集成电路中的晶体管及其寄生

要说明的是在以上的计算中忽略了以下几点
（4）减小rCS的方法
在rCS中起主要作用的是rC2和rC3。 • 工艺设计上：可采用加埋层的方法以减小rC2，在满足工作电压的要 求情况下减小和采用深N＋集电极接触扩散以减小rC3，但要增加一块 掩模版，并在基区扩散前增加一次N＋深扩散。 • 在版图设计上，电极顺序采用BEC排列来减小LE－C，以减小rC2，采 用双集电极或马蹄形集电极图形来减小rC2，但芯片面积及寄生电容 增大了。
2.3集成双极晶体管的无源寄生效应

无源寄生效应——集成集体管中存在着电荷存储 效应，Cj，CD和从晶体管有效基区到晶体管各引 出端之间的欧姆体电阻。
2.3.1 集成NPN晶体管中的寄生电阻
1、发射极串连电阻rES ——发射区体电 阻； ——发射极金属和硅的接触电阻 发射区体电阻很小（发射区为N＋扩散区） 主要考虑 计算公式： SE——发射极接触孔面积；RC——硅与发 射极金属的欧姆接触系数（可查表）
2.4.1横向PNP管 横向PNP的特点： ①BVEBO高，这主要是由于xjc深高之故； ②小，这是由于工艺限制．基区宽度不可能 太小，又加上有纵向寄生PNP的作用； ③频率响应差； ④临界电流ICr小。

2）横向PNP管本身结构上的限制 ①其横向平均基区宽度不可能做得太小，横向PNP管的最小 横向基区宽度WBL-min不可能设计得很小。 ②发射极的注入效率低。 ②表面复合影响大。



另一种场区寄生MOSFET：硅栅 MOS电路中，多晶硅连线设计不 当，或由于光刻对准偏差，使多 晶硅跨接两个扩散区，而形成以 扩散区为源、漏，以多晶硅为栅 的两一种场区寄生MOSFET。 由于铝线下的场氧化层要比多晶 硅下的场氧化层厚（因为在多晶 硅光刻后还要生长一层氧化层）， 所以以多晶硅为栅的场区寄生 MOSFET更不能忽视。
I SS eVSC / Vt 1 I SS 0


2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区的情况
NPN管工作于正向工作区和截止区时，NPN 管的BC结压降VBC-NPN < 0 ，亦即PNP管的 BE结压降VBE-PNP < 0 ； 因为PNP管的BC结压降VBC-PNP =VSC < 0 ，所 以寄生PNP管截止。此时IS’ = -ISS ≈ 0 。 寄生PNP管的存在对NPN管的电流基本上没 有影响，只是增加了IB及IC中的反向漏 电．同时增加一项衬底漏电流IS’ 。 在模拟集成电路中，NPN管一般工作在正向 工作区，所以寄生PNP管的影响可以忽略。
第2章 集成电路中的 晶体管及其寄生效应
信息工程学院 李薇薇 liweiwei@hebut.edu.cn
2.1理想本征集成双极晶体管的埃伯斯-莫尔模型
一、要点




通过隔离把硅片分成一定数目的相互绝缘的隔 离区； 在各个隔离区制作晶体管，电阻等元件； 制作互连线，把各个元件按照一定功能连接起 来。 多维效应——集成电路中的双极晶体管为四层 三结结构，各电极均从上面引出，而且各结面 积不同。
2.6.1 肖特基势垒二极管 ①SBD的反向饱和电流大，约为2×1011A， 而一般NPN管的IES≈10-16，ICS≈10-15A， ISS≈10-13A。 ②SBD的正向导通压降小，约比PN结的 0.1~0.2V。 另外，在小注入时，SBD是多子导电器件， 所以没有PN结中的少于存储问题，从而使 得当外加电压改变时，其响应速度快。
减少PNP的影响——减少寄生PNP管正向运 用时的共基极短路电流增益 SF ——采用掺 金工艺和埋层工艺。 掺金——增加大量复合中心而使少子寿命 P 大大下降， 埋层——使寄生PNP管的基区宽度WB大大 增加，且埋层上扩散在寄生PNP管基区形成 的减速场，使少子的基区渡越时间 B 增加。
2. VBC变化所引起的耗尽层宽度的变化，也会使rCS发生 变化。
（1）rC1的计算
在进行rC1的计算时，假定其图形是一个上下底为矩形且 相互平行的锥体，其上底为有效集电结面积Sc.eff，即Sc.eff ＝SE(发射结面积)，并作以下近似： ①上底、下底备为等位面； ②锥体内的电流只在垂直方 向流动； ③在上、下面上的电流分布 是均匀的。
2.4.2衬底PNP管

