RC缓冲电路的优化设计

sic-mosfet开关模块rc缓冲吸收电路的参数优化设计

sic-mosfet开关模块rc缓冲吸收电路的参
数优化设计
Sic-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计需要考虑以下几个方面：
1. 选择合适的RC参数：
RC缓冲电路由电阻和电容组成，其作用是在开关过程中平滑电压和电流，提高开关的稳定性。

在选择RC参数时，需要考虑负载特性、工作频率、电源电压等因素，以确保电路的稳定性和可靠性。

2. 考虑电源和负载的匹配：
RC缓冲电路的参数设计还需要考虑电源和负载的匹配，确保电路能够适应不同的工作条件。

在参数设计时，需要根据负载的特性和工作频率选择合适的电容和电阻值，以达到最佳的匹配效果。

3. 注意电路结构的布局：
在设计RC缓冲电路时，需要注意电路结构的布局，避免干扰和噪声的影响。

合理的布局可以减少电路中的损耗和干扰，提高电路的稳定性和可靠性。

总之，RC缓冲吸收电路的参数优化设计是一个全面考虑负载特性、电源电压、工作频率等多种因素的过程，需要综合考虑不同因素，以达到最优的设计效果。

用于功率开关的电阻-电容(RC)缓冲电路设计

用于功率开关的电阻-电容（RC）缓冲电路设计文章出处：电子产品世界发布时间：2015/10/09 | 96 次阅读功率开关是所有功率转换器的核心组件。

功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。

若要提升功率转换器开关电路的性能，可在功率开关上部署缓冲器，抑制电压尖峰，并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。

正确设计缓冲器可提升可靠性和效率，并降低EMI。

在各种不同类型的缓冲器中，电阻电容(RC)缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。

本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。

此外还提供一些实用小技巧，助您实现最优缓冲器设计。

图1：四种基本的功率开关电路有多种不同的拓扑用于功率转换器、电机驱动器和电灯镇流器中。

图1显示四种基本的功率开关电路。

在所有四种基本电路中——事实上在大部分功率开关电路中——蓝线以内表示的是同样的开关二极管电感网络。

该网络在所有这些电路中均具有相同的特性。

因此，可利用图2中的简化电路进行开关瞬变时针对功率开关的开关性能分析。

由于开关瞬变期间，电感电流几乎不变，因此采用电流源代替电感，如图所示。

该电路的理想电压和电流开关波形同样如图2所示。

图2 简化的功率开关电路及其理想开关波形MOSFET开关关断时，它两端的电压将上升。

然而，电流IL将继续流过MOSFET，直到开关电压到达Vol。

二极管导通后，电流IL开始下降。

MOSFET 开关导通时，情况相反，如图所示。

这类开关称为“硬开关”。

开关瞬变期间，必须同时支持最大电压和最大电流。

因此，这种“硬开关”会使MOSFET开关承受高电压应力。

图3 MOSFET开关关断瞬变时的电压过冲在实际电路中，开关应力要高得多，因为存在寄生电感(Lp)和寄生电容(Cp)，如图4所示。

由于PCB布局与走线，Cp包含开关输出电容和杂散电容。

Lp包含PCB路由寄生电感和MOSFET引线电感。

这些来自功率器件的寄生电感和电容组成滤波器，并在关断瞬变发生后立即产生谐振，从而将过量电压振铃叠加到器件上，如图3所示。

开关电源中RC缓冲电路的设计

开关电源中RC缓冲电路的设计
O 引言
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。

如果尖峰电压过高，就会损坏开关管。

同时，振荡的存在也会使输出纹波增大。

为了降低关断损耗和尖峰电压，需要在开关管两端并联缓冲电路以改善电路的性能。

缓冲电路的主要作用有：一是减少导通或关断损耗；二是降低电压或电流尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。

