶瓷茶壶一摔就碎 , 然而 由纳米超微颗粒压制成的纳米陶瓷材料, 由纳米超微颗粒压制成的纳米陶瓷材料,竟然可以象弹簧一 良好的韧性。 样具有良好的韧性 样具有良好的韧性。 研究表明,人的牙齿之所以具有很高的强度, 研究表明 , 人的牙齿之所以具有很高的强度 , 是因为它是 由磷酸钙等纳米材料构成的。 由磷酸钙等纳米材料构成的。呈纳米晶粒的金属要比传统的 粗晶粒金属硬3~ 倍 至于金属 陶瓷等复合纳米材料 金属---陶瓷等复合纳米材料, 粗晶粒金属硬 ~5倍。至于金属 陶瓷等复合纳米材料,其 应用前景十分宽广。 应用前景十分宽广。
各种 元素 的 原 子具 有特 原子、大块晶体、和纳米晶的能态 定的 光谱 线, 如 钠 原子 具有 黄色 的 光 谱线 。由 无数的原子构成固体时, 单独 原子 的 能 级就 并合 成能 带, 由 于 电 子 数目 很多 , 能 带 中能 级的间 距很 小, 因 此 可 以 看作 是连 续的, 从 能 带 理论 出发 成功 地 解 释了 大块 金属 、半 导 体、绝 缘体 原子 固体 固体能级填充 纳米晶 之间的联系与区别。
材料的导电性能

• (2)量子力学推导
•
•
a
eE0
4 2
h2
d 2E dk 2
m
4 2
h2
d 2E dk 2
1
(有效质量)
• (k:波数)
•
e
e
m
• m* 考虑了电子与晶格的相互作用强度。τ则决定于载流子的散 射强弱。散射越弱,τ越长,迁移率也越大;
就可以在电场下产生导电电流。 • 金属中: 自由电子 • 无机材料中:
C 电子(负电子/空穴)——电子电导 C 离子(正、负离子/空穴)——离子电导 •
①霍尔效应 电子电导的特征是具有霍尔效应。 沿试样x轴方向通入电流I(电流密度Jx),z轴方向 上加一磁场Hz,那么在y轴方向上将产生一电场Ey, 这种现象称霍尔效应。
• 若有杂质也可依照上式写出: A2 exp( B2 / T )
• N2-杂质离子的浓度 • 一般N2<<N1,但B2<B1,故有
exp(-B2)>>exp(-B1)这说明杂 质电导率要比本征电导率大得多。
• 只有一种载流电导率可表示为: ln ln 0 B / T
• 若以lnσ和1/T作图,可绘得一直 线,从直线斜率即可求出活化能:
• 由于U0相当大,远大于一般的电场能,即在一般的电场
强度下,间隙离子单从电场中获得的能量不足以克服势垒 进行跃迁,因而热运动能是间隙离子迁移所需能量的主要 来源。
• 间隙离子的势垒变化
•
• 单位时间沿某一方向跃迁的次数 •
P
v0 6
exp(U 0
/
kT)
• 离子迁移与势垒U0的关系;ν0-间隙原子在半稳定位置上 振动频率
霍尔系数RH有如下表达式:
材料物理材料的介电性能PPT课件

因无序排列对外不呈现电性。
电子云的 正电中心
电介质
极化面 电荷
–
+–
+
+ – + –
+
–
+–
+ – E0 + –
+
–
–
+ – + –
+–
+
–
+ –E E+ –
+–
+
无外场时,电偶极子杂乱无章的排列
3、极化机制
电子位移极化
无极分子(Nonpolar molecule) 在无外场作用下整个分子无电矩。
A、电容材料
I、存储电能
传统 电容 器
VS
电 池
超级电 容器
高能量密度 高功率密度 长循环寿命
超级电容器
• 超级电容器 (Supercapacitors),它兼有静电电容器和电池 特性,能提供比静电电容器更高的能量密度,比电池更高的功 率密度和更长的循环寿命。
A、电容材料
I、存储电能
A、电容材料
A、电容材料
I、存储电能
制备高性能的超级电容器有2个途径: A、是增大电极材料比表面积,从而增大双电层电容量; B、是提高电极材料的可逆法拉第反应的机率,从而提 高准电容容量。 实际应用中,这2种储能机理往往同时存在。
A、电容材料
I、存储电能
原理 种类 优点 缺点
研究热点
碳素材料
以双电层为主
活性炭(AC);活性炭纤维(CFA);碳纳米 管(CNTs);炭气凝胶(CAGs);石墨等
3、极化机制
离子位移极化
第八章半导体式传感器ppt课件