衬底PNP管的制作工艺与NPN管的制作工 艺完全兼容，在进行NPN管基区扩散的同时 形成了衬底PNP管的发射区、其集电区则是 整个电路的公共衬底，所以只有利用PN结 隔离工艺，才能制造衬底PNP管。
2.5 集成二极管
2.6 肖特基势垒二极管（SBD）和肖特基箝位 晶体管（SCT）
3、基区电阻rB

从基极接触孔到有效基区之间存在相当大的串联电阻； 集成晶体管的各电极都由表面引出，所以其基极电流平行 于发射结和集电结之间，是横向流动的； 由于rB的存在，在大注人情况下会引起发射极电流的集边 效应，而且影响模拟电路中的高额增益和噪声性能。 基区电阻由三部分组成： • rB1为发射区扩散层下面的那 部分基区(称内基区)的电阻； • rB2为发射区扩散层边缘到基 极接触孔边缘间的外基区的 电阻； • rB3包括电极金属和硅的接触 电阻以及基极接触孔下实际 流过基极电流的那部分基区 的电阻。
（3） rB3的计算
• 外基区表面的杂质浓度很高，且发射区掩模孔和基极 接触掩模孔之间的距离基极 • 电流主要流经外基区的表面，因而rB3中体电阻的影响 很小 • rB3主要是电极金属与基区的接触电阻rBC ； • rB3远小于rB1、 rB2通常忽略不计
2.3.2 集成NPN管中的寄生电容
分类： ① 与PN结有关的耗尽层势垒电容Cj； ② 与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容CD。 ③ 电极引线的延伸电极电容Cpad，一般情况下Cpad很小，可忽略不 计。 1、PN结势垒电容Cj——利用劳伦斯——沃纳曲线； 梅耶等针对典型的集成电路工艺，计算了各种结的零偏单位 面积结电容，可以用来快速计算各类集成电路PN结势垒电容。 2、扩散电容CD——反映晶体管内可动少子存储电荷与所加偏压的 关系PN结反偏少子耗尽，CD不予考虑，只考虑正偏的CD 正向工作：只需考虑CDE 反向工作：只需考虑CDC 饱和工作：CDE、CDC都要考虑。

这样结构的电阻可用公式求得：

公式的适用范围： 不能再认为电流再锥体内是垂 直流动的，此时再计算rC1时，应该 来代替实际中的bL和aW，不然所求得的电阻值会偏低。 平行锥体的厚度T可用下式来近似估算：

（2）rC2的计算
因为电流由集电结垂直下来后转角流人埋层，所以取拐角的 电阻为1/2的薄层电阻值，因而在计算rC2的长度时，可以计算 从发射区接触孔中心到集电极接触孔中心的长度LE-C即可
（2）横向PNP管的特征频率fT 横向PNP管的fT较小，一般为(1~5)MHz，比模拟集成电 路中的NPN管几乎小两个数量级。横向PNP管fT小的原因 如下： ①横向PNP管的有效平均基区宽度WBL大； ②埋层的抑制作用，使折回集电极的少子路程增加； ③空穴的扩散系数只有电子扩散系数的1／3。 ④横向PNP管在共发射极接法时其衬底结电容蛛和发射结电 容Cjs是并联的，也会引起fT下降。 为使fT提高可采取以下措施： ① 增加结深xjc； ② 减小LE，即只要能满足电流容量的要求，发射区应 做成最小几何尺寸， ③ 提高工艺精度以降低WBL。 ④ 在与NPN管制造工艺兼容的前提下，降低外延层掺 杂浓度，提高横向PNP发射区(也即NPN管的基区) 掺杂浓度NE—PNP。
结论：寄生的PNP管 1. NPN工作于饱和区或反向工作区——严重影响集成 电路的工作。 2. NPN工作于截止区或正向工作区——寄生PNP截止。
三、EM模型
如果令I3＝0或ISS＝0，就可得出三层二结结构NPN晶体管的EM 方程 ：
2.2集成双极晶体管的有源寄生效应
假定隔离结始终处于反偏，并取晶体管的参数如下；
2、集电极串联电阻rCS 集成晶体管的集电极串联电阻rCS大于分立晶体 管的集电极串联电阻（因为集成晶体管的集电极 是从表面引出的）
rCS与IC和VBC有关 要精确计算rCS很困难，主要有两个原因：
1. 在大信号工作情况下发生发射极电流的集边效应，使 电流不是均匀地流过集电结，即rCS与IC有关。
二、寄生晶体管作用分析
（1）NPN工作于饱和区或反向工作区（数字 集成电路）： VBC－NPN>0，VBE－PNP>0，PNP管的发射结正 偏，PNP管处于正向工作状态。 （2）NPN处于截止区或正向工作区（模拟集 成电路）： VBC—NPN<0，VBE－PNP<0，PNP管的发射结反 偏，寄生PNP管截止。
计算的困难： 晶体管的基区宽度很小； 影响rB1的因素很多 是晶体管的有源区
WE，LE为发射区的宽度和长度
（2）rB2的计算 在不考虑发射区的横向扩散及集电结、发射结的耗尽层 扩展的影响时，可以用一般计算薄层电阻的公式，即
式中： WE-B为发射区掩模孔边线与基极接触掩模孔边线之间的距离； LE为发射区掩模孔和基极接触掩模孔的平均长度； RSB为基区扩散层的薄层电阻。
对EM模型作简化： ① PN结正偏工作时，
VF 0, eVF / Vt 1 eVF / Vt
VR
VR / Vt
PN结反偏工作时，
0, e
1 1


