【2017年整理】二极管习题
【2017年整理】二极管习题二极管是一种常见的电子元件，也是电子学中最基本的元件之一。它具有非常重要的应用，例如用于整流电路、放大电路、开关电路等。
下面是一些二极管的习题及其答案：
1.一个二极管的正向电流为10mA，反向电流为1μA。求该二极管的导通电阻
和截止电阻。
答案：正向电流为10mA，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电压为0.7V（标准硅二极管）。所以正向电阻为R = V/I = 0.7V/10mA = 70Ω。
反向电流为1μA，反向电压可以认为是无穷大。所以反向电阻为R = V/I = ∞。
2.一个二极管的反向击穿电压为100V，正向电流为20mA。求该二极管的最大
耗散功率。
答案：正向电流为20mA，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电压为0.7V（标准硅二极管）。所以正向功率为P = IV = 0.7V * 20mA = 14mW。
反向击穿电压为100V，反向电流可以认为是无穷大。所以反向功率为P = IV = 100V * ∞ = ∞。因为反向击穿时，二极管可能会被损坏，所以需要注意反向击穿电压。
3.一个二极管的导通电压为0.7V，反向电压为-10V。求该二极管的正向电流
和反向电流。
答案：正向电压为0.7V，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电流为I = V/R = 0.7V/70Ω = 10mA。
反向电压为-10V，反向电流可以认为是无穷小。所以反向电流为I = V/R = -10V/∞ = 0A。
4.一个二极管的导通电压为0.7V，反向电流为1μA。求该二极管的动态电
阻。
答案：动态电阻可以通过微分的方式来求解。即动态电阻r = ΔV/ΔI。
根据二极管的特性曲线，可以找到正向电流为10mA对应的正向电压为0.7V，正向电流为11mA对应的正向电压为0.75V。所以ΔV = 0.75V - 0.7V = 0.05V。
根据二极管的特性曲线，可以找到正向电流为10mA对应的正向电压为0.7V，正向电流为11mA对应的正向电压为0.75V。所以ΔI = 11mA - 10mA = 1mA = 0.001A。
所以动态电阻r = ΔV/ΔI = 0.05V/0.001A = 50Ω。
§2.2 晶体二极管习题4---2018-4-24
1 第2章§2.2 晶体二极管习题4 【考核内容】 1、二极管工作状态的判断。 二极管电路习题【分析方法】:直接判断二极管两端正极对负极的电位差。 若题已经给出二极管两端的电位，可以直接判断二极管两端正极对负极的电位差。 （1）若二极管两端正极电位大于负极电位，0>PN U ，则二极管正向导通。 （1）若二极管两端正极电位小于负极电位，0 2 晶体二极管自测题4 1、电路如图所示，试判断电路中二极管的通断情况及A 点对地电压。(设二极管均为硅管，其正向导通电压为0.7V)。 2、电路如图所示，试判断电路中各二极管的通断情况及A 点对地电压。(设二极管均为硅管，其正向导通电压为0.7V)。 3、电路如图所示，已知输入10sin i u t ω=(V ) 波形，试画出o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 4、电路如图所示，已知输入10sin i u t ω=(V ) 波形，试画出o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 5、[教材P41-3-3]判断图2.27中二极管VD1和VD2的状态，并计算电压的的数值。 （查表2CP11：硅普通二极管，硅管正向导通电压为0.7V ） 第2章§2.2 晶体二极管习题2与参考答案 【考核内容】 1、二极管工作状态的判断。 2.2 半导体二级管 2.2.4 二极管的用途 2.2.4.1二极管恒压模型：考虑二极管正向导通两端电压 恒压二极管电路习题【分析方法】 1、判断二极管两端正极对负极的电位差，即二极管正负极电压： （1）若二极管两端正极电位大于负极电位，0>PN U ，N P V V >则二极管正向导通。二极管处于正向导通状态，此时管子两端电压降变化不大，利用此特性，可将二极管看成电压源，一般电路判断为硅管，典型值V 7.0D =V 。对于锗二极管，取V 3.0D =V 。 【注意】：硅二极管处于正向导通，P 区接正极，N 区接负极。 硅二极管导通等效电路 （2）若二极管两端正极电位小于负极电位，0 第2章§2.2 晶体二极管习题1与参考答案【考核内容】 1、二极管工作状态的判断。 2.2 半导体二级管 *【模拟实验1】引入 如图所示，直流电源E为6v，小灯电压6v,电阻900Ω；二极管的正向压降0.7v；R1=100Ω。 实验结果：开关在1位置，二极管D1导通，小灯亮。 实验结果：开关在 2位置，二极管 D1截止，小灯不亮。 实验结论：二极管是具有单向导电性的两极器件。 2.2.1 晶体二极管的结构和分类 1.二极管结构 半导体二极管又称晶体二极管，它由管芯(主要是PN结)，从P区和N区分别焊出的两根金属引线正负极，P区引出为正极，或阳极，用“+”表示；N区引出为负极，或负极，用“-”表示。以及用塑料、玻璃或金属封装的外壳组成，如图所示二极管的结构。二极管的核心部分是PN 结，二极管是具有单向导电性的两极器件，这也是二极管的主要特性。 二极管符号：diode [da???d] 2. 二极管分类 (1)按半导体材料划分有硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等。 (2)按PN结结构划分有点接触型二极管、面接触型二极管、平面型二极管。 (3)按用途划分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 点接触型：结面积小，结电容小，允许电流小，最高工作频率高，用于检波和变频等高频电路。 面接触型：结面积大，结电容大，允许电流大，最高工作频率低，用于工频大电流整流电路。 *平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 3、半导体器件型号命名方法 半导体器件的型号命名，表2-1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。 