光刻掩模板

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光刻掩模板
篇一：蚀刻制作掩模板蒸镀罩的工艺
昂立信生产的掩膜板，蒸镀罩以不锈钢材质为主，厚度从0.03mm到1.0mm。

是目前高端腐蚀加工的产品之一。

是目前物理试验以及玻璃触摸屏真空镀的主要部件。

也也于蒸镀产品之用。

平整均匀无毛剌，平面度保持在0.02以下是掩膜板的特点之一。

针对掩膜板产品，卓力达配备样品制作小组，在2-3个工作日内完，我司以强大的技术力量（高级研发工程师8人，工程师16人，技术员20人）和先进的生产设备（进口蚀刻机）来保证准时的交货期限。

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客户对我司腐蚀产品提出质量异议，公司会在接到客户提出异议后12小时内作出处理意见，若需现场解决，将会
派出专业技术人员及品质人员，并做到质量问题不解决服务人员不撤离，对每次客户反馈的掩膜板质量问题及处理结果我司将予以存档。

所有的产品在出货前均会经过生产巡检、品质检测、发货抽检相关人员的三次质检，确保发货到您手里的产品是合格产品
掩膜版用来干什么的？
Reticle也称为mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。

制造芯片时用
掩膜板属于光刻技术的范畴吗，掩膜版（光刻版）应用的是光刻技术。

篇二：光刻实验报告
光刻实验
一．实验目的
了解光刻在样品制备工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。

二．实验原理
光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的sio2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生
变化，很容易被某些有机溶剂（如显影液）溶解。

然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对sio2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在sio2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。

（一）光刻原理图
晶片表面必须有如照相底片般的物质存在，属于可感光的胶质化合物（光刻胶），经与光线作用和化学作用方式处理后，即可将掩膜版上的图形一五一十地转移到晶片上。

因此在光刻成像工艺上，掩膜版、光刻胶、光刻胶涂布显影设备及对准曝光光学系统等，皆为必备的条件。

三、实验药品及设备
化学药品：光刻胶（正胶）、正胶显影液、丙酮、酒精、去离子水等实验仪器：匀胶台、烘胶台、光刻机等四．实验步骤
1.准备样品，甩胶
注意事项：
①保证样品表面的干净
②在使用之前确保匀胶机正常工作
③在事先要把烘胶台的温度设定到实验需要的温度
2.光刻
注意事项：
①首先检查变压器是否工作，指针需要指在110V
②曝光结束后要按下“fanas”键，是光刻机自行冷却下来
③长时间不用光刻机时不要忘了关干泵防止其过热烧坏
3.显影
注意事项：
①显影过程应在曝光过后立即操作
②显影液不宜放置时间过长，以免其变质后影响实验结果
4.整理光刻间，保持实验场所的干净整洁
五.实验结果
工艺参数：
样品名称：5mm×5mmsi片
光刻胶：az1500
匀胶台：600r~10s，3000r~60s
烘胶台：90℃~2min
显影液：正胶显影液
在操作之前，首先对硅片进行了洁净处理。

具体步骤如下：
1.在丙酮中用超声清洗10分钟
2.在酒精中用超声清洗10分钟
3.放在去离子水里清洗
4.放在酒精中清洗
5.用氮气吹干
清洗完硅片过后，进行甩胶、前烘、光刻、显影、后烘。

实验的整个流程基本完成。

下面是利用实验结果拍成的图片：
篇三：光刻工艺问答
photo流程
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→cd量測→overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将pattern从光罩(Reticle)上传递到wafer上的一种介质。

其分为正光阻和负光阻。

何为正光阻答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。

何为负光阻答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。

什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。

何谓photo
答：photo=photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。

photo主要流程为何
答：photo的流程分为前处理，上光阻，softbake,曝光，peb，显影，hardbake等。

何谓photo区之前处理
答：在wafer上涂布光阻之前，需要先对wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。

前处理主要包括bake，hdms等过程。

其中通过bake将wafer表面吸收的水分去除，然后进行hdms 工作，以使wafer表面更容易与光阻结合。

何谓上光阻
答：上光阻是为了在wafer表面得
到厚度均匀的光阻薄膜。

光阻通过喷嘴（nozzle）被喷涂在高速旋转的wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在wafer的表面。

何谓softbake
答：上完光阻之后，要进行softbake，其主要目的是通过softbake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。

何谓曝光
答：曝光是将涂布在wafer表面的光阻感光的过程，同。