由于MOSFET管的电流下降速度很快，所以它的关断损耗很小。

虽然MOSFET管依然使用关断缓冲电路，但它的作用不是减少关断损耗，而是降低变压器漏感尖峰电压。

本文主要针对MOSFET管的关断缓冲电路来进行讨论。

1 RC缓冲电路设计
在设计RC缓冲电路时，必须熟悉主电路所采用的拓扑结构情况。

图l所示是由RC组成的正激变换器的缓冲电路。

图中，当Q关断时，集电极电压开始上升到2Vdc，而电容C限制了集电极电压的上升速度，同时减小了上升电压和下降电流的重叠，从而减低了开关管Q的损耗。

而在下次开关关断之前，C必须将已经充满的电压2Vdc放完，放电路径为C、Q、R。

电压关断型缓冲器(RCD Snubber)的基本类型及其工作原理

本文较深入地讨论了两种常用模式的RCD Snubber电路：抑制电压上升率模式与电压钳位模式，详细分析了其各自的工作原理，给出了相应的计算公式，最后通过实验提出了电路的优化设计方法。

RCD Snubber电路的基本类型及其工作原理RCD Snubber是一种能耗式电压关断型缓冲器，分为抑制电压上升率模式和电压钳位模式两种类型，习惯上前者称为RCD Snubber电路，而后者则称为RCD Clamp电路。

为了分析方便，以下的分析或举例均针对反激电路拓扑，开关器件为功率MOSFET。

图1 常用的RCD Snubber电路抑制电压上升率模式对于功率MOSFET来讲，其电流下降的速度较GTR或IGBT快得多，其关断损耗的数值要比GTR或IGBT小，但是这个损耗对整个小功率的电源系统也是不容忽视的。

因此提出了抑制电压上升率的RCD Snubber。

如图1所示，在开关管关断瞬间，反激变压器的漏感电流需要按原初始方向继续流动，该电流将分成两路：一路在逐渐关断的开关管继续流动;另一路通过Snubber电路的二极管Ds向电容Cs充电。

由于Cs上的电压不能突变，因而降低了开关管关断电压上升的速率，并把开关管的关断功率损耗转移到了Snubber电路。

如果Cs足够大，开关管电压的上升及其电流的下降所形成的交叉区域将会进一步降低，可以进一步降低开关管的关断损耗。

但是Cs的取值也不能过大，因为在每一个关断期间的起始点(也就是开通期间的结束点)，Cs必须放尽电荷以对电压上升率进行有效的抑制;而在关断期间的结束点，Cs虽然能降低开关管电压的上升时间，但其端电压最终会达到()(为忽略漏感时的电压尖峰，为次级对初级的反射电压)。

关管导通的瞬间，Cs将通过电阻Rs与M所形成的回路来放电。

Snubber的放电电流将流过开关管，会产生电流突波，并且如果某个时刻占空比变窄，电容将不能放尽电荷而不能达到降低关断损耗的目的。

可见，Snubber电路仅在开关过渡瞬间工作，降低了开关管的损耗，提高了电路的可靠性，电压上升率的减慢也降低了高频电磁干扰。

高频电源模块缓冲电路优化探讨

高频电源模块缓冲电路优化探讨
1 副边整流的反向复原过程
事实上已导通的二极管在骤然加上反向的一段时光内，下降到零以后，它并不立即停止导通，还处于反向低阻状态。

此时在反向电压作用下，载流子进入复合过程，于是在反方向继续流过电流；当载流子复合完毕，反向电流才快速衰减到零。

这个阶段就是二极管的反向复原过程，1所示。

在反向电流衰减过程中，产生剧烈的过渡过程，它在关断元件两端产生极高的过电压，即换流过电压；另外，因电流衰减时在关断元件上同时存在电流与电压，在元件中瞬时产生极大的功率，即所谓关断功率。

