射频功率放大器调试方法

射频功率放大器调试

调试的一般步骤：

1、连接好系统，因为你的放大器有可能会自激，要注意的是做好仪器的保护，在仪器的输

入输出都得加上衰减器，特别是功放输出接到一起输入之间要根据你的攻放可能输出的功率

选择合适的衰减器；同时给mos管栅极供电的电源可以调节电压，给漏极供电的电源最好采

用的有限流功能的；焊好功率管之前，可以先调节好G极的电压为0或很小，

2、焊好功率管之后不要急着加电，一定仔细检查系统，注意测G极的电压的万用表最好使用

指针式的，数字表的表笔可能电压比较高，特别对cmos管，把漏极电源的输出电流限在比较

小的范围内；

3、上电后注意你的仪器的频响波形及电源电流，逐渐调高栅极电压，直至导通，导通后如

果不存在自激现象，逐渐加大电压、逐渐放开漏极电源的输出电流，直到你设计的静态工作

点电压；

4、调试频响，如果功放采用分立元件匹配，可以适当改变电感电容的大小和位置，耐心调

试可以调到你合理的指标要求；如果在较高频率使用，采用微带电路匹配，调试比较困难；

5、频响调试好后，需要调试功放的线性指标，一般来说输出匹配电路对线性影响比较大，

可以先不考虑频响的条件下改变输出匹配，以改善线性指标，待达到你需要的要求指标后，

回到第四步，调试频响，不过这时不要改变输出的匹配的电路，

来来回回调试几次我想可以达到你的要求的。

频响可以先调到2db左右，后就可以把功率调出来，调功率的技巧和你功放的频段有很大的关系，如果是ku的可以推到饱和调，功率够了，最后在在前级调最后的平坦度，一搬不会影响压缩点功率的！

还有就是在调试的时候不要加太大电容来调我上次调BLF147的时候用个220U的结果自激励把芯片烧了

一般800-900M可加10P以下的电容，而WCDMA的则要加1P以下的

我都调了三年了，现在想想，都是从理论出来了无非都是改变推动级和末级阻抗的问题．

就是在某个地方是加大电容容量还是减小电容容量．还有移动电容的位置，位置很重要．

首先要对硬件电路的原理理解，如果是仿真过的电路，实际中把原件参数在设计的范围上下进行修改测试还有就是PA的工作点的选择和输入输出的阻抗匹配。

调出来了,没啥规律,就用电容去调,很简单啊,嘿嘿

LDMOS 是一种横向功率器件，从工艺上它首先不同于CMOS；其次它主要为驱动设计，一般可以承受高压和大电流。

砷化镓GaAs Gallium arsenide。是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。由于传送讯号的射频元件需要工作频率高、低功率消耗、低杂讯等特色，而砷化镓本身具有光电特性与高速，因此砷化镓多用於光电元件和高频通讯用元件。砷化镓可应用在WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT 等微波通讯上不过，砷化镓材料成本较高，使用的制程设备也与一般IC 业者常用的矽制程设备不同。