最新常用电子元器件43660
最全常用电子元件图解

数字集成电路
数字集成电路是用来处理数字 信号的集成电路,如逻辑门、 触发器、寄存器等。
数字集成电路通常由逻辑门、 触发器等数字元件集成在一块 芯片上,实现特定的数字逻辑 功能。
数字集成电路广泛应用于计算 机、数字通信、电子测量等领 域。
数字集成电路的设计和制造同 样需要较高的技术和经验,因 为其性能受到很多因素的影响 ,如延迟、功耗、噪声等。
可变电容器
总结词
容量可调,常用于调谐、振荡等电路。
详细描述
可变电容器由一组旋转或可调的电极组成,通过改变电极间的距离或相对位置来改变容量。它主要用于调谐、振 荡等电路中,实现频率的调节和信号的选频等功能。
电解电容器
总结词
容量大、成本低,但稳定性较差。
详细描述
电解电容器是一种特殊类型的电容器,其容量较大,成本较低,但稳定性较差。它由一个电解膜和两 个金属电极组成,电解膜作为介质。电解电容器的容量随电压的增大而减小,因此常用于低频滤波和 旁路等场合。
可调电感器
定义
用途
可调电感器是一种电感量可调的电子 元件,通常通过调节磁芯的位置或加 入不同数量的磁芯来改变电感量。
可调电感器主要用于需要调整电感量 的场合,如无线通信设备、电视调谐 器和测量仪器等。
工作原理
通过改变磁芯的位置或加入不同数量 的磁芯,可调电感器可以调节磁场强 度和电感量。
变压器
01
微处理器与微控制器
微控制器是一种集成了处理器、存储器、输入 输出接口等功能的集成电路,主要用于嵌入式
系统、智能仪表等领域。
微处理器和微控制器的应用非常广泛,涉及到工业控 制、智能家居、医疗设备等领域。
微处理器是一种高性能的处理器,具有高速的 运算和控制能力,主要用于计算机、服务器等 领域。
最全常用电子元件图解

★变压器的功能主要有:电压变换;阻抗变换;隔离;稳压 (磁饱和变压器)等,变压器常用的铁心形状一般有E型 和C型铁心。
★ 变压器分为:高频变压器、中频变压器、低频变压器等
★ 变压器是把漆包线绕在变压器骨架上制作而成的。它有
初2021级/6/和16 次级之分。
40
六、 其它电子元件
1.★ 压电陶瓷蜂鸣器是无源蜂鸣器 (无极性)
颜色
棕 红
橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 金 银 无色
第一色环
第二色环
第三色环应乘 以10的倍率
第四色环 允许误差
1
1
101
2
2
102
3
3
4
4
5
5
6
6
7
7
8
8
9
9
0
0
103 104 105 106 107 108 109 1
±5% ±10% ±20%
2021/6/16
12
色环颜色所代表的数字或意义(五环电阻)
(1)普通电阻器用四环色带表示阻值与误差
2021/6/16
四环电阻读数
表示27000Ω±5%
一般情况下最后一环为金色 或银色,如果不是金色和银色, 则最后一环的宽度是其它环 的两倍.
10
(2)精密电阻器用五条色环表示阻值与误差 表示17.5Ω±1%
五环电阻读数
2021/6/16
11
色环颜色所代表的数字或意义(四环电阻)
2021/6/16
25
负极标示
电容值 工作电压
c、贴片电解电容:材质电解质。 表面有丝印,有极性。外观上 可见铝制外壳。电解电容表面 有一条黑色丝印用来表示电解 电容的负极,并且在丝印上标 明有电容值和工作电压,大部 分生产厂家还在丝印上加注一 些跟踪标记。贴片电解电容的 基本单位:μF.
电子元器件图表大全

电路图符号对照表,有中英文的对比符号对照,C 电容D 二极管J 金属(膜)Q 三极管R 电阻U 集成电路、合成膜X 线绕Y 氧化(膜)淘巧网补充:A 高频大功率管P 检波管W 稳压管Z 整流管电感L 变压器T 二极管D 继电器RL 集成电路IC、U 接插件CB、CZAAT 电源自动投入装置AC 交流电DC 直流电FU 熔断器G 发电机M 电动机HG 绿灯HR 红灯HW 白灯HP 光字牌K 继电器KA(N,Z) 电流继电器(负序,零序)KD 差动继电器KF 闪光继电器KH 热继电器KM 中间继电器KOF 出口中间继电器KS 信号继电器KT 时间继电器KV(N,Z) 电压继电器(负序,零序)KP 极化继电器KR 干簧继电器KI 阻抗继电器KW(N,Z) 功率方向继电器(负序,零序) KM 接触器KA 瞬时继电器;瞬时有或无继电器;交流继电器KV电压继电器L 线路QF 断路器QS 隔离开关T 变压器TA 电流互感器TV 电压互感器W 直流母线YC 合闸线圈YT 跳闸线圈P,Q,S 有功,无功,视在功率E,U,I, 电动势,电压,电流SE 实验按钮SR 复归按钮f 频率Q——电路的开关器件FU——熔断器copyright FR——热继电器KM——接触器KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关Q——电路的开关器件FU——熔断器KM——接触器KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关SA 转换开关。
电子行业电子元器件讲解大全

电子行业电子元器件讲解大全1. 引言电子行业是现代工业中非常重要的一个领域,而电子元器件是电子产品中的核心组成部分。
了解电子元器件的特性和使用方法对于从事电子行业的人员来说至关重要。
本文将介绍一些常见的电子元器件,包括其定义、分类、特性以及常见应用场景。
通过阅读本文,读者将能够更深入地了解电子行业中的电子元器件。
2. 电子元器件分类电子元器件可以根据其功能和使用特性进行分类。
以下是一些常见的电子元器件分类:2.1. 主动元器件主动元器件是指能够在电路中能够产生能量或控制信号流动的元器件。
常见的主动元器件包括二极管、晶体管、场效应管和集成电路等。
•二极管:二极管是一种具有两个电极的元件,能够在正向电压下导通电流,在反向电压下截止电流。
它是很多电子设备中的基础元件之一。
•晶体管:晶体管是一种半导体器件,可以实现电流的放大和开关控制。
它在放大电路、开关电路、放大器等领域都有广泛的应用。
•场效应管:场效应管是一种控制电路中电流流动的元件。
它具有高输入电阻和低输出阻抗的特点,广泛应用于放大电路和开关电路中。
•集成电路:集成电路是在一个芯片上集成多个电子元器件的电路。
它具有体积小、功耗低、性能稳定等优点,在计算机、通信等领域有着广泛的应用。
2.2. 无源元器件无源元器件是指不能主动产生能量或控制信号流动的元器件。
常见的无源元器件包括电阻器、电容器和电感器等。
•电阻器:电阻器是一种能够限制电流流动的元件。
它能够将电能转化为热能,常用于电路中的电流限制和电压分压等功能。
•电容器:电容器是一种存储电能的设备。
它由两个导体板和介电层组成,能够在电场的作用下存储电荷。
电容器在电源滤波、信号耦合、振荡电路等方面有着广泛的应用。
•电感器:电感器是由线圈组成的元器件,能够存储能量并产生电压。
它在滤波器、振荡器、变压器等电路中起到重要的作用。
2.3. 光电子器件光电子器件是利用光和电子之间相互作用的元器件。
常见的光电子器件包括光电二极管、光敏电阻和光电晶体管等。
常用电子元器件图表符号

常用电子元器件图表符号这是从网上收集来的比较全面的电子元器件符号集了,对于初学者来说相信是非常有用处的。
任何开发机器人的朋友都应该多多少少了解一点基本的电子电路知识。
电流表 PA电压表 PV有功电度表 PJ无功电度表 PJR频率表 PF相位表 PPA最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW无功功率表 PR无功电流表 PAR声信号 HA光信号 HS指示灯 HL红色灯 HR绿色灯 HG黄色灯 HY蓝色灯 HB白色灯 HW连接片 XB插头 XP插座 XS端子板 XT电线,电缆,母线 W 直流母线 WB插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM应急照明干线 WEM 滑触线 WT合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF事故音响小母线 WFS预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV事故照明小母线 WELM 避雷器 F熔断器 FU快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C电力电容器 CE 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS温度控制开关,辅助开关 ST电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA整流器 U可控硅整流器 UR控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF变流器 UC逆变器 UI电动机 M异步电动机 MA同步电动机 MS直流电动机 MD绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC电动阀 YM电磁阀 YV防火阀 YF排烟阀 YS电磁锁 YL跳闸线圈 YT合闸线圈 YC气动执行器 YPA,YA 电动执行器 YE发热器件(电加热) FH 照明灯(发光器件) EL 空气调节器 EV电加热器加热元件 EE 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器LL 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器 RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC光电池,热电传感器 B 压力变换器 BP 温度变换器 BT 速度变换器 BV时间测量传感器 BT1,BK液位测量传感器 BL 温度测量传感器 BH,BM。
电子元件清单

15P
500
36-10
20P
500
36-11
30P
600
36-12
33P
1000
37-1
35P
500
37-2
39P
500
37-3
47P
500
37-4
50P
800
37-5
51P
800
37-6
56P
1000
37-7
62P
1000
37-8
68P
1000
37-9
75P
600
37-10
82P
1000
37-11
10Κ
1
24-6
5W水泥电阻
22Κ
1
24-7
5W水泥电阻
微
调
电
阻
100Ω
120
25-1
200Ω
100
25-2
50Ω
60
25-3
500Ω
80+100
25-4
预调
20
长柄可调
1Κ
100
25-5
预调
2K
100
25-6
预调
2.2Κ
1
长柄可调
2.2Κ
40
微调
4.7Κ
40
26-1
长柄可调
35+100
微调
5Κ
20
100u/25ν
18
49-7
整
流
二
极
管
IN4001
20
52-1
进口低频小功率,最高反向工作电压为50V额定整流电流为1A
电子元器件识别大全图优选全文

