半导体器件与工艺(4)答辩
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IDS VDS=常数
VGS>VT后，在VDS作用下才形成IDS电流。 VGS和IDS之间的关系，通常用跨导
gm表示。即：
I g m DS VGS
O
VGS(th)N
VGS
N沟道MOS管转移特性
vDS 常数
它表明了 VGS 对 IDS 的控制能力，数值越大，栅极控制作用越强。
MOSFET的分类
Biblioteka Baidu
MOSFET的阈值电压的控制
在 MOS 集成电路制造工艺中普遍采用离子注入来 调整阈值电压。离子注入可以精确地控制注入杂质数 量和深度，使阈值电压 VT 得到精确控制，离子注入引 起VT变化近似估计为：
qNI ΔVT COX
由此可见，注入p型杂质产生正的⊿VT;注入n型杂 质产生负的⊿VT。
MOSFET的阈值电压的控制
2kT N B ln q ni
Q VFB ms ss Cox
平带电压的影响
VOX
QBm 2 0 s qNB (2 F ) 2 COX COX
1
Vs 2ψ F
栅氧化层压降
强反型时的表面势
VT VFB VOX 2 F
MOSFET的阈值电压表达式
表面强反型时，表面耗尽层宽度达到最大值Xdm,若将n 型反型层与p型衬底间近似为p-n+结，则
D 2 PO D P 0 S
衬底偏置对阈值电压的影响
当 MOSFET 的衬底相对于源极有一偏置电压 VBS 时 （通常NMOSFET的VBS<0），沟道与衬底之间的pn结处于 反偏，使衬底耗尽层展宽，耗尽层电荷增加，进一步屏蔽 了栅压形成的电场，在半导体表面感应出反型载流子需要 更大的栅压，即 NMOSFET 的负衬底偏压使阈值电压提高。
半导体器件与工艺
第四章 MOS场效应晶体管 （MOSFET）
信息与通信工程学院 微电子学
CMOS反相器
CMOS反相器由一个 P沟道增强型 MOS管和一个 N 沟道增强型 MOS管
串联组成。CMOS 电路具有静态功耗很低的优点。
VDD S G D TP（p沟道增强型）
vI
D G
vO
TN （n沟道增强型） S
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
饱和区的直流电流-电压特性
X d L L' 2 S 0 U DS U GS U T qN A
LI Dsat 2 S 0 U DS U GS UT L qNA
' I Dsat
I Dsat L I Dsat ' L L L Xd
NPN 晶体管由 NMOS 场效应晶体管的 源区、衬底和漏区组成，源区就是发 射区，衬底为基区，漏区为集电区。 引发击穿的初始原因是沟道夹断区强 场下的载流子倍增和转角区载流子倍 增，倍增产生的电子流向漏区，空穴 流入衬底，流经衬底体电阻时产生的 电压降经衬底极加到源极上，这一电 压降使源PN结正偏，也就是使寄生NPN 晶体管发射结正偏。与此同时漏 PN 结， 也就是NPN晶体管的集电结己出现载流 子倍增，于是正向有源工作的NPN晶体 管就进入“倍增-放大”的往复循环过 程，从而导致电压下降，电流上升。
L qNA BU DSP U D 2 S 0
2
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
最大栅-源耐压BUGS
最大栅 - 源耐压就是栅 -源之间能够承受的最高电 压，它是由栅极下面栅氧层的击穿电压决定的。由于 栅氧层是绝缘介质，它的击穿是破坏性的，对MOS场 效应晶体管来说，一旦栅介质层被击穿，就会造成不 可恢复的损坏。
耗尽层
P型硅衬底
导电沟道形成后， UDS越大，ID越大。
●
S
- + UGS G
- + UDS ID D N+
UGS越大，电场越 强，沟道越宽，沟 道等效电阻越小。
N+
P型硅衬底
MOSFET的输出特性
输出特性曲线表示在
一定栅源电压VGS下，漏源 电 流 IDS 和 漏 源 电 压 VDS 之
间的关系。 截止区：VGS<VT，没有
dVGS S d (lg I DS )
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
栅调制击穿