二极管振荡的等效电路2所示。

图中，Lk为的漏感，Lp为二极管的串联寄生，Cp为二极管的并联寄生，VD为抱负二极管。

当副边电压为零时，在全桥整流器中四个二极管所有导通，输出滤波电感电流处于自然续流状态。

而当副边电压变幻为高电压U2时，整流桥中有两只二极管要关断，两只二极管继续导通。

这时变压器的漏感和整流管的串联寄生电感Lp就开头与整流管的并联寄生电容Cp之间产生寄生振荡。

二极管电流与电压波形呈指数衰减的高频振荡波形，在二极管关断眨眼会产生很高反向电压浪涌。

它的存在不但增强了二极管的功耗，而且也对输出电能质量产生很大影响。

特殊是在大功率应用中，巨大的电压尖峰很有可能造成二极管的过压击穿。

因此在设计中应予以特殊关注。

2 减小电压尖峰的对策
整流二极管的反向复原时光除由器件本身的性能打算外，还受许多电路因素的影响。

包括其导通时流过的正向电流的大小、正向电流的下降速率、反向电压的大小以及反向电压的升高速率等。

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RC缓冲电路snubber设计原理教学内容

R C缓冲电路s n u b b e r设计原理RC缓冲电路snubber设计原理RC 缓冲 snubber 设计Snubber 用在开关之间，图 4 显示了 RC snubber 的结构图，用 RC 电路可以降低管子的峰值电压及关断损耗和降低电流振铃现象。

我们可以轻松选择一个snubber Rs ， Cs 网络，但是我们需要优化设计以达到更好的缓冲效果快速 snubber 设计，为了达到 Cs 〉 Cp ，一个比较好的选择是 Cs 选择两倍大小的 Cp ，也就是两倍大小的开关管寄生电容及估算出来的 LAYOUT 布板电容，对于 Rs ，我们选择的标准是 Rs=Eo/Io ，这表示通过电流流向 Rs 的所产生的电压不能比输出电压还大。

消耗在 Rs 上的电压大小我们可以通过储存在Cs 上的能量来估计。

下式表示了储存在电容上的能量。

当电容 Cs 充放电的过程中，能量在电阻 Rs 上消耗，而这个过程中在一个给定的开关频率下平均的功率损耗如下所得：因为振铃的发生，实际的功耗比上式要稍微大一些。

如下将用实例来演示一遍以上的简化设计步骤，现在用 IRF740 ，额定工作电流时 Io=5A ， Eo=160V ， IRF740 的 Coss=170pF ，布板寄生电容大概40pF ，两倍 Cp 值大概 420pF 左右，我们选择一个 500V 的 mike snubber 电容，标准的容值有 390 和 470pF ，我们选择比价接近的 390pF ，Rs=Eo/Io=32W ，开关频率 fs 设为 100kHz 的话， Pdiss 大概为 1W 左右，选择一个寄生电感非常小的 2 W 的碳膜电阻作为 Rs 。

如果这种简化而实际有效的设计方法还不能有效减小峰值电压，那么我们可以增加 Cs ，或则使用如下的优化设计方法。

优化的 RC 滤波器设计在一些情况下必须降低峰值电压及功率损耗很严重，我们可以借鉴以下的优化snubber 设计方法，以下是 W.McMurray 博士在一篇文章提出的经典的Rcsnubber 优化设计方法，如下讨论其精粹的设计步骤。

RC缓冲电路snubber设计基本知识

RC缓冲电路snubber设计原理RC 缓冲snubber 设计Snubber 用在开关之间，图4 显示了RC snubber 的结构图，用RC 电路可以降低管子的峰值电压及关断损耗和降低电流振铃现象。

我们可以轻松选择一个snubber Rs ，Cs 网络，但是我们需要优化设计以达到更好的缓冲效果快速snubber 设计，为了达到Cs 〉Cp ，一个比较好的选择是Cs 选择两倍大小的Cp ，也就是两倍大小的开关管寄生电容及估算出来的LAYOUT 布板电容，对于Rs ，我们选择的标准是Rs=Eo/Io ，这表示通过电流流向Rs 的所产生的电压不能比输出电压还大。

