高压强脉冲电源的设计西安兆福电子有限公司史平君—中国兵器工业

高压强脉冲电源的设计

西安兆福电子有限公司史平君—中国兵器工业第二0六研究所特种电源部主任、高级工程师，IEEE会员,中国电源学会常务理事、中国电源学会特种电源专业委员会

主任委员，陕西省电源学会副理事长，西安市电源学会副理事长，陕西省笫五届科协

委员。专业特长为高压电源、高压脉冲电源，军用特种电源，雷达发射机及导航发射

机电源，高能物理及加速器电源，高压充电电源等。

摘要：本文提出了一种强脉冲发生器电源的设计方案，应用此方案设计了高压电源、IGBT控制充电、可控硅控制放电，可以自动运行的脉冲磁场发生设备。最

大直流电压达到3KV且连续可调，放电脉冲电流高达10000A。该设备由一片

AT89C52单片机控制，可实现与计算机的连接。

关键词：高压电源； IGBT ；可控硅

The Design of High Voltage Pulsed Power Supply

Abstract: This paper presents a strong pulse generator power supply design, applications for this program designed high-voltage power supply, IGBT control the charging and SCR controlled discharge, can be run automatically pulse magnetic field equipment. Maximum DC voltage 3KV and continuously adjustable discharge pulse currents up to 10000A. The device is controlled by an AT89C52 microcontroller can be realized with the computer.

Key words: high voltage power supply；IGBT；SCR，

引言：强脉冲磁场对工业装置及医疗的作用［1］，强脉冲磁场对金属形成时的影响［2］以及脉冲磁场刺激对生物体的效应等已经越来越引起人们的关注。目前国内的脉冲磁场设备，一般电压较低，频率也较低。特别是高压充电部分采用调压器调压［3］，这样体积太大也显笨重。要产生更高的磁场强度，可以改变脉冲磁场频率的自动运行的磁场发生设备实现起来有一定难度，为此设计一个磁场运行频率为0.1～100Hz可调，脉冲电流达到10000A的低频强脉冲磁场发生设备。

一、高压电源的设计

本高压充电电源采用开关电源，开关电源作为一种高频、高效电力电子技术，随着电子元器件、产品的不断更新，大功率器件的更新换代，大功率开关电源技术得到了发展。由于本电源功率高达15KW所以采用全桥谐振PWM 调制方式，大功率器件采用先进的IGBT模块及先进的可靠的驱动电路，使得电源的整体性能良好，稳定度好，并且具有各种保护功能。

1 电源电路组成及原理

电路有以下几部分组成：1）电网滤波器,2) 整流滤波,3）全桥变换器,4）高压变压器,5）高压整流滤波,6）脉宽调制与控制电路,7）驱动电路,8）保护电路等。

工作原理：将50HZ三相380V通过电网滤波器,经整流及滤波得到500多伏的直流电压,供给串联谐振变换器。如图1-1所示，Q1、Q4与Q2、Q3，轮流通断，从而将直流电变换成高频矩形波交流电。R1和R2是泻放电路。T1是高频变压，在开关电源设计中，高压变压器的绕法也很重要，我们采用了一些特殊的设计方法。由于本电源输出高达功率15KW，为了减轻变压器的设计难度以及减小高压整流二极管的电流值、提高电源的可靠性。在材料上选用超微晶合金，绕制成C 型铁心，次级高压线包每边各分两段。这样设计的高压变压器漏感小，温升小。

控制电路采用SG1525PWM集成脉宽调制器（如图1-2），外接元件少，性能好，具有外同步，软启动，“死区”调节，欠压锁定，误差放大以及关闭输出驱动信号等功能。其原理框图如图1-3及图1-4所示。

图

1 -3功率变换部分原理框图

图1-4 高压部分电路原理框图

2 对开关电源开关（IGBT）的选择

由于本电源输入电压为AC 380V 50Hz，由电网滤波经整流滤波，得到电压可达DC540V，考虑到高频变压器的漏感以及漏极回路中引线电感的影响，在开关关断瞬间会引起较大的反尖峰刺。其尖峰假设为稳态值的50%，另外考虑到电网波动为±10%时的影响，所以开关承受的电压为1.5×1.1×540=891V。由于IGB T 的工作特性包括静态和动态两类：

1 ．静态特性

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。其输出特性．也可分为饱和区、放大区和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由

J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。

IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示

Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh

式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。

通态电流Ids 可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos ——流过MOSFET 的电流。

由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降降低，通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

2 ．动态特性