表2-1-型号组成部分的符号及意义 【举例】： 2CZ3 ：硅整流二极管，序号3 2CP11：硅普通二极管，序号11 2.2.2 二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性：二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。描述了二极管两端电压与流过二极管的电流之间的关系。 *【模拟实验1】如图所示电路，测试二极管正向特性，E1为12V ，R1为限流电阻。改变滑动电阻RV ，改变流过二极管的电流，改变二极管的电压，但二极管的电压变化不大。 用逐步描点法，画出二极管正向特性曲线。 【实验表明】：电压跟流过二极管的电流有关系，但不是一直成正比的。改变滑动电阻RV ，流过二极管的电流，改变二极管的电压，但二极管的电压变化不大，最大为0.8v 。一般硅二极管导通压降取0.7v 习题６ 基础知识部分： 6.1 选择题 1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（） A、短路 B、完好 C、开路 D、无法判断 答案：C 2. A B 0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。 A、VD导通，U AO=5.3V； B、VD导通，U AO=—5.3V； C、VD导通，U AO=—6V； D、VD导通，U AO=6V； E、VD截止，U AO=—9V。 答案：C 4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。 A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路 C.桥式整流电容滤波电路 答案：C A 5. 测得输出电压为10V A.滤波电容开路 B.负载开路 C.滤波电容击穿短路 D.其中一个二极管损坏 答案：B D A 6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。 A.6.3V B.0.7V C.7V D.14V 答案：C 7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。 A.增大 B.不变 C.减小 答案：b 9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。 A.处于放大状态 B.处于饱和状态 C.处于截止状态 D.已损坏 答案：D 10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。 A.①基极b，②发射极e，③集电极c B.①基极b，②集电极c，③发射极e C.①集电极c D.①发射极e 答案：C 6.2 填空题 1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。 答案：单向导电正向反向 二极管电路习题 一、选择题 1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V 2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D 3 的工作状 态为（ ） 。 （a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通 3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。 （a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通 4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V 5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。 （a ）5V （b ）17V （c ）7V 6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV 7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V 8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ） 12V 9V (c) R V O 题1.1 图 二极管练习题 1. 什么是二极管？ 二极管是一种电子元件，由两个PN结（即p型半导体和n型半导体）组成。它具有单向导电性，只能让电流从 p端（阳极）流向 n端（阴极），而阻止电流反向流动。 2. 二极管的主要特性有哪些？ - 半导体材料 二极管常用的材料有硅（Si）和锗（Ge），这些半导体材料能够控制电流的流动，使二极管具备单向导电性。 - 正向导通电压（Forward voltage drop） 正向导通电压是指在正向工作时，二极管需要的最小电压，才能开始导通电流。对于硅二极管来说，一般为0.6-0.7V。 - 反向击穿电压（Reverse breakdown voltage） 反向击穿指的是当反向电压超过一定值时，二极管会突破阻挡层，导致电流迅速增大。反向击穿电压用于规定二极管的最大反向 电压。 - 最大正向工作电流（Maximum forward current） 最大正向工作电流是指在二极管正向导通时，二极管可以正常 工作的最大电流。超过该电流，可能导致二极管损坏。 3. 二极管的应用场景有哪些？ - 整流（Rectification） 由于二极管具备单向导电性，可以将交流信号转换为直流信号。在电源、通信等领域中，常常使用二极管进行整流。 - 信号调制与解调（Signal modulation and demodulation） 二极管可以将音频、视频等信号进行调制，用于无线电通信、电视信号传输等领域。 - 光电探测（Photodetection） 基于二极管的光电探测器可以将光信号转换为电信号，广泛应用于光通信、光学测量等领域。 - 保护电路（Protection circuit） 二极管可以用作保护电路的组成部分，用于限制电压和电流的幅值，防止电路元件被过电压或过电流烧毁。 4. 请简述正向、反向偏置下二极管的工作原理。 正向偏置 当二极管的p端（阳极）接到正电压，n端（阴极）接到负电压时，形成正向偏置。