消耗在Rs 上的电压大小我们可以通过储存在Cs 上的能量来估计。

下式表示了储存在电容上的能量。

当电容Cs 充放电的过程中，能量在电阻Rs 上消耗，而这个过程中在一个给定的开关频率下平均的功率损耗如下所得：因为振铃的发生，实际的功耗比上式要稍微大一些。

如下将用实例来演示一遍以上的简化设计步骤，现在用IRF740 ，额定工作电流时Io=5A ，Eo=160V ，IRF740 的Coss=170pF ，布板寄生电容大概40pF ，两倍Cp 值大概420pF 左右，我们选择一个500V 的mike snubber 电容，标准的容值有390 和470pF ，我们选择比价接近的390pF ，Rs=Eo/Io=32W ，开关频率fs 设为100kHz 的话，Pdiss 大概为1W 左右，选择一个寄生电感非常小的2 W 的碳膜电阻作为Rs 。

如果这种简化而实际有效的设计方法还不能有效减小峰值电压，那么我们可以增加Cs ，或则使用如下的优化设计方法。

优化的RC 滤波器设计在一些情况下必须降低峰值电压及功率损耗很严重，我们可以借鉴以下的优化snubber 设计方法，以下是W.McMurray 博士在一篇文章提出的经典的Rcsnubber 优化设计方法，如下讨论其精粹的设计步骤。

Q128-电源优化设计资料-RC吸收设计

C越大，会带来越大的损耗，而且当R阻尼不够时，反而会引起严重震荡。

但是C太小，吸收尖峰的能力却不够。

我翻遍了网上的文章，基本确定方式，就是你上面所说的，测量加计算，再调试的办法。

是个折中的选择。

比较通用简单的设计办法是：在没有加吸收之前，测试震荡频率，假如频率是f,那么开始并电容，并了电容震荡频率自然下降，那么并多少电容呢？并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半，就是0.5f。

这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数，电感L。

最后取R=（L/C）开根号。

关于RC是否能提升效率，我以前也认为不行，但偶尔有次看了一篇论文，说RC能提高效率。

为此，专门找了台电源，做实验，在使用了很多RC参数发现，在某些RC参数下，电源效率确实提高了一丁点。

反复实验，证实了这一点，但这参数，并不和上面的方法确定的参数完全吻合。

我實際上遇到的狀況供大家參考1. 變壓器設計太爛時,漏感太大,再重的Snubber都收不了2. Snubber提高效率只針對輕載或空載,畢竟那麼小的東西所佔比例有限3. 收掉Diode上振鈴是一回事, EMI Radiation又是另一回事,有一次R=10 ~22 ohm在振鈴上差異不大,因為Diode耐壓很足,心想算了隨便放吧,後來EMI Radiation發現22 ohm效果比我使用10 ohm再串Bead Core好多了给你个我这边的测试波形1，个人认为效率不是绝对的。

我刚开始进入电源这个行业的时候，最在乎的就是效率这个指标了。

但时间长了，对效率开始变得比较迟钝了。

我觉得要从电源的整体指标去看了。

电磁兼容、稳定与可靠更重要。

特别是对小功率电源来说，效率似乎更不是那么重要。

2，次级整流二极管的损耗主要体现在两个方面，一是导通损耗，二是反向恢复。

从导通损耗的角度来看，耐压比较低的二极管，导通压降也比较低。

也就是说，选择二极管的时候，耐压在保证够用的情况下，不要选的过高。

另外，PN结随着温度上升，压降会降低，那么是不是意味着，在保证二极管结温安全的前提下，不妨让结温维持在比较高的温度，散热不要做的过分的好？二极管开关时，反向电流有两个来源，一是结电容电流，二是反向恢复电流。

SiC-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计

总第470期2021年第2期Control and Information Technology61SiC-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计施洪亮，罗德伟，王佳佳，谭渺，杨奎，周帅，饶沛南(株洲中车时代电气股份有限公司，湖南株洲412001)摘要：针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题，文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。

