激发频率对纳米晶硅薄膜微结构的影响

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．析薄膜中的氢含量（尔分数，分摩
全文同）和硅氢键合模式，对深入探索纳米晶硅薄
膜的晶化特性和光电性能具有重要的意义．红外用
文章编号：０９４Ｘ（０２０１０ —４４２１）３—０５ —０２６３
激发频率对纳米晶硅薄膜微结构的影响
邱海宁，何佳，陈孟悦，超任
（海工程技术大学材料工程学院，上海２Ｉ６０上（２）１
摘要：以ＳＨｉ和Ｈ：气源，为采用等离子体增强化学气相沉积（ＥＶＤ）术制备了纳米晶硅薄ＰＣ技
膜，用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的微结构变化进行了研究．果表明，利结
薄膜中的氢含量（尔分数）摩和硅氢键合模式与激发频率有密切关系，高激发频率可降低薄膜提
ＱＨａｎｎＵｉｉｇ，ＨＥＪｉａ，ＣＨＥＮＭｅｇｕ，ＲＥＮｈｏｎｙｅＣａ
（Ｃｏｌｇｅｏａｅｉｌｇｎｅｉｇ，ＳａｇａｌｆＭｔｒａｓＥｎｉｅｒｎｅｈｎｈｉＵｎｉｅｓｔｆＥｎｉｅｒｎｃｅｃｖｒｉｙｏｇｎｅｉｇＳｉｎｅ，Ｓａｇａ０６０，Ｃｈｎ）ｈｎｈｉ１２２ｉａ
中的氢含量，且硅氢键合以ＳＨ并ｉ为主．关键词：纳米晶硅；等离子体增强化学气相沉积；发频率激中图分类号：Ｔ０．２Ｎ３４１文献标志码：Ａ
ＩｆｕｎｅｏｃｔｔｏｅｕｎｉｓｏｉｒｓｕｃｕｅｏｎｌｅｃｆＥｘｉａｉｎＦｒｑｅｃｅｎＭｃｏｔｒｔｒｆＮａ０ｒｓａｌｎｉｉｏｉｌｓｎｃｙｔｌｉｅＳｌｃｎＴｈｎＦｉｍ
ｅｃｔｔｏｒｑｅｙｘｉａｉｎｆｅｕｎｃ
ｐａｍａｅｈａｅｃｍｉａｖｐｄｐｉｉ（ＰＥＣＶＤ）；ｌｓｎｎｃｄｈｅｃｌａｏｒｅｏｓｔｏｎ
氢化纳米晶硅薄膜由于其高稳定性、电导率高和无明显光致衰减等优点，而成为近年来硅基材料
Ａｂｔａｔｓｒｃ：Ｎａｃｙｔｌｉｓｌｃｎｈｎｉｓｎ０ｒｓａｌｎｅｉｉｏｔｉｆｌｗｅｅｒｐｒｄｒｍａａｍｉｔｅｓｌｅ（ＳｉｍｒｐｅａｅｆｏｇｓｘｕｒｏｆｉａｎＨ４）ａｄｎｈｙｒｇｎ（）ａｍａｅａｎｅｈｅｉａ wk.baidu.comｏｅｏｓｔｏｎｄｏｅＨ２ｂｙｐｌｓｎｈｃｄｃｍｃｌｖａｒｄｐｉｉ．Ｔｈｅｍｉｒｔｕｃｕｅｅｓｔｄｆｌｓａｃｏｓｒｔｒｓｏｆｄｐｏｉｅｉｍｔ
光谱法研究薄膜硅氢键合模式对样品无损伤，因而被广泛采用．离子体增强化学气相沉积等
（ｌｓａＥｎａｃｄＰａｍｈｎｅＣｈｍｉａＶａｏｐｓｔｏｅｃｌｐｒＤｅｏｉｉｎ，
的研究热点
第２６卷第３期２１０２年９月
上
海
工
程
技
术
大
学
学
报
Ｖｏ．６ＮＯ３１２．
Ｓｅｔ２）２ｐ．（１
ＪＵＲＯＮＡＬＯＦＳＨＡＮＧＨＡＩＵＮＩＲＩＧＩＥＮＣＥＥＶＥＳＴＹＯＦＥＮＮＥＲＩＧＳＩＮＣ
ｄｆｅｅｘｃｔｔｏｆｅｅｃｅｗｅｅｔｉｄｉｆｒｎｔｅｉａｉｎｒｑｕｎｉｓｒｓｕｄｅｂｙＦｏｉｒｒｎｓｏｍｉｒｒｄｐｅｔｏｃｐｙｕｒｅｔａｆｒｎｆａｅｓｃｒｓｏ．Ｔｈｅｅｕｌｓｒｓｔｓｈｏｗｈｔｔｄｏｅｏｎｅｔａｈｉｉｏ — ｄｏｅｎｎｏｎｉｕｒｔｏｆｔｉｍｓａｅｃｏｅｙｔａｈｅｈｙｒｇｎｃｔｎｎｄｔｅｓｌｃｎｈｙｒｇｎｂｏｄｉｇｃｆｇａｉｎｓｏｈｅｆｌｒｌｓｌ
ｒｌｔｄｔｈｅｅｉａｉｎｆｅｕｎｃｉｒａｉｈｅｅｉａｉｎｆｅｅｙｃｎｄｅｒａｅｔｄｏｇｎｃｔｎｔｅａｅｏｔｘｃｔｔｏｒｑｅｙ，ｎｃｅｓｎｇｔｘｃｔｔｏｒｑｕｎｃａｃｅｓｈｅｈｙｒｅｏｎｅｉｈｅｆｌｎｄｃｎｇｉＨｎｄｎｏｉｒｔｏｎｍａｎｌｎＳｉ２ｎｔｉｍｓａｈａｅＳ — ｂｏｉｇｃｎｆｇｕａｉｉｙｉｌ．Ｋｅｒ：ｎｎｏｒｓａ１ｎｓｌｃｎ；ｙｗｏｄｓａｃｙｔｌｉｅｉｉｏ