此时，p型半导体的空穴和n型半导体的电 半导体二极管练习题1 一、单选题 1. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 2. 在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 4. 下列符号中表示发光二极管的为（）。 A B C D 5. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 二、判断题 1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（） 三、填空题 1. 普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。 2. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。 3. PN结正偏是指P区电位 N区电位。 4. 纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。 5. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。 6. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。 7. 二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。 8. 在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P 型半导体。 9. 半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。 三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏，工作在放大区时发射结发射结偏；集电结偏，工作在截止区时发射结偏；集电结偏。2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V,U 2 =7.2V,U 3 =15V，则该管是 ______类型管子，其中_____极为集电极。 4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于_______状态。 7、负反馈的四种类型为________、________、________、________。 8、在放大电路中希望输入电阻越________越好，输出电阻越________越好。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C =6V，V B =0.7V，V E =1V则晶 体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三极管工作在截止区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3. NPN型三极管三个极电位分别有V C =3.3V，V E =3V，V B =3.7V，则该管工作在（） A．饱和区 B．截止区 C．放大区 D．击穿区 4.如果三极管工作在饱和区，两个PN结状态（） A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 5. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C =6V，V B =0.7V，V E =1V则晶 体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 6、工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12μA增大到22μA时，Ic从1mA 变为2mA，那么它的β约为( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 7、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） 导电性能介于导体与绝缘体之间的叫半导体 将PN结封装起来并加上电机引线就构成了半导体二极管 Iom指二极管正常工作情况下长期允许通过的最大正向电流，若超过该值会因热而损坏 Uom指二极管正常工作时所能承受的最大反向电压值，若超过该值二极管有可能被击穿 IR越小，说明单向导电性越好 二极管加正向电压导通，反向电压截止，叫做二极管的单向导电性 将二极管的正向电阻与反向电阻比较，相差越大，导电性越好 锗二极管的开启电压0.1V ，硅二极管的开启电压0.5V 锗二极管的正向压降0.3V 硅二极管的正向压降0.7V 从二极管P区引出的电极为正极，N区引出的电极为负极 PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的单 向导电性，但是当硅材料的PN结正向偏压小于0.1V ,锗材料的PN结正向偏压小0.5V时，PN结仍不导通，我们把这个区域叫死区 最常用的半导体材料有锗和硅 有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管短路，又有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管断路 硅二极管的正向电阻3KΩ-10 KΩ，锗二极管的正向电阻500Ω-1 KΩ。二．判断 半导体二极管都是硅材料制成的。（×） 半导体二极管具有单向导电性。（√） 半导体二极管只要加正向电压就能导通。（×） 稳压二极管工作在正向导通状态。（×） 利用二极管的正向压降也能起到稳压作用。（√） 二极管从P区引出的极是正极。（√） 二极管加反向电压一定是截止状态。（×） 二极管代替换用时，硅材料关不能与锗材料管互换。（√） 普通二极管可以替换任何特殊二极管。（×） 为了安全使用二极管，在选用时应通过查阅相关手册了解二极管的主要参 数。（√） 三．选择 把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到硅二极管两端，则（B ） A.电流为零 B.电流基本正常 C.击穿 D.被烧坏 二极管两端加正向电压时（ B ） A.