该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路，通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。

仿真和实验结果表明，采用该方法能够针对SiC-MOSFET开关模块关断尖峰电压和缓冲吸收电路总损耗快速设计出满足要求的电路参数，使关断尖峰电压和缓冲吸收电路损耗处于系统优化的最佳区间。

关键词：SiC;RC缓冲吸收；双脉冲；寄生参数；电压尖峰；优化设计中图分类号：TN35文献标识码：A文章编号：2096-5427(2021)02-0061-06doi:10.13889/j.issn.2096-5427.2021.02.010Optimized Parameter Design of RC Snubber Circuit forSiC-MOSFET ModuleSHI Hongliang,LUO Dewei,WANG Jiajia,TAN Miao,YANG Kui,ZHOU Shuai,RAO Peinan(Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd.,Zhuzhou,Hunan412001,China)Abstract:This paper proposes a fast optimization design method for RC snubber circuit parameters in order to solve the high switching voltage spikes of SiC while high switching and difficulties in snubber circuit parameters.This method is based on the circuit analysis model of double-pulse circuit including parasitic parameters.Different snubber parameter curves are used to determine the optimal interval of circuit parameters and select the best snubber parameters.The simulation and experimental results show that the method can quickly optimize the design of the circuit parameters that meet the requirements for the turn-off voltage spike of SiC switching devices and the total loss of the snubber circuit,and the spike voltage and the loss of the snubber circuits are in the optimal range for system optimization.Keywords:SiC;RC snubber;double pulse;parasitic parameters;spike voltage;optimal design0引言SiOMOSFET开关模块（简称“SiC模块”）由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。