可编辑修改精选全文完整版目的制订本指南﹐规范公司的各层工作人员认识及辩别日常工作中常用的各类组件.范围公司主要产品计算机主板中的电子组件认识:工作中最常用的电子组件有﹕电阻﹑电容﹑电感﹑晶体管包括二极管﹑发光二极管及三极管﹑晶体﹑晶振振荡器和集成电路IC;连接器件主要有﹕插槽﹑插针﹑插座等;其它一些五金塑料散件﹕散热片﹑胶钉﹑跳线铁丝等;责任公司的各层工作人员﹐正确认识及辩别日常操作中常用的各类组件﹐结合产品BOM的学习并应掌握以下基础知识或内容﹕A 从外观就能看出该组件的种类﹐名称以及是否有极性方向性;B 从组件表面的标记就能读出该组件的容量﹐允许误差范围等参数;C 能辩识各类组件在线路板上的丝印图;D 知道在作业过程中不同组件需注意的事项;本指南由品管部负责编制;电子组件电阻电阻用“R”表示﹐它的基本单位是奥姆Ω1MΩ兆欧=1000KΩ千欧=1000000Ω公司常用的电阻有三种﹕色环电阻﹑排型电阻和片状电阻;4.1.1 色环电阻色环电阻的外观如图示﹕图1 五色环电阻图2 四色环电阻较大的两头叫金属帽﹐中间几道有颜色的圈叫色环﹐这些色环是用来表示该电阻的阻值和范围的﹐共有12种颜色﹐它们分别代表不同的数字其中金色和银色表误差﹕颜色棕红橙黄绿蓝紫灰白黑金银我们常用的色环电阻有四色环电阻如图2和五色环电阻如图1﹕1.四色环电阻普通电阻﹕电阻外表上有四道色环﹕这四道环﹐首先是要分出哪道是第一环﹑第二环﹑第三环和第四环﹕标在金属帽上的那道环叫第一环﹐表示电阻值的最高位﹐也表示读值的方向;如黄色表示最高位为四﹐紧挨第一环的叫第二环﹐表示电阻值的次高位﹐如紫色表示次高位为7﹔紧挨第2环的叫第3环﹐表示次高位后“0”的个数,如橙色表示后面有3个0﹔最后一环叫第4环﹐表示误差范围﹐一般仅用金色或银色表示﹐如为金色﹐则表示误差范围在+5%之间﹐如为银色﹐则表示误差范围在+10%之间;例如:某电阻色环颜色顺序为:黄-紫-橙-银,表示该电阻的阻值为﹕47000Ω=47KΩ,误差范围﹕+10%之间;2.五色环电阻精密电阻﹕它的阻值可精确到+1%﹐电阻外表上有5道色环﹐读取阻值和误差范围的方法与四色环电阻大体相同﹐仅以下两点不同﹕A 有些五色环电阻﹐两端的金属都有色环;这种电阻都会有4道色环相对靠近﹐集中在一起﹐而另一道色环则远离那4道色环﹐单独标在金属帽上的色环是表误差的第5环;B 五色环电阻增加了第3道色环表示阻值的低位﹐第五环表示误差范围;4.1.2 片状电阻1.SMD排型电阻简称排阻﹐排阻的外型如图3﹐它没有极性; 它的内部结构实际上是由多个小电阻排列在一起﹐所以叫排阻;图3 排型电阻图4 单片电阻2.SMD单片电阻﹐它的体积小如碎米﹐按其几何尺寸可分0805﹑0603等型﹐没有极性;示值方法为﹕精密电阻﹕以两位数字和一位英文字母表示﹐数字表有效数字的代码﹐字母表示十的幂次关系﹐两者之积即为其阻值;如﹕47B﹐“47”是301的代号﹐“B”表示101﹐所以该电阻的阻值为301X101=3010奥姆;详细数据可查询物料规格承认书有关精密电阻之阻值对照表;片状电阻表面有丝印﹐由于误差不同而分三位数和四位数表示﹕A 对于三位数表示的﹐前二位表示有效数字﹐第三位数表示有效数字后“0”的个数﹐这样得出的阻值单位为其基本单位奥姆Ω;如﹕“223”表示22000奥姆;这种电阻的误差范围一般是J级﹐即+5%;B 对于四位数表示的﹐前三位表示有效数字﹐第四位数表示有效数字后“0”的个数﹐这样得出的阻值单位也为其基本单位奥姆Ω;如﹕“1001”表示1000奥姆;这种电阻的误差范围一般+1%;C 片状电阻除了阻值与误差等级这两个参数外﹐还有承受功率和体积二个参数﹐常用的电阻所能承受的功率有1/10W,1/8W,1/4W等﹐常用的电阻的体积有0603﹑0805﹑1206和1311等﹐其规格代号分别为Q﹑F﹑H和B;电阻的体积用英制单位英寸表示﹐如0603表示×英寸﹐一般而言﹐0805规格的电阻承受的功率为1/10W﹐也有少部分为1/8W, 1206规格的电阻承受的功率为1/8W;当客户对电阻的供货商有特殊要求时即常说的牌子,可在产品BOM上描述;3.DIP排型电阻A型排阻﹕内部结构如图﹐每个小电阻的阻值都一样﹐小电阻的其中一脚全部连通到第1脚“1”上﹐因此第1脚“1”与任何一只脚的阻值都相同﹐公共脚与其他脚不能插错﹐所以A型排阻有极性;在实物上有小点一端的脚即为第1脚﹐插机时对应相应位置的小点即可;B型排阻﹕内部结构如图﹐各个小电阻各自独立地排列在一起﹐每个小电阻的阻值都一样﹐因此B型排阻没有公共脚﹐脚数一定为偶数﹐它没有极性;1 2 3 4 5 6A型排阻内部结构 B型排阻内部结构 A型排阻阻值的表示方法有以下四种﹕A.三位数表示方法﹕前面二位数字表示该排阻的阻值的最高位和次高位﹐第3位表示“0”的个数;如﹕472T表示该排阻的阻值为4700奥姆﹐误差等级为T级;B.“R” 表示法﹕“R”表示小数点﹐如3R2表示该排阻的阻值为奥姆;C.“K” 表示法﹕“K”表示千欧单位﹐如4K7表示该排阻的阻值为4700奥姆;D.直接表示法﹕直接把阻值标出﹐如90Ω;图示A型排阻丝印中﹐A10表示它是有10个小电阻的A型排阻图仅作示意﹔字母“SUP”表示商号﹑品牌﹔“212J”表示阻值2100Ω﹐误差等级为J级;4.1.3 热敏电阻﹐如下图﹕电感电感用“L”表示﹐它的基本单位是亨利H1H=1000mH毫亨=1000000μH微亨公司常用的电感的三种﹕片状电感如图6﹑绕线电感﹑色环电感如图5和磁珠;图5 四色环电感图6 片状电感4.2.1 绕线电感﹕用金属线圈与环形磁石自行绕制﹐无标记;4.2.2 片状电感﹕外形酷似电容﹐如图6示;贴片电感及其电感量用三位数表示﹐前二位为有效数字﹐第三位数字为有效数字后的“0”的个数﹐得出的电感量为微亨﹐其误差等级用英文字母表示﹕J,K,M分别表示+5%﹐+10%﹐+20%;4.2.3 电阻型电感即色环电感外型﹕色环电感与色环电阻的外形很相似﹐只是体形比色环电阻明显胖一些﹐电感量及误差范围表示方法与色环电阻完全相同﹐只是得出的结果的单位是μH 而不是奥姆Ω;例如﹕某色环电感的第一道到第四道色环依次是“红﹑紫﹑黑﹑银”﹐则该电感的电感量为27μH﹐误差范围为+10%;4.2.4 磁珠﹕外观是一个黑色的小园柱体﹐表面没有标记如图7﹐电感量及误差范围需查包装盒或产品说明书;图7 磁珠电容电容用字母“C”表示﹐它的基本单位是法拉F1F=103mF毫法=106μF微法=109nF纳法=1012pF皮法公司常用的电容有﹕电解电容﹑陶瓷电容﹑独石电容﹑钽质电容和片状电容;4.3.1电解电容﹕其外形如图8示﹐它有极性方向性﹐在其中一只脚上标有负号“–”表示该脚为负极﹐另一脚为正极;图8 电解电容图9 片状电容4.3.2片状电容如图9所示;4.3.3陶瓷电容﹕它的外壳是由陶瓷做成的﹐外形为扁平的近圆形4.3.4钽质电容﹕大体圆形,在圆的上方有一小的圆锥体,有极性,在其中的一脚上标正号“+”表示该脚为正极,另一脚为负极.陶瓷电容钽质电容独石电容4.3.5 独石电容﹕其外形似粒小石籽﹐没有极性;4.3.6示值方法4.3.6.1 容量和耐压﹐这两个参数一般有两种表示法﹕A 直接表示法﹕直接标出容量与耐压﹐这种方法在较大的电容如电解电容﹑钽质电容上常见﹐如图示﹕“10μF 16V”表示该电容的容量为10μF﹐耐压为16V;B 三位数表示法﹕前面两位表示有效数值﹐最后一位表示零的个数﹐得出的容量单位是pF 皮法﹐这种方法在较小的电容上常用﹐如﹕陶瓷﹐独石电容等;如﹕“102”表示该电容的容量为1000pF ;4.3.6.2误差﹑耐压和体积电容的误差等级一般用英文J﹑K﹑M﹑Z字母来表示见附表一;耐压常见的有20V﹐25V,50V,63V等﹔体积常见的有0603﹐0805﹐1206﹐1311﹐分别用英文字母Q,F,H,B,C表示;晶体管4.4.1二极管二极管用“D”表示﹐含有一个PN结﹐符号是它是一种单向导电组件﹐即电流只能朝一个方向流动从正极流向负极﹐而不能反向流动由负极流向正极;因此﹐二极管是有极性的;二极管表示正负的方法有三种﹕A如图10﹐箭头所指的一端为负极﹐亦表示电流和流向﹐由正极流向负极;图10 二极管1 图11 二极管2 图12 二极管3 B如图示﹐涂黑的一头表示负极﹐外壳用玻璃或橡胶封装的小二极管常用此法;二极管表面上的字母“INxxx”或“ISxxx”,都是二极管的标识方法﹐表示该组件是二极管;C如图12﹐缺口的一端为正极;4.4.2 LED发光二极管常见的有红﹑黄﹑绿﹑紫﹑蓝﹑白等颜色﹐它们这些外观颜色即为发光时的颜色;也是有极性的﹐插机时要留意极性﹐不能插错;其外形如图﹕图13 发光二极管它的极性分辨如下﹕1.金属脚嵌在玻璃里较小的一端为正极﹐较大的一极是负极;2.外壳下边切弧的一端为负极﹐对面为正极;4.4.3 三极管又称原子粒三极管用字母“Q”表示﹐它是一种能将电信号放大的组件﹐如图16的三极管就是一个典型的例子﹕象一个被削掉一小半的园柱体﹐有三只脚﹐分别代表三极﹕基极b﹑集电极c和发射极e;三极管有极性﹐三只脚不能弄错;图14 三极管1 图15 三极管2 图16 三极管34.4.3.1 场效晶体管如图14示4.4.3.2 VR 如图15示4.4.3.3 普通三极管如图16示晶体晶体用字母“X”或“XY”表示﹐晶体内由一片芯片组成﹐它是振荡电路的振源﹐没有极性﹐外形如图﹕图17 园柱形晶体图18 方形晶体有两个脚﹐外壳用金属封装﹐以保护里面的芯片﹐晶体的表面标记有﹕A 商号﹕用英文字母表示﹐如﹕“FIC”B 振荡频率﹕直接用数字标出﹐如“14.31818”表示振荡频率为兆赫兹﹑32768表示振荡频率为;C 生产年份与月份: 如“14.3A7”中A表示1月份,7表97年;具体表示因供货商不同而有变化;晶振又称振荡器晶振用字母“Y”表示﹐与晶体相比﹐晶振的内部除了芯片外﹐还有电阻﹑电容等﹐它已构成一个振荡电路﹐因此有极性;其外形如图19示﹐象一块方砖﹐有四个脚﹐外壳用金属封装;凹点或黑点的对应脚是晶振的第一脚;图19 晶振晶体表面的标记﹕A 商号﹐编号﹐用英文字母和数字表示﹐如: “DOC-70”;B 振荡频率﹕直接用数字表示﹐如”表示兆赫兹;集成电路又称IC集成电路块用字母“U”表示常称IC﹐它有极性,表面有小槽口或圆点等表示方向﹐插错方向会使IC烧坏﹐使用时封装方向标志对应线路板相应位置的方向标志;IC是集多种功能于一体的一种组件﹐多采用双排列扁平封装﹐其引脚对称排列﹐外观多为有很多脚的黑色方块﹐常见引脚数有8﹑14﹑20﹑24﹑40和64甚至100或更多;多用凹槽表示其极性﹐即凹槽左侧引脚的第1脚为该IC的第1脚,然后按逆时针方向给其余脚按1﹑2﹑3…自然数顺序定义;在IC表面一般有厂标﹐厂名﹐以及以字母﹑数字表示LGS S12的芯片类型﹑温度范围﹑工作速度和生产期等;公司常用的有以下几种系列及封装形式﹕4.7.1 TTL系列:是较为普通﹑常用的IC﹐其体形小,双排脚封装﹐如图19示﹕图19 TTL系列IC丝印图20 TTL系列IC其表面标示的含义是﹕S 12 GD 75232 D5.设计序号﹐为D系列;4.容量﹔3.IC类型﹐为GD﹔2.系列代码﹐为12系列﹔1.商号﹑名称﹐为LGS﹔这些表面标记中﹐2﹑3和4这三个标记是最重要的﹐只有这三个标记完全相同的IC 才能代用;4.7.2 RAM系列﹕中文称随机存储器RAM系列的外形极似TTL系列IC﹐如图21及图22所示﹐不同之处在于表面标记﹕41256AP-15图21 RAM系列IC丝印图22 RAM系列IC外观KM 1256 A P -15 99426.年份99与生产周42;5.访问速度;4.封装型号﹐为P;3.设计序号,为A;2.储存容量﹔1.商号,为KM﹔这些表面标记中以2和5最为重要﹐这两个参数不同的RAM系列IC一定不能代用﹐而且﹐就算这两个参数相同﹐但生产厂家不同﹐都要先经过测试合格后才能代用;4.7.3 ROM系列﹕中文称只读存储器一般﹐ROM输入数据后是不可以擦除的﹐可以将输入的数据擦除的ROM有两种﹕EPROM中文称﹕紫外线可擦除式可只读存储器和EEROM电可擦除式只读存储器;MX J99313329F002NTPC-12ROM的外形与RAM相似﹐如图23所示﹐不同的是表面丝印﹐如图23及图24﹕图23 ROM系列丝印图24 ROM系列MX 29F 002 NTPC -12 LA77716.版本号;5.访问速度﹔4.设计序号﹔3.存储容量﹔2.ROM代号﹔1.商号﹔这些标记中以2﹑3和4是最重要的;4.7.4 PAL系列﹕中文称可编程逻辑数组IC在我们公司较少用到﹐外形与前面学过的几种很相似﹐不同之处在于其表面丝印﹕PAL 16 L 8 A5.速度如为A”表示传送延时为25ns,如为B”表示传送延时为15ns4.可输入数目3.输出类型分组合型﹕用“L”表示﹔带锁存型﹕用“R”表示;可改变型﹕用“V”表示2.可输入数目﹔1.商号﹔这些标记中2﹑3﹑4和5都很重要﹐PAL需要代用﹐必须2﹑3﹑4﹑5项完全相同﹐如果2﹑3﹑4任何一项不相同则不可代用﹔2﹑3﹑4项相同而5项不同的PAL﹐须经试验确认才可代用;4.7.5 IC的封装形式有:SOP﹑SOJ﹑QFP﹑PLCC﹑PGA﹑BGA球栅数组封装IC等,如下图:图25 BGA IC连接器件扩展槽SLOT:用以连接声卡﹑网卡﹑显示适配器和边卡内存条等适配卡﹐有以下类型﹕5.1.1 ISA插槽:它有98个脚位﹐用于插98PIN的ISA适配卡;5.1.3 AGP插槽:它有124个脚位﹐用于插124PIN的AGP适配卡如图26;5.1.3 PCI插槽:它有120个脚位﹐用于插120PIN的PCI适配卡如图27;图26 AGP插槽图27 PCI插槽5.1.4 DIMM槽:动态内存插槽﹐168PIN﹐SDRAM同步动态内存即插于此槽如图28;图28 DIMM插槽5.1.5 SIMM槽: 静态内存插槽﹐72PIN﹐SRAM静态内存即插于此槽;外部输入/输出I/O接口图29 USB头图30 KB头图31 GAME头5.2.1 USB系统/外围接驳口﹐如图29;5.2.2 KBKeyboard and Mouse,键盘和鼠标接头﹐如图30;5.2.3 GAME游戏或声卡接头﹐如图315.2.4 PRTPrint,打印接头;5.2.5 COM1和COM2;底座5.3.1 电源插座火牛座5.3.2 FDC和FDD: 217-1PIN﹐用于连接软驱;图32 FDD插座5.3.3 IDE:220-1PIN﹐用于连接硬盘或光驱;其外形很象FDC插座;插针与针耙5.4.1 插针:以针脚数量不同可分12﹑13﹑14﹑23﹑15﹑210-3PIN不等如图33及34;5.4.2 针耙:依颜色可分黄﹑黑﹑白﹑色等,如图35示;图33 防呆细插针图34 23插针图35 针耙HSK散热片图36 散热片组件在印刷电路板PCB上的丝印:X1:晶体 R1:电阻 D1:二极管 IC1:集成电路块C1:电容 L1:电感 Q2:三极管 JP1:插针﹑铁丝BT:电池座 RN1:排阻 FDC:软驱 IC2:集成电路块Y1:晶体 PCI1:PCI槽 DIMM1:DIMM槽 F1:保险丝﹑电感IDE1:硬盘﹑光驱槽作业过程中的注意事项1.组件的外壳所用的材料大多数很脆﹐拿取﹑搬动时要轻拿轻放﹐避免掉落损坏﹔2.组件的表面标记要保护好﹐以免增加日后检修的困难﹔3.组件代用时﹐需有施工单或工程变更通知单等指导文件的说明;4.有极性方向性的组件﹐必须按规定的方向插机与贴片﹐否则会损坏组件﹔而无极性组件插反虽然不影响性能﹐但为了整齐美观﹐亦需按规定的方向操作;5.接触对静电敏感的组件,必须按防静电及强电控制指南执行,以防损坏组件;附表附表一:常用误差等级表示法。
是德科技 E4360 太阳能阵列模拟器 (SAS)