一定导通 B. 超过死区电压才导通 C. 超过0.7V导通 D. 超过 才导通 某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ A ） A. 约等于150V B.可略大于150V C. 不得大于40V D.等于75V 如图为硅二极管为锗二极管的伏安特性图线，其中锗二极管的特性曲线是 D ） 【2017年整理】二极管习题二极管是一种常见的电子元件，也是电子学中最基本的元件之一。它具有非常重要的应用，例如用于整流电路、放大电路、开关电路等。 下面是一些二极管的习题及其答案： 1.一个二极管的正向电流为10mA，反向电流为1μA。求该二极管的导通电阻 和截止电阻。 答案：正向电流为10mA，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电压为0.7V（标准硅二极管）。所以正向电阻为R = V/I = 0.7V/10mA = 70Ω。 反向电流为1μA，反向电压可以认为是无穷大。所以反向电阻为R = V/I = ∞。 2.一个二极管的反向击穿电压为100V，正向电流为20mA。求该二极管的最大 耗散功率。 答案：正向电流为20mA，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电压为0.7V（标准硅二极管）。所以正向功率为P = IV = 0.7V * 20mA = 14mW。 反向击穿电压为100V，反向电流可以认为是无穷大。所以反向功率为P = IV = 100V * ∞ = ∞。因为反向击穿时，二极管可能会被损坏，所以需要注意反向击穿电压。 3.一个二极管的导通电压为0.7V，反向电压为-10V。求该二极管的正向电流 和反向电流。 答案：正向电压为0.7V，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电流为I = V/R = 0.7V/70Ω = 10mA。 反向电压为-10V，反向电流可以认为是无穷小。所以反向电流为I = V/R = -10V/∞ = 0A。 4.一个二极管的导通电压为0.7V，反向电流为1μA。求该二极管的动态电 阻。 答案：动态电阻可以通过微分的方式来求解。即动态电阻r = ΔV/ΔI。 根据二极管的特性曲线，可以找到正向电流为10mA对应的正向电压为0.7V，正向电流为11mA对应的正向电压为0.75V。所以ΔV = 0.75V - 0.7V = 0.05V。 根据二极管的特性曲线，可以找到正向电流为10mA对应的正向电压为0.7V，正向电流为11mA对应的正向电压为0.75V。所以ΔI = 11mA - 10mA = 1mA = 0.001A。 所以动态电阻r = ΔV/ΔI = 0.05V/0.001A = 50Ω。 12.5习题详解 12-1电路如图12-15所示，求电位U 0，二极管的正向压降忽略不计。 解：因为压差大的二极管优先导通，所以VD 1先导通，导通后U O =0V ，VD 2、 VD 3截止。 12-2 在图12-16中，试求下列几种情况下的输出端电位V 0及各元件中流过的电流： （1）U A =+10V,U B =0V;(2)U A =+6V,U B =+5.8V;(3)U A =U B =+5V 。设二极管的正向电阻为零，反 向电阻为无穷大。 解：（1）二极管VD 1导通，则 O 9 10V 9V 19U =? =+ O VD1R 39 A 910V I I R ===? 3110A 1mA -=?= VD 2截止，VD20I =。 （2）设VD 1和VD 2两管都导通，应用结点电压法计算U O ： 6 5.811.89 11V V 5.59V 5.8V 1111911 9 O U + ?===<++ 可见VD 2管能导通。 3VD13 6 5.59 A 0.4110A 0.41mA 110I --= =?=? 3VD23 5.8 5.59A 0.2110A 0.21mA 110I --==?=? 3 3 5.59A 0.6210A 0.62mA 910 R I -==?=? (3) VD 1和VD 2两管都能导通 O 5511V 4.74V 111119U + ==++ 3 O R 3 4.74A 0.5310A 0.53mA 910 V I R -===?=? R VD1VD20.53 mA 0.26mA 22 I I I ==== 12—3 求图12-17所示各电路的输出电压值，设二极管正向压降U D ＝0.7V 。 解： U O1≈3V —0.7V=2.3V （VD 导通） ；U O2＝0 （VD 截止）；U O3≈—3V+0.7V=－2.3V （VD 导通）；U O4≈3V （VD 截止）；U O5≈3V —0.7V=2.3V （VD 导通）；U O6≈－3V （VD 截止）。 12-4电路如图12-18所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管压降不计，试画出u i 与u O 的波形，并 标出幅值。 解：（a ）u i >2V 时,VD 导通，o 2V u =；u i <2V 时，VD 截止，u o =u i 。 第1 页共3 页 《二极管及其应用》章节测验 一、选择 1、本征半导体又叫（） A、普通半导体 B、P型半导体 C、掺杂半导体 D、纯净半导体 2、锗二极管的死区电压为（） A、 0.3V B、0.5V C、1V D、0.7V 3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（） -5.3V -6V -6V -5.3V 0V -0.7V 4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（） A、U2 B、2U2 C、1.2 U2 D、22U2 5、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级 低电压应为（） A、50V B、60V C、72V D、27V 6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（） 7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白 炽灯是( ) A．A B．B C．C D．