MRF系列产品介绍
苏梅价格表
MRB65C/2P/6A
MRB65C/2P/10A
MRB65C/2P/16A
MRB65C/2P/20A
MRB65C/2P/25A
MRB65C/2P/32A
MRB65C/2P/40A
MRB65（C） 照明型断路
器
MRB65C/2P/50A MRB65C/2P/63A MRB65C/3P/1A MRB65C/3P/3A
16A
只
27.3
108
20A 25A 32A
电流规格
40A 50A 63A 1A 3A 6A
只 只 只
单位
只 只 只 只 只 只
27.3 30.4 30.4 出厂价 （元） 35.7 40.9 47.2 102.9 102.9 78.7
108 108 108 装箱数
（每箱9盒 每盒12
108 108 108 54 54 54
36
108
54
108 108 54 54 36 36 27 每盒16只 每盒16只 每盒9只 每盒16只 40（装箱数） 40（装箱数）
产品名称
XMR豪华型照 明配电箱
产品型号 6回路/明装 6回路/暗装 8回路/明装 8回路/暗装 12回路/明装 12回路/暗装 16回路/明装 16回路/暗装 18回路/明装 18回路/暗装 24回路/明装 24回路/暗装 32回路/明装 32回路/暗装
单位
只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只 只
出厂价 （元） 32.5 32.5 27.3 19.9 19.9 19.9
MRF系列产品介绍
MRF 系列产品介绍（仅其中一部分）型号功能MRF581 5G 0.6WMRF181 800-1G 10WMRF182 1G 30WMRF281 800-2.6G 4WMRF282 2.6G 20WMRF284 800-2.6G 30W 带螺丝座MRF20060 1.7-2.6G 60WMRF9045 9G 45WMRF5003 520M 15WMRF5007 520M 15WMRF1517 520M 15WMRF1507 520M 15WMRF1511 175M 15WMRF1518 175M 15WMRF553 175M 1.5W33P50 520M 1W2SK2595 1G 10WMRF10005960-1215 MHz, 5.0 W, 28 V 微波功率晶体管MRF10031960-1215 MHz, 30 W (Peak), 36 V 微波功率晶体管MRF10120960-1215 MHz,W (Peak), 36 V 微波功率晶体管120MRF101501025-1150 MHz, 150 W (Peak), 50 V 微波功率晶体管MRF103501025-1150 MHz, 350 W (Peak), 50 V 微波功率晶体管MRF105021025-1150 MHz, 500 W (Peak), 50 V 微波功率晶体管MRF134达到400 MHz, 5.0 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF136达到400 MHz, 15 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF141175 MHz, 150 W, 28 V N 宽带射频功率 MOSFETMRF141GMRF148A30 W, 50 V N 宽带射频功率 MOSFETMRF150达到 150 MHz, 150 W, 50 V N 宽带射频功率 MOSFETMRF151175 MHz, 150 W, 50 V N 宽带射频功率 MOSFET MRF151G175 MHz, 300 W, 50 V N 宽带射频功率 MOSFET MRF15480 MHz, 600 W, 50 V N 宽带射频功率 MOSFETMRF157达到 80 MHz, 600 W, 50 V N 宽带射频功率 MOSFETMRF158达到 500 MHz, 2.0 W, 28 V TMOS N 宽带射频功率 FETMRF160500 MHz, 4.0 W, 28 V N 宽带射频功率 MOSFET MRF160061.6 GHz, 6.0 W, 28 V 射频功率晶体管 MRF160301.6 GHz, 30 W, 28 V RF 射频功率晶体管MRF166C500 MHz, 20 W, 28 V N 宽带射频功率 MOSFET MRF166W500 MHz, 40 W, 28 V TMOS N 宽带射频功率 FET MRF171A150 MHz, 45 W, 28 V N 宽带射频功率 MOSFET175 MHz, 300W, 28 V N 宽带射频功率 MOSFET达到 175 MHz,MRF173175 MHz, 80 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF174200 MHz, 125 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF177400 MHz, 100 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF275G100 -500 MHz, 150 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF275L500 MHz, 100 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF42630 MHz, 25 W, 28 V 射频功率晶体管NPN SiMRF587500 MHz, 15 V, NF = 3.0 dB, 高频晶体管MRFIC1818 1.7-1.9G 2WMRF183 1G 45WMRF187 800-960MHz 85WMRF7042 900MHz 45WMRF175 400MHz 200WMRF581 5G 0.6W2SK2596 800-960MHz 1.5WBFG10 25G 0.6VBFG21 18G 4.5V 0.5A 0.6WBFG403 17G 4.5V 16MA 0.3WBFG410 22G 4.5V 12MA 135MWBFG425 25G 4.5V 30MA 135MWBFG450 45G 0.2WBFG540 45G 3V 30MA 35MWBFG541 9G 0.6WBLT81 800-960M 1.2WTP3022 800-960M 15WTDA1576 ICSRF7062 800-960M 150WMHL9236 800-960M 3WMHL7008 800-960M 3WMHL9128 800-960M 3WATF10136 4G 0.4WCMM2308 800-2.7G 1WCMM1330 1.7-1.9G 2WPF0030 860-915M 7W终端负载50 欧5W 3G,18G 驻波小于 1.06高频电阻50 欧100 欧30W 100W 3G型号技术指标数量单价(US$) 型号技术指标数量单价(US$)MRF281 800-2.6G 4W 4K 10 BFG10 25G 0.6W 10K 1MRF282 800-2.6G 10W 4K 15 BFG21 18G 4.5V 0.5A 0.6W 5K 1MRF284 800-2.6G 30W 带螺丝座4K 20 BFG403 17G 4.5V 16MA 0.3W 5K0.5MRF20060 1.7-2.6G 60W 6K 30 BFG410 22G 4.5V 12MA 135MW 5K 0.5MRF181 800-960M 10W 2K 10 BFG425 25G 4.5V 30MA 135MW 4K 0.5 MRF182 1G 30W 500PC 15 BFG450 45G 0.2W 1K 31.7-1.9G 2W 2K 10 BFG540 45G 3V 30MA 135MW 2K 3MRFIC1818MRF187 800-960M 85W 1K 30 BFG541 9G 0.6W 3K 0.5MRF7042 900M 45W 2K 15 BFG198 9G 1W 3K 0.5MRF9045 9G 45W 200PC 30 TP3022 800-960M 15W 4K 6MRF581 5G 0.6W 5K 0.5 TDA1576 IC 2K 2MRF5003 520M 15W 5K 3 SRF7062 800-960M 150W 2K 40MRF5007 520M 15W 5K 5 MHL9236 800-960M 3W 200PC 20MRF1517 520M 15W 2K 5 MHL7008 800-960M 3W 500PC 15MRF1507 520M 15W 2K 5 MHL9128 800-960M 3W 500PC 15MRF1511 175M 15W 2K 5 ATF10136 4G 0.4W 10K 1.5MRF1518 175M 15W 1K 5 CMM2308 800-2.7G 1W 10K 1.5MRF553 175M 1.5W 6K 0.5 CMM1330 1.7-1.9G 2W 5K 2MRF137 225MHz 30W 100PC 20 RF2125 1.5-2.2G 1W 1K 5MRF141 225MHZ 150W 100PC 40 PF0030 860-915M 7W 2K 2MRF151G 175MHz 300W 500PC 100 2SC1971 175MHz 7W 5KMRF154 150MHz 600W 500PC 200 2SC3356 6.5G 0.2W 5K 0.1MRF175G 500MHz 150W 500PC 100 2SC3357 6.5G 2W 5K 0.2MRF6404 1.8-2G 1K 10 2SC2407 500MHz 0.6W 10K 0.2BLT50 500M 1.2W 5K 0.6 2SC1906 1G 150MW 10K 0.05BLT81 400-960M 1.2W 3K 1 BLU98 5G 0.7W 5K 0.52SK2596 800-960M 1.5W 5K 0.5 33P55 800-960MHz 60W 5K 102SK2595 800-960M 10W 10K 3 E626 800-960Mhz 60W 5K 103SK228 1G 高放双栅管5K 0.15 终端负载50 欧5W 3G,18G 驻波小于 1.06 3K 10,100温补晶体12.8MHZ 贴片7x7M 5k 3 高频电阻50 欧100 欧30W 100W 3G 10kMRF9282 2A 7W 手持对讲机/ 长距离无绳电话/ 车载台/ 手机专用功率发射晶体管集成电路ICMC3361 10K 0.1 HT9200 5K 0.2MC33110 5K 0.2 HT9170 5K 0.2MC34119 5K 0.1 93C66 5K 0.1LM386 5K 0.1 24C08 5K 0.2M54958 5K 1.5 EM92547 5K 0.2M64082 5K 0.5 KA4588 5K 0.1TB31202 5K 0.4 KA567 5K 0.1手机功放及常用元件型号技术指标数量单价(US$) 型号技术指标数量单价(US$)MRFIC0913 800-1000MHZ 2W 现货面议AP109 900MHZ 2W 现货面议27E31 900MHZ 2W 现货面议AP119 1800MHZ 2W 现货面议08K38 900MHZ 2W 现货面议4370451 900MHZ 2W 现货面议08K40 900MHZ 2W 现货面议4370453 1800MHZ 2W 现货面议08K07 900MHZ 2W 现货面议TRF6053 900MHZ 2W 现货面议08K11 900MHZ 2W 现货面议TRF2253 频率合成IC 现货面议PF01420B 900MHZ 2W 现货面议13MHZ 温补晶体现货面议PF01412A 1800MHZ 2W 现货面议881-942 声表滤波器现货面议PF01411B 900MHZ 2W 现货面议PF014110B 1800MHZ 2W 现货面议常用元件MRF5711 8G 0.33W 现货面议BFQ67 8G 0.3W 现货面议MRF5811 5G 0.7W 现货面议BFG540 9G 0.4W 现货面议MMBR941 8G 0.25W 现货面议BFR182W 8G 0.3W 现货面议MMBR5031G 0.3W 现货面议BFR91 6G 0.3W 现货面议MMBR901 4G 0.3W 现货面议BU508 现货面议84UD22182EB-9C 现货面议Y759B 现货面议F741529AGHH 现货面议08122B 现货面议TWL3011GGM 现货面议089711747 现货面议LMST 现货面议LS28 现货面议。
甲醇合成塔介绍
来??源：百川资讯更新时间：2011-09-0116:17【打印】【收藏】
关键字：甲醇?合成塔
摘??要：甲醇合成塔设计的关键技术之一就是要高效移走和利用甲醇合成反应所放出的巨大热量。
甲醇合成塔设计的关键技术之一就是要高效移走和利用甲醇
热性和热稳定性较好，反应温度接近等温，易于控制，一氧化碳与二氧化碳的单程转化率和气相产物中的甲醇百分含量高于传统的气-固相催化法。
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FLYPORTPRO Wi-Fi 802.11g 产品数据手册说明书
• 802.11g WIFI- Infrastructure mode- softAP mode- Ad hoc mode• Microchip PIC 24FJ256GB206• 3.3V power supply• Easy development with openPicus free IDE. Open source framework based on freeRTOS Features16 Bit Processor PIC24FJ256GB206 - 256K Flash – 96K Ram – 16 Mips TransceiverAntennaMRF24WG0MA/MB 802.11g Wi-Fi certifiedPCB antenna or uFL connector for external antenna Power SupplyLow power3,3VHibernation 20mA and Sleep 180uAUSBIntegrated RTCOn the Go (OTG)32,768 Khz quartz onboardDigital I/O up to …, remappable at RuntimeApplications• Webserver based user interfaces to the embedded • Sensors and automation• Internet of Things• Audio over IP• Building automation and remoteIntroductionFLYPORTPRO Wi-Fi is powered by openPicus framework and mounts a 256K Flash 16bit processor from Microchip that runs the Wireless Stack and the application layer. This means that you have full control of the connectivity (extremely important for energy saving) and the application (for ex. the PIC microcontroller onboard can process data coming from an analog sensor and display these data on the integrated webserver, or send by email or save to a remote FTP server). FLYPORT has an extra 16Mbit Flash memory onboard to store web server pages and for Firmware upgrade over Internet.FLYPORT Wi-Fi works in 3 ways:- Infrastructure mode Flyport connects to a Wi-Fi network (to access points or routers)- softAP Flyport itself acts like an access point. It’s limited to 1 client only- Ad Hoc Point to point. Deprecated since