不要在易爆环境中操作
不要在存在可燃性气体或烟雾的环境 中使用仪器。
安全符号
直流电 交流电 直流和交流电 三相交流电 接地端子
不要卸下仪器外壳
只能由合格的、经过维修培训且了解 潜在危险的专业人员打开仪器外壳。 在卸下仪器外壳之前,要断开电源电 缆和外部电路的连接。
一般原则
不要违反制造商的规定使用本产品。 如不按照操作手册使用本产品,其保 护功能可能会失效。
废弃电子电气设备 (WEEE) 指 服务支持 令 2002/96/EC
本产品符合 WEEE 指令 (2002/96/EC) 市 场营销要求。贴附于产品上的标签(请见下 方)指示,不得将本电子/电气产品随同 家庭废弃物一起处理。 产品类别:根据 WEEE 指令 Annex 1 中的 设备类型分类,此产品被归类为“监测和控 制仪器”产品。 请勿作为家庭废弃物处理。 要退回不需要的产品,请与当地的 Keysight 办事处联系,或访问 /environment/product 以了解详细信息。
不要调整仪器
不要在本产品上安装替代零部件或进 行未经授权的任何改装。请将产品返 回 Keysight 销售和服务部接受服务和 维修以确保保持其安全特性。
保护接地端子 框架或机箱端子
接通电源前
确认已采取了所有的安全预防措施。 在接通电源前,确保连接所有设备。 请留意在“安全符号”下面介绍的仪器 外部标识。
本手册的重印版包含少量更正和更新, 可能具有相同的印刷日期。修订版则 标有新的印刷日期。
遵从有关标准的声明
本产品和其他 Keysight 产品的“遵从 有关标准的声明”可以从 Web 中下 载。请访问 /go/conformit y ,然后单击“Declarations of Conformity”。然后,您可以按产品编 号进行搜索,找到最新的“遵从有关标 准的声明”。
ADF4360-8资料