一样亮 8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时， （1）判断二极管通断情况( ) A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2 导通 C．VD1、VD2均导通D．VD1、VD2均截 （2）输出电压VO为( ) A．8.37V B．3. 87V C．4.3V D．9.3V 9．分析图9所示电路，完成以下各题 （1）变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( ) A．4.5V B．9V C．12V D．14V (2)若电容C脱焊,则V1为( ) A．4.5V B．9V C．12V D．14V (3)若二极管VD1接反，则( ) A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流 C．输出电压极性反转，C被反向击穿 D．稳压二极管过流而损坏 （4）若电阻R短路，则( ) A．VO将升高B．变为半波整流 C．电容C因过压而击穿D．稳压二极管过流而损坏 二、判断 （）1、本征半导体中没有载流子。 （）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。 （）4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。 （）5、使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。 A B C D R L R L B C D 图9 课题：二极管（习题课） 学习目标熟练掌握二极管的相关知识，并用这些知识解题 学习难点类型题：判定二极管在电路中的状态 学习重点类型题：判定二极管在电路中的状态 教学资源多媒体课件 教学过程教学方法和师生活动 引入 上节课学习了二极管的结构、符号、分类、特性、 主要参数和检测。本节课将通过一些习题来应用一下 所学习的知识。 承上启下 新授一、练习题 1、二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其 中是可逆的，而会损坏二极管。 2、二极管P区接电位端，N区接电位端， 称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极 管截止，所以二极管具有性。 3、二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和 面接触型，型二极管适用于高频、小电流的 场合，型二极管适用于低频、大电流的场通过这些习题让学 合。 4、硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的 5、硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 6、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 7、二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。（） 8、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。（） 9、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 10、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负 电。（） 二、例题生回忆了旧知识，加深了对知识的记忆，同时学会了应用知识要点。 如图所示电路，设二极管正向导通压降为0.7V,试判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压U0 U0=－6.7V U0=－6V 解题思路： 先假设二极管断开，再计算二极管两端电压，若该电压为正向电压且大于死区电压，则可判断二极管处于导通状态。若该电压为负电压或正向电压低于死区电压，则可判断二极管处于截止状态。 巩固练习 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还 是截止，并确定各电路的输出电压U o。设二极管的导 通压降为0.7V。 12V9V V1 V2 R + － U o (c) 9V 12V V1 V2 R (d) + － U o 说明：当一个电路中几只二极管正负极间的电压均大 于死区电压时，存在一个“优先导通”问题，即：电 通过此题使得学生 会依据老师讲的解题思 路掌握这种类型题的解 题方法。 管 练习题1 一、单选题(每题1分) 1. 管 管 管 值 。 A. 直 相 相 B. 交 相 相 C. 直 D. 交 2. 中（ 敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 离子 D. 空穴 3. PN 结形成 空 （ 构成。 A. 子 空穴 B. 离子 受 离子 C. 离子 子 D. 受 离子 空穴 4. 管 管 为（ 。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5. 在PN 结 扩散 漂移 当PN 结 扩 散 漂移 。 A. 小 大 B. 大 小 C. 大 大 D. 小 小 6. 中多 子 要取决 （ 。 A. B. 掺 工艺 C. 掺 D. 晶 缺陷 7. 当 管 分别（ 。 A. 左移 下移 B. 右移 上移 C. 左移 上移 D. 右移 下移 8. 管 端 为U 管 为（ 。 A. U I e S B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I 9. 下 中 管 为（ 。 A B C D 10. 在25ºC 管 死 U t h ≈0.5V I S ≈0.1pA 在35ºC 下 ：（ 。 A U th ≈0.525V I S ≈0.05pA B U th ≈0.525V I S ≈0.2pA C U th ≈0.475V I S ≈0.05pA D U th ≈0.475V I S ≈0.2pA 11. 管工 应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < IZ 且 > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 12. 