rc缓冲电路的优化设计

rc缓冲电路的优化设计
本文旨在介绍如何对RC缓冲电路进行优化设计。

RC缓冲电路是一种常见的电路，用于平滑电源信号或滤除高频噪声。

优化设计可以提高电路的性能和稳定性，降低成本和功耗。

首先，选择合适的电容和电阻。

电容的选择应考虑频率响应和电容值。

在高频应用中，应选择低ESR电容；在低频应用中，应选择高容值电容。

电阻的选择应考虑电路的工作电压和功率。

一般情况下，应选择耐压和功率足够的电阻。

其次，优化电路布局。

应将电容和电阻紧密地布置在一起，以减少电路的电感和电阻。

应将电路放置在离其他干扰源较远的位置，以避免干扰。

还应注意地面和供电线路的设计，以保证信号的良好接地和稳定供电。

最后，考虑使用更高级的技术，如无源滤波器和有源滤波器，以提高RC缓冲电路的性能和稳定性。

无源滤波器使用电容和电感来滤除噪声，而有源滤波器则使用运放等器件来放大和滤除噪声。

通过以上优化设计，可以使RC缓冲电路更加稳定、性能更佳，同时降低成本和功耗，提高电路的可靠性和使用寿命。

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rc缓冲电路和rcd缓冲电路工作原理

rc缓冲电路和rcd缓冲电路工作原理
RC缓冲电路和RCd缓冲电路是电子工程中常用的两种缓冲电路，它们在电路中起到重要的作用。

首先，我们来探讨RC缓冲电路的工作原理。

RC缓冲电路由电阻（R）和电容（C）组成，通常被用于吸收和阻尼电路中的瞬态能量，以减少电路中的电压或电流冲击。

其工作原理基于RC电路的充放电特性。

当输入信号发生变化时，电容通过电阻进行充电或放电，从而减小了信号的幅度。

这个过程可以减小信号中的高频分量，使信号变得较为平滑。

在某些情况下，RC缓冲电路也用于改变信号的相位。

接下来，我们来看看RCd缓冲电路的工作原理。

RCd缓冲电路是在RC电路的基础上增加了二极管（d）。

二极管的加入使得电路在特定情况下能够更好地吸收和阻尼瞬态能量。

当输入信号的电压超过二极管的阈值电压时，二极管会导通，此时电容可以通过二极管进行充电或放电。

由于二极管的单向导电性，RCd缓冲电路在处理负向信号时具有更好的效果。

同时，二极管可以提供一定的反向隔离，进一步减小了信号的幅度。

这两种缓冲电路在电子设备和系统中有着广泛的应用，如音频处理、电源供应、传感器信号调理等。

通过合理地选择电阻、电容和二极管的参数，可以满足不同的应用需求。

同时，也需要注意RC和RCd缓冲电路可能带来的相位滞后和频率选择性等问题。

总的来说，RC和RCd缓冲电路通过电阻、电容和二极管的协同工作，
有效地吸收和阻尼了电路中的瞬态能量，提高了电子设备和系统的稳定性和可靠性。

RC缓冲电路snubber设计原理

RC缓冲电路snubber设计原理RC 缓冲 snubber 设计Snubber 用在开关之间，图 4 显示了 RC snubber 的结构图，用 RC 电路可以降低管子的峰值电压及关断损耗和降低电流振铃现象。

我们可以轻松选择一个snubber Rs ， Cs 网络，但是我们需要优化设计以达到更好的缓冲效果快速 snubber 设计，为了达到 Cs 〉 Cp ，一个比较好的选择是 Cs 选择两倍大小的 Cp ，也就是两倍大小的开关管寄生电容及估算出来的 LAYOUT 布板电容，对于 Rs ，我们选择的标准是 Rs=Eo/Io ，这表示通过电流流向 Rs 的所产生的电压不能比输出电压还大。

消耗在 Rs 上的电压大小我们可以通过储存在Cs 上的能量来估计。

下式表示了储存在电容上的能量。

当电容 Cs 充放电的过程中，能量在电阻 Rs 上消耗，而这个过程中在一个给定的开关频率下平均的功率损耗如下所得：因为振铃的发生，实际的功耗比上式要稍微大一些。

如下将用实例来演示一遍以上的简化设计步骤，现在用 IRF740 ，额定工作电流时 Io=5A ， Eo=160V ， IRF740 的 Coss=170pF ，布板寄生电容大概 40pF ，两倍 Cp 值大概 420pF 左右，我们选择一个 500V 的 mike snubber 电容，标准的容值有 390 和 470pF ，我们选择比价接近的 390pF ， Rs=Eo/Io=32W ，开关频率 fs 设为 100kHz 的话， Pdiss 大概为 1W 左右，选择一个寄生电感非常小的 2 W 的碳膜电阻作为 Rs 。

如果这种简化而实际有效的设计方法还不能有效减小峰值电压，那么我们可以增加 Cs ，或则使用如下的优化设计方法。

优化的 RC 滤波器设计在一些情况下必须降低峰值电压及功率损耗很严重，我们可以借鉴以下的优化snubber 设计方法，以下是 W.McMurray 博士在一篇文章提出的经典的Rcsnubber 优化设计方法，如下讨论其精粹的设计步骤。