Integrated Synthesizer and VCOADF4360-8Rev. 0Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 Fax: 781.326.8703© 2004 Analog Devices, Inc. All rights reserved.FEATURESOutput frequency range: 65 MHz to 400 MHz 3.0 V to 3.6 V power supply 1.8 V logic compatibility Integer-N synthesizerProgrammable output power level 3-wire serial interface Digital lock detectHardware and software power-down modeAPPLICATIONSSystem clock generation Test equipment Wireless LANs CATV equipmentGENERAL DESCRIPTIONThe ADF4360-8 is an integrated integer-N synthesizer and voltage controlled oscillator (VCO). The ADF4360-8 center frequency is set by external inductors. This allows a frequency range of between 65 MHz to 400 MHz.Control of all the on-chip registers is through a simple 3-wire interface. The device operates with a power supply ranging from 3.0 V to 3.6 V and can be powered down when not in use.FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAMCPV VCOREF INCLK DATALEAV DV CER V TUNE C C C NL2L1RF OUT ARF OUT BFigure 1.ADF4360-8Rev. 0 | Page 2 of 24TABLE OF CONTENTSSpecifications.....................................................................................3 Timing Characteristics.....................................................................5 Absolute Maximum Ratings............................................................6 Transistor Count...........................................................................6 ESD Caution..................................................................................6 Pin Configuration and Function Descriptions.............................7 Typical Performance Characteristics.............................................8 Circuit Description.........................................................................10 Reference Input Section.............................................................10 N Counter....................................................................................10 R Counter....................................................................................10 PFD and Charge Pump..............................................................10 MUXOUT and Lock Detect......................................................10 Input Shift Register.....................................................................11 VCO.............................................................................................11 Output Stage................................................................................12 Latch Structure...........................................................................13 Control Latch..............................................................................17 N Counter Latch.........................................................................18 R Counter Latch.........................................................................18 Choosing the Correct Inductance Value.................................19 Fixed Frequency LO...................................................................19 Power-Up.....................................................................................20 Interfacing...................................................................................20 PCB Design Guidelines for Chip Scale Package...........................20 Output Matching........................................................................21 Outline Dimensions.......................................................................22 Ordering Guide.. (22)REVISION HISTORY10/04—Revision 0: Initial VersionADF4360-8Rev. 0 | Page 3 of 24SPECIFICATIONS 1AV DD = DV DD = V VCO = 3.3 V ± 10%; AGND = DGND = 0 V; T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted. Table 1.Parameter B Version Unit Conditions/Comments REF IN CHARACTERISTICS REF IN Input Frequency 10/250 MHz min/max For f < 10 MHz, use a dc-coupled CMOS-compatiblesquare wave, slew rate > 21 V/µs.REF IN Input Sensitivity 0.7/AV DD V p-p min/max AC-coupled. 0 to AV DD V max CMOS-compatible. REF IN Input Capacitance 5.0 pF max REF IN Input Current ±60 µA max PHASE DETECTORPhase Detector Frequency 28 MHz max CHARGE PUMPI CP Sink/Source 3With R SET = 4.7 kΩ. High Value 2.5 mA typ Low Value 0.312 mA typ R SET Range 2.7/10 kΩ I CP Three-State Leakage Current 0.2 nA typ Sink and Source Current Matching 2 % typ 1.25 V ≤ V CP ≤ 2.5 V. I CP vs. V CP 1.5 % typ 1.25 V ≤ V CP ≤ 2.5 V. I CP vs. Temperature 2 % typ V CP = 2.0 V. LOGIC INPUTS V INH , Input High Voltage 1.5 V min V INL , Input Low Voltage 0.6 V max I INH /I INL , Input Current ±1 µA max C IN , Input Capacitance 3.0 pF max LOGIC OUTPUTS V OH , Output High Voltage DV DD – 0.4 V min CMOS output chosen. I OH , Output High Current 500 µA max V OL , Output Low Voltage 0.4 V max I OL = 500 µA. POWER SUPPLIES AV DD 3.0/3.6 V min/V max DV DD AV DD V VCO AV DD AI DD 4 5 mA typDI DD 4 2.5 mA typ I VCO 4, 5 12.0 mA typ I CORE = 5 mA.I RFOUT 43.5 to 11.0 mA typ RF output stage is programmable.Low Power Sleep Mode 47 µA typ Specifications continued on next page. Footnotes on next page.ADF4360-8Rev. 0 | Page 4 of 24Parameter B Version Unit Conditions/CommentsRF OUTPUT CHARACTERISTICS 5Maximum VCO Output Frequency 400 MHz I CORE = 5 mA. Depending on L. See theChoosing the Correct Inductance Value section.Minimum VCO Output Frequency 65 MHz VCO Output Frequency 88/108 MHz min/max L1, L2 = 270 nH. See the Choosing the Correct Inductance Valuesection for other frequency values.VCO Frequency Range 1.2 Ratio F MAX / F MIN VCO Sensitivity 2 MHz/V typ L1, L2 = 270 nH. See the Choosing the Correct Inductance Valuesection for other sensitivity values.Lock Time 6400 µs typ To within 10 Hz of final frequency. Frequency Pushing (Open Loop) 0.24 MHz/V typ Frequency Pulling (Open Loop) 10 Hz typ Into 2.00 VSWR load. Harmonic Content (Second) −16 dBc typHarmonic Content (Third) −21 dBc typOutput Power 5, 7−9/0 dBm typ Using tuned load, programmable in 3 dB steps. See Table 7. Output Power 5, 8 −14/−9 dBm typ Using 50 Ω resistors to V VCO , programmable in 3 dB steps. See Table 7. Output Power Variation ±3 dB typ VCO Tuning Range 1.25/2.5 V min/maxNOISE CHARACTERISTICS 5VCO Phase Noise Performance 9−120 dBc/Hz typ @ 100 kHz offset from carrier. −139 dBc/Hz typ @ 800 kHz offset from carrier. −140 dBc/Hz typ @ 3 MHz offset from carrier. −142 dBc/Hz typ @ 10 MHz offset from carrier.Synthesizer Phase Noise Floor 10−160 dBc/Hz typ @ 200 kHz PFD frequency. −150 dBc/Hz typ @ 1 MHz PFD frequency. −142 dBc/Hz typ @ 8 MHz PFD frequency.Phase Noise Figure of Merit 10−209 dBc/H z typ In-Band Phase Noise 11, 12 −102 dBc/Hz typ @ 1 kHz offset from carrier.RMS Integrated Phase Error 130.09 Degrees typ 100 Hz to 100 kHz.Spurious Signals due to PFDFrequency 12, 14−75 dBc typ Level of Unlocked Signal withMTLD Enabled−70 dBm typ1 Operating temperature range is –40°C to +85°C.2Guaranteed by design. Sample tested to ensure compliance. 3I CP is internally modified to maintain constant loop gain over the frequency range. 4T A = 25°C; AV DD = DV DD = V VCO = 3.3 V. 5Unless otherwise stated, these characteristics are guaranteed for VCO core power = 5 mA. L1, L2 = 270 nH, 470 Ω resistors to GND in parallel with L1, L2. 6Jumping from 88 MHz to 108 MHz. PFD frequency = 200 kHz; loop bandwidth = 10 kHz. 7For more detail on using tuned loads, see Output Matching section. 8Using 50 Ω resistors to V VCO , into a 50 Ω load. 9The noise of the VCO is measured in open-loop conditions. 10The synthesizer phase noise floor is estimated by measuring the in-band phase noise at the output of the VCO and subtracting 20 log N (where N is the N divider value). The phase noise figure of merit subtracts 10 log (PFD frequency). 11The phase noise is measured with the EVAL-ADF4360-xEB1 Evaluation Board and the HP 8562E Spectrum Analyzer. The Spectrum Analyzer provides the REFIN for the synthesizer; offset frequency = 1 kHz. 12f REFIN = 10 MHz; f PFD = 200 kHz; N = 1000; Loop B/W = 10 kHz. 13f REFIN = 10 MHz; f PFD = 1 MHz; N = 120; Loop B/W = 100 kHz. 14The spurious signals are measured with the EVAL-ADF4360-xEB1 Evaluation Board and the HP 8562E Spectrum Analyzer. The Spectrum Analyzer provides the REFIN for the synthesizer; f REFOUT = 10 MHz @ 0 dBm.ADF4360-8Rev. 0 | Page 5 of 24TIMING CHARACTERISTICSAV DD = DV DD = V VCO = 3.3 V ± 10%; AGND = DGND = 0 V; 1.8 V and 3 V logic levels used; T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted. Table 2.Parameter Limit at T MIN to T MAX (B Version) Unit Test Conditions/Comments t 1 20 ns min LE Setup Timet 2 10 ns min DATA to CLOCK Setup Time t 3 10 ns min DATA to CLOCK Hold Time t 4 25 ns min CLOCK High Duration t 5 25 ns min CLOCK Low Duration t 6 10 ns min CLOCK to LE Setup Time t 720ns minLE Pulse WidthCLOCKDATALELEFigure 2. Timing DiagramADF4360-8Rev. 0 | Page 6 of 24ABSOLUTE MAXIMUM RATINGST A = 25°C, unless otherwise noted. Table 3.Parameter RatingAV DD to GND 1 −0.3 V to +3.9 VAV DD to DV DD −0.3 V to +0.3 VV VCO to GND −0.3 V to +3.9 VV VCO to AV DD −0.3 V to +0.3 VDigital I/O Voltage to GND −0.3 V to V DD + 0.3 VAnalog I/O Voltage to GND −0.3 V to V DD + 0.3 VREF IN to GND −0.3 V to V DD + 0.3 V Operating Temperature Range −40°C to + 85°C Storage Temperature Range −65°C to +150°C Maximum Junction Temperature 150°C CSP θJA Thermal ImpedancePaddle Soldered 50°C/W Paddle Not Soldered 88°C/W Lead Temperature, SolderingVapor Phase (60 sec) 215°CInfrared (15 sec) 220°C1GND = AGND = DGND = 0 V.Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the device at these or any other conditions above those listed in the operational sectionsof this specification is not implied. Exposure to absolute maxi-mum rating conditions for extended periods may affect device reliability.This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating of <1 kV , and it is ESD sensitive. Proper precautions should be taken for handling and assembly.TRANSISTOR COUNT 12543 (CMOS) and 700 (Bipolar)ESD CAUTIONESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily accumulate on thehuman body and test equipment and can discharge without detection. Although this product features proprie-tary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.ADF4360-8Rev. 0 | Page 7 of 24PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONSCPGND AV DD AGND RF OUT A RF OUT B V VCO DATA CLK REF IN DGND C N R SETV T U N E A G N D L 1L 2A G N D C C C PC EA G N DD V D DM U X O U TL E04763-003Figure 3. Pin ConfigurationADF4360-8Rev. 0 | Page 8 of 24TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS–150–120–130–140–70–60–90–100–110–80–40–501001k10k 100k1M10MFREQUENCY OFFSET (Hz)O U T P U T P O W E R (d B )04763-004Figure 4. Open-Loop VCO Phase Noise, L1, L2 = 560 nH–150–125–130–120–135–140–145–85–80–95–100–105–110–115–90–70–751001k10k 100k1M 10MFREQUENCY OFFSET (Hz)O U T P U T P O W E R (d B )04763-005Figure 5. VCO Phase Noise, 65 MHz, 1 MHz PFD, 100 kHz Loop BandwidthO U T P U T P O W E R (d B )–90–80–70–60–50–40–30–20–100–2kHz–1kHz65MHz 1kHz 2kHzFigure 6. Close-In Phase Noise at 65 MHz (1 MHz Channel Spacing)O U T P U T P O W E R (d B )–90–80–70–60–50–40–30–20–100–1.1MHz–0.55MHz65MHz 0.55MHz 1.1MHzFigure 7. Reference Spurs at 65 MHz(1 MHz Channel Spacing, 100 kHz Loop Bandwidth)–150–120–130–140–70–60–90–100–110–80–40–501001k10k 100k1M10MFREQUENCY OFFSET (Hz)O U T P U T P O W E R (d B )04763-008Figure 8. Open-Loop VCO Phase Noise, L1, L2 = 110 nH–150–125–130–120–135–140–145–85–80–95–100–105–110–115–90–70–751001k10k 100k1M 10MFREQUENCY OFFSET (Hz)O U T P U T P O W E R (d B )04763-009Figure 9. VCO Phase Noise, 160 MHz, 1 MHz PFD, 100 kHz Loop BandwidthADF4360-8Rev. 0 | Page 9 of 24O U T P U T P O W E R (d B )–90–80–70–60–50–40–30–20–100Figure 10. Close-In Phase Noise at 160 MHz (1 MHz Channel Spacing)O U T P U T P O W E R (d B )–90–80–70–60–50–40–30–20–10–1.1MHz–0.55MHz160MHz0.55MHz1.1MHzFigure 11. Reference Spurs at 160 MHz(1 MHz Channel Spacing, 100 kHz Loop Bandwidth)–150–120–130–140–70–60–90–100–110–80–40–501001k10k 100k1M10MFREQUENCY OFFSET (Hz)O U T P U T P O W E R (d B )04763-012Figure 12. Open-Loop VCO Phase Noise, L1, L2 = 18 nH–150–125–130–120–135–140–145–85–80–95–100–105–110–115–90–70–751001k10k 100k1M 10MFREQUENCY OFFSET (Hz)O U T P U T P O W E R (dB )04763-013Figure 13. VCO Phase Noise, 400 MHz, 1 MHz PFD, 100 kHz Loop BandwidthO U T P U T P O W E R (d B )Figure 14. Close-In Phase Noise at 400 MHz (1 MHz Channel Spacing)O U T P U T P O W E R (d B )–90–80–70–60–50–40–30–20–100–1.1MHz–0.55MHz400MHz 0.55MHz 1.1MHzFigure 15. Reference Spurs at 400 MHz(1 MHz Channel Spacing, 100 kHz Loop Bandwidth)ADF4360-8Rev. 0 | Page 10 of 24CIRCUIT DESCRIPTIONREFERENCE INPUT SECTIONThe reference input stage is shown in Figure 16. SW1 and SW2 are normally closed switches. SW3 is normally open. When power-down is initiated, SW3 is closed, and SW1 and SW2 are opened. This ensures that there is no loading of the REF IN pin on power-down.04763-016POWER-DOWNFigure 16. Reference Input StageN COUNTERThe CMOS N counter allows a wide division ratio in the PLL feedback counter. The counters are specified to work when the VCO output is 400 MHz or less. To avoid confusion, this is referred to as the B counter. It makes it possible to generate output frequencies that are spaced only by the reference frequency divided by R . The VCO frequency