管 管 端 大 （ 。 晶体二极管复习题 一、填空题： 1、晶体二极管加时导通,加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。 2、所谓半导体是指。半导体中存在两种载流子：和。 ３、的半导体称为本征半导体。 ４、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子, 为少数载流子。 5、N型半导体又称为半导体,其内部为多数载流子，为少数载流子。 ６、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和Ｎ型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结,ＰN 结具有性。 7、加在二极管两端的和间的关系称为二极管的伏安特性,二极管的伏安特性曲线是的(填“线性”或“非线性”）。 8、二极管的门坎电压:硅：，锗:。 9、二极管的导通电压：硅: ,锗：。 1０、当二极管的正向电压小于门坎电压时,二极管处于状态。 11、当二极管的反向电压小于反向击穿电压时，反向电流很小,它不随反向电压而变化，称为。 12、用万用电表测试二极管时，将万用表拨到挡,一般用挡。用红黑表笔分别接二极管的两端测试一次，再将红黑表对调再测试一次，若两次测得的值都很大,则表明；若两次测得的值都很小,则表明；若一次大一次小,则表明，其中电阻较小的那一次黑表笔所接的为二极管的极。 １34、画电路图符号:整流二极管：,稳压二极管：,发光二极管:,光敏二极管:。 1４、二极管的型号中：第二部分所表示的意义：A：，Ｂ: ， Ｃ：,D：；第三部分所表示的意义：P: ,W: ,Ｚ: 。 二、选择题: 1、如果二极管的阳极电位为1.５Ｖ，阴极的电位为0.８Ｖ,二极管将会（)。 Ａ导通ﻩﻩB截止ﻩﻩﻩＣ烧坏二极管ﻩＤ无法确定 2、晶体二极管的阳极电位是—7V,阴极电位是—5V,该晶体二极管处于（）。 A正偏ﻩﻩﻩB反偏ﻩﻩＣ零偏ﻩﻩD无法确定 ３、半导体二极管加正向电压时，( ) 二极管、三极管部分----习题 模拟电子技术部分习题及答案 ——直流稳压电源项目 一、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 一、熟悉概念与规律 1．半导体 2．P型半导体 3．N型半导体 4．PN结 5．单向导电性 6．整流二极管 7．稳压二极管 8．发光二极管 9．开关特性 10．三极管 11．三极管的饱合特性 12．三极管的截止特性 13．三极管的放大特性 二、理解与计算题 1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变 小。 2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B——7.5V）。 8V；B、7.5V；C、15.5V 4．稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD 正向压降0.7V，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少？R电阻的作用。 答：DW和VD 不导通，V0 为5.3V，R电阻的作用是分压限流。 5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C 灯都相同，试问哪个灯最亮？（） 6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。 8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二 半导体二极管 练习题1 一、单选题(每题1分) 1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿ 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 2. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 3. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 4. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩 散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 7. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 8. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） 。 A. U I e S B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I 9. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 10. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。 A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pA B U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pA C U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pA D U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA 11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 12. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通 状态。 习题 半导体二极管习题 一、选择判断题 1、二极管加正向电压时，其正向是由（）。 A：多数载流子扩散形成 B：多数载流子漂移形成 C：少数载流子漂移形成 2、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。 