Si 3N 4
SiO 金属引线多晶硅栅6.2 34Si 3N 4B+ (P 管注入)多晶硅淀
积、掺杂
P+区光刻P ＋区注入As(N+区注入)PGS 淀积引线孔光刻铝淀积、光刻及合金
6.3
6.6
题1.3.5
V I V
D Z
R L
题
B +
+
设β＝v
时间：