not compatible with Android devices!Available onboard:SPI, I2C, UART and embedded Real Time clock.I/O : analog and digital and PWM.Remappable pinout:Special functions such as SPI,UART,PWM and Interrupts can be assigned to any remappable pin at runtime. Programming:We provide the free IDEpro with each StarterKit.C programming skills are needed. No expansive programmer is needed since the serial bootloader loaded on the module allows you to flash the firmware using just a serial cable.On you can find examples, libraries and tools to start to develop immediately.Electrical characteristicsVOLTAGE RATINGS+3.3V DC Voltage input (pin 4) MIN:+3,0V MAX:+3,3VCURRENT CONSUMPTION Power supply 3.3V, Ambient temperature 25°CWi-Fi not connected 35 mA Micro ON and Wi-Fi on but not connectedWi-Fi connected 150 mA Micro ON and Wi-Fi infrastructure mode connected to an access pointHibernate mode 20 mA Micro ON and Wi-Fi transceiver OFFSleep mode 180 uA Micro OFF and Wi-Fi transceiver OFFWi-Fi 802.11g (Microchip transceiver MRF24WG0MA/MB)Certifications FCC (USA), IC (Canada), ETSI (Europe)For detailed info about the transceiver and related documention (FCC ID and more) please visit/downloads/en/DeviceDoc/70686B.pdfSecurity WEP, WPA-PSK, WPA2-PSK SecurityFrequency range 2412-2484 MhzOutput power 16 dBmSensitivity RX min input level, 1Mbit, 8%PER: -95 dBmRX min input level, 2Mbit, 8%PER: -88 dBmEncryption AES128RSSI YesMechanical infoDimensions 34*34*9 mmWeight 10 gramsTemperature rangeOperating range MIN: -20°C MAX: +85°CBlock DiagramJ1 ConnectorFLYPORT modules are based on Microchip PIC processor and offer remappable pins function. User can customize the hardware configuration by firmware.Pin Description Special Function 5V tolerant Remapp1 GPIO ADC #0 NO YESp2 RESET (active low) NO NOp3 GPIO ADC #1 NO YESp4 VDD (+3.3V input) NO NOp5 GPIO ADC #2 NO NOp6 GND NO NOp7 GPIO ADC #3 NO YESp8 GPIO (ICSP – PGD) ADC #5 NO YESp9 GPIO NO NOp10 GPIO (ICSP – PGC) ADC #4 NO YESp11 GPIO YES NOp12 GPIO ADC #6 NO YESp13 GPIO YES YESp14 GPIO YES YESp15 GPIO Interrupt #0 YES YESp16 GPIO ADC #7 NO NOp17 GPIO YES YESp18 GPIO ADC #8 NO NOp19 GPIO I2C #1 – SDA YES YESp20 GPIO ADC #9 NO YESp21 GPIO I2C #1 – SCL YES YESp22 UART #1 TX (output) – for programming NO YESp23 UART #1 RX (input) – for programming YES YESp24 I2C #2 – SDA signal (shared with onboard EEPROM) NO YESp25 GPIO USB D+ NO NOp26 I2C #2 – SCL signal (shared with onboard EEPROM) NO YESp27 GPIO USB D- NO NOp28 GPIO USBID YES YESp29 USB Vusb NO NOp30 GPIO USB Vbus YES NOJ2 ConnectorPin Description Special function 5V tolerant Remap p31 GPIO YES NO p32 GPIO YES NO p33 GPIO YES NO p34 GPIO YES NO p35 GPIO YES NO p36 GPIO YES NO p37 GPIO YES NO p38 GPIO YES NO p39 Vref output (2,048V) NO NO p40 Not connected NO NO p41 Not connected NO NO p42 Not connected NO NO p43 Not connected NO NO p44 Not connected NO NO p45 Not connected NO NO p46 Not connected NO NO p47 Not connected NO NO p48 Not connected NO NO p49 Not connected NO NO p50 Not connected NO NO p51 Not connected NO NO p52 Not connected NO NO p53 Not connected NO NO p54 Not connected NO NO p55 Not connected NO NO p56 Not connected NO NO p57 Not connected NO NO p58 Not connected NO NO p59 GND NO NO p60 VDD (+3.3V input) NO NOModule overviewTOP VIEWNO FLY ZONE! BOTTOM VIEWDON’T PLACE COMPONENTS, TRACKS OR COPPER UNDER THE NO FLY ZONE since the Wi-Fi performance may be affected!On your carrier board we suggest to use 2*15 ways pitch 1.27mm Male pin header connectors such as:TH: SAMTEC FTSH–115–04–F–DSMT: SAMTEC FTSH–115–04–F–DVNOTE: The following view is made in transparency from TOP. On the right corner there’s a triangle sign on the silkscreen to identify where is J1.Footprint and dimensionsBuy online from our store or through our resellers and distributors.Code OP014100 STARTERKIT PRO WIFI1 Evaluation board and 1 FlyportPRO Wi-FiCode OP014001 FLYPORTPRO Wi-Fi 802.11g (PCB Antenna) Code OP014001 FLYPORTPRO Wi-Fi 802.11g (uFL connector)Contact us to receive the free IDEpro.On you find a getting started guide, tutorials, libraries and code examples.Each FLYPORT Module has a serial bootloader onboard.How to start developmentOrdering information。
构建高可靠的金融数据中心动力平台——2011年银行现代金融数据中心动力系统研讨会召开
构建高可靠的金融数据中心动力平台——2011年银行现代金融数据中心动力系统研讨会召开李庆莉【摘要】我国金融数据中心建设经过10年左右的发展，在基础设施规模、业务处理能力和运营管理的复杂性等方面都达到了前所未有的程度，成为金融企业业务发展、经营管理的关键平台和重要保障。
与此同时，数据中心也面临安全防护、运行管理、节能降耗等新挑战。
【期刊名称】《中国金融电脑》【年(卷),期】2011(000)009【总页数】2页(P88-89)【关键词】数据中心;金融企业;动力平台;动力系统;高可靠;银行;运营管理;基础设施【作者】李庆莉【作者单位】《中国金融电脑》编辑部【正文语种】中文【中图分类】TP393.4我国金融数据中心建设经过10年左右的发展，在基础设施规模、业务处理能力和运营管理的复杂性等方面都达到了前所未有的程度，成为金融企业业务发展、经营管理的关键平台和重要保障。
与此同时，数据中心也面临安全防护、运行管理、节能降耗等新挑战。
作为数据中心基础架构的动力平台建设，在提高数据中心的可靠性、可用性，确保业务应用的不间断运行方面发挥着重要作用。
为进一步促进数据中心高端电源安全、稳定、合理使用，探讨数据中心机房建立灵活随需、高效节能的动力系统解决方案，2011年7月20～23日，中国金融电脑杂志社携手在UPS 领域有着丰富实施经验的伊顿电源（上海）有限公司（以下简称“伊顿电源”）和上海西恩迪蓄电池有限公司（以下简称“西恩迪”），在甘肃省敦煌市举办了2011年银行现代金融数据中心动力系统研讨会。
中国工商银行股份有限公司（以下简称“工行”）数据中心（北京）、数据中心（上海）、软件开发中心、各一级（直属）分行科技部门的相关领导和技术管理人员以及伊顿电源和西恩迪公司的领导、技术专家近60人出席了本次研讨会。
会议代表围绕现代金融数据中心动力系统架构、金融数据中心高可靠电源的选择、金融数据中心动力系统的供电模式等话题进行了深入探讨。
MRF百科
MRF细胞膜修复套组百科一、MRF细胞膜修复套组是什么MRE细胞膜修复套组是基于将MRF作为细胞修复的添加剂，配合其它化妆品领先技术，配制成的一种用于修复坏死损伤细胞，减少表皮细胞的衰老死亡，增加皮下纤维细胞增生，增加胶原蛋白，增加皮肤肌肉和筋膜的弹力的一组密集护理产品。
细胞膜修复因子MRF（Membrane Repair Factor）是在细胞膜修复蛋白的基础上研发的一系列多肽。
这些多肽片段被包裹在修复套组的其它成份中，能透过皮肤的表层被吸收从而起到修复细胞的作用。
MRF是目前发现的唯一能经皮肤吸收起到修复细胞作用的生物添加剂。
二、 MRF细胞膜修复因子的作用机制细胞受到损伤时，首先是细胞膜受损，细胞膜出现孔洞或断裂。
细胞内的液体外溢，细胞外的液体进入到细胞内。
这一过程启动了细胞内的修复机制。
MRF 是参与细胞膜修复的主要成份（见下图）。
现已发现，MRF率先启动细胞膜的快速修复，并在细胞周期、细胞凋亡过程中扮演重要角色。
MRF细胞膜修复套组作用机制图三、 MRF细胞膜修复因子如何改善皮肤（消除皱纹）研究发现，在一些暴露的伤口或长期溃疡的表面喷施MRF细胞膜修复因子时，不仅能快速促进表皮细胞增长，还能促进皮下结缔组织胶原蛋白以及纤维组织的生长，从而使皮肤快速愈合且不留疤痕。
目前公认表皮细胞对紫外线照射和表面活性剂的敏感度要高于纤维细胞。
研究发现，受紫外线照射损伤后的表皮细胞内会产生大量MRF，说明这时表皮细胞在进行自我修复，而且有MRF的大量参与。
当将含有MRF的乳液涂到受损皮肤表面（紫外线照射、化学品刺激等）一段时间后，不不仅能观察到表皮细胞增厚，还能看到皮下胶原蛋白的大量增生，从而减轻甚至消除皱纹。
在很多类似的实验中都能发现在人体自身的皮肤无论是受到外界刺激需要进行修复还是在正常衰老过程中，都有MRF的大量参与。
同样外源性给予MRF能使皮肤皱纹明显减少。
所以用MRF作为一种外源性添加剂的化妆品能减少皱纹，对抗衰老。
烘干机选型手册
前言烘干或干燥-即脱去水份的一个作业过程，学术上称谓传热传质的过程。
河南省科学院能源研究所根据物料的特性和不同的水分要求、不同的水分存在形式-表面水、内部水，以及化学结合形式作为设计的依据。
设计与制造的多种形式的对流式、传导式、辐射式烘干/冷却机。
可以满足不同的产品条件和水分要求。
多年来实践表明不同的产品应选择不同形式的烘干机，塔式烘干机适应于处理易流动的产品：小麦、大豆、玉米、高粱、油菜子、稻谷、咖啡、可可豆以及化学试剂。
滚筒式烘干机适宜于加工湿度很高的产品：酒槽、鸡瀵、苜蓿草、木削、锯末、石英砂、高岭土、兰精石、石墨粉等非金属矿物质。
履带式烘干机适应于烘干易碎的、要求低粉末度的产品：脱水蔬菜、大蒜片、饼干点心、大豆饼粕、干果、煤球、家饲动物食品，以及易膨胀的产品。
干燥处理是河南省科学院能源研究所的专长。
精确的湿度控制是许多加工行业的重要生产环节。
积多年来对各类天然和人造的材料进行干燥处理的经验，我们的工程技术人员可以为你解决各种不同的干燥/冷却问题。
欢迎来函，来电索求我们的干燥/冷却系统的资料，或咨询你的干燥处理问题。
一、塔式烘干机工作原理该塔式烘干机是用来烘干/冷却谷物和油料的理想设备，加工品从塔顶输入，通过给料装置，确保设备在运行期间始终处于满负载状态。
经过向内翻转的无底的V型挡板和与加工品交错排列的V型挡板的联合作用，使加工品得以混合，同时还为干燥空气的进出通道，风机将用过的气体送入收集器，加以净化，大部分干燥空气可循环使用，所以燃料消耗很少。
设计特点设备内物料无动力流动，操作简便，占地面积少。
物料通过多元性的烘干区、缓苏区及冷却区，达到连续、和缓、均匀地热湿交换。
采用自动控制，可随意调节物料在塔内的停留时间（30分钟-10小时）。
通过气流控制和加工品运动，加工品可达到均匀、彻底的干燥，塔式烘干机最适宜缓慢、均匀的干燥/冷却处理。
性能特点烘后品质与自然干燥基本相同，烘后色泽气味正常。
水稻爆腰率低，符合国家标准。
浩兹基电器KML-600MAF、KML-600MWF、KML-600MRF模块凸线产品说明书
