结晶学 07-第六章 点缺陷

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

《结晶学》第二部分晶体缺陷

缺陷是对完美的破坏。“晶体缺陷”是

对完美“晶体”的破坏。

完美“晶体”:具有格子(点阵)构造的固体。

晶体构造=点阵+结构基元

晶体构造=亚格子+方位错开

这种完美要求:任何一个该有粒子的位置必须有粒子,绝不能缺,也不能换。在不应该有粒子的位置上,不许有任何的粒子!!!

否则,晶体的格子构造将遭到破坏。就会出现偏离晶体点阵结构的部位,我们称作晶体缺陷。

阵结构的部位我们称作

试想没有缺陷的晶体应满足什么条件?空间,计量比,温度?

然而,现实晶体都占据有限空间,化学计量比常

有偏离,温度也达不到绝对零度,纯净度也达不到

绝对纯净。

没有缺陷的“晶体”只能存在于我们的理想当中。

①在一个三维晶体中,会出现那些种类的缺陷?

②他们如何产生、对晶体的宏观性质有些什么影响?

③借助怎样的技术手段可以定量、定性分析它们?

按照缺陷区域的几何维度划分:

点缺陷:

偏离点阵结构的部位为个粒子(或几个粒子)线缺陷

(零维缺陷)偏离点阵结构的部位为一个粒子(或几个粒子)。线缺陷:(一维缺陷)

偏离点阵结构的部位为一维线上的若干个粒子。面缺陷:偏离点阵结构的部位为二维面上的若干个粒子。体缺陷:(二维缺陷)

偏离点阵结构的部位为三维尺度的若干个粒子。(三维缺陷)

晶体缺陷的其他角度分类:

电子缺陷:晶体结构中某位置应该有电子,但如果偏多或偏少。

(例如半导体晶体中所谓导带电子或价带空穴)

微缺陷:若干点缺陷在晶体中的聚集,其尺度比通常的点缺陷要大一些,而比体缺陷又小。

原生缺陷:在晶体生长中产生的晶体点阵结构偏离。

二次缺陷:在晶体生长之后的各种加工过程中引入的缺陷。

第二部分晶体缺陷

《结晶学》第六章

点缺陷

点缺陷偏离点阵结构的部位为一个粒子(或几个

粒子)。与线缺陷、面缺陷、和体缺陷相比,点缺

陷是晶体中占据空间最小的缺陷,然而其影响却

§点缺陷的基本概念(单质晶体的点缺陷)

不容忽视。

§6.1 点缺陷的基本概念(单质晶体的点缺陷) §6.2 化合物半导体中的点缺陷

§6.3 点缺陷的缔合

点缺陷又称零维缺陷,偏离点阵结构的部位为一个粒子(或几个粒子)。

试想一下,点缺陷的下列情况是否齐全:

试想下,点缺陷的下列情况是否齐全:

空位、间隙原子、替位杂质原子和间隙杂质原子。

由几个这样的缺陷组成的小复合体也被看做是点缺陷

由几个这样的缺陷组成的小复合体也被看做是点缺陷。

种描述晶体中每个位置符号

一种描述晶体中每个位置符号:(由克罗格和文克提出)

借此可以描述微粒

我们称作克文符号,借此可以描述晶体中每一个位置上的粒子。名称

位置

名称

克文符号

晶体M中的四种点缺陷符号表示

M s M s M s M s M s M s

M

M s M M M M M M M M s

M M M M M M

V M

M i

s M M M M s

M s M M M M M M M M M s

F M

M s M s M s M s M s M s

F i

表面格点、体内格点、空位、间隙原子、替位杂质、间隙杂质的克文符号。

点缺陷的种类有:空位、间隙原子、替位式杂质、间隙杂质以及它们的复合体杂质,以及它们的复合体。

位:V M 间隙原子:M i

替位杂质:F M

间隙杂质:F M 晶体中点缺陷i

这些点缺陷的产生原因,如何定性定量、它们对晶体宏观性质有何影响?我们将从比较简单的情况入手。

§6.1.1 (单质晶体中)热缺陷的分类

试想一个在绝对零度时的理想单晶体,在现实温度环境中,由于晶格热振动或是外部电磁辐射就会产生一些点缺陷。我们由于晶格热振动或是外部电磁辐射就会产些点缺陷本征点缺陷与晶格原子的热振动有关因此它的浓度依赖称作本征点缺陷。

本征点缺陷与晶格原子的热振动有关,因此它的浓度依赖于温度,因而又称为热缺陷。热缺陷只能有空位和间隙原子。请区别:“热缺陷”与“原生缺陷”。

一块单质晶体中的热缺陷的总类:对于热缺陷的产生过程,有三种基本的模型:1、弗兰克缺陷模型;块单质晶体中的热缺陷的总类空位和(或)间隙原子弗克缺模2、肖特基缺陷模型;3、第三种缺陷模型。

1、弗兰克缺陷模型

弗兰克缺陷机制,空

位与间隙原子成对产生

或消失。

或消失

借助克罗格和文克符

号可写出反应方程:

M M M i+ V M

+V

肖特基缺陷机制中,

只会产生空位,不会产生间隙原子。

生间隙原子

借助克罗格和文克符

号可写出反应方程:

M M M s + V M

+V

肖特基缺陷机制中,

只会产生间隙原子,不会产生空位

会产生空位。

借助克罗格和文克符

号可写出反应方程:

M s M i

§6.1.2 (单质晶体中)热缺陷的统计计算

应用统计热力学的方法,不需考虑热缺陷产生和复合的动力学过程,根据体系平衡时满足的热力学条件(自由能F最小),可以研究平衡条件下的一些结果。

例如:一些简单情况下热缺陷平衡浓度的计算:

肖特基热缺陷:一块单晶体材料,体内热缺陷只有空位,没

有间隙原子。

思路:简化后,写出自由能F 随热缺陷浓度n变化的函数

F(n) ,求出函数极小值点。

相关文档
最新文档