集成电路设计ppt

第四章 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 4.1 引言 4.2 集成电路基本加工工艺 4.3 CMOS工艺流程 4.4 设计规则 4.5 CMOS反相器的闩锁效应 4.6 版图设计
第五章 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 5.1 NMOS管逻辑电路 5.2 静态CMOS逻辑电路 5.3 MOS管改进型逻辑电路 5.4 MOS管传输逻辑电路 5.5 触发器 5.6 移位寄存器 5.7 输入输出（I/O）单元
[3] 陈中建主译. CMOS电路设计、布局与仿真.北京：机械工 业出版社，2006.
[4]（美）Wayne Wolf. Modern VLSI Design System on Silicon. 北京：科学出版社，2002.
[5] 朱正涌. 半导体集成电路. 北京：清华大学出版社，2001. [6] 王志功，沈永朝.《集成电路设计基础》电子工业出版
第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器
6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础
7.1 引言 7.2 MOS管模拟集成电路中的基本元器件 7.3 MOS模拟集成电路基本单元电路 7.4 MOS管集成运算放大器和比较器 7. 5 MOS管模拟集成电路版图设计 第八章 集成电路的测试与可测性设计
1.2 集成电路的发展
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标 （1）集成度（Integration Level）
集成度是以一个IC芯片所包含的元件（晶体管或门/数）来 衡量（包括有源和无源元件）。随着集成度的提高，使IC及使用 IC的电子设备的功能增强、速度和可靠性提高、功耗降低、体积 和重量减小、产品成本下降，从而提高了性能/价格比，不断扩 大其应用领域，因此集成度是IC技术进步的标志。为了提高集成 度采取了增大芯片面积、缩小器件特征尺寸、改进电路及结构设 计等措施。为节省芯片面积普遍采用了多层布线结构。硅晶片集 成（Wafer Scale Integration -WSI)和三维集成技术也正在研 究开发。从电子系统的角度来看，集成度的提高使IC进入系统集 成或片上系统（SoC）的时代。
社，2004年5月（21世纪高等学校电子信息类教材）.
第一章 绪言
集成电路产业有三个非常重要环节：集成电路设计、芯片 制造和封装测试。集成电路设计是以人为主的智力密集型产业， 位于产业链的上游。
集成电路(Integrated Circuit/IC)是指用半导体工艺， 如薄膜、厚膜工艺（或这些工艺的组合），把电路有源器件、 无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体（如 硅或砷化镓）或绝缘材料基片上，最后封装在一个管壳内，构 成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统或系统。
8.1 引言 8.2 模拟集成电路测试 8.3 数字集成电路测试 8.4 数字集成电路的可测性设计
第二部分 实验课 1、数字集成电路 （1）不同负载反相器的仿真比较； （2）静态CMOS逻辑门电路仿真分析； （3）设计CMOS反相器版图； （4）设计D触发器及其版图； （5）设计模16的计数器及其版图（可选）。 2、模拟集成电路 设计一个MOS放大电路（可选） 。
集成电路设计导论
梁竹关
云南大学信息学院电子工程系
第一部分 理论课
第一章 绪言
1．1 集成电路的发展 1．2 集成电路分类 1．3 集成电路设计技术 第二章 MOS晶体管 2．1 MOS晶体管结构 2．2 MOS晶体管工作原理 2．3 MOS晶体管的电流电压关系 2．4 MOS晶体管主要特性参数 2．5 MOS晶体管的SPICE模型 第三章 MOS管反相器 3．1 引言 3．2 NMOS管反相器 3．3 CMOS反相器 3．4 动态反相器 3．5 延迟 3．6 功耗
尽管英语中有VLSI，ULSl和GSI之分，但VLSI使用最频繁， 其含义往往包括了ULSI和GSI。中文中把VLSI译为超大规模集 成，更是包含了ULSI和GSI的意义。
此外，还有按其他标准的一些IC分类，如按电路功能和所处 理信号的不同，可分数字或逻辑集成电路（Digital/Logic IC）、 模拟集成电路（Analog IC）和数模混合集成电路（DigitalAnalog Mixed IC）。
教学进度表
章次
题目
教学时数
第一章
绪言
2学时
第二章
MOS晶体管
4学时
第三章
MOS管反相器
4学时
第四章 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 4学时
第五章 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 4学时
第六章 第七章
MOS管数字集成电路子系统设计 MOS管模拟集成电路设计基础
4学时 6学时
第八章 第九章
集成电路的测试与可测性设计 集成电路设计软件介绍 总计
2学时 6学时 36学时
参考文献
[1] 王志功，景为平，孙玲.集成电路设计技术与工具. 南京： 东南大学出版社，2007年7月（国家级规划教材）.
[2]（美）R.Jacob Baker, Harry W. Li, David E. Boyce. CMOS Circuit Design, Layout and Simulation. 北京： 机械工业出版社，2006.
2、按集成电路规模分类 集成度指的是每块集成电路芯片中包含的元器件数目。 按规模分类，集成电路则可分成：小规模集成电路(Small
Scale IC，SSI)、中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI)、 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI)、超大规模集成电路 (Very Large Scale IC ， VLSI) 、 特 大 规 模 集 成 电 路 (Ultra Large Scale IC，ULSI)和 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI）
1.1 集成电路分类
1、按器件结构类型分类
（1）双极（BJT）管集成成电路（数字电路） -- 含NPN型及PNP型晶体管的双极集成电路（模拟电路）
（2）金属-氧化物-半导体(MOS)管集成电路：主要由MOS晶 体管(单极晶体管)构成
-- NMOS晶体管 -- PMOS晶体管 -- CMOS(互补MOS)晶体管 （ 3） 双 极 -MOS (Bi-MOS) 管 集 成 电 路 ： 同 时 包 括 双 极 和 MOS晶体管的集成电路为Bi-MOS集成电路，综合了双极和MOS 器件两者的优点，但制作工艺复杂。