存储器测试系统

存储器测试系统

拥有业界领先的768DUT的DRAM晶圆并行测

试能力

爱德万测试为DRAM晶圆测试开发的新一代存

储器测试系统T5385提供了无与伦比的

768DUT并行测试能力及533Mbps测试速率，

可进一步提升您的产量并降低您的测试成本。

T5385能够根据待测器件灵活地配置测试通道

数量，以最优化的方式为各种DRAM器件分配

通道资源，从而最大化同测数、最小化扎针次数、

进一步提升产能，因此特别适用于高产量的晶圆

厂。T5385在提升同测数量的同时更提高了每颗

待测器件的测试效率，使其在消费类器件（如

LPDDR2、DDR3多die堆叠型器件）的KGD

（Known Good Die）测试中大幅提升产能。

高吞吐速率、低测试成本

当今，在电脑及其他各类电子产品中，新一代的DRAM存储器提供了更快的存取速度、更高的存储容量，以及更优良的电源功耗。这一切都得益于半导体行业对更小节点制程的积极推进。更小节点的制程可以在每片晶圆上制造出更多的、更高密度的芯片，同时也对DRAM晶圆测试的吞吐速率提出了苛刻的要求。在各大芯片制造厂商的要求下，爱德万测试推出的新一代T5385测试系统提供了无与伦比的同测能力及灵活的通道资源分配能力，显著提升了晶圆测试过程中的吞吐速率。

高速的存储器修复分析（Memory Repair Analysis，即MRA）

T5385在软硬件系统上具备大量优势，其中之一是高速的存储器修复分析系统（Memory Repair Analysis，即MRA）。高速的存储器修复分析可以大幅降低DRAM或FLASH晶圆测试的时间。与本公司的前一代系统相比，T5385可以缩短30%的测试时间。通过将冗余处理及数据传输交由后台处理，T5385可进一步缩短晶圆测试时间。

FLASH存储器测试能力

T5385支持FLASH存储器的晶圆测试。它独家拥有专为FLASH存储器优化的tester-per-site构架，可大幅缩短测试时间。

适用于DRAM研发的T5385ES存储器测试系统

专为工程目的而设计的T5385ES，既拥有更小的体积，又具备T5385的所有功能及性能。通过T5385ES，可以方便地对待测器件进行工程验证及特性分析。此外，在T5385ES上开发的测试程序可以无缝移植到T5385上，加快DRAM 程序的开发速度。

主要性能

目标芯片：DRAM、SDRAM、DDR器件、SRAM、FLASH存储

器、EPROM、等

同测能力：T5385：最大768同测

T5385ES：最大12同测

测试速率：266MHz / 533Mbps（在DDR模式下）

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在线服务

电路板修理申请系统

登录该系统，电路板修理将变得更方便，正确及时的信息录入既可以降低修理费用，又可以加快修理速度。

登录链接：电路板修理申请系统[VENUS]

存储器测试系统

高速的Per-Site系统购价，测试频率高达266MHz/533Mbps

T5781

T5781ES

随着移动电话，移动设备功能的提升，高像素的照相机、内嵌的音乐播放器等功能，越来越多的被嵌入到移动设备中。随之应运而生的是对移动设备中存储器容量、功能、速度的提高。这一趋势，推动了MCP的发展，所谓MCP(multi chip packages)是指将多个存储器芯片-比如NAND、NOR、SDRAM等安装在同一个封装中。T5781为此类芯片提供了高性价比，高产能的测试方案。

同测能力高达512个芯

T5781的Per-Site构架为MCP和Flash芯片测试提供了最优化的测试环境。T5781的同测能力对于MCP最大可达256同测，对于NAND Flash最大可达512同测。T5781具有全IO通道，配合新开发的switch matrix测试接口，测试资源可以被更加灵活的分配，以对应不同种类MCP的测试需求。此外T5781的DRAM测试功能能够满足不同种类DRAM的测试要求。

T5781ES面向芯片评价以及测试程序开发

T5781ES工程用机具备T5781测试系统的全部功能，占地面积小，为芯片的分析评价以及测试程序的开发提供了低成本的方案。此外测试程序，操作系统，以及硬件构架的与T5781兼容。测试程序基本可以直接移植到T5781。最大程度的缩短了新产品从程序开发/评价到量产的整个周期。