半导体分立器件

场效应晶体管 特点：
场效应管是电压控制器件,在数字电路中起开关作 用； 栅极的输入电阻非常高，一般可达几百MΩ甚至 几千MΩ； 场效应管还具有噪声低、动态范围大等优点。
•晶闸管
普通晶闸管： 双向晶闸管： 特殊晶闸管：正反向阻断管、逆导管等。
2 半导体分立器件的型号命名 ⑴ 国产半导体分立器件的型号命名（表1、2、3） 表1
（三）.
半导体分立器件
1 .常用半导体分立器件及其分类 •半导体二极管 (DIODE) •双极型晶体管 (TRANSISTOR) •场效应晶体管 (FET, Field Effect Transistor ) •晶闸管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场 效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和 反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅 是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体 管。
按照工作频率分类，有低频管（3MHz以下）和 高频管（几百MHz 以上）。 按照集电极耗散的功率分类，有小功率管（1W 以下）和大功率管（几十W以上 ）。
•场效应晶体管
结型硅管：N沟道（外延平面型）、P沟道 （双扩散型）、隐埋栅、V沟道（微波大功 率）； 结型砷化镓管：肖特基势垒栅（微波低噪声、 微波大功率）； 硅MOS耗尽型：N沟道、P沟道； 硅MOS增强型：N沟道、P沟道。
第五部 分
表3
三 3 极 管
料 E 化合物材料 U
注：场效应管、半导体特殊器件等的型号命名只有三、四、五部 分。 例如：
3
D
规格号 产品序号 高频小功率管 NPN型硅材料 三极管
CS 1 B
G
6
C
规格号 产品序号 场效应器件
⑵ 日本半导体分立器件的型号命名。 共分五部分 第 一 部 分
用数 字表 示器 件的 有效 电极 数目 或类 型 符 0 号
点接触型结电容小，适用于高频电路。 面接触型可通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。
；
按照制造材料不同，可分为锗管和硅管。
锗管正向导通电压约为0.2V，反向漏电流大，温度稳定性较差。 硅管反向漏电流小，正向导通电压约为0.7V
双极型三极管 分类：
按照结构工艺分类，有PNP和NPN型。
按照制造材料分类，有锗管和硅管。
第 一 部分
第二部分 D NPN 型硅材 A
第三部分 高 频 大 功 率 管 ， fhfb ≥ 3MHz，Pc≥1W 光电器件 开关管 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN 型管 激光器件 K I T B J CS BT FH PIN JG
第四 部分
体 管
第四部 用数字表 此器件在日本电子工业协会的注册登记号，不同厂家 示登记号 生产的性能相同的器件可以使用同一登记号 分 第五 部分 用字母表 此器件是原型号产品的改进型 示改进型 标志
日本半导体分立元件命名举例： 2 S C 58
JEIA登记号 NPN高频晶体管 JEIA注册产品 三极管
⑶ 欧洲半导体分立器件的型号命名 共四部分
B
U 208
器件登记号 大功率开关管 硅材料
美国半导体分立器件的型号命名 第一部分
用符号表示 器件的类别
第二部分
第三部分 第四 部分
登记号
第五 部分
器件 分档
数字表示PN结 登记标志 的数目
JAN或 军用 1 J 品
非军 2 用品 n
二极管
Leabharlann Baidu三极管
N
n个PN结 器件
已经在 美国电 子工业 协会 （EIA） 注册登
记
在美国 电子工 业协会 的注册 登记号
同一 型号 的不 同档 次
美国半导体分立器件命名举例： 1 N 4007 EIA登记号 EIA注册产品 二极管
3 .半导体分立器件的封装及管脚
塑 料 封 装
4 。选用半导体分立器件的注意事项 ⑴ 二极管
① 切勿使电压、电流超过器件手册中规定的极限值， 并应根据设计原则选取一定的裕量。 ② 允许使用小功率电烙铁进行焊接，焊接时间应该小 于3~5秒。
晶 闸 管
晶闸管
•半导体二极管分类
普通二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等；