雪崩击穿首先发生在图形边缘的曲 面上。冶金结与Si-SiO2界面交点处电 场强度最高，这个区域称做转角区。场 强的数值不仅依赖于漏PN结上的外加电 压，而且与栅漏电压UDG有关，衬底掺 杂浓度不过高的情况下，tox一般远小于 漏耗尽区的扩展宽度，转角区的电场比 体内强得多，雪崩击穿首先在这里发 生。
例2 对一NA=1×1017cm-3与等效电荷密度为5×1011cm-2的 n沟道的场效应晶体管，试计算栅极氧化层厚度为 5nm时 的阈值电压，需多少硼离子注入离子剂量方能使 VT 增至 0.6V?（ms= -0.98V ）
MOSFET的阈值电压的控制
某 铝 栅 P 沟 道 MOSFET 的 衬 底 掺 杂 浓 度 qN a V V V 为 2 ， 栅 氧 化 层 的 厚 度 为 100nm，QOX q 5 1011 cm2 。若要得到-1.5V的阈 值电压，应采用沟道区硼离子注入。设注入深 度大于沟道下耗尽区最大厚度，则所需的注入 浓度为多少？
阈值电压，漏极附近的沟道 被夹断。 IDS 不随 VDS 线性上
升，而是达到某一数值，几
乎不变。
MOSFET的输出特性
击穿区：当VDS达到或超过漏
端PN结反向击穿电压时，漏 端PN结反向击穿，MOSFET进
入击穿状态。
MOSFET的转移特性和跨导
MOS 管的转移特性是指在漏源电压 VDS 一定时，栅源电压 VGS和漏源电流IDS之间的关系。 当 VGS<VT 时 ， IDS=0 ， 只 有 当
形成导电沟道，因此 IDS=0 。
MOSFET的输出特性
线性区：随着栅压逐渐增大，
VGS>VT 时，半导体表面形成导电
沟道。 VGS 越大，曲线越陡，相 应等效电阻越小。该区域又称 为可调电阻区域。 夹断特性与饱和区：当VDS继 续增大，导电沟道存在电压 降，有效栅压从源到漏逐渐
降低。当漏端有效栅压小于
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
MOSFET直流电流-电压曲线特点
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
MOSFET亚阈值电流
栅偏压低于阈值以致沟道区表面是弱反型时，MOSFET仍有很 小的漏极电流（亚阈值电流），器件的工作状态在亚阈值区。在 器件的开关和数字电路应用中亚阈值区特性比较重要。 为表征亚阈值电流随栅压变化，引入亚阈值斜率S表示IDS改 变一个数量级时所需要的栅压。S越小，器件导通和截止之间的 转换就越容易，亚阈值区特性越好。
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
例4 对一如图所示的NMOSFET，VT为1V,沟道宽 度W为40µm,沟道长度为4µm，栅氧化层厚度800Å， VDD等于5V，VG等于6.5V，求IDS。
设计一NMOSFET，要求VT为0.5V, IDS 为40mA；,工艺最小线宽为2.5µm，栅氧化 层厚度600Å，求沟道宽度W 。（VDS等于 6V，VGS等于4V ）
- + UDS IDS=0 D N+
相当于 两个反接的PN结
P型硅衬底
当UGS>0时 垂直于衬底表面 产生电场 电场吸引衬底中 电子到表层 耗尽层
●
S N+
- + UGS G
- + UDS IDS D N+
P型硅衬底
N沟道 沟通源区与漏区 与衬底间被耗尽层绝缘
●
S N+
- + UGS G
- + UDS ID D N+
VT
2 0 Si qNB COX
2 F VBS 2 F
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
线性区的直流电流-电压特性
I DS UGS UT U DS
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
饱和区的直流电流-电压特性
I Dsat
1 2 (U GS U T ) 2
对于长沟MOS场效应晶体管，沟道渡越时间是限制 截止频率的主要因素，截止频率就由沟道渡越时间决定。
L L2 n Ex n U GS UT L
X dm
2 0 Si (2 F ) qN B
1
2
表面耗尽层中单位面积上电荷密度也达到最大值：
QBM qNB X dm 2 0 Si qNB (2 F )
由于p-Si衬底中的空间电荷是带负电的受主离子，QBM 取负值；对n-Si衬底是空间电荷是带正电的施主离子，QBM 取正值。
饱和区电流:
Xd 1 L U DS
I