equation isR f B f REFIN VCO /×=where:f VCO is the output frequency of the VCO. B is the preset divide ratio of the binary 13-bit counter (3 to 8191).f REFIN is the external reference frequency oscillator.R COUNTERThe 14-bit R counter allows the input reference frequency to be divided down to produce the reference clock to the phase frequency detector (PFD). Division ratios from 1 to 16,383 are allowed.PFD AND CHARGE PUMPThe PFD takes inputs from the R counter and N counter (N = BP + A ) and produces an output proportional to the phase and frequency difference between them. Figure 17 is a simplified schematic. The PFD includes a programmable delay element that controls the width of the antibacklash pulse. This pulse ensures that there is no dead zone in the PFD transfer function and minimizes phase noise and reference spurs. Two bits in the R counter latch, ABP2 and ABP1, control the width of the pulse (see Table 9).VFigure 17. PFD Simplified Schematic and Timing (In Lock)MUXOUT AND LOCK DETECTThe output multiplexer on the ADF4360 family allows the user to access various internal points on the chip. The state of MUXOUT is controlled by M3, M2, and M1 in the function latch. The full truth table is shown in Table 7. Figure 18 shows the MUXOUT section in block diagram form.R COUNTER OUTPUT N COUNTER OUTPUTDIGITAL LOCK DETECT DGNDMUXOUTDV 04763-018Figure 18. MUXOUT CircuitLock DetectThe correct band is chosen automatically by the band select logic at power-up or whenever the N counter latch is updated. It is important that the correct write sequence be followed at power-up. This sequence is MUXOUT can be programmed for one type of lock detect. Digital lock detect is active high. When LDP in the R counter latch is set to 0, digital lock detect is set high when the phase error on three consecutive phase detector cycles is less than 15 ns. 1. R counter latch With LDP set to 1, five consecutive cycles of less than 15 ns phase error are required to set the lock detect. It stays set high until a phase error of greater than 25 ns is detected on any subsequent PD cycle.2. Control latch3. N counter latchDuring band select, which takes five PFD cycles, the VCO V TUNE is disconnected from the output of the loop filter and connected to an internal reference voltage.INPUT SHIFT REGISTERThe ADF4360 family’s digital section includes a 24-bit input shift register, a 14-bit R counter, and an 18-bit N counter comprised of a 5-bit A counter and a 13-bit B counter. Data is clocked into the 24-bit shift register on each rising edge of CLK. The data is clocked in MSB first. Data is transferred from the shift register to one of four latches on the rising edge of LE. The destination latch is determined by the state of the two control bits (C2, C1) in the shift register. These are the two LSBs, DB1 and DB0, shown in Figure 2.01.00.52.52.01.53.53.080859010095105115110FREQUENCY (MHz)V T U N E (V )04763-019The truth table for these bits is shown in Table 5. Table 6 shows a summary of how the latches are programmed. Note that the test modes latch is used for factory testing and should not be programmed by the user. Table 5. C2 and C1 Truth TableFigure 19. Frequency vs. V TUNE , ADF4360-8, L1 and L2 = 270 nHControl BitsC2 C1 Data Latch 0 0 Control Latch 0 1 R Counter 1 0 N Counter (B) 11Test Modes LatchThe R counter output is used as the clock for the band select logic and should not exceed 1 MHz. A programmable divider is provided at the R counter input to allow division by 1, 2, 4, or 8 and is controlled by Bits BSC1 and BSC2 in the R counter latch. Where the required PFD frequency exceeds 1 MHz, the divide ratio should be set to allow enough time for correct band selection.VCOThe VCO core in the ADF4360 family uses eight overlapping bands, as shown in Figure 19, to allow a wide frequency range to be covered without a large VCO sensitivity (K V ) and resultant poor phase noise and spurious performance.After band selection, normal PLL action resumes. The value of K V is determined by the value of inductors used (see theChoosing the Correct Inductance Value section). The ADF4360 family contains linearization circuitry to minimize any variation of the product of I CP and K V .The operating current in the VCO core is programmable in four steps: 2.5 mA, 5 mA, 7.5 mA, and 10 mA. This is controlled by Bits PC1 and PC2 in the control latch.OUTPUT STAGEThe RF OUT A and RF OUT B pins of the ADF4360 family are connected to the collectors of an NPN differential pair driven by buffered outputs of the VCO, as shown in Figure 20. To allow the user to optimize the power dissipation versus the output power requirements, the tail current of the differential pair is programmable via Bits PL1 and PL2 in the control latch. Four current levels may be set: 3.5 mA, 5 mA, 7.5 mA, and 11 mA. These levels give output power levels of −9 dBm, −6 dBm,−3 dBm, and 0 dBm, respectively, using the correct shunt inductor to V DD and ac coupling into a 50 Ω load. Alternatively, both outputs can be combined in a 1 + 1:1 transformer or a 180° microstrip coupler (see the Output Matching section). If the outputs are used individually, the optimum output stage consists of a shunt inductor to V DD.Another feature of the ADF4360 family is that the supply current to the RF output stage is shut down until the part achieves lock as measured by the digital lock detect circuitry. This is enabled by the Mute-Till-Lock Detect (MTLD) bit in the control latch.RF OUT A RF OUT BFigure 20. Output Stage ADF4360-8LATCH STRUCTURETable 6 shows the three on-chip latches for the ADF4360 family. The two LSBs decide which latch is programmed. Table 6. Latch StructureCONTROL LATCHN COUNTER LATCHR COUNTER LATCHTable 7. Control LatchTable 8. N Counter LatchTable 9. R Counter LatchCONTROL LATCHWith (C2, C1) = (0,0), the control latch is programmed. Table 7 shows the input data format for programming the control latch. Power-DownDB21 (PD2) and DB20 (PD1) provide programmable power-down modes.In the programmed asynchronous power-down, the device powers down immediately after latching a 1 into Bit PD1,with the condition that PD2 has been loaded with a 0. In the programmed synchronous power-down, the device power-down is gated by the charge pump to prevent unwanted frequency jumps. Once the power-down is enabled by writing a 1 into Bit PD1 (on the condition that a 1 has also been loaded to PD2), the device goes into power-down on the second rising edge of the R counter output, after LE goes high. When the CE pin is low, the device is immediately disabled regardless of the state of PD1 or PD2.When a power-down is activated (either synchronous or asynchronous mode), the following events occur:•All active dc current paths are removed.•The R, N, and timeout counters are forced to their load state conditions.•The charge pump is forced into three-state mode.•The digital lock detect circuitry is reset.•The RF outputs are debiased to a high impedance state. •The reference input buffer circuitry is disabled.•The input register remains active and capable of loading and latching data. Charge Pump CurrentsCPI3, CPI2, and CPI1 in the ADF4360 family determine Current Setting 1.CPI6, CPI5, and CPI4 determine Current Setting 2. See the truth table in Table 7.Output Power LevelBits PL1 and PL2 set the output power level of the VCO. See the truth table in Table 7.Mute-Till-Lock DetectDB11 of the control latch in the ADF4360 family is the Mute-Till-Lock Detect bit. This function, when enabled, ensures that the RF outputs are not switched on until the PLL is locked.CP GainDB10 of the control latch in the ADF4360 family is the Charge Pump Gain bit. When it is programmed to 1, Current Setting 2 is used. When it is programmed to 0, Current Setting 1 is used. Charge Pump Three-StateThis bit puts the charge pump into three-state mode when programmed to a 1. It should be set to 0 for normal operation. Phase Detector PolarityThe PDP bit in the ADF4360 family sets the phase detector polarity. The positive setting enabled by programming a 1 is used when using the on-chip VCO with a passive loop filter or with an active noninverting filter. It can also be set to 0, which is required if an active inverting loop filter is used.MUXOUT ControlThe on-chip multiplexer is controlled by M3, M2, and M1. See the truth table in Table 7.Counter ResetDB4 is the counter reset bit for the ADF4360 family. When this is 1, the R counter and the A, B counters are reset. For normal operation, this bit should be 0.Core Power LevelPC1 and PC2 set the power level in the VCO core. The recom-mended setting is 5 mA. See the truth table in Table 7.N COUNTER LATCHTable 8shows the input data format for programming theN counter latch.Reserved BitsDB2 to DB7 are spare bits and have been designated as Reserved. They should be programmed to 0.B Counter LatchB13 to B1 program the B counter. The divide range is 3 (00.....0011) to 8191 (11....111).Overall Divide RangeThe overall VCO feedback divide range is defined by B.CP GainDB21 of the N counter latch in the ADF4360 family is the charge pump gain bit. When this is programmed to 1, Current Setting 2 is used. When programmed to 0, Current Setting 1 is used. This bit can also be programmed through DB10 of the control latch. The bit always reflects the latest value written to it, whether this is through the control latch or the N counter latch. R COUNTER LATCHWith (C2, C1) = (0, 1), the R counter latch is programmed. Table 9shows the input data format for programming theR counter latch.R CounterR1 to R14 set the counter divide ratio. The divide range is1 (00......001) to 16383 (111......111).Antibacklash Pulse WidthDB16 and DB17 set the antibacklash pulse width.Lock Detect PrecisionDB18 is the lock detect precision bit. This bit sets the number of reference cycles with less than 15 ns phase error for entering the locked state. With LDP at 1, five cycles are taken; with LDP at 0, three cycles are taken.Test Mode BitDB19 is the test mode bit (TMB) and should be set to 0. With TMB = 0, the contents of the test mode latch are ignored and normal operation occurs as determined by the contents of the control latch, R counter latch, and N counter latch. Note that test modes are for factory testing only and should not be programmed by the user.Band Select ClockThese bits set a divider for the band select logic clock input. The output of the R counter is by default the value used to clock the band select logic, but if this value is too high (>1 MHz), a divider can be switched on to divide the R counter output to a smaller value (see Table 9).Reserved BitsDB23 to DB22 are spare bits that have been designated as Reserved. They should be programmed to 0.CHOOSING THE CORRECT INDUCTANCE VALUEThe ADF4360-8 can be used at many different frequencies simply by choosing the external inductors to give the correct output frequency. Figure 21 shows a graph of both minimum and maximum frequency versus the external inductor value. The correct inductor should cover the maximum and minimum frequencies desired. The inductors used are 0603 CS or 0805 CS type from Coilcraft. To reduce mutual coupling, the inductors should be placed at right angles to one another.The lowest center frequency of oscillation possible is approxi-mately 65 MHz, which is achieved using 560 nH inductors. This relationship can be expressed by()EXT O L F +=nH 0.9pF 9.32π10150501003502503002004504000100200300400600500INDUCTANCE (nH)F R E Q U E N C Y (M H z )04763-025Figure 21. Output Center Frequency vs. External Inductor ValueWhere F O is the center frequency and L EXT is the external induc-tance. The approximate value of capacitance at the midpoint of the center band of the VCO is 9.3 pF, and the approximate value of internal inductance due to the bond wires is 0.9 nH. The VCO sensitivity is a measure of the frequency change versus the tuning voltage. It is a very important parameter for the low-pass filter. Figure 22 shows a graph of the tuning sensitivity (in MHz/V) versus the inductance (nH). It can be seen that as the inductance increases, the sensitivity decreases. This relationship can be derived from the equation above, i.e., since the induc-tance has increased, the change in capacitance from the varactor has less of an effect on the frequency.421086120100200300400600500INDUCTANCE (nH)S E N S I T I V I T Y (M H z /V)04763-026Figure 22. Tuning Sensitivity (in MHz/V) vs. Inductance (nH)FIXED FREQUENCY LOFigure 23 shows the ADF4360-8 used as a fixed frequency LO at 200 MHz. The low-pass filter was designed using ADIsimPLL for a channel spacing of 2 MHz and an open-loop bandwidth of 100 kHz. The maximum PFD frequency of the ADF4360-8 is 8 MHz. Since using a larger PFD frequency allows the use of a smaller N, the in-band phase noise is reduced to as low as possible, −109 dBc/Hz. The typical rms phase noise (100 Hz to 100 kHz) of the LO in this configuration is 0.09°. The reference frequency is from a 16MHz TCXO from Fox; thus, an R value of 2 is programmed. Taking into account the high PFD frequency and its effect on the band select logic, the band select clock divider is enabled. In this case, a value of 8 is chosen. A verysimple shunt inductor and dc blocking capacitor complete the RF output stage.LOCKFigure 23. Fixed Frequency LO。
常用电子元器件及应用