RC缓冲电路的优化设计

RC缓冲电路的优化设计RC缓冲电路的优化设计【摘要】电子电路中对RC缓冲电路进行设计是一个很有挑战性的课题。

对RC缓冲电路的深入认识与理解是进行优化设计的基础，在设计过程中，对于参数的选择也是需要相当谨慎的。

只有在此基础上，才能够展开对缓冲电路的优化设计。

在设计的过程中，在关键的时刻，也要抓住时机采取紧要措施。

在一定的实验条件下，采取特定的行动，也是优化设计得以实现地保证。

在电子工程设计的过程中，抓住要关键地抓住这几点，才可以很好地解决缓冲电路的优化设计这一关键性问题。

【关键词】RC缓冲电路;参数选择;电路设计引言随着现代电子工程技术地不断发展，对RC缓冲电路的优化设计这一需求越来越迫切。

T同时，在设计的过程中，对设计师的才能也表现出了极大的考验。

因为设计者不仅要考虑到施工时的可行性问题以及安全性问题，还要考虑到该设计所带来的利润。

因此，一个良好的电路优化设计，不仅是对设计师的才能肯定，更是对企业的正常生产产生特别重要的影响。

企业决策者通过正确合理地选择使用电路采用高质量的设计电路，不仅可以确保企业进行安全生产，并给企业带来丰厚的利润。

1.RC缓冲电路概述对于我们该怎么优化设计缓冲电路的问题，分析并利用电路中的电流特性这种方法可以派上用场。

我们知道，在电流通过电路的过程中，电路会发生一定地反应，在此反应中，电流的相关特性就会表现出来。

我们可以根据这些特性来进行设计。

我们可以在电容电压保持不变的基础上，对电压的变化进行控制。

我们知道，在实验过程中，电感的电流是不会突变的，我们可以据此控制电流变化。

在实验的过程中，我们每次把开关断开时，电流是不可以发生突变的，积蓄电感中的能量对开关的寄生电容充电的同时，也会合理地通过吸收电阻对吸收电容充电。

我们知道，只要有电阻存在，就会有阻抗。

电阻越大，相应的阻抗也就越大。

吸收电阻越大，总的阻抗也就变得越大。

就在开关闭合的那一刹那，吸收电容马上就开始通过回路来进行放电。

开关电源中RC缓冲电路的设计

此时Ｑ端电压下降到Ｖｃ图２示是开关管集两ｄ。所
电极电流和电压波形。可见，开关管不带缓冲电路时，在Ｑ断时，其两端的漏感电压尖峰很大，关产生的关断损耗也很大，严重时很可能会烧坏开
１Ｒ缓冲电路设计Ｃ
缓冲电路的主要作用有：一是减少导通或关
图ｌＲＣ正激变换器的缓冲器结构
假设开关管没带缓冲电路．图１示的正激所变换器的复位绕组和初级绕组匝数相同。这样，
断损耗：二是降低电压或电流尖峰：三是降低
ｄ／ｔＩｔ由于ＭＯＦＴ的电流下降速度很Ｖｄ或ｄ／。ｄＳＥ管快，所以它的关断损耗很小。虽然ＭＯＦＴ依ＳＥ管然使用关断缓冲电路。但它的作用不是减少关断
当Ｑ断瞬间．储存在励磁电感和漏感中的能量关
…
…
一
ｖｄｃ
ｖ。Ｑｃ（）
…
…
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０Ｖ
图２无缓冲器时的集电极电流和电压波形
４０
电子元器件焘硐２１．００６
．ｃａｎｅｄ．ｃ
第２０第６１卷年月２期０６１
撬褥
Ｖ１ｏ０１Ｎ．．６２
低变压器的漏感和尖峰电压。
，
关键字：Ｒ缓冲电路；尖峰电压；开关电源Ｃ
Ｏ引言
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时。电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感