' Dsa t
1 2 U GS U T 1 U DS 2
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
例3 对一如图所示的 NMOSFET，VT为1V,沟道宽 度W为40µm,沟道长度为4µ m，栅氧化层厚度800Å， VDD等于5V，求IDS。
MOSFET的结构
N沟道
SiO2绝缘层
P沟道
源极 栅极 漏极 S G D
SiO2绝缘层 源极 栅极 漏极 S G D P+ P+
N+
N+
P型硅衬底 NMOSFET的结构
N型硅衬底 PMOSFET的结构
MOSFET的工作原理 （以N沟MOSFET为 例说明）
●
当UGS=0时
S N+
- + UGS G
BUGS EOX max t OX
EOX max 8 10 V cm
6
MOS结构电容
MOS场效应晶体管的频率特性
1. MOS场效应管截止频率
gm fT 2CGS
MOS场效应晶体管在饱和工作区时截止频率 （电压放大系数为1）与基本结构参数的关系。
MOS场效应晶体管的频率特性
CMOS反相器
MOSFET的结构
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）是集成电路的 基本元件。MOSFET有四个电极：源极S、漏极D、栅极G和衬底B。结构参数包括： 沟道长度、宽度、厚度；栅氧化层厚度；源、漏区结深以及半导体表面掺杂浓度。
MOSFET的阈值电压表达式
例 1 有 一 n 沟 道 MOSFET ， 衬 底 掺 杂 浓 度 NA=5×1015cm-3 ，栅金属为 Al ，作为栅绝缘体的 SiO2 膜厚度为100nm，并且等效电荷密度为1×1010cm-2。 试计算该MOS晶体管阈值电压？该MOS晶体管是耗尽 型还是增强型？（ms=-0.8V）
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
漏-源穿通机构
当漏极电压UDS增大时，漏结耗尽区扩展，使沟道有效 长度缩短，沟道表面漏结耗尽区的宽度Xdm为
X dm
2 S 0 U D U DS qN A
当Xdm扩展到等于沟道长度L时，漏结耗尽区扩展到源 极，这便发生漏-源之间的直接穿通。穿通电压：
漏- 源饱和电流随着沟道长度的减小（由于 UDS增大，漏端 耗尽区扩展所致）而增大的效应称为沟道长度调变效应，这个 效应会使MOS场效应晶体管的输出特性曲线发生倾斜，导致它 的输出阻抗降低。
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
饱和区的直流电流-电压特性
比较MOS场效应晶体管与双极型晶体管的工作机理可发现： 在N型沟道中运动的电子到达沟道夹断处时，被漏端耗尽区的电 场扫进漏区形成电流，这相似于NPN管的集电结电场将通过基区 输运的电子扫进集电区形成集电极电流，MOS场效应晶体管的沟 道长度调变效应相似于双极型晶体管的基区宽度调变效应，其 结果都是使增益变大，输出阻抗变小。 引入描述沟道长度调制效应的沟道调制系数:
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压 沟道雪崩倍增击穿机理
导通状态漏源击穿是沟道载流子雪崩倍增。从沟道进入 夹断区的载流子大部分在距表面0.2~0.4微米的次表面流动， 漏衬PN结的冶金结附近电场最高，达到和超过雪崩击穿临界 电场强度时，击穿就发生了。
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
NPN晶体管击穿机理
N沟道增强型 P沟道增强型
D
D G
G
S
S
D
N沟道耗尽型
P沟道耗尽型
D G S G
S
MOS管按沟道中载流子类别分P型沟道和N型沟道两种；按 零栅压时是否存在导电沟道又分为增强型和耗尽型两类。
MOSFET的阈值电压表达式
定义为沟道源端的半导体表面开始强反型所需要的栅 压。由三部分作用：抵消功函数差和有效界面电荷的影响 所需栅压，即平带电压VFB；产生强反型所需表面势；强反 型时栅下表面耗尽层电荷在氧化层上产生的附加压降。
VGS>VT后，在VDS作用下才形成IDS电流。 VGS和IDS之间的关系，通常用跨导
gm表示。即：
I g m DS VGS
O
VGS(th)N
VGS
N沟道MOS管转移特性
vDS 常数