碳膜电阻(型号:RT)。在陶瓷骨架表面上,将碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜。碳膜电阻价格低廉,阻值范围宽(10W~10MW),温度系数为负值。常用额定功率为1/8W~10W,精度等级为±5%、±10%、±20%,在一般电子产品中大量使用。
5.6
2.0
6.2
2.2
2.2
2.2
6.8
6.8
6.8
2.4
7.5
2.7
2.7
8.2
来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。
注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。
有机实芯电位器
由导电材料与有机填料、热固性树脂配制成电阻粉,经过热压,在基座上形成实芯电阻体。该电位器的特点是结构简单、耐高温、体积小、寿命长、可靠性高,广泛用于焊接在电路板上作微调使用;缺点是耐压低、噪声大。
线绕电位器
多圈电位器属于精密电位器。它分有带指针、不带指针等形式,调整圈数有5圈、10圈等数种。该电位器除具有线绕电位器的相同特点外,还具有线性优良,能进行精细调整等优点,可广泛应用于对电阻实行精密调整的场合。
E24
E12
E6
E24
E12
E6
1.0
1.0
1.0
3.3
3.3
3.3
1.1
3.6
1.2
1.2
电子元器件型对应表

AT24C01 存储器 1994x-46
ATC105 充电控制 1993x-191
AX5212D 微机鼠标编码 1994s-183
BA1035B 高速运放 1994x-94
BA1106F 放音前置放大及功放 1995s-43
BA1310 立体声解码 1991-135
C1676 超高频放大 1995s-199
C1891A 环绕声处理器 1992-24
C7642 单片收音机 1991-95
CA3069 运放 1994x-184
CA3160 1994x-188
CA3193 音频运放 1994x-36
CA3524 脉冲调制 1992-14
CC14433 三位半A/D转换 1991-46
74LS00 四2与非门
74LS00 与门
74LS04 6*1非门
74LS08 4*2与门
74LS11 三与门
74LS123 双单稳多谐振荡器
74LS123 双单稳多谐振荡器
74LS138 三~二译码器
74LS142 十进制计数器/脉冲分配器
74LS154 4-16线译码器
74LS157 四与或门
74LS161 四2计数器
BTS240 感温高速开关管 1992-34
BTS412 电源开关模块 1992-112
C036 4*2与非门 1993s-93
C043 双D触发器 1993s-101
C066C 4*2与非门 1993x-147
C1225H 音响驱动 1992-198
C1470 电机稳速 1992-99
C1490HA 红外接收 1991-110
电子电气元器件说明大全

一.电阻器、电容器、电感器和变压器二.半导体管三.其它电气图形符号一.电阻器和电位器1.电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法例如:(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四局部:序号第三局部:类别〔精密〕第二局部:材料〔金属膜〕第一局部:主称〔电阻器〕(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四局部:序号第三局部:类别〔多圈〕第二局部:材料〔线绕〕第一局部:主称〔电位器〕2.电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。
表2 电阻器的功率等级(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
表3 标称值系列表中数值再乘以10n,其中n为正整数或负整数。
(3) 允许误差等级表4 电阻的精度等级3.电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示Ω,2K7表示Ω,表5例如:RJ71--5k1-II允许误差±10%标称阻值Ω)额定功率1/8W型号由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为Ω,允许误差为±10%。
(2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色〔色环或色点〕标注在它的外外表上。
色标电阻〔色环电阻〕器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
常用电子元器件大全

常用电子元器件大全在电子电路中,各种各样的电子元器件就像是构建大厦的基石,它们各自发挥着独特的作用,共同实现了电路的各种功能。
接下来,让我们一起走进这个神奇的电子元器件世界,来认识一下那些常见的“小伙伴”。
首先要介绍的是电阻。
电阻的主要作用是限制电流的流动,就好像是河道中的水坝,控制着水流的大小。
电阻的阻值越大,对电流的阻碍作用就越强。
它在电路中常常被用于分压、限流和阻抗匹配等。
电阻的种类繁多,常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、绕线电阻等。
碳膜电阻价格便宜,性能稳定;金属膜电阻精度高,噪声低;绕线电阻则功率较大,能承受较大的电流。
电容也是电子电路中的重要角色。
它能够储存电荷,就像一个小小的电池。
电容在电路中的作用包括滤波、耦合、旁路等。
滤波电容可以去除电源中的杂波,使电压更加稳定;耦合电容则用于连接不同级别的电路,传递交流信号而阻隔直流信号;旁路电容则可以为交流信号提供一条低阻抗的通路。
常见的电容有电解电容、陶瓷电容、钽电容等。
电解电容容量大,但漏电较大;陶瓷电容性能稳定,价格便宜;钽电容则具有体积小、容量大、性能稳定等优点。
电感是一种能够储存磁场能量的元件。
它的作用主要有滤波、扼流、储能等。
在电源电路中,电感可以和电容一起组成 LC 滤波电路,进一步提高电源的稳定性。
在高频电路中,电感常用于扼流,阻止高频信号的通过。
常见的电感有空心电感、磁芯电感、铁芯电感等。
空心电感的电感量较小,但工作频率高;磁芯电感和铁芯电感电感量较大,但工作频率相对较低。
二极管是一种具有单向导电性的电子元件。
也就是说,电流只能从它的正极流向负极,而不能反向流动。
二极管的种类很多,常见的有整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
整流二极管用于将交流电转换为直流电;稳压二极管能够稳定电压;发光二极管则可以发出各种颜色的光,被广泛应用于指示灯、显示屏等。
三极管是一种具有放大作用的半导体器件。
它可以将微弱的电信号放大成较大的电信号。
三极管分为 NPN 型和 PNP 型两种。
电子元件清单及价格