NO.ISSUED:71145OCT . 12, 1999MODELKML-600MAF KML-600MWF KML-600MRFHOSHIZAKIMODULAR CRESCENT CUBER(FINAL) PARTS LISTREVISED:AUG. 2, 2002KML-600MAFJ-0APRIL 1999K-0JAN. 2000L-0DEC. 2000 KML-600MWFJ-0MAY 1999K-0DEC. 1999L-0JAN. 2001 KML-600MRFJ-0JUNE 1999K-0DEC. 1999L-0FEB. 2001PLASTICABS=Acrylonitrile -butadiene - styreneAC=PolyacetalEV A=Ethylene vinyl acetatePA=Polyamide = NylonPC=PolycarbonateP E=PolyethylenePES=PolyesterPETP=Polyethylene terephthalate = TetlonPP=PolypropylenePS=PolystyrenePIFE=Polytetrafluoroethylene = TeflonPUR=PolyurethanePVC=Polyvinyl chlorideRUBBERV N=Vinyl NitrileEPDM=EP rubberNBR=Nitrile butadiene rubberNR=Natural rubberNP=NeopreneSI.R=Silicone rubberSY.R=Synthetic rubberEPH=EpichlorohydrinSTEELG S=Galvanized steelSS=Stainless steelPS=Plated steelPAS=Primed steelAUXILIARY CODEEx.1K-0Parts are the same as in the preceding(Note) - = Part deleted.year.x = Part deleted and replaced"K" is the tenth in alphabetical order with "I" by "o" part.skipped. So, "K" indicates "2000".o = New part for "x"Ex.2L-0 in the same auxiliary code."L" is the next in alphabeticalorder. So, "L" indicates "2001".Ex.3L-1Each time a part is changed non-interchangeably,in a year, this number advances.KML-600MAF A. ICE CUBER ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MWF A. ICE CUBER ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MRF A. ICE CUBER ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MAFB. REFRIGERATION CIRCUIT J-0, K-0, L-012349101112131516567820212247232425264341505248445146454238393736434332522743283334303140181719293514DETAIL A49KML-600MWFB. REFRIGERATION CIRCUITJ-0, K-0, L-01135112493738202625222324293231141516303336443534404554566282781718910192345523921115355484650414243DETAIL AKML-600MRFB. REFRIGERATION CIRCUITJ-0, K-0, L-05313141555192729286733505889356036374639404445434250112572523242122261617303118342345515056102041525957385448113260DETAIL AKML-600MAF, MWF, MRF C. WATER CIRCUIT J-0, K-0, L-0KML-600MAF D. CONTROL BOX ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MWF, MRF D. CONTROL BOX ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MAF E. LABEL LOCATION J-0, K-0, L-0KML-600MWF E. LABEL LOCATION J-0, K-0, L-09146581632110121574KML-600MRFE. LABEL LOCATIONJ-0, K-0, L-01018171113KML-600MAF, MWF, MRF F. TOP PANEL ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MAF G. FRONT PANEL ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MWF, MRF G. FRONT PANEL ASSEMBLY J-0, K-0, L-0KML-600MAF, MWF, MRF H. ACCESSORIES J-0, K-0, L-0。
线性低密度聚乙烯的生产与应用
线性低密度聚乙烯的生产与应用摘要:线型低密度聚乙烯的生产原理及工艺流程技术做了简单的介绍，并从其特性和结构特点出发简单介绍了线性低密度聚乙烯的应用情况。
广泛应用于工业、医药、消费品、农业，具有非常重要的作用。
本文分析了低密度线性聚乙烯的特征，并研究了它的应用和发展趋势，以帮助进一步发展低密度聚乙烯。
关键词：低密度；聚乙烯；生产；应用引言对于低线性聚乙烯,它具有非常好的机械性能和化学稳定性，因此在工业、医疗、家庭和农业中广泛使用。
此外，低线性密度聚乙烯正逐渐渗入所有传统的PE市场，包括薄膜、管道和电缆。
应用最有效的领域是电影领域。
本文分析了低线性密度聚乙烯的特性，研究了它的应用范围和未来趋势。
一、低密度聚乙烯纤维素是地球上最丰富的生物降解高分子材料，不仅丰富，而且无毒。
再生。
麦草、棉花、甘蔗和白杨树等植物含有许多纳米纤维素，一些细菌、藻类和真菌含有纤维。
天然纤维素每年可以生产1.51012吨，很可能满足对环境优质和生物兼容产品的需求。
随着纳米技术的发展，纤维素资源在纳米技术、纳米技术、食品、复合材料和新能源等领域的使用越来越多。
微纤维纤维素(mfhb)是由天然植物纤维制成的，具有高机械加工，不含酸，因此mrf保留了结晶区和非结晶区。
从形态学的角度来看，mrf是一种细线结构，因为在纤维中存在无定形区域，mdf 产生的区域实际上不是以单根纤维的形式表示的，而是由纳米材料或微米纤维连接、连接或连接的视网膜结构。
由于有着很大关系icf长度以及直径在筹备过程中,养护区连接矩阵结构可以形成热塑性可卷好努力,纤维素还具有高强度、杨氏模量、拉伸低热膨胀号码。
微纤维纤维素可以均匀分散在聚合物中，充分利用其高强度、生物测量、可再生、生物兼容的模块。
可以大大提高聚合物性能，并有效使用生物资源揭示了新的想法和方法。
然而，在微纤维纤维素的表面，就像纳米技术一样，含有大量的羟基激光器。
在熔融状态下，热塑性聚合物具有高粘度、低流动性和与极地纤维素不兼容。
MX-880 开源架构专业编辑颜色图形但文本基础编程速度产品说明书
Lithium Ion Battery and ChargerThe MX-880’s lithium ion battery can be used without rules.rechargeable batteries and can be kept charging for any when the MX-880 needs the client simply plugs in the charger and con-500 Mamaroneck Avenue,Harrison,NY 10528 Phone:(914) 835-4484 Fax:(914) 835-4532Automatic BacklightingThe integral motion sensor detects any movement of the remote control and automatically backlights or one can press the Light button.An MX-880 in every RoomSpecify a customized MX-880 for every room in a e the included set of preprinted room labels to fit in the coined area at the base of the control to iden-tify which remote is cus-tomized for each room.Customize with Icons and BackgroundsLike the MX-3000,the MX-880 displays any of the acclaimed factory themes.etary graphics can add their own themes,backgrounds by simply placing their custom work in the right folder .dard 418MHz version or the MX-880i 433MHz The RFX-250 is included with both the MRF-350Routing Base Station and the MSC-400 Master System Controller (specify “i” series for 433 MHz RFX-250 for MX-880RFX-250i for MX-880iNarrow Band RF Transmission.MX-880 is compatible with the MSC-400 Master System ControllerImport MX-900 Devices,Complete With Macros or simply Open MX-900 FilesInstead of reprogramming a similar system,installers can freely import codes and macros from MX-900 files via Device Import,or simply open an MX-900 file in MX-880 Editor and make modifications to it.MX-880 Editor’s unique Device Assign window enables macro steps tobe imported as well as IR commands.Powerful Macro Programming Via Nesting,Multiple Page Jumps and Programmable VariablesMacro programming inMX-880 Editor enables theinstaller to freely create sophisticated status screens in macros,since there is nolimit to the number of page jumps inside a macro.With the ability to nest a macro inside anothermacro,an installer can cre-ate a complex routine,labelit descriptively and simply alias to it in one step.Variables can be used to track power status,users,rooms,or to create options that change in all macros based on one button press by the user.Fast,Structured Programming via the Program MenuWhen starting from scratch,MX-880’s open architecture enables the installer to start a new project with any template.By following the steps of the Program Menu,the installer quickly creates a finished working setup.Once tested and refined,the installer can freely experiment with any of the Color Graphic themes without affecting the setup.Additionally,companies with their own cus-tom graphics can add them to the visible themes in the Editor by sim-ply creating matching and correctly sized artwork in a new folder in the Graphics directory of MX-880 Editor.Label Buttons Freely via the Drag and Drop IR Database NavigatorIn addition to the tradi-tional Save All,which instantly creates a device,installers can customize the LCD but-ton with new text labels via the IR Database Navigator,now improved with textreplacement on any but-ton the installer drags to.In seconds,a program-mer can completely revise the layout of a device.Simply replace the text and the IR command.Instantly Navigate Existing FilesLike all OpenArchitecture MX Editors,the installer can open an existing file and instantly access any part of the file by clicking in T ree View.By expanding the plus signs in tree view,programmers can accelerate macro programming by making all the devices with macro codes on them accessible with one click of the mouse.At a Glance,Identify or T est any Button’s ProgrammingIn Simulator View any button with programming is FLAGGED,giving the installer an instant glimpse into the functionality of each page.An MSC-400 T rigger Command A Macro Punch ThroughPre Programmed IR Database Command Learned IR CommandBy simply navigating through the pages of a customer’s file the installer can easily identify a missing command.More importantly,by select-ing a button the installer can view any command in the button’s action list and test it individually.Quickly Drag and Drop Codes & T riggersAs with all OpenArchitecture MX Editors,the installer can import codes from work done on other remote controls using the Universal Browser.When programming MSC-400 triggers,a quick drag from the browser to either the selected button or the macro window is all that it takes to harness the sophistication of the MSC-400.Speed Programming with Color Graphics!PT M L T。