1.气 敏 传 感 器
半导体气敏传感器是利用待测气体与半导体表面 接触时,产生的电导率、半导体性质等物理性质变化 来检测气体的。
气敏电阻的材料是金属氧化物,在合成材料时, 通过化学计量比的偏离和杂质缺陷制成。金属氧化物 半导体分为:N型半导体,如氧化锡,氧化铁,氧化 锌,氧化钨等;P型半导体,如氧化钴,氧化铅,氧 化铜等。为提高选择性和灵敏度,还会渗入催化剂, 如钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)等。
测量还原性气体的气敏电阻一般是用SnO2、 ZnO或Fe2O3等金属氧化物粉料添加少量铂催化剂、 激活剂及其它添加剂,按一定比例烧结而成的 半导体器件。
13
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
1.气 敏 传 感 器
图2 气敏半导体传感器的器件结构 (a) 烧结型气敏器件; (b) 薄膜型器件; (c) 厚膜型器件
14
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
4
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
功能陶瓷材料 敏感陶瓷全解课件

6
主要用途:温度控制与测量、等温发热体、过热保护等。 此外, 还可用于彩电消磁器、节能用电子整流器、程控电话保安器及冰 箱电机的启动器等。
NTC热敏电阻陶瓷
NTC热敏陶瓷的电阻率随温度的升高而降低,是具有负温度-电 阻系数的电阻陶瓷材料。
NTC热敏陶瓷大多数是尖晶石结构或其它结构的氧化物陶瓷, 多数含有一种或多种过渡金属氧化物,主要成分是CoO,NiO, MnO,CuO,ZnO,MgO,ZrO2等。
其优点有限制电压低;响应速度快;对称的伏安特性(即产品无极 性);电压温度系数低
16
4.2.3 气敏陶瓷
1962年田口尚义发现用SnO3烧结体制备元件的 电阻率对各种可燃性气体非常敏感,它在不同气体 中的电阻率不同、在浓度不同的同一种气体中的电 阻率也不相同,具有这种特性的陶瓷称为气敏陶瓷 (gas sensor)。气敏陶瓷对某种气体有敏感性,对其他 气体可能有或没有敏感性。事实上,有应用价值的气 敏陶瓷往往利用材料对某种气体的单一敏感性,用作 检测和分析气体的种类和浓度,特别用于易燃、易爆 和有毒气体的检测。
PTC陶瓷的电阻率与温度的关系
5
BaTiO3陶瓷是否具有PTC效应,完全由其晶粒和晶界的电性能 决定。只有晶粒充分半导体化,晶界具有适当绝缘性的BaTiO3陶 瓷才有显著的PTC效应。
BaTiO3的半导体化可有二种途径:强制还原法和施主掺杂法。
强制还原法-----是在真空、惰性气体或还原气体中加热,使 BaTiO3失氧,其内部产生氧缺位。这种方法不仅使晶粒半 导体化而且晶界也被半导体化,因此不适用于制造PTC陶瓷。
18
根据元件的功函数与被吸附气体功函数的大小,可将吸附 气体分为两类:
如果被吸附气体的电子亲合力大于气敏元件表面的功函数, 被吸附气体的分子会从元件表面夺取电子而以负离子的形式吸附。 具有负离子吸附的气体称为氧化性(或电子受容性)气体,如 O2、NO2等;
功能陶瓷材料-电功能陶瓷ppt课件