数字万用表套件 万能充套件
声光控灯头套件
支持S51\S52\AVR\STC 等 有ISP功能的单片机
5W 5W 10W S66D/S66E DT830B
15.6
2
2
7.8
25.8
22.5 10 8.5 10 11.5 12.8 12.8 16 10 16 8.6 4.9
教学实验套件
面包板用试验线
感光板 铜箔板/覆铜板
热转印纸 显影剂 腐蚀剂
常用工具
金电子单面感光板 单面覆铜板 单面覆铜板 热转印纸 感光板显影剂
蓝色环保腐蚀剂 三氯化铁腐蚀剂
20W热熔胶抢 20W内热平头烙铁 40W内热平头烙铁 60W内热平头烙铁 数字游标卡尺0-150mm
迷你电钻套装
每把75根,十元
10*15 7*9 9*15 A4 50g 190g 500g 20W 20W 40W 60W 0-150mm
TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
DIP8 DIP14 TO-92 TO-220 TO-220 SOT82 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 红色
黄 蓝色 绿色 白色 紫色(验钞) 红色 绿色 红色 绿色 共阴/共阳 共阴/共阳 共阴/共阳 共阴/共阳 共阴/共阳 3线控制、静态显示 3线控制、静态显示 绿底黑字 蓝底白字 绿底黑字
单价(单位: 元) 5.8 6.3 5.8 4.8 4.6
4.5
6.2
5.3
8.3
8.9
16.8 1 1 1 1
2 1.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.2 12.8 10.5 1 0.8 1.2 1 3.8 1.3 1 0.8 5.8 1 0.8 1
常见的电子元件(SMT)

2021/10/10
31
10:晶振
贴片晶振1
频率
贴片晶振2
2021/10/10
32
11:光耦器的识别
主要有:贴片光耦器,手插光耦器。其与IC的区别主要在于IC一般有8只或8 只以上的引脚,而光耦器一般为4到6只脚。
2021/10/10
1
1.常见的电子元器件的分类:
(1)、电阻类(Res):电子学符号R
贴片电阻、色环电阻、
压敏电阻、温敏电阻
(2)、电容类(Cap):电子学符号C
贴片电容、安全电容、电解电容
磁片电容、聚酯电容、钽电容
(3)、电感类(IND):电子学符号L
贴片叠层电感、贴片绕线电感
色环电感、绕线电感
2021/10/10
23
(2)二极管的封装图片
二极管极性标示
贴片玻璃二极管
2021/10/10
24
(2)二极管的封装图片
负极
塑封二极管
2021/10/10
25
(3):三极管
三极管的分类按照三极管的加工工艺可以将三极管 分为NPN管,PNP管,MOS管。
2021/10/10
26
9:集成电路(IC)
15
6:电容的识别
(1)、贴片电容有:贴片钽电容、贴片瓷片容、 纸多层贴片 电容、贴片电解电容。
贴片钽电容
容量
正极
2021/10/10
耐压
贴片钽电容:是有极性的电容,
丝印上标明了电
容值为6.8 F和
耐压值25V。
电子电气元器件说明大全

一.电阻器、电容器、电感器和变压器一.电阻器和电位器1.电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分:序号第三部分:类别(精密)第二部分:材料(金属膜)第一部分:主称(电阻器)(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分:序号第三部分:类别(多圈)第二部分:材料(线绕)第一部分:主称(电位器)2.电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3.电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5,2K7表示2.7k,文字符号R K M G T表示单位欧姆(Ω)千欧姆(103Ω)兆欧姆(106Ω)千兆欧姆(109Ω)兆兆欧姆(1012Ω)RJ71-0.125-5k1-II允许误差10%标称阻值(5.1k)额定功率1/8W型号由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1k,允许误差为10%。
(2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。
色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑0 0 010棕 1 1 110红 2 2 210橙 3 3 310黄 4 4 410绿 5 5 510蓝 6 6 610紫7 7 710灰8 8 810白9 9 910―20% ~+50% 金110-±5%银210-±10% 无色±20%三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为20%)。
EM-4360 技术手册说明书

EM-4360技术手册版本 A.1深圳市恒晟电子技术有限公司目 录第一章 硬件配置 (3)1.1 主要特性 (3)1.2 系统结构及接口位置 (4)1.2.1 PC/104连接器 P1A, P1B, P2C,P2D (6)1.2.2 电源连接器 JP (9)1.2.3 多用连接器J2 (9)1.2.4 串口连接器 J3,J5,J7 (10)1.2.5 并口连接器 J7 (11)1.2.6 4个10/100M ETHERNET和4个USB 接口RJ1,RJ2,RJ3,RJ4 (11)1.2.7 IDE连接器J8 (12)1.2.8 GPIO接口J6,J10 (13)1.2.9 在板DOM电子硬盘 (13)1.2.10 在板SPI FLASH软盘 (13)1.3 在板功能 (14)1.3.1 CPU (14)1.3.2 中断控制器 (14)1.3.3 DMA控制器 (14)第二章 软件设置 (15)2.1 系统资源分配表 (15)第一章 硬件配置EM-4360是与IBM-PC/AT标准完全兼容的PC/104 CPU模块。
采用Intel x86兼容嵌入式低功耗处理器,工作频率800MHz,在板包含DMA控制器、中断控制器及定时器,实时时钟(板上自带或外接后备电池),512M字节DDRII内存;在板的外部接口有双向并行口、四个16550兼容的RS232串行口(COM1可选RS422/485,COM2可选RS485接口标准)、4个USB 接口、4个10/100 自适应Ethernet接口、板载DOM、IDE硬盘驱动器及PS/2键盘、鼠标接口。
EM-4360的设计,充分考虑了应用环境的恶劣情况,采取了多种措施,以确保系统在各种应用环境中都能稳定、可靠、高效的运行。
采用工业级器件,利用高智能布线系统,增加防静电及抗干扰电路,尽可能的降低功耗,提高可靠性及宽温操作能力。
1.1 主要特性Intel x86兼容嵌入式低功耗CPU,主频800MHz,内置浮点运算协处理器CPU片内集成16 KBytes L1 Cache和256KBytes L2 Cache高容量在板DDR2内存:512 Mbyte1个IDE接口板载1G-4G DOM电子盘(可选项)4个USB 2.0接口1个并行口,SPP/EPP/ECP可选4个PC/AT兼容的RS232串行口,COM1和COM2可设置为RS232/TTL标准,COM3和COM4,可设置为RS232/TTL/RS485标准PS/2键盘和鼠标接口在板4个Intel 82551ER 10/100M自适应Ethernet接口板载16路可编程GPIO高度紧凑的PC/104结构形式(90 96 15mm)低功耗:5.0W(1GHz,典型值)电源要求:+5V 5%,0.7A工作环境:-20 C ~75 C(扩展温度-40 C ~85 C)5~95%相对湿度贮存温度:-55 C ~ +85 C重量:<0.25Kg1.2 系统结构及接口位置EM-4360系统结构及接口位置如图1-1、1-2所示。
11-电声器件

电动式扬声器
常用电子元器件常用电子元器件-电声器件
(2)号筒式扬声器
优点:方向性强,功率大, 优点:方向性强,功率大,效率高的优点 应用:会场,田间,广阔的原野, 应用:会场,田间,广阔的原野,剧场等场合
号筒式扬声器外形
常用电子元器件常用电子元器件-电声器件 (3)压电陶瓷片 : 压电式扬声器是利用电陶瓷材料的压电效应做成的。 压电式扬声器是利用电陶瓷材料的压电效应做成的。 给陶瓷表面加上音频电压时, 给陶瓷表面加上音频电压时,陶瓷片就会产生与音频电压 相应的振动,再将此振动转为纸盆的振动, 相应的振动,再将此振动转为纸盆的振动,使周围的空气 发生振动,从而产生声音。 发生振动,从而产生声音。 特点:构造简单, 特点:构造简单,价格便宜 缺点:频率特性差, 缺点:频率特性差,音质不好 应用:生日卡上的发声元件就是它。 应用:生日卡上的发声元件就是它。
常用电子元器件常用电子元器件-电声器件 压电陶瓷片作为一种电子元件,在新买来的时候, 是不带引线的,需要自己焊接。一般采用多股软线,先 剥头搪锡,焊接是要求速度快,焊点小,否则容易损坏 压电陶瓷片娇嫩的镀银层。
常用电子元器件常用电子元器件-电声器件 1、音箱的结构组成 市面上的音箱形形色色,但无论哪一种,都是由喇叭单 元(术语叫扬声器单元)和箱体这两大最基本的部分组成, 另外,绝大多数音箱至少使用了两只或两只以上的喇叭单元 实行所谓的多路分音重放,所以分频器是不可少的一个组成 部分。当然,音箱内还可能有吸音棉、倒相管、折叠的“迷 宫管道”、加强盘/加强隔板等别的部件,但这些部件并非 任何一只音箱都必不可少,音箱最基本的组成元素只有三部 分:喇叭单元、箱体和分频器。
常用电子元器件常用电子元器件-电声器件 (4)失真 失真 扬声器不能把原来的声音逼真地重放出来的现象叫失 失真有两种:频率失真和非线性失真。 真。失真有两种:频率失真和非线性失真。频率失真是由 于对某些频率的信号放音较强, 于对某些频率的信号放音较强,而对另一些频率的信号放 音较弱造成的,失真破坏了原来高低音响度的比例, 音较弱造成的,失真破坏了原来高低音响度的比例,改变 了原声音色。 了原声音色。而非线性失真是由于扬声器振动系统的振动 和信号的波动不够完全一致造成的, 和信号的波动不够完全一致造成的,在输出的声波中增加 一新的频率成分。 一新的频率成分。 (5)指向特性 指向特性 用来表征扬声器在空间各方向辐射的声压分布特性, 用来表征扬声器在空间各方向辐射的声压分布特性, 频率越高指向性越狭,纸盆越大指向性越强。 频率越高指向性越狭,纸盆越大指向性越强。
八脚芯片4606场效应管参数