Eaton Industries (Austria) GmbH 产品说明书
STEP1: Set mode (1..4) on CBEU STEP2: Set actuator to teach-in modeInstruction Leaflet Montageanweisung Notice d’installation Instrucciones de montaje Istruzioni per il montaggioИнструкцияпомонтажуȈᬩMontagehandleiding Montagevejledning ΟδηγίεςεγκατάστασηςInstruções de montagem Monteringsanvisning Asennusohje Návod k montáži Paigaldusjuhend Szerelési utasítás Montāžas instrukcija Montavimo instrukcija Instrukcja montażu Navodila za montažo Návod na montážМонтажниинструкцииInstrucţiuni de montaj Upute za montažu Kullanma TalimatıИнструкцијазамонтажуIntruksjonsbladМонтажнаінструкціяEUxComfort CBEU-02/02EU- type examination performed by:TÜV Austria Services GmbH, Notified Body 1230 Vienna, Deutschstrasse 10, AustriaAffixing date of CE mark: 2003Doc.Id.: CBEU-0202_171117Senior Vice President Director Quality General Manager & SystemsFriedrich Schröder Fernando CeccarelliWe, EATON Industries (Austria) GmbH 3943 Schrems, Eugenia 1 Austriadeclare under our sole responsibility that the product (family)Eaton - Binary input with battery power supply, CBEU-02/02(the declaration of conformity applies to alllisted types within our actual product catalogue)provided that it is installed, maintained and used in theapplication intended for, with respect to the relevant manufacturers instructions, installation standards and “good engineering practices”complies with the provisions of Council directive(s):RED Directive 2014/53/EURoHS Directive 2011/65/EUbased on compliance with following standard(s):EN 301489-3 V2.1.1, EN 300220-2 V3.1.1, EN 50491-5-1:2010, EN 50491-5-2:2010, EN 60950-1:2006 + A11:2009 + A1:2010 + A12:2011 + A2:2013, EN 62479:2010, EN 50581:201217.11.2017M1/M4M2M3Symbols:LED is onLED flashes 5 timesLED is onLamp (LED) is onLamp (LED) is on1. Make connectionASSIGN SWITCH MODE (MODE 2)1. Press the config button on CBEU (230 V versionrequires screwdriver) to select switch mode (Mode 2), LED flashes 2x2. Open contact of the binary input3. Press the config button on actuator with a screwdriver shorter than 0,5 sec =>actuator enters teach-in mode, the LED in the actuator is on4. Close contact of the binary input5. The LED in the actuator flashes 2x for confirmation6. Press the config button on actuator shorter than 0,5 sec => actuator leaves teach-in modeASSIGN PUSH BUTTON MODE (MODE 1)1. Press the config button on CBEU (230V version requires a screwdriver) to select push button mode (mode 1), LED flashes 1x2. Press the config button on actuator with a screwdriver shorter than 0,5 sec => actuator enters teach-in mode, the LED in the actuator is on3. Press pushbutton on the contacts of the binary input shorter than 0,5 sec4. The LED in the actuator flashes 2x for confirmation5. Press the config button on actuator shorter than 0,5 sec => actuator leaves teach-in mode2. Delete connection selectivelyDELETE SWITCH MODE (MODE2)1. Press the config button on actuator with screwdriver shorter than 0,5 => actuator enters teach-in mode, the LED in the actuator is on2. Open contact of the CBEU3. Wait until the LED in the actuator has flashed 5 x4. Press the config button on actuator shorter than 0,5 sec => actuator leaves teach-in modeDELETE PUSH BUTTON MODE (MODE2)1. Press the config button on actuator with a screwdriver shorter than 0,5 => actuator enters teach-in mode, the LED in the actuator is on2. Press pushbutton on the contact of the binary input until LED has flashed 5 x3. Press the config button with a screwdriver shorter than 0,5 sec => actuator leaves teach-in mode3. Reset actuator1. Press the config button with a screwdriver shorter than 0,5 sec => actuator enters teach-in mode, the LED in the actuator is on2. Press the config button with a screwdriver until LED has flashed 5 x3. The actuator leaves teach-in mode automatically after some secondsConfiguration of CBEU。
空调厂家型号大全
3、开启活塞式制冷压缩机
规格型号：φ100、φ125、φ170系列活塞式压缩机
冷量范围：15kW≤制冷量≤1200kW
4、开启螺杆式制冷压缩机
规格型号：K、KA、KF2、LG、VLG系列螺杆式制冷压缩机
冷量范围：47kW≤制冷量≤11067kW
规格型号：C-L系列活塞式制冷压缩机
功率范围：7kW≤名义输出功率≤15kW
2、全封闭涡旋式制冷压缩机
规格型号：C-SC、C-SCN系列涡旋式制冷压缩机
功率范围：6kW≤名义输出功率≤9kW
3、容积式制冷压缩冷凝机组
规格型号：UF-RH、OCU-R、 LCU、 LCU-L、MCF系列压缩冷凝机组
功率范围：0.75kW≤名义输出功率≤120kW
冷量范围：25kW≤制冷量≤1500kW
4、风管送风式空调（热泵）机组
规格型号：HGYR、HGY、HGNR系列风管道式户式中央空调
冷量范围：26kW
5、风冷单元式空气调节机
规格型号：HFD、SW系列机房用单元式空气调节机
冷量范围：24.36kW＜制冷量≤36kW
6、风机盘管机组
规格型号：FP-34WA、FP-51WA、FP-68WA、FP-85WA、FP-102WA、FP-136WA、FP-170WA、FP-204WA、FP-238WA、FP-34K、FP-51K、FP-68K、FP-85K、FP-102K、FP-136K、FP-170K、FP-204K、FP-238K及其变型产品
风量范围：350m3/h≤风量≤2000m3/h
5、柜式风机盘管机组
规格型号： GK系列柜式空调机组
风量范围：1500m3/h≤风量≤35000m3/h
MRF101BN和MRF101AN RF 设备数据手册说明书
MRF101BN MRF101ANMRF101AN MRF101BN1RF Power LDMOS TransistorsHigh Ruggedness N--ChannelEnhancement--Mode Lateral MOSFETsThese devices are designed for use in VHF/UHF communications,VHF TV broadcast and aerospaceapplications as well as industrial,scientific and medical applications.The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250MHz.Typical Performance:V DD =50VdcFrequency (MHz)Signal TypeP out (W)G ps (dB)ηD (%)13.56CW 130CW 27.179.627CW 130CW 24.081.540.68(1)CW 120CW 23.881.550CW 115CW 23.079.581.36CW 130CW 23.280.887.5–108CW 110CW 21.377.1136–174(2,3)CW104CW 21.276.5230(4)Pulse(100μsec,20%Duty Cycle)115Peak21.176.7Load Mismatch/RuggednessFrequency (MHz)Signal TypeVSWR P in (W)Test Voltage Result 40.68CW>65:1at all Phase Angles 0.64Peak (3dB Overdrive)50No Device Degradation 230Pulse(100μsec,20%Duty Cycle)>65:1at all Phase Angles1.8Peak (3dB Overdrive)50No Device Degradation1.Measured in 40.68MHz reference circuit (page 5).2.Measured in 136–174MHz VHF broadband reference circuit (page3.The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.4.Measured in 230MHz fixture (page 13).Features ∙Mirror pinout versions (A and B)to simplify use in a push--pull,two--up configuration∙Characterized from 30to 50V ∙Suitable for linear application∙Integrated ESD protection with greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation∙Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15years after launchTypical Applications∙Industrial,scientific,medical (ISM)–Laser generation –Plasma etching –Particle accelerators–MRI and other medical applications–Industrial heating,welding and drying systems∙Radio and VHF TV broadcast ∙HF and VHF communications ∙Switch mode power supplies Document Number:MRF101ANRev.0,11/2018Technical Data1.8–250MHz,100W CW,50VWIDEBANDRF POWER LDMOS TRANSISTORSMRF101AN MRF101BNTO--220--3LMRF101BNTO--220--3LMRF101ANGSDDS GNote:Exposed backside of the packageand tab also serves as a source terminal for the transistor.BacksideSS2RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BN Table 1.Maximum RatingsRatingSymbol Value Unit Drain--Source Voltage V DSS –0.5,+133Vdc Gate--Source Voltage V GS –6.0,+10Vdc Operating VoltageV DD 50Vdc Storage Temperature Range T stg –65to +150︒C Case Operating Temperature Range T C –40to +150︒C Operating Junction Temperature Range (1,2)T J –40to +175︒C Total Device Dissipation @T C =25︒C Derate above 25︒CP D1820.91W W/︒CTable 2.Thermal CharacteristicsCharacteristicSymbol Value (2,3)Unit Thermal Resistance,Junction to CaseCW:Case Temperature 77︒C,150W CW,50Vdc,I DQ =100mA,40.68MHz R θJC 1.1︒C/W Thermal Impedance,Junction to CasePulse:Case Temperature 73︒C,113W Peak,100μsec Pulse Width,20%Duty Cycle,50Vdc,I DQ =100mA,230MHzZ θJC0.37︒C/WTable 3.ESD Protection CharacteristicsTest MethodologyClass Human Body Model (per JS--001--2017)1B,passes 1000V Charge Device Model (per JS--002--2014)C3,passes 1200VTable 4.Electrical Characteristics (T A =25︒C unless otherwise noted)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitOff CharacteristicsGate--Source Leakage Current (V GS =5Vdc,V DS =0Vdc)I GSS ——1μAdc Drain--Source Breakdown Voltage (V GS =0Vdc,I D =50mAdc)V (BR)DSS 133——Vdc Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS =100Vdc,V GS =0Vdc)I DSS——10μAdcOn CharacteristicsGate Threshold Voltage(V DS =10Vdc,I D =290μAdc)V GS(th) 1.7 2.2 2.7Vdc Gate Quiescent Voltage(V DS =50Vdc,I D =100mAdc)V GS(Q)— 2.5—Vdc Drain--Source On--Voltage (V GS =10Vdc,I D =1Adc)V DS(on)—0.45—Vdc Forward Transconductance (V DS =10Vdc,I D =8.8Adc)g fs—7.1—S1.Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.2.MTTF calculator available at /RF/calculators .3.Refer to AN1955,Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.Go to /RF and search for AN1955.(continued)MRF101AN MRF101BN3RF Device DataNXP SemiconductorsTable 4.Electrical Characteristics (T A =25︒C unless otherwise noted)(continued)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitDynamic CharacteristicsReverse Transfer Capacitance(V DS =50Vdc ±30mV(rms)ac @1MHz,V GS =0Vdc)C rss —0.96—pF Output Capacitance(V DS =50Vdc ±30mV(rms)ac @1MHz,V GS =0Vdc)C oss —43.4—pF Input Capacitance(V DS =50Vdc,V GS =0Vdc ±30mV(rms)ac @1MHz)C iss—149—pFTypical Performance —230MHz (In NXP 230MHz Fixture,50ohm system)V DD =50Vdc,I DQ =100mA,P in =0.9W,f =230MHz,100μsec Pulse Width,20%Duty Cycle Common--Source Amplifier Output Power P out —115—W Power Gain G ps —21.1—dB Drain EfficiencyηD—76.7—%Table 5.Load Mismatch/Ruggedness (In NXP 230MHz Fixture,50ohm system)I DQ =100mAFrequency (MHz)Signal TypeVSWR P in (W)Test Voltage,V DDResult230Pulse(100μsec,20%Duty Cycle)>65:1at all Phase Angles1.8Peak (3dB Overdrive)50No Device DegradationTable 6.Ordering InformationDeviceShipping InformationPackageMRF101AN MPQ =250devices (50devices per tube,5tubes per box)TO--220--3L (Pin 1:Gate,Pin 2:Source,Pin 3:Drain)MRF101BNTO--220--3L (Pin 1:Drain,Pin 2:Source,Pin 3:Gate)4RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BNTYPICAL CHARACTERISTICS1100V DS,DRAIN--SOURCE VOLTAGE(VOLTS)Figure1.Capacitance versus Drain--Source Voltage C,CAPACITANCE(pF)1010000.1MRF101AN MRF101BN5RF Device DataNXP Semiconductors40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm ⨯5.0cm)Table 7.40.68MHz Performance (In NXP Reference Circuit,50ohm system)V DD =50Vdc,I DQ =100mA,P in =0.50W,CWFrequency (MHz)P out (W)G ps (dB)ηD (%)40.6812023.881.56RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BN 40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm ⨯5.0cm)Figure 2.MRF101AN Compact Reference Circuit Component Layout and Assembly Example —40.68MHzFigure 3.MRF101AN Compact Reference CircuitBoardaaa--032274Table 8.MRF101AN Compact Reference Circuit Component Designations and Values —40.68MHzPartDescriptionPart NumberManufacturer B1Short RF Bead 2743019447Fair-Rite C1,C582pF Chip Capacitor GQM2195C2E820GB12D Murata C2,C4200pF Chip Capacitor GQM2195C2A201GB12D Murata C333pF Chip Capacitor GQM2195C2E330GB12D Murata C6,C7,C8,C9,C101000pF Chip Capacitor GRM2165C2A102JA01D Murata C111μF Chip Capacitor GJ821BR71H105KA12L Murata C12,C1310nF Chip Capacitor GRM21BR72A103KA01B Murata C141μF Chip Capacitor C3216X7R2A105K160AA TDK L1150nH Chip Inductor 0805WL151JT ATC L217.5nH,4Turn Inductor GA3095-ACL Coilcraft L3160nH Square Air Core Inductor 2222SQ-161JEC Coilcraft L4110nH Square Air Core Inductor 2222SQ-111JEB Coilcraft Q1RF Power LDMOS Transistor MRF101ANNXP R175Ω,1/4W Chip Resistor SG73P2ATTD75R0F KOA Speer PCBFR40.09",εr =4.8,2oz.CopperD113958MTLMRF101AN MRF101BN7RF Device DataNXP SemiconductorsTYPICAL CHARACTERISTICS —40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)V GS ,GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)8060P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )40 3.52.51.51100120014020Figure 4.CW Output Power versus Gate--SourceVoltage at a Constant Input PowerP in ,INPUT POWER (WATTS)8060P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )40010012001402040.68101121f (MHz)P1dB (W)P3dB (W)Figure 5.CW Output Power versus Input PowerP out ,OUTPUT POWER (WATTS)Figure 6.Power Gain and Drain Efficiencyversus CW Output PowerG p s ,P O W E R G A I N (d B )ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)25242802090705030302223262729806040201004060801001201400.5230.10.20.30.40.50.60.721201008RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BN40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT(MRF101AN)fMHzZ sourceΩZ loadΩ40.6824.0+j12.614.2–j2.5Z source=Testcircuit impedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance as measuredfromdrain toground.Figure7.Series Equivalent Source and Load Impedance—40.68MHzZ source Z load50Ω50ΩMRF101AN MRF101BN9RF Device DataNXP Semiconductors136–174MHz COMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm ⨯5.0cm)Table 9.136–174MHz VHF Broadband Performance (In NXP Reference Circuit,50ohm system)V DD =50Vdc,I DQ =100mA,P in =0.79W,CWFrequency (MHz)P out (W)G ps (dB)ηD (%)13511721.780.015510421.276.517510721.375.4136–174MHz COMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT(MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm⨯5.0cm)Figure8.MRF101AN Compact Reference Circuit Component Layout and Assembly Example—136–174MHzFigure9.MRF101AN Compact Reference Circuit BoardTable10.MRF101AN Compact VHF Broadband Reference Circuit Component Designations and Values—136–174MHz Part Description Part Number ManufacturerB1Short RF Bead2743019447Fair-RiteC139pF Chip Capacitor GQM2195C2E390GB12D MurataC2,C5,C6,C7,C8,C12510pF Chip Capacitor GRM2165C2A511JA01D MurataC368pF Chip Capacitor GQM2195C2E680GB12D MurataC427pF Chip Capacitor GQM2195C2E270GB12D MurataC910pF Chip Capacitor GQM2195C2E100FB12D MurataC111μF Chip Capacitor GJ821BR71H105KA12L MurataC1310nF Chip Capacitor GRM21BR72A103KA01B MurataC141μF Chip Capacitor C3216X7R2A105K160AA TDKL122nH Chip Inductor0805WL220JT ATCL212nH Chip Inductor0805WL120JT ATCL3,L4,L668nH Air Core Inductor1812SMS-68NJLC CoilcraftL512nH,3Turn Inductor GA3094-ALC CoilcraftQ1RF Power LDMOS Transistor MRF101AN NXPR175Ω,1/4W Chip Resistor SG73P2ATTD75R0F KOA SpeerPCB FR40.09",εr=4.8,2oz.Copper D113958MTLTYPICAL CHARACTERISTICS —136–174MHzCOMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)20150f,FREQUENCY (MHz)26259085807565130120ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)G p s ,P O W E R G A I N (d B )242322211715516016517070110P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )14514017513519100180P in,INPUT POWER (WATTS)0P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )806040200.40.61201000.20.8140 1.027202422807570G p s ,P O W E R G A I N (d B )20406026858025232110012014065605550ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)Figure 10.Power Gain,Drain Efficiency and CW Output Power versus Frequency at a Constant Input PowerFigure 11.CW Output Power versus Input Power and FrequencyP out ,OUTPUT POWER (WATTS)Figure 12.Power Gain and Drain Efficiency versusCW Output Power and Frequency191817454035136–174MHz COMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT(MRF101AN)f MHz Z sourceΩZ loadΩ135 6.8+j10.29.5+j5.2145 6.2+j10.29.9+j5.9155 5.3+j10.810.2+j6.2165 4.4+j11.910.0+j5.9175 3.9+j13.48.8+j5.0Z source=Test circuit impedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance as measured fromdrain to ground.Figure13.Series Equivalent Source and Load Impedance—136–174MHzZ source Z load50Ω50Ω230MHz FIXTURE(MRF101AN)—4.0"⨯5.0"(10.2cm⨯12.7cm)aaa--031939Figure14.MRF101AN Fixture Component Layout—230MHzTable11.MRF101AN Fixture Component Designations and Values—230MHzPart Description Part Number Manufacturer B1Long Ferrite Bead2743021447Fair-RiteC1,C2,C1018pF Chip Capacitor ATC100B180JT500XT ATCC343pF Chip Capacitor ATC100B430JT500XT ATCC4,C131000pF Chip Capacitor ATC800B102JT50XT ATCC50.1μF Chip Capacitor GRM319R72A104KA01D MurataC610nF Chip Capacitor C1210C103J5GACTU KemetC7 2.2μF Chip Capacitor C3225X7R1H225K TDKC847μF,16V Tantalum Capacitor T491D476K016AT KemetC951pF Chip Capacitor ATC100B510JT500XT ATCC1116pF Chip Capacitor ATC100B160JT500XT ATCC12470pF Chip Capacitor ATC800B471JW50XT ATCC140.1μF Chip Capacitor C1812104K1RACTU KemetC15 2.2μF Chip Capacitor C3225X7R2A225K TDKC16 2.2μF Chip Capacitor HMK432B7225KM-T Taiyo YudenC17220μF,100V Electrolytic Capacitor MCGPR100V227M16X26MulticompL139nH Chip Inductor1812SMS-39NJLC CoilcraftL246nH Chip Inductor1010VS-46NME CoilcraftL317.5nH,4Turn Inductor GA3095-ALC CoilcraftR1470Ω,1/4W Chip Resistor CRCW1206470RFKEA VishayPCB Rogers AD255C,0.030",εr=2.55,2oz.Copper D113651MTLTYPICAL CHARACTERISTICS —230MHz FIXTURE,T C =25_C (MRF101AN)0V GS ,GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)Figure 15.Output Power versus Gate--SourceVoltage at a Constant Input PowerP o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )P E A K755025 1.52 2.531251000.51P in ,INPUT POWER (dBm)PEAK 514943P o u t ,O U T P U T P O W E R (d B m )P E A K4733302127245318230110128f (MHz)P1dB (W)P3dB (W)Figure 16.Output Power versus Input PowerP out ,OUTPUT POWER(WATTS)PEAKFigure 17.Power Gain and Drain Efficiency versus Output Power and Quiescent CurrentG p s ,P O W E R G A I N (d B )ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)3300806040203301080706050403020P out ,OUTPUT POWER (WATTS)PEAKFigure 18.Power Gain and Drain Efficiencyversus Output PowerG p s ,P O W E R G A I N (d B )ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)0P out ,OUTPUT POWER (WATTS)PEAKFigure 19.Power Gain versus Output Powerand Drain--Source Voltage20G p s ,P O W E R G A I N (d B )16145075100182522150451001251503003002441393715230MHz FIXTURE (MRF101AN)f MHz Z sourceΩZ load Ω2302.1+j5.95.5+j3.2Z source =Test circuitimpedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance asmeasured from drain toground.Figure 20.Series Equivalent Source and Load Impedance —230MHzZ source Z load50Ω50ΩPACKAGE DIMENSIONSPRODUCT DOCUMENTATION,SOFTWARE AND TOOLS Refer to the following resources to aid your design process.Application Notes∙AN1955:Thermal Measurement Methodology of RF Power AmplifiersEngineering Bulletins∙EB212:Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS DevicesSoftware∙Electromigration MTTF Calculator∙RF High Power Model∙.s2p FileDevelopment Tools∙Printed Circuit BoardsTo Download Resources Specific to a Given Part Number:1.Go to /RF2.Search by part number3.Click part number link4.Choose the desired resource from the drop down menuREVISION HISTORYThe following table summarizes revisions to this document.Revision Date Description 0Nov.2018∙Initial release of data sheetRF Device DataNXP Semiconductors How to Reach Us:Home Page: Web Support:/support Information in this document is provided solely to enable system and software implementers to use NXP products.There are no express or implied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integrated circuits based on the information in this document.NXP reserves the right to make changes without further notice to any products herein.NXP makes no warranty,representation,or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose,nor does NXP assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit,and specifically disclaims any and all liability,including without limitation consequential or incidental damages.“Typical”parameters that may be provided in NXP data sheets and/or specifications can and do vary in different applications,and actual performance may vary over time.All operating parameters,including “typicals,”must be validated for each customer application by customer’s technical experts.NXP does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.NXP sells products pursuant to standard terms and conditions of sale,which can be found at the following address:/SalesTermsandConditions .NXP and the NXP logo are trademarks of NXP B.V.All other product or service names are the property of their respective owners.E 2018NXP B.V.MRF101BN MRF101AN。
LDMOS
横向扩散金属氧化物半导体
杨务诚
简介
80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了 新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是 VDMOS声效应功率晶体管。这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型 器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极 和源极之间流过适量的电流VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与 双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率 特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极 功率的二次穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用， VDMOS都是理想的功率器件。 九十年代中后期开始大批量生产LDMOS,作为微波低端大功率(20W以上)器 件的主流技术, 2. 4GHz以下输出峰值可达到200W以上,年产量超过4亿美元。与 传统的双极型晶体管相比, LDMOS器件在2. 4GHz以下频段时,增益、线性度、开 关性能、散热性能、价格等方面都有着明显的优势。今后LDMOS将向更高频率、 更低成本方向发展,见表1。 现在，VDMOS器件已广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间 熠电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于 VDMOS的性能价格比已优于比极功率器件，它在功率器件市声中的份额已达 42%。并将继续上升。世界各大半导体厂商如Freescale公司(占全球市场60% )、 Philips公司(占全球市场25% )、Infineon公司以及STM公司等竞相研究与开发。
阈值电压
阈值电压Vgs(th)定义为使半导体表面为反型层 时栅上所需加的电压。它由三部份组成：（1）栅 上首先需加电压VFB（平带电压）使半导体表面能 带是平的；（2）若要表面反型则半导体能带应有 2qφFB的弯曲，其中qφFB是体内费米能级到禁带中央 的距离，故栅上还应再加qφFB的电压；（3）能带弯 曲qφFB对应着表面反型层到体内有一过渡的耗尽层， 此耗尽层有一负的电荷面密度，这个负电荷需由栅 上相应的正电荷来屏蔽，因此氧化层上又需再加一 个电压Q/Cox，综上所述，得到阈值电压：
铝型材设计
Q/ZX - 2001结构设计用铝型材手册深圳市中兴通讯股份有限公司发布Q/ZX - 2001目次前言.........................................1 范围............................. 错误!未定义书签。
2 引用标准 ........................... 错误!未定义书签。
3 使用导则 ........................... 错误!未定义书签。
4 一般要求 ........................... 错误!未定义书签。
型材材料 ....................... 错误!未定义书签。
型材加工尺寸精度 .................. 错误!未定义书签。
铝型材断面图 (1)铝合金型材的表面化学处理。
(2)铝合金型材的热处理。
(2)型材的标志、运输、包装和贮存应符合GB319啲要求。
•错误!未定义书签。
5 标记............................. 错误!未定义书签。
6 铝合金型材截面图 ....................... 错误!未定义书签。
横梁类铝合金型材 .................. 错误!未定义书签。
面板类铝合金型材 .................. 错误!未定义书签。
导轨类铝合金型材 .................. 错误!未定义书签。
侧耳类铝合金型材 .................. 错误!未定义书签。
其他类铝合金型材 .................. 错误!未定义书签。
Q/ZX - 2001本标准是根据公司产品中对结构铝型材使用的实际需要，结合公司实际使用情况，参考有关国家、行业标准而编制的，目的是为公司各个事业部工艺部的结构设计人员提供一个实用的设计资料手册，方便大家的设计工作。
同时也有利于控制公司产品中结构铝型材的品种，增强投资效益，提高产品的设计质量，便于生产保障。
甲醇合成国内外工艺技术汇总
煤化工合成之一院 ccriwp 2008.3 BRICC
1
内容
1. 2. 3. 4. 5.
甲醇基本性质 甲醇的用途 合成原理及催化剂 甲醇合成工艺 我国甲醇工业
BRICC
2
化学组成 分子量
汽油 甲醇 C7H15 CH4O 99 32 19.7 56.4
低热值， MJ/kg 42.5 蒸发热， KJ/MJ 8
?
缺点是：ａ 缺点是：ａ、甲醇气化潜热大，冷起动时较汽油困难； 汽化潜热KJ/kg 293-841 1167 ｂ 、甲醇饱和蒸汽压和沸点较低，易形成气阻；ｃ 、甲 、甲醇饱和蒸汽压和沸点较低，易形成气阻；ｃ 醇是极性有机溶剂，易使橡胶和塑料部件溶胀，提前 辛烷值 95 110 老化。 CO2排放 73.3 70
BRICC
6
ＭＴＯ／ＭＴＰ
?