②在电流叠加时只计算exp ( V F / V t)项．即可以忽略反偏 电流，当全部结都反偏时，只考虑ISS项 ③VSC总是小于零，所以

2.2.3 NPN管工作于饱和区的情况
数字集成电路中的NPN管工作在饱和区。 各结电压情况如下：
在这种情况下寄生PNP管工作在正向 工作区，EM方程为：
令 利用晶体管可逆 可将各有用电流和衬底电流之比表示如下：
特性，
减少寄生PNP管的影响，就要减少 SF 和增大 V 增大 V 采用肖特基二极管（SBD）对BC结进行箝位，使 VBC下降为0.5V左右。
WBL——基区宽度， RS-BL——拐角的薄层电阻
（3）rC3的计算 rC3也是一个锥体，在版图设计时，掩模上集电极接触区(N+区) 的三边与埋层的三边是重合的，只是在发射区一边埋层的长度 很长。根据rC1的估算方法，对于这一边的长度，是以集电极N+ 扩散层边缘再加1T来处理。根据已知的数据可得到rC3锥体的高 度T为

2.2.2 NPN管工作于反向工作区的情况
NPN管工作于反向工作区时各结的电压情况如下： 对于NPN管，VBE-NPN < 0 VBC-NPN >0 ； 对于PNP管，VBE-PNP = VBC-NPN >0 ，VBC-PNP =VSC < 0 此时寄生PNP管工作在正向工作区。
分析：寄生PNP对IE及IB基本没有影响，但使反向NPN管的“发射机电流” （－IC）减少了 SF I R ( SF I R 等于I S ' ) 。 说明：寄生PNP管导通的结果是，使相当大的一股反向NPN管的“发射极 电流”作为无用电流IS’而流入衬底。
2.6.2 肖特基Hale Waihona Puke Baidu位晶体管
2.7 MOS集成电路中的有源寄生效应
2.7.1 场区寄生MOSFET

一种场区寄生MOSFET：一条铝线 跨接两个相邻的扩散区时，就形成 了一个以A，B为源、漏，以C为栅 的场区寄生MOSFET。 由于扩散区A，B和铝线C上的电压 是相互独立变化的，当铝线C上的电 压使铝线下的衬底反型形成沟道时， 就会导致A，B间有电流流通，而使 电路失效或参数变坏。为防止场区 寄生MOSFET的导通，必须提高开 启电压。
2.4集成双极晶体管的无源寄生效应


双极集成电路中的基本器件是NPN管，但在模拟 电路中也往往需要PNP管，如运算放大器的输入 级、输出级的有源负载等都经常使用PNP管。因 为集成电路的工艺主要是针对大量应用的NPN晶 体管设计的，因此在一般情况下，PNP管都是在 与NPN管制造工艺兼容的情况下制造的，这样制 得的PNP管必然小、fT低。虽然PNP管的单管性能 不如NPN管，但在集成电路中由于使用了PNP管， 而使电路的性能得到了很大的改善，而且横向 PNP管的问世，也促使了I2L电路的实现。 在集成电路中常用的PNP管主要有两大类：横向 PNP管和衬底PNP管。