八脚芯片4606场效应管参数一、前言八脚芯片4606场效应管是一种常用的电子元器件,广泛应用于各种电路中。
本文将对该芯片的参数进行详细介绍。
二、八脚芯片4606场效应管简介八脚芯片4606场效应管是一种N沟道MOSFET晶体管,其主要特点包括:1. 高压负载能力:可承受高达60V的电压。
2. 低开启电流:开启电流仅为1mA左右。
3. 高阻抗:输入阻抗大于100MΩ,输出阻抗小于0.5Ω。
4. 快速开关速度:可实现微秒级的快速开关。
5. 温度稳定性好:工作温度范围为-55℃至150℃。
三、八脚芯片4606场效应管参数1. 静态参数:(1)漏极-源极电压(VDS):最大值为60V,建议工作电压不超过40V。
(2)栅极-源极电压(VGS):最大值为±20V,建议工作电压不超过12V。
(3)漏极静态电流(IDSS):在VGS=0时,漏极电流的最大值为10mA。
(4)栅源阈值电压(VGS(th)):在ID=1mA时,栅源电压的最小值为2V。
2. 动态参数:(1)输出电容(Coss):在VDS=20V和VGS=0V时,输出电容的典型值为400pF。
(2)输入电容(Ciss):在VDS=20V和VGS=0V时,输入电容的典型值为200pF。
(3)反向传导系数(Crss):在VDS=20V和VGS=0V时,反向传导系数的典型值为15pF。
四、应用场景八脚芯片4606场效应管广泛应用于各种高频、高压、高速开关电路中。
例如:1. 交流/直流变换器2. 逆变器3. 开关稳压器4. 高频功率放大器5. 闪光灯控制器五、使用注意事项1. 在使用前,请仔细阅读数据手册,并按照手册中的规定进行正确接线和操作。
2. 在使用时,请注意保护芯片,并避免受到静电干扰。
3. 在进行高压实验时,请务必采取相应安全措施,确保人身安全。
4. 在进行高温实验时,请注意芯片的散热,以防止芯片过热而损坏。
六、结语本文对八脚芯片4606场效应管的参数进行了详细介绍,并列举了其主要应用场景和使用注意事项。
(整理)常用电子元器件43660

电子元件基础知识第一章电阻器1. 电阻,用符号R 表示。
其最基本的作用就是阻碍电流的流动。
衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。
阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小,用欧姆表示。
除基本单位外,还有千欧和兆欧。
功率用来表示电阻器所能承受的最大电流,用瓦特表示,有1/16W ,1/8W ,1/4W ,1/2W ,1W ,2W 等多种,超过这一最大值,电阻器就会烧坏。
根据电阻器的制作材料不同,有水泥电阻(制作成本低,功率大,热噪声大,阻值不够精确,工作不稳定),碳膜电阻,金属膜电阻(体积小,工作稳定,噪声小,精度高)以及金属氧化膜电阻等等。
根据其阻值是否可变可分为微调电阻,可调电阻,电位器等。
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。
它的识别方法如下:电阻是电子电路最常用的基本元件;电阻的基本特性是对交流电和直流电都呈现相同的阻力。
电阻体上面第—圈,第二圈的数字为直读有效数字,第三圈数字代表倍数,即有效数字后面零的个数。
第四圈代表电阻阻值的误差值,这一圈色环多数是金色。
在一般电子电路中,可以不去理会这个误差值。
我们将82k化为82000欧。
参照排列表,依照“读色环”的原则,显然,“灰红橙”,代表82k电阻.如看到棕黑红三道色环,我们就不加思索地知道是lk电阻,看到橙橙黑,就知道是33欧电阻,2 电阻常用的标志法在使用电阻器时,需要了解它的主要参数。
对电阻器需知道其标称阻值、功率、允许偏差。
电阻器的标称值和允许偏差一般都标在电阻体上,而在电路图上通常只标出标称值。
电阻的标志方法分为下列四种:1. 直标法:直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,末标偏差值的即为± 20 % 的允许偏差。
2. 文字符号法:文字符号法是将电阻器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号法按一定的规律组合标志在电阻体上。
例如:6R2J 表示该电阻标称值为6.2 Ω ,允许偏差为± 5% ;3K6K 表示电阻值为3.6K Ω ,允许偏差为± 10% ;1M5 则表示电阻值为1.5M Ω ,允许偏差为± 20% 。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
常用电子元器件43660电子元件基础知识第一章电阻器1. 电阻,用符号 R 表示。
其最基本的作用就是阻碍电流的流动。
衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。
阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小,用欧姆表示。
除基本单位外,还有千欧和兆欧。
功率用来表示电阻器所能承受的最大电流,用瓦特表示,有 1/16W , 1/8W , 1/4W , 1/2W , 1W , 2W 等多种,超过这一最大值,电阻器就会烧坏。
根据电阻器的制作材料不同,有水泥电阻(制作成本低,功率大,热噪声大,阻值不够精确,工作不稳定),碳膜电阻,金属膜电阻(体积小,工作稳定,噪声小,精度高)以及金属氧化膜电阻等等。
根据其阻值是否可变可分为微调电阻,可调电阻,电位器等。
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。
它的识别方法如下:电阻是电子电路最常用的基本元件;电阻的基本特性是对交流电和直流电都呈现相同的阻力。
电阻体上面第—圈,第二圈的数字为直读有效数字,第三圈数字代表倍数,即有效数字后面零的个数。
第四圈代表电阻阻值的误差值,这一圈色环多数是金色。
在一般电子电路中,可以不去理会这个误差值。
我们将82k化为82000欧。
参照排列表,依照“读色环”的原则,显然,“灰红橙”,代表82k电阻.如看到棕黑红三道色环,我们就不加思索地知道是lk电阻,看到橙橙黑,就知道是33欧电阻,2 电阻常用的标志法在使用电阻器时,需要了解它的主要参数。
对电阻器需知道其标称阻值、功率、允许偏差。
电阻器的标称值和允许偏差一般都标在电阻体上,而在电路图上通常只标出标称值。
电阻的标志方法分为下列四种:1. 直标法:直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,末标偏差值的即为±20 % 的允许偏差。
2. 文字符号法:文字符号法是将电阻器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号法按一定的规律组合标志在电阻体上。
例如: 6R2J 表示该电阻标称值为6.2 Ω ,允许偏差为 ± 5% ;3K6K 表示电阻值为3.6K Ω ,允许偏差为 ± 10% ; 1M5 则表示电阻值为1.5M Ω ,允许偏差为 ± 20% 。
3. 色标法:普通的电阻器用四色环表示,精密电阻用五色环表示。
紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色教多的另一端头为末环。
4. 数码标志法:在产品和电路图上用三为数字来表示元件的标称值的方法称之为数码标志法。
常见于贴片电阻或进口器件上。
在三位数码中,从左至右第一、二位数表示电阻标称值的第一、二位有效数字,第三位数为倍率 10 n 的“ n ”(即前面两位数后加“ 0 ”的个数) , 单位为Ω 。
例如标识为 222 的电阻器,其阻值为2200 Ω 既2.2 K Ω ;表识为 105 的电阻器为1 M Ω ;标志为 47 的电阻器阻值为4.7 Ω 。
需要注意的是要将这种标志法与传统的方法区别开来:如标志为220 的电阻器其电阻为22 Ω ,只有标志为221 的电阻器其阻值才为220 Ω 。
标志为 0 或 000 的电阻器,实际是跳线,阻值为0 Ω 。
在一些微调电阻器阻值的标志法除了用三位数字外还有用两位数字的。
如标志为 53 表示 5 , 14 和 54 分别表示10 和50 。
一些精密贴片电阻器也有用四位数字表示法,如1005 表示 10 等3 电阻器的种类电阻器的种类有很多,通常分为三大类:固定电阻,可变电阻,特种电阻。
在电子产品中,以固定电阻应用最多。
而固定电阻以其制造材料又可分为好多类,但常用、常见的有RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻,还有近年来开始广泛应用的片状电阻。
型号命名很有规律,R代表电阻,T-碳膜,J-金属,X-线绕,是拼音的第一个字母。
在国产老式的电子产品中,常可以看到外表涂覆绿漆的电阻,那就是RT型的。
而红颜色的电阻,是RJ型的。
一般老式电子产品中,以绿色的电阻居多。
电阻器当然也有功率之分。
常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”,它是电子产品和电子制作中用的最多的。
当然在一些微型产品中,会用到1/16瓦的电阻,它的个头小多了。
再者就是微型片状电阻,它是贴片元件家族的一员,以前多见于进口微型产品中,现在电子爱好者也可以买到了(做无线窃听器?)4、可变电阻5、可变电阻又称为电位器,电子设备上的音量电位器就是个可变电阻。
但是一般认为电位器都是可以被手动调节的,而可变电阻一般都较小,装在电路板上不经常调节。
可变电阻有三个引脚,其中两个引脚之间的电阻值固定,并将该电阻值称为这个可变电阻的阻值。
第三个引脚与任两个引脚间的电阻值可以随着轴臂的旋转而改变。
这样,可以调节电路中的电压或电流,达到调节的效果。
6、5、特种电阻7、光敏电阻是一种电阻值随外界光照强弱(明暗)变化而变化的元件,光越强阻值越小,光越弱阻值越大。
如果把光敏电阻的两个引脚接在万用表的表笔上,用万用表的R×1k挡测量在不同的光照下光敏电阻的阻值:将光敏电阻从较暗的抽屉里移到阳光下或灯光上,万用表读数将会发生变化。
在完全黑暗处,光敏电阻的阻值可达几兆欧以上(万用表指示电阻为无穷大,即指针不动),而在较强光线下,阻值可降到几千欧甚至1千欧以下。
利用这一特性,可以制作各种光控的小电路来。
事实上街边的路灯大多是用光控开关自动控制的,其中一个重要的元器件就是光敏电阻(或者是光敏三级管,一种功能相似的带放大作用的半导体元件)。
光敏电阻是在陶瓷基座上沉积一层硫化镉(CdS)膜后制成的,实际上也是一种半导体元件。
新村里声控楼道灯在白天不会点亮,也是因为光敏电阻在起作用。
6 热敏电阻是一个特殊的半导体器件,它的电阻值随着其表面温度的高低的变化而变化。
它原本是为了使电子设备在不同的环境温度下正常工作而使用的,叫做温度补偿。
新型的电脑主板都有CPU 测温、超温报警功能,就是利用了的热敏电阻。
第二章电容器电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。
电容(Electric capacity),由两个金属极,中间夹有绝缘材料(介质)构成。
用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF)他们之间的具体换算如下:1F=1000000μF 1μF=1000nF=1000000pF一、电容器的型号命名方法二、国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
三、第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。
四、第二部分:材料,用字母表示。
五、第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。
六、第四部分:序号,用数字表示。
七、用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介八、二、电容器的分类九、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。
十、按电解质分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
十一、按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。
三、电容器主要特性参数:1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
2、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。
3、绝缘电阻直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。
4、损耗电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。
各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。
5、频率特性随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。
四、电容器容量标示1、直标法用数字和单位符号直接标出。
如01uF表示0.01微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。
2、文字符号法用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。
如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.3、色标法用色环或色点表示电容器的主要参数。
电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
压,也叫做电容的直流工作电压。
如果在交流电路中,要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
电容的类别和符号可变电容最小>7pF最大<1100pF100以上低频,高频>500第三章二极管二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
根据用途分类检波用二极管就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。