特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等； 敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管 发光二极管
按照结构工艺不同，可分为点接触型和面接触型。
B
PNP 低 频 晶 体 管
C
NPN 高频 晶体 管
D
NPN 低频 晶体 管
E G H J K M
P 控 制 极 可 控 硅 N 控 制 极 可 控 硅 基 极 单 结 晶 体 管 P 沟 道 场 效 应 管 N 沟 道 场 效 应 管 双 向 可 控 硅
件的使 PNP 含 用材料 高 义 极性类 频 晶 别
1
2
3
… n-1
具有 n个有 效电 极的 器件
含 光电二极 二 义 管或三极 极
管或包括 上述器件
三极管 具有
或具有 三个电 极的其
管
的组合管
他器件
四个 有效 电极 的器 件
第 二 部 分
注 册 标 志
符 号
S
含 已经在日本电子工业协会（JEIA） 义 注册登记的半导体器件
第三 用字母 符 A 部分 表示器 号
第 一 部 分
用 字 母 表 示 材 料
符 号
A
B
C
D
R
意 锗 硅 义 材 材 料 料 ， ， 禁 禁 带 带 0.6 1.0 ~1 ~1 .0e .3e V V
砷 化 镓 材 料 ， 禁 带 >1 .3e V
锑 化 铟 材 料 ， 禁 带 <1. 3e V
复 合 材 料
第 二 部 分
用 字 母 表 示 类 型 及 主 要 特 性
第一 部分
第二部分 F
第三部分 发光管 整流器 整流堆 隧道管 阻尼管 低频小功率管， fhfb ＜ 3MHz，Pc＜1W 高频小功率管， fhfb ≥ 3MHz，Pc＜1W 低频大功率管，fhfb ＜ 3MHz，Pc≥1W
第四 部分
第五 部分
表2
Z L S 3 三 极 管 N A B C PNP 型锗 X 材料 NPN 型锗 G 材料 PNP 型硅 D 材料
③ 玻璃封装的二极管引线的弯曲处距离管体不能太小， 一般至少2mm。 ④ 安装二极管的位置尽可能不要靠近电路中的发热元 件。
⑤ 接入电路时要注意二极管的极性。
⑵ 三极管
① 安装时要分清不同电极的管脚位置，焊点距 离管壳不要太近，一般三极管应该距离印制板 2~3mm以上。 ② 大功率管的散热器与管壳的接触面应该平 整光滑，中间应该涂抹导热硅脂以便减小热 阻并减少腐蚀；要保证固定三极管的螺丝钉 松紧一致。 ③ 对于大功率管，特别是外延型高频功率 管，在使用中要防止二次击穿。
符 号
A
B
C
D
E
F
G
…
意 检 变 义 波、容 开 二 关、极 混 管 频 二 极 管
低频小 功率三 极管 （RTj >15℃/ W）
低频 隧 大功 道 率三 二 极管 极 （RTj 管 ≤15 ℃/W）
高频小 功率三 极管 （RTj >15℃ /W）
复 … 合 器 件 及 其 他 器 件
第 三 部 分
普通二极管
稳压二极管(ZENER DIODE)齐纳二极管zener
diodes
整流二极管
T0-226
三 极 管
T0-23
T0-3
T0-220
场效应管（MOSFET)
MOSFET和三极管的主要区别 1：MOSFET是电压控制器件，三极管 是电流控制器件 2．MOSFET输入阻抗很大，三极管输 入阻抗比MOSFET小 3．MOSFET输出电阻比三极管小，所 以驱动能力强 4．MOSFET截止频率比三极管截止频 率高。
用数字 或字母 加数字 表示登 记号
用字母 对同一 型号分 档
符 号
3位数字
字母加2位数字
意 通 用 半 导 体 专用半导体器 义 器 件 的 登 记 件的登记序号 序号 意 同一型号的半导体器件按某 义 个参数分档
第 四 部 分
欧洲半导体分立器件命名举例： B Z Y88 C
允许误差±5% 专用器件登记号 稳压二极管 硅材料
如果这个器件的输出参数大小和输入的电流参 数大小有关，就叫该器件是"电流控制器件"，简称" 流控器件"；"电流控制器件"输入的是电流信号，是 低阻抗输入，需要较大的驱动功率。例如：双极型晶 体管(BJT)是电流控制器件、TTL电路是电流控制器 件 如果这个器件的输出参数大小和输入的电压参 数大小有关，就叫该器件是"电压控制器件"，简称"压 控器件"；"电压控制器件"输入的是电压信号，是高阻 抗输入，只需要较小的驱动功率；例如：场效应晶体 管(FET)是电压控制器件、MOS电路是电压控制器件