以甲醇为原料生产低碳烯烃（ＭＴＯ／ＭＴＰ） ， 以甲醇为原料生产低碳烯烃（ＭＴＯ／ＭＴＰ） ， 是甲醇重要的下游 产品，约３ 产品，约 ３吨甲醇出一吨烯烃产品。 甲醇制烯烃的ＭＴＯ工艺和甲醇制丙烯的ＭＴＰ工艺是核心技术。 甲醇制烯烃的ＭＴＯ工艺和甲醇制丙烯的ＭＴＰ工艺是核心技术。 以煤基合成甲醇为原料，生产低碳烯烃的工艺技术， 以煤基合成甲醇为原料 ，生产低碳烯烃的工艺技术 ，是替代石 油生产乙烯、丙烯等产品、减少石油消耗的重要途径。 合 成 气 生 产 甲 醇 合 成 甲 醇 制 烯 烃 烯 烃 聚 合 烃 烯 聚 ＭＴＯ／ＭＴＰ
?
BRICC
17
国内外甲醇合成塔简单总结
1. 2.
ICI冷激式，冷管和副产蒸汽反应器 ICI冷激式，冷管和副产蒸汽反应器
Lurgi鲁奇列管式，气冷Lurgi鲁奇列管式，气冷-水冷串连式 3. Casale轴径向反应器 Casale轴径向反应器 4. 托普索径向反应器 5. 林德的螺旋管式反应器 6. 三菱超转化合成塔 7. 日本TEC的 MRF－ 日本 TEC的 MRF －Z 8. 华东理工大学的合成塔 9. 杭州林达的均温塔 10. 湖南安醇 JJD水管式低压合成塔 湖南安醇JJD水管式低压合成塔 11. 南京国昌 GC型轴径向绝热合成塔 南京国昌GC型轴径向绝热合成塔
应用化工技术毕业设计（论文）-甲醇合成技术的研究进展
毕业设计（论文）甲醇合成技术的研究进展专业名称：专业名称： 应用化工技术应用化工技术学生姓名：学生姓名： 丁志敏丁志敏班 级：级：级： 2010 2010应化（应化（11）班）班学 号：号：号： 1006100101 1006100101指导教师：指导教师： 刘迪刘迪2012 2012 年年12月15日摘 要介绍了近年国内甲醇产业最新发展情况，特别对煤基甲醇和以它为原料生产低碳烯烃作了比较详细论述。
低碳烯烃作了比较详细论述。
煤基甲醇制乙烯和丙烯在我国具有重要意义，煤基甲醇制乙烯和丙烯在我国具有重要意义，煤基甲醇制乙烯和丙烯在我国具有重要意义，20062006年我国甲醇表观消费量达800万吨，万吨，20072007年需求量将达900万吨以上，今后几年还将以每年8%-10%8%-10%的速度增长。
甲醇生产能力和产量的快速增长、特别是煤的速度增长。
甲醇生产能力和产量的快速增长、特别是煤基甲醇的兴起已引起关注。
基甲醇的兴起已引起关注。
预计，预计，预计，煤基甲醇为原料生产乙烯、煤基甲醇为原料生产乙烯、煤基甲醇为原料生产乙烯、丙烯和作为新型燃丙烯和作为新型燃料以及相关技术，在中国具有璀璨的发展空间和广阔的市场前景。
关键词：甲醇，煤气化，燃料，烯烃：甲醇，煤气化，燃料，烯烃目 录前 言言.............................................................. 1 1 1 天然气制甲醇合成气工艺及进展天然气制甲醇合成气工艺及进展天然气制甲醇合成气工艺及进展..................................... .....................................2 1.1天然气添加CO2一段蒸汽转化 (2)1.2天然气与CO2催化转化 (2)1.3两段转化法 (3)1.3.1常规两段蒸汽转化法常规两段蒸汽转化法......................................... .........................................3 1.3.2纯氧换热转化工艺纯氧换热转化工艺........................................... ........................................... 3 1.4甲烷部分氧化 .. (4)1.4.1非催化部分氧化非催化部分氧化............................................. .............................................4 1.4.2催化部分氧化催化部分氧化............................................... ............................................... 4 2 2 甲醇合成反应器的分析与选择甲醇合成反应器的分析与选择甲醇合成反应器的分析与选择....................................... .......................................5 2.1国外主要甲醇合成反应器 (5)2.1.1 ICI 冷激型反应器冷激型反应器........................................... ...........................................5 2.1.2 Lurgi 管壳型甲醇合成塔管壳型甲醇合成塔..................................... .....................................5 2.2国外甲醇反应器发展趋势 (6)2.3国内甲醇反应器研发情况 (7)2.3.1绝热管壳式反应器绝热管壳式反应器........................................... ...........................................7 2.3.2内冷管壳式反应器内冷管壳式反应器........................................... ...........................................7 3 LURGI 型轴向低压甲醇合成技术 (9)3.1工艺流程 (9)3.2合成塔结构 (9)3.3技术特点 ..................................................... 11 4 4 大型甲醇技术发展现状评述大型甲醇技术发展现状评述大型甲醇技术发展现状评述......................................... .........................................12 4.1计算技术的发展 (12)4.2新的甲醇工艺流程配置 (12)4.3甲醇合成催化剂性能的不断提高 ................................. 14 5 5 总总 结............................................................15 参考文献参考文献........................................................... ...........................................................16 致 谢 (17)前 言甲醇是极为重要的有机化工原料和洁净液体燃料，是碳一化工的基础产品。
空调厂家型号大全
冷量范围：120kW≤制冷量≤2200kW
4、风管送风式空调（热泵）机组
规格型号：FG、FGR、FGW系列风管送风式空调（热泵）机组
冷量范围：25kW≤制冷量≤65kW
5、多联式空调（热泵）机组
规格型号：GMV、GMVL系列数码多联空调机组
冷量范围：25kW≤制冷量≤120kW
3、工商业用蒸汽压缩循环容积式水冷冷水机组
规格型号：SLSB、LSB系列水冷冷水机组，HSSWR系列水源水管道式户式中央空调，GHP、SGHP系列水源热泵机组
冷量范围：25kW≤制冷量≤1500kW
4、风管送风式空调（热泵）机组
规格型号：HGYR、HGY、HGNR系列风管道式户式中央空调
冷量范围：26kW
空调；MDV-J/S（VⅡ）、MDV/S（VⅢ）系列智能变频中央空调
（06-5-15增规格）
冷量范围：24.36kW＜制冷量≤180kW
规格型号：MMY-MAP—MMU-AP/MMD-AP系列超级智慧型直流变速空调系统（06-12-14增规格）
冷量范围：28kW≤制冷量≤135kW
5、风管送风式空调（热泵）机组（06-5-15增单元）
风量范围：4000m3/h≤风量≤320000m3/h
7、工商业用蒸汽压缩循环容积式风冷冷水（热泵）机组（06-3-27增单元）
规格型号：SLAD系列风冷螺杆式冷水（热泵）机组
冷量范围：105kW≤制冷量≤540kW
2004
10.18
2009
10.17
2
清华同方人工环境
有限公司
北京市密云县
工业开发区
风量范围：1500m3/h≤风量≤60000m3/h
煤化工术语大全
煤化工术语大全导读：煤化工传统煤化工现代煤化工煤化工产业链煤气化煤气净化煤热解煤炭深加工费托合成煤制油煤炭直接液化煤炭间接液化煤制甲醇煤制二甲醚煤制天然气煤制烯烃（MTO、MTP）煤制乙二醇煤制芳烃多联产IGCC 碳一化学（碳一化工）褐煤提质低阶煤洁净转化洁净煤技术1、煤化工、煤化工产业链、传统煤化工、现代煤化工煤化工是以煤为原料生产化学品、能源产品的工业。
即以煤为原料，经化学加工使煤转化为气体、液体和固体燃料以及化学品的过程。
按照产业发展成熟度和发展历程煤化工可分为传统煤化工与新型煤化工。
产业链是产业经济学中的一个概念，是各个产业部门之间基于一定的技术经济关联，并依据特定的逻辑关系和时空布局关系客观形成的链条式关联关系形态。
煤化工产业链是指基于化工产品上下游（包括原料）为联系的产品链条，一般包括原料（主要是煤炭）和多种化工产品。
（1）传统煤化工传统煤化工的产业链主要包括煤焦化、合成氨、煤制电石等。
传统煤化工的主要产品路线包括“煤-电石-PVC”、“煤-焦炭”、“煤-合成氨-尿素”等，涉及焦化、电石、合成氨等工业领域。
（2）现代煤化工现代煤化工又称“新型煤化工”，现代煤化工以洁净能源和化学品为主要目标产品，通常包括煤制油、煤制甲醇、煤制二甲醚、煤制烯烃、煤制乙二醇、煤制天然气、煤制芳烃等产业链。
换句话说，现代煤化工主要产品以生产洁净能源和可替代石油化工产品为主，如柴油、汽油、航空煤油、液化石油气。
聚乙烯原料、聚丙烯原料、甲醇、二甲醚以及煤化工独具优势的特有化工产品，如芳香烃类产品。
2、煤气化煤气化是一个热化学过程。
以煤或煤焦为原料，以氧气（空气、富氧或纯氧）、水蒸气或氢气等作气化剂，在高温条件下通过化学反应将煤或煤焦中的可燃部分转化为气体燃料的过程。
煤气化是煤化工的“龙头”，也是煤化工的基础。
煤气化工艺是生产合成气产品的主要途径之一，通过气化过程将固态的煤转化成气态的合成气，同时副产蒸汽、焦油（个别气化技术）、灰渣等副产品。
轮胎排名
1、普利司通/日本日本普利斯通(BRIDGESTONE)公司是世界最大的轮胎及橡胶产品生产商，也是世界轮胎业三巨头之一。
2、米其林/法国其林集团是全球轮胎科技的领导者，逾百年前于法国的克莱蒙费朗建立。
在漫长的历程中，米其林集团自1889年发明首条自行车可拆卸轮胎与1895年发明首条轿车用充气轮胎以来，在轮胎科技与制造方面发明不断。
第二代米其林X ICE 冬季轮胎除了轮胎以外，米其林集团还生产轮辋、钢丝、移动辅助系统(如PAX系统)、旅游服务(如ViaMichelin，GPS）、地图及旅游指南，其中地图与指南出版机构是该领域的领导者。
著名的米其林指南在2000年已有100岁3、固特异/美国美国固特异轮胎橡胶公司始建于1898年，至今已有百余年的历史。
固特异公司是世界上最大规模的轮胎生产公司，总部位于美国俄亥俄州阿克隆市，公司主要在28个国家90多个工厂中生产轮胎、工程橡胶产品和化学产品。
如今固特异在全世界的员工达到80,000多人。
4、大陆/德国德国大陆集团（Continental ）德国马牌标志始建于1871年，总部位于德国汉诺威市，是世界第三大轮胎制造企业、欧洲最大的汽车配件供应商。
公司最初的产品是橡胶制品和实心马车和自行车轮胎。
5、倍耐力/意大利倍耐力(Pirelli),倍耐力轮胎是当今世界享有盛名的轮胎公司之一.1872年创立于意大利，倍耐力公司也是国际米兰足球俱乐部的最大赞助商。
在全球12个国家拥有24家工厂。