缺陷对陶瓷导电的影响
晶体缺陷对陶瓷导电行为的影响比较复杂。陶瓷中点缺陷对材 料电性能影响较大,一般都是使陶瓷材料的电导有所增加。
例如立方ZrO2,其结构中的正离子作立方密堆积,负离子占据全部 四面体间隙,而全部八面体间隙空着,这就便于其他离子在其间移动。 如果在立方ZrO2中加入8at%的Y2O3,Y3+部分替代Zr4+后在晶格中形成部 分氧离子空位,使ZrO2的导电性增强。
功能陶瓷
❖ 功能陶瓷主要是指利用除机械性能外的陶瓷的其它 物理性能,包括导电和半导体性能、绝缘性和介电性、 磁性和热学性能、各种敏感特性,机、电、磁、光、 热等物理性能之间的耦合和转换效应,以及化学和生 物效应制成的一大类材料。
1
电功能陶瓷:
绝缘陶瓷、介电陶瓷、 铁电陶瓷、压电陶瓷、 半导体陶瓷、快离子导 体陶瓷、高温超导陶瓷
和点缺陷不同,位错、层错、晶界等晶体缺陷一般会降低陶瓷 材料的导电性。
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掺杂可能改变陶瓷材料的导电性。
例如在ZnO中掺杂Al3+ 可以增加材料的导电性,原因是当三价的铝 替代了二价的锌后,原先二价锌的位置上变成了三价的离子。为了保持 电中性,使得Al3+附近的锌变成了一价,而一价锌是不稳定的,又会变成 二价的锌,同时放出一个电子,增加了材料的导电性。
3Leabharlann ❖ 对于传统陶瓷,人们利用陶瓷材料的电性能主要是其绝缘 性能;而对于先进陶瓷材料,除了其绝缘性能外,人们更关 心的是陶瓷材料的导电能力。目前高温超导氧化物的导电能 力已超过金属,得到应用的先进陶瓷材料的电导率覆盖了从 良导体到绝缘体的范围。
❖ 陶瓷材料的导电机制比较复杂,其导电性能与材料组成、 掺杂、微结构、晶体缺陷、制备工艺及后处理过程等密切相 关。
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无电场
ZnO晶粒 晶界 ZnO晶粒
双 肖 特 基 势 垒 图
有电场
热激发
隧 道 效 应
※ 电压较低时,热激励电子必须越过肖特基势垒而流过; ※ 电压增大到某一值以上,晶界面上捕获的电子,由于隧道 效应通过势垒,造成电流急剧增大。
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晶界效应(压敏和PTC效应)
本 节
表面效应(气敏效应)
内
容
西贝克效应 P105
p–n结(光电效应)
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几个基本概念
多数载流子:n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴。 少数载流子:p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴。 空间电荷区:电离施主和电离受主所带电荷存在的区域。 表面空间电荷层:表面与内层产生电子授受关系,在表面 附近形成表面空间电荷层。 电子耗尽层:空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。 电子积累层:空间电荷层中多数载流子浓度比内部大。 反型层:空间电荷层中少数载流子成为多数载流子。
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2. PTC热敏电阻的应用
1)温度敏感元件 用于各种家用电器的过热报警器以及马达的过
热保护。
2)限电流元件 用于电子电路的过流保护、彩电的自动消磁以
及冰箱、空调的马达启动。
3)PTC恒温发热元件 用于小功率发热元件(如电热水壶、电吹风和
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4. 压敏电阻的应用
ZnO压敏电阻已广泛应用于半导体和电子仪器的稳压和 过压保护以及设备的避雷器。
压敏电阻器是一种无极性过电压保护元件,无论是交流还 是直流电路,只需将压敏电阻器与被保护电器设备或元器件 并联即可达到保护设备的目的。
敏感陶瓷是根据某些陶瓷的电阻率、电动势等物 理量对热、湿、光、电分别称为热敏、湿敏、光敏、压敏、气敏及离子敏 感陶瓷。
陶瓷材料可以通过掺杂或者使化学计量比偏离而 造成晶格缺陷等方法获得半导性。
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NTC热敏电阻通常都是以Mn3O4为主材料,同时引入CoO、NiO、 CuO、Fe2O3等,使其在高温下形成尖晶石结构的半导体材料,主要有二 元、三元及四元系材料。
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2.4 半导体陶瓷的物理效应
一、压敏效应
1. 什么是压敏效应? 对电压变化敏感的非线性电阻效应,即:在某
一临界电压以下,电阻值非常高,几乎无电流通过 ,可以认为是绝缘体;当超过该临界电压(敏感电 压),电阻迅速降低,让电流通过。
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应用原理:当电路出现雷电过电压或瞬态操作过电 压Vs时,压敏电阻器和被保护的设备及元器件同时 承受Vs,由于压敏电阻器响应很快,它以纳秒级时 间迅速呈现优良非线性导电特性(击穿区),此时压 敏电阻器两端电压迅速下降,远远小于Vs,这样被 保护的设备及元器件上实际承受的电压就远低于电 压Vs,从而使设备及元器件免遭过电压的冲击。
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3. 压敏特性的微观机理
ZnO压敏陶瓷是由ZnO晶粒及晶粒边界物质组成。ZnO晶粒 中掺有施主杂质而呈n型半导体,晶界物质中含有大量金属 氧化物形成大量界面态,这样每一微观单元是一个背靠背肖 特基势垒,整个陶瓷就是由许多背靠背肖特基势垒串并联的 组合体。
压敏电阻器,“Voltage Dependent Resister” (VDR), 现在大量使用的是ZnO压敏电阻。
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2. 压敏电阻电压-电流特性曲线 I
V V
I
ZnO压敏电阻对称的非线性电压-电流特性曲线
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2.4 半导体陶瓷的物理效应
二、PTC和NTC效应
1. PTC效应
PTC 是 Positive Temperature coefficient (正温度系数)的缩写, 是一种以钛酸钡(BaTiO3)为主要 成分的半导体功能陶瓷材料, 具有电阻值随着温度升高而增 大的特性,特别是在居里温度 点附近电阻值跃升有3~7个数 量级。
电饭锅)以及大功率蜂窝状发热元件。
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3. NTC效应
NTC 是 Negative Temperature coefficient (负温度系数)的缩写,是 以尖晶石结构为主的半导体功能陶 瓷,具有电阻值随着温度升高而减 小的特性,按照使用温度可分为低 温(-130~0℃)、常温(-50~ 350℃)及高温(>300℃)用三种 类型。
第二章 材料的导电性能
2.4 半导体陶瓷的 物理效应
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2.4 半导体陶瓷的物理效应
敏感陶瓷是某些传感器中的关键材料,用于制作 敏感元件,敏感陶瓷多属于半导体陶瓷,是继单晶半 导体材料之后,又一类新型多晶半导体电子陶瓷。