RC缓冲电路的优化设计

根据以下断路器单极合闸时间图例，我们可以简单了解调整电磁铁对断路器时间的影响：
．Ｍ一断【 ‘＼
姒叫＾ＩＬｌＩ
ｔ（ｍ
：
’Ｌ～一
一ｔ·
Ｉ＿－—舍闸电磁铁启动时间
ｒＩ－—台闸电磁铁打开时间
卜——合闸电磁铁动作时间
，．－—前助开关切换动作时间
ｔ．——惭路器合闸动作时间，．——舍闸电磁铁受电时同
＜电气开关＞（２００８．Ｎｏ．５）
５１
文章编号：１００４—２８９Ｘ（２００８）０５—００５１一０３
ＲＣ缓冲电路的优化设计
。
杨凤彪１，杨怡君２．闫英敏１，赵霞１
（１．军械工程学院，石家庄０５０００３；２．河北工程大学，邯郸０５６０００）
摘要：在电力电子电路中，缓冲电路的设计是一个关键性问题，往往缓冲电路性能的好坏直接影响到系统的品质。缓冲电路就其拓扑机构来说有很多种，在结构上的复杂程度也不一样，主要对应用最多的ＲＣ缓冲电路的设
关于缓冲电路的拓扑结构有许多种，但是应用最多的是ＲＣ钳位缓冲电路和ＲＣＤ关断缓冲电路。本
文主要对ＲＣ缓冲电路的设计进行讨论。
２ＲＣ缓存电路设计
利用电路的交流特性进行缓冲电路的最优化设计。首先需要确定电路的杂散电感，然而杂散电感是特定电路布局固有的特性，通常是不容易计算出来的。我们用测量的方法来确定杂散电感的大小。在没有加任何缓冲器的时候，用示波器观察开关管关断时的一个振荡周期，记为Ｔ。；接着在开关管两端并联一个容
３计算实例
笔者在进行大功率直流电源课题的研究工作中，进行了ＲＣ缓存电路的设计，主电路结构采用半桥结构。电路参数如下：电路的开关频率为１５ｋＨｚ，功率开关管关断时承受的电压屹＝３００Ｖ，导通时间为２０归，电流为１ｌＡ，在没有接任何缓存电路的时候对功率开关管进行测试，用示波器观察到的图形如图１所示，可以看出正＝０．４２１．ｔｓ，在开关管两端并联了一个４．７ｎＦ的电容后进行观测，波形图如图２所示。

反激电路RCD缓冲电路参数设计分析

反激电路RCD缓冲电路参数设计分析 RCD构成的钳位电路在开关变换器中运⽤⼴泛，RCD参数设计对于变换器性能尤其重要。

下⾯以反激变换器为例，介绍下RCD参数定性分析和定量设计，欢迎⼤家讨论。

1、电路拓扑2、定性分析开关VS关断时，变压器漏感上的能量转移到电容C上，电容C电压开始上升。

当电容电压⼤于副边反射电压减去⼆极管导通电压的值时，⼆极管D截⾄，电容C开始给电阻R放电。

开关VS导通过程中，电容C不⼀定放电到零。

开关关断时，电容C充电⼯作情况开关关断，⼆极管截⽌，电容C放电⼯作情况开关导通，电容C放电⼯作情况（⼆极管⾃然截⽌）当C较⼤时，RC时间常数较⼤，电容C上，电压上升缓慢。

当C特别⼤，电容C峰值电压⼩于副边反射电压，电容C上电压在副边反射电压附近波动，并与电阻R形成死负载。

当R，C值合适时，开关VS从关断到开通瞬间，电容C放电接近（N1/N2）*U o 当R，C值较⼩时，RC时间常数较⼩，在开关VS从关断到开通瞬间之间，电容C电压已经放电⾄（N1/N2）*U o，并停留在此电压处，这时，电阻R形成死负载，降低了效率。

3、定量计算根据开关截⽌时，漏感能量等于电容C吸收的能量，则其中： L1k为原边漏感， I1p为原边电流峰值 U DS为开关关断所能承受的最⼤漏源电压 U i为输⼊电压有效值 U reset为电容C的初始电压⼀般情况，当电容C的初始电压为0时，电容C的计算公式化简为右边的计算式⼦。

疑问：求电容C的关键是求L k，那么如何求得漏感L k呢？根据在VS开通前，电容C上电压放电不能低于（N1/N2）*U o，则其中：T OFF为开关管关断时间 T为开关管单周期时间注意： Uds为开关漏源能承受的电压的最⼤值⽽不是实际变换器的漏源电压值，在这⾥实际计算时，是假设为常数的。

4、参考⽂献【1】张兰红，陈道炼.反激变换器开关应⼒抑制技术研究[J].电⼒电⼦技术，2002，36(2)：29-31.【2】刘国伟，董纪清.反激变换器中RCD箝位电路的研究[J].电⼯电⽓，2001，20-23.。