硅的化学制备及提纯
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硅的化学制备及提纯
摘要:
随着时代的发展,硅越来越被人类所利用。
它广泛应用于半导体,光导纤维等领域。
硅一般按照它的纯度来分类,纯度里面含有多少个九,我们就称它为多少个N的硅。
MGS<5N;
半导体级硅:>5N ;SGS:5N-8N ;EGS:9N-11N及以上,因而硅的纯度对器件的影响是至关重要的,所以我们必须应当尤其重视硅的提纯。
目前提纯硅的方法主要有:物理方法及化学方法。
以化学方法为例,分析了硅化学提纯中产生的成本问题就其讨论。
对硅材料的化学提纯工艺优化研究。
引言:
功能材料硅的工业制法硅是由石英砂在电炉中用碳还原
而得
其,反应式为 sio2 + 3c = sic + 2co 2sic + sio2 = 3si + 2co
所得硅纯度约为95%~99%,称为粗硅
又称冶金级硅,其中含有各种杂质,如
Fe
、
C、B、P等。
为了将粗硅提纯到半导体器
件所需的纯度,硅必须经过化学提
纯。
所谓硅的化学提纯
把硅用化学方法转化为中间化合物
再将中间化合物提纯至所
需的高纯度,然后再还原成为高纯硅。
1.三氯氢硅氢还原法可分为三个重要
过程:
一是中间化合物三氯氢硅的合成。
二是三氯氢硅的提纯
三是用氢还原三氯氢硅获得高纯硅多晶
三氯氢硅
(SiHCl3 )
由
硅粉与氯化氢合成
而得。
化学反应式为
Si+3Hcl
→
SiHcl3+H2
上述反应要加热到所需温度才能进行。
又因是
放热反应
反应开始后能自动持续进行。
但能量
如不能及时导出,温度升高后反而将影响产品收率。
反应除了生成
SiHcl3外,
还有
SiCl4或SiH2Cl2等氯
硅烷以及其
他杂质氯化物
如
BCl3、
PCl
、
FeCl
、
CuCl
等
三氯氢硅的提纯是硅提纯技术的重要环节
在精馏技术成功地应用于三氯氢硅的提纯后,
化
学提纯所获得的高纯硅已经可以免除物理提纯(
区域提纯
)
的步骤直接用于拉制硅单品,符合器
件制造的要求。
精馏是近代化学工程有效的提纯方法,可获得很好的提纯效果。
三氯氢硅精馏一般分为两级
,常把前一级称为粗馏,
后一级称
为精馏。
完善的精馏技术可将杂质总量降低到
10-7
~
10-10
量级。
用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅,使高纯硅淀积在
1100
~
1200
℃的热载体上。
载体常用细的高纯硅棒,通以大电流使其达到所需温度。
化学方程式为:
H2 + SiHcl3 = Si + Hcl
如氢与三氯氢硅的克分子比值按理论配比则
反应
速度慢,硅的收率太低。
氢与三氯氢硅的配比
在生产上通常选在
20
~
30
之间。
还原时氢通人
SiHCl3
液体中鼓泡,
使其挥发并作为
SiHCl3的携
带气体。
还原时
SiHCl3反应仍不完全,因此必须
回收尾气
中的SiHCl3以减少损失。
2.硅烷热分解法
甲硅烷作为提纯中间化合物有其突
出的特点:
一是甲硅烷易于热分解在800~900℃
下分解即可获得高纯多晶,还原能耗较低。
二是甲硅烷易于提纯
在常温下为气体,
可以采用
吸附提纯方法
有效地去除杂质。
缺点是热分解时多晶的结晶状态不如其他
方法好,而且易于生成无定型物。
高纯硅
烷气又是外延单晶、多晶、非晶硅薄膜的
重要原材料。
曾被研究的甲硅烷的制备方法有多种,
如用氢化铝锂在乙醚溶液中与四氯化硅作用可
生成甲硅
烷。
过量的氢化铝锂有很好的去硼提
纯作用。
类似的方法还有用氢化钠代替氢化铝
锂在醚或四氢呋喃中与四氯化硅反应以上方法价格高,又不安全,易引起爆炸。
日本小松
电子金属公司在
20
世纪
60
年代末开始采用硅烷
法生产多晶硅,用硅化镁与氯化铵反应生成甲硅烷,化学反应如下
Mgsi
反应在液氨作为溶剂
下进行。
该方法的甲硅烷产率可达
60
%~
70
%,化学反应进行稳定。
硅烷法在提纯方面有许多优点有特殊的去硼技
术可以采用,
如上述的过量氢化铝锂的去硼作用。
在
液氨作为溶剂下,
用硅化镁与氯化铵反应生成甲硅烷也
有很好的去硼效果。
在硅的提纯中硼是被去除的首要对象。
由于各种金属杂质不能生成类似的氢化物或者其他
挥发性化合物,使得在硅烷生成的过程中,粗硅中的金
属杂质先被大量除去。
硅烷提纯的主要技术是精馏和吸附。
硅烷在常温下为气体,精馏必须在低温或低温非
常压下进行。
因此,硅烷精馏比其他的精馏方法复杂
但是硅烷气体却易于用吸附法提纯。
不需用氢还原
,甲硅烷可以热分解为多
晶硅是硅烷法的一大优点。
化学反应式如
下甲硅烷的分解温度低,在850℃时即可
获得好的多晶结晶。
而且,硅的收率达90
%
以上。
从而达到提出较为纯净的单质
硅!
问题:硅化学提纯中产生的成本问题
讨论:对硅材料的化学提纯工艺优化研究。
结论:从成本来看,工业一般不会用H2,只有精制硅的时候才用H2。
二氧化硅被碳还原得到的是粗硅,工业上常再将得到粗硅与氯气反应生成四氯化硅,利用其沸点较低蒸馏出来,再用氢气还原之,得到的是高纯硅。
参考文献:
[1]蒋荣华,邓良平,冯地直,等.新世纪国内外材料最新进展
[C].2007第三届国太阳级材料及太阳电池研讨会会议资料.
[2]薛钰芝,张力,林纪宁.太阳能光伏技术研究与发展[J].大连铁道学院学报,2003,24(4):71-74.
[3]Santos I C,Goncalves A P,Santos C,S,et al.Purification of metallurgical grade silicon by acid leaching[J].Hydrometallurgy,1990,23:237-246.
[4]吴亚萍,张剑,高学鹏,等.多晶真空感应熔炼及定向凝固研究[J].特种铸造及有色合金,2006,26(12):792-794.
[5]周振平,李荣德.定向凝固试验研究现状[J].特种铸造及有色合金,2003(2):35-37.。