一百多年的轮胎生产经验造就了倍耐力轮胎舒适，耐用，安全的优异性能。
倍耐力轮胎高度重视中国市场。
长期受到世界著名的汽车制造厂商认可.奥迪.宾利.法拉利.兰博基尼.宝马.奔驰等著名汽车品牌皆指定倍耐力轮胎为原厂配套胎.6、住友橡胶/日本（sumotomo）住友轮胎是住友轮胎公司的主要产品，住友轮胎公司是全球销量第六大轮胎公司，隶属日本住友财团，1963年购并英国dunlop轮胎。
旗下品牌尚有：srixon，falken。
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MRF系列产品介绍(仅其中一部分)型号功能MRF581 5G 0.6WMRF181 800-1G 10WMRF182 1G 30WMRF281 800-2.6G 4WMRF282 2.6G 20WMRF284 800-2.6G 30W 带螺丝座MRF20060 1.7-2.6G 60WMRF9045 9G 45WMRF5003 520M 15WMRF5007 520M 15WMRF1517 520M 15WMRF1507 520M 15WMRF1511 175M 15WMRF1518 175M 15WMRF553 175M 1.5W33P50 520M 1W2SK2595 1G 10WMRF10005960-1215 MHz, 5.0 W, 28 V 微波功率晶体管MRF10031960-1215 MHz, 30 W (Peak), 36 V 微波功率晶体管MRF10120960-1215 MHz, 120 W (Peak), 36 V 微波功率晶体管MRF101501025-1150 MHz, 150 W (Peak), 50 V 微波功率晶体管MRF103501025-1150 MHz, 350 W (Peak), 50 V 微波功率晶体管MRF105021025-1150 MHz, 500 W (Peak), 50 V 微波功率晶体管MRF134达到400 MHz, 5.0 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF136达到400 MHz, 15 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFET MRF141175 MHz, 150 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF141G175 MHz, 300 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF148A达到175 MHz, 30 W, 50 V N 宽带射频功率MOSFETMRF150达到150 MHz, 150 W, 50 V N 宽带射频功率MOSFETMRF151175 MHz, 150 W, 50 V N 宽带射频功率MOSFETMRF151G175 MHz, 300 W, 50 V N 宽带射频功率MOSFETMRF15480 MHz, 600 W, 50 V N 宽带射频功率MOSFETMRF157达到80 MHz, 600 W, 50 V N 宽带射频功率MOSFETMRF158达到500 MHz, 2.0 W, 28 V TMOS N 宽带射频功率FETMRF160500 MHz, 4.0 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF160061.6 GHz, 6.0 W, 28 V 射频功率晶体管MRF160301.6 GHz, 30 W, 28 V RF 射频功率晶体管MRF166C500 MHz, 20 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF166W500 MHz, 40 W, 28 V TMOS N宽带射频功率FETMRF171A150 MHz, 45 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF173175 MHz, 80 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF174200 MHz, 125 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF177400 MHz, 100 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF275G100–500 MHz, 150 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF275L500 MHz, 100 W, 28 V N 宽带射频功率MOSFETMRF42630 MHz, 25 W, 28 V 射频功率晶体管NPN SiMRF587500 MHz, 15 V, NF = 3.0 dB, 高频晶体管MRFIC1818 1.7-1.9G 2WMRF183 1G 45WMRF187 800-960MHz 85WMRF7042 900MHz 45WMRF175 400MHz 200WMRF581 5G 0.6W2SK2596 800-960MHz 1.5WBFG10 25G 0.6VBFG21 18G 4.5V 0.5A 0.6WBFG403 17G 4.5V 16MA 0.3WBFG410 22G 4.5V 12MA 135MWBFG425 25G 4.5V 30MA 135MWBFG450 45G 0.2WBFG540 45G 3V 30MA 135MWBFG541 9G 0.6WBLT81 800-960M 1.2WTP3022 800-960M 15WTDA1576 ICSRF7062 800-960M 150WMHL9236 800-960M 3WMHL7008 800-960M 3WMHL9128 800-960M 3WATF10136 4G 0.4WCMM2308 800-2.7G 1WCMM1330 1.7-1.9G 2WPF0030 860-915M 7W终端负载50欧5W 3G,18G 驻波小于1.06高频电阻50欧100欧30W 100W 3G型号技术指标数量单价(US$) 型号技术指标数量单价(US$)MRF281 800-2.6G 4W 4K 10 BFG10 25G 0.6W 10K 1MRF282 800-2.6G 10W 4K 15 BFG21 18G 4.5V 0.5A 0.6W 5K 1MRF284 800-2.6G 30W 带螺丝座4K 20 BFG403 17G 4.5V 16MA 0.3W 5K 0.5 MRF20060 1.7-2.6G 60W 6K 30 BFG410 22G 4.5V 12MA 135MW 5K 0.5 MRF181 800-960M 10W 2K 10 BFG425 25G 4.5V 30MA 135MW 4K 0.5 MRF182 1G 30W 500PC 15 BFG450 45G 0.2W 1K 3MRFIC1818 1.7-1.9G 2W 2K 10 BFG540 45G 3V 30MA 135MW 2K 3MRF187 800-960M 85W 1K 30 BFG541 9G 0.6W 3K 0.5MRF7042 900M 45W 2K 15 BFG198 9G 1W 3K 0.5MRF9045 9G 45W 200PC 30 TP3022 800-960M 15W 4K 6MRF581 5G 0.6W 5K 0.5 TDA1576 IC 2K 2MRF5003 520M 15W 5K 3 SRF7062 800-960M 150W 2K 40MRF5007 520M 15W 5K 5 MHL9236 800-960M 3W 200PC 20MRF1517 520M 15W 2K 5 MHL7008 800-960M 3W 500PC 15MRF1507 520M 15W 2K 5 MHL9128 800-960M 3W 500PC 15MRF1511 175M 15W 2K 5 ATF10136 4G 0.4W 10K 1.5MRF1518 175M 15W 1K 5 CMM2308 800-2.7G 1W 10K 1.5MRF553 175M 1.5W 6K 0.5 CMM1330 1.7-1.9G 2W 5K 2MRF137 225MHz 30W 100PC 20 RF2125 1.5-2.2G 1W 1K 5MRF141 225MHZ 150W 100PC 40 PF0030 860-915M 7W 2K 2MRF151G 175MHz 300W 500PC 100 2SC1971 175MHz 7W 5K 1MRF154 150MHz 600W 500PC 200 2SC3356 6.5G 0.2W 5K 0.1MRF175G 500MHz 150W 500PC 100 2SC3357 6.5G 2W 5K 0.2MRF6404 1.8-2G 1K 10 2SC2407 500MHz 0.6W 10K 0.2BLT50 500M 1.2W 5K 0.6 2SC1906 1G 150MW 10K 0.05BLT81 400-960M 1.2W 3K 1 BLU98 5G 0.7W 5K 0.52SK2596 800-960M 1.5W 5K 0.5 33P55 800-960MHz 60W 5K 102SK2595 800-960M 10W 10K 3 E626 800-960Mhz 60W 5K 103SK228 1G 高放双栅管5K 0.15 终端负载50欧5W 3G,18G 驻波小于1.06 3K 10,100温补晶体12.8MHZ 贴片7x7M 5k 3 高频电阻50欧100欧30W 100W 3G 10k 2 MRF92822A 7W 手持对讲机/长距离无绳电话/车载台/手机专用功率发射晶体管集成电路ICMC3361 10K 0.1 HT9200 5K 0.2MC33110 5K 0.2 HT9170 5K 0.2MC34119 5K 0.1 93C66 5K 0.1LM386 5K 0.1 24C08 5K 0.2M54958 5K 1.5 EM92547 5K 0.2M64082 5K 0.5 KA4588 5K 0.1TB31202 5K 0.4 KA567 5K 0.1手机功放及常用元件型号技术指标数量单价(US$) 型号技术指标数量单价(US$)MRFIC0913 800-1000MHZ 2W 现货面议AP109 900MHZ 2W 现货面议27E31 900MHZ 2W 现货面议AP119 1800MHZ 2W 现货面议08K38 900MHZ 2W 现货面议4370451 900MHZ 2W 现货面议08K40 900MHZ 2W 现货面议4370453 1800MHZ 2W 现货面议08K07 900MHZ 2W 现货面议TRF6053 900MHZ 2W 现货面议08K11 900MHZ 2W 现货面议TRF2253 频率合成IC 现货面议PF01420B 900MHZ 2W 现货面议13MHZ 温补晶体现货面议PF01412A 1800MHZ 2W 现货面议881-942 声表滤波器现货面议PF01411B 900MHZ 2W 现货面议PF014110B 1800MHZ 2W 现货面议常用元件MRF5711 8G 0.33W 现货面议BFQ67 8G 0.3W 现货面议MRF5811 5G 0.7W 现货面议BFG540 9G 0.4W 现货面议MMBR941 8G 0.25W 现货面议BFR182W 8G 0.3W 现货面议MMBR503 1G 0.3W 现货面议BFR91 6G 0.3W 现货面议MMBR901 4G 0.3W 现货面议BU508 现货面议84UD22182EB-9C 现货面议Y759B 现货面议F741529AGHH 现货面议08122B 现货面议TWL3011GGM 现货面议089711747 现货面议LMST 现货面议LS28 现货面议。