A：其反向电流增大B：其反向电流减小C：其反向电流基本不变 3、二极管反偏时，以下说法正确的是（） A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流； B、在达到死区电压之前，反向电流很小； C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。 4、所示电路，二极管导通时压降为0.7V， 反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。 A、VD导通，UAO=5.3V； B、VD导 通，UAO=－5.3V；C、VD导通，UAO=－6V； D、VD导通，UAO=6V； E、VD截止，UAO=－9V。 5、稳压二极管是利用PN结的（）。 A：单向导电性B：反向击穿性C：电容特性 6、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。 A：正向运用 B：反向运用 二、如图所示的电路图中，E=5V，u i=10sinωtV，二极管的正向压降 可忽略不计，试画出输出电压u o的波形。 三、如图所示的电路图中，E=5V，u i=10sinωtV， 二极管的正向压降可忽略不计，试画出输 出电压u o的波形。 四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可 忽略不计，试画出输出电压的波形。 五、如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位V Y及各元件（R，D A，D B）中通过的电流；（1）V A=V B=0V；（2）V A=+3V，V B=0V； 六、如图所示电路中，试求下列几种情况下输出端电位V Y及各元件中 通过的电流：（1）V A=+10V，V B=0V； （2）V A=+6V，V B=+5.8V； 七、某二极管的伏安特性如图 (a)所示： ①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压，见图 (b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少？ ②如将图 (b)中的1.5V电压改为3V，则二极管的电流和电压各为多少？ 提示：可用图解法。 二级管电路习题选 1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。 （a）12V （b）-9V （c）-3V 2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。 （a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通 （c）D1、D3截止，D2导通 题1.1图题1.2图 3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。 （a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通 题1.3图题1.4图 4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。（a）3V （b）5V （c）2V 5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。 （a）5V （b）17V （c）7V （a）(b) 题1.5图 6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ). （a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 题1.6图题1.7图 7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。（a）3V （b）0V （c）－12V 8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。 (1) (2) 9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。 （a）12V （b）6V （c）18V 10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。则电压U0等于（）。 （a）3V （b）15V （c）－3V 11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。 （a）12V （b）20V （c）6V 12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（a ）。 （a）发射极（b）集电极（c）基极 13晶体管的工作特点是（ a ）。 一、（a）输入电流控制输出电流（b）输入电流控制输出电压选 择题 1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（） A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定 2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定 3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。 A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 4、已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。 A、NPN型，放大状态 B、PNP型，截止状态 C、NPN型，饱和状态 D、PNP型，放大状态 5.已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V，则 6V所对应的电极为（）。§2.2 晶体二极管习题2与答案---2018-4-18
§2.2 晶体二极管习题1与答案---2018-4-16
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