第四章 存储器习题

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

第四章存储器

一、填空题

1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关。√

2. 主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。√

3. 存储器中用来区分不同的存储单元,1GB= KB。√

4. 半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。√

5. 地址译码分为方式和方式。√

6. 双译码方式采用个地址译码器,分别产生和信号。√

7. 若RAM芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有条输出线;用双译码方式,地址译码器有条输出线。√

8. 静态存储单元是由晶体管构成的,保证记忆单元始终处于稳定状态,存储的信息不需要。√

9. 存储器芯片并联的目的是为了,串联的目的是为了。

10. 计算机的主存容量与有关,其容量为。

11. 要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联,或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。

12. 内存储器容量为6K时,若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。

13 主存储器一般采用存储器件,它与外存比较存取速度、成本。

14 三级存储器系统是指这三级、、。

15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ,MB= 。16一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是。

17 只读存储器ROM可分为、、和四种。

18 SRAM是;DRAM是;ROM是;EPROM是。

19半导体SRAM靠存储信息,半导体DRAM则是靠存储信息。

20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。

21MOS半导体存储器可分为、两种类型,其中需要刷新。

22 广泛使用的和都是半导体③存储器。前者的速度比后者快,但

不如后者高,它们的共同缺点是断电后保存信息。

23 EPROM属于的可编程ROM,擦除时一般使用,写入时使用高压脉冲。

24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。

25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。

【答案】①集中式②分散式③异步式

26 动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在,因此需要定期的不断地进行。

27 闪速存储器能提供高性能、低功耗、高可靠性以及能力,闪速存储器特别适合于微型计算机系统,被誉为而成为代替磁盘的一种理想工具。28.双端口存储器和多体交叉存储器属于存储器结构。前者采用技术,后者采用技术。

29. 4体交叉存储器是一种存储器,它有个存储模块,每个模块有它自己的地址寄存器和。

30.有一个4体交叉存储器,但使用时经常遇到连续访问同一存储体的情况,会产结果。

二、选择题

1. 计算机的存储器系统是指______。√

A. RAM

B. ROM

C. 主存储器

D. cache,主存储器和外存储器

2. 存储器是计算机系统的记忆设备,它主要用来______。√

A. 存放数据

B. 存放程序

C. 存放数据和程序

D. 存放微程序

3. 内存若为16兆(MB),则表示其容量为______ KB。√

A. 16

B. 16384

C. 1024

D. 16000

4. 下列说法正确的是。√

A. 半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B. 动态的RAM属非易失性存储器,而静态的RAM存储信息是易失性的

C. 静态RAM、动态RAM都属易失性存储器,断电后存储的信息将消失

D. ROM不用刷新,但集成度不比动态RAM高,且断电后存储的信息仍能保持5.______ 类型的存储器速度最快?

A. DRAM

B. ROM

C. EPROM

D. SRAM

6.下面是关于PC计算机主存储器的一些叙述:

①主存储器的基本编址单元的长度为32位

②主存储器也称为内存,它是一种动态随机存取存储器

③目前市场上销售的PC机的内存容量最多能达到64MB

④ PC机的内存容量一般是可以扩大的

其中正确的是______ 。

A.①和③ B. ①、③和④ C. ①、②、③和④ D. ②和④

7.动态RAM的刷新是以______ 为单位进行的。

A. 存储单元

B. 行

C. 列

D. 存储矩阵

8. 可编程的只读存储器______ 。

A. 不一定可以改写

B. 可以改写

C. 不可以改写

D. 以上都不对

9. 组成2M×8位的内存,可以使用______ 。

A. 1M×8位进行并联

B. 1M×4位进行串联

C. 2M×4位进行并联

D. 2M×4位进行串联

10. 若SRAM芯片的容量是2M×8位,则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是______ 。

A. 21

B. 29

C.18

D. 不可估计

11. 若RAM中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是______ 。

A. 地址线也是16位

B. 地址线与16无关

C. 地址线与16有关

D. 地址线不得少于16位

12. RAM芯片串联时可以______ 。

A. 增加存储器字长

B. 增加存储单元数量

C. 提高存储器的速度

D. 降低存储器的平均价格

13. RAM芯片并联时可以______ 。

A. 增加存储器字长

B. 增加存储单元数量

C. 提高存储器的速度

D. 降低存储器的平均价格

14. 存储周期是指______。√

A. 存储器的读出时间

B. 存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

C. 存储器的写入时间

D. 存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔

15. 下面所述不正确的是______ 。

A. 随机存储器可随时存取信息,掉电后信息丢失

B. 在访问随机存储器时,访问时间与单元的物理位置无关

16. 某一动态RAM芯片其容量为16K×1,除电源线、接地线和刷新线外,该芯片的最小引脚数目应为______ 。

A. 16

B. 12

C. 18

17. 某RAM芯片,其存储容量为1024×16位,该芯片的地址线和数据线数目分别为______。

A. 10,16

B. 20,4

C. 1024,4

D. 1024,16

18. 某计算机字长16位,其存储容量为2MB,若按半字编址,它的寻址范围是

______。

A. 0~8M-1

B. 0~4M-1

C. 0~2M-1

D. 0~1M-1

19. 某计算机字长32位,存储容量是8MB,若按双字编址,它的寻址范围是______。

A. 0~256K-1

B. 0~512K-1

C. 0~1M-1

D. 0~2M-1

20.下列关于存储器的描述,正确的有______ 。

A. CPU访存时间由存储器容量决定

相关文档
最新文档