它表明了 VGS 对 IDS 的控制能力，数值越大，栅极控制作用越强。
MOSFET的分类
Biblioteka Baidu
MOSFET的阈值电压的控制
在 MOS 集成电路制造工艺中普遍采用离子注入来 调整阈值电压。离子注入可以精确地控制注入杂质数 量和深度，使阈值电压 VT 得到精确控制，离子注入引 起VT变化近似估计为：
qNI ΔVT COX
由此可见，注入p型杂质产生正的⊿VT;注入n型杂 质产生负的⊿VT。
MOSFET的阈值电压的控制
2kT N B ln q ni
Q VFB ms ss Cox
平带电压的影响
VOX
QBm 2 0 s qNB (2 F ) 2 COX COX
1
Vs 2ψ F
栅氧化层压降
强反型时的表面势
VT VFB VOX 2 F
MOSFET的阈值电压表达式
表面强反型时，表面耗尽层宽度达到最大值Xdm,若将n 型反型层与p型衬底间近似为p-n+结，则
D 2 PO D P 0 S
衬底偏置对阈值电压的影响
当 MOSFET 的衬底相对于源极有一偏置电压 VBS 时 （通常NMOSFET的VBS<0），沟道与衬底之间的pn结处于 反偏，使衬底耗尽层展宽，耗尽层电荷增加，进一步屏蔽 了栅压形成的电场，在半导体表面感应出反型载流子需要 更大的栅压，即 NMOSFET 的负衬底偏压使阈值电压提高。
半导体器件与工艺
第四章 MOS场效应晶体管 （MOSFET）
信息与通信工程学院 微电子学
CMOS反相器
CMOS反相器由一个 P沟道增强型 MOS管和一个 N 沟道增强型 MOS管
串联组成。CMOS 电路具有静态功耗很低的优点。
VDD S G D TP（p沟道增强型）
vI
D G
vO
TN （n沟道增强型） S
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
饱和区的直流电流-电压特性
X d L L' 2 S 0 U DS U GS U T qN A
LI Dsat 2 S 0 U DS U GS UT L qNA
' I Dsat
I Dsat L I Dsat ' L L L Xd
NPN 晶体管由 NMOS 场效应晶体管的 源区、衬底和漏区组成，源区就是发 射区，衬底为基区，漏区为集电区。 引发击穿的初始原因是沟道夹断区强 场下的载流子倍增和转角区载流子倍 增，倍增产生的电子流向漏区，空穴 流入衬底，流经衬底体电阻时产生的 电压降经衬底极加到源极上，这一电 压降使源PN结正偏，也就是使寄生NPN 晶体管发射结正偏。与此同时漏 PN 结， 也就是NPN晶体管的集电结己出现载流 子倍增，于是正向有源工作的NPN晶体 管就进入“倍增-放大”的往复循环过 程，从而导致电压下降，电流上升。
L qNA BU DSP U D 2 S 0
2
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
最大栅-源耐压BUGS
最大栅 - 源耐压就是栅 -源之间能够承受的最高电 压，它是由栅极下面栅氧层的击穿电压决定的。由于 栅氧层是绝缘介质，它的击穿是破坏性的，对MOS场 效应晶体管来说，一旦栅介质层被击穿，就会造成不 可恢复的损坏。
耗尽层
P型硅衬底
导电沟道形成后， UDS越大，ID越大。
●
S
- + UGS G
- + UDS ID D N+
UGS越大，电场越 强，沟道越宽，沟 道等效电阻越小。
N+
P型硅衬底
MOSFET的输出特性
输出特性曲线表示在
一定栅源电压VGS下，漏源 电 流 IDS 和 漏 源 电 压 VDS 之
间的关系。 截止区：VGS<VT，没有
dVGS S d (lg I DS )
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
栅调制击穿
雪崩击穿首先发生在图形边缘的曲 面上。冶金结与Si-SiO2界面交点处电 场强度最高，这个区域称做转角区。场 强的数值不仅依赖于漏PN结上的外加电 压，而且与栅漏电压UDG有关，衬底掺 杂浓度不过高的情况下，tox一般远小于 漏耗尽区的扩展宽度，转角区的电场比 体内强得多，雪崩击穿首先在这里发 生。
例2 对一NA=1×1017cm-3与等效电荷密度为5×1011cm-2的 n沟道的场效应晶体管，试计算栅极氧化层厚度为 5nm时 的阈值电压，需多少硼离子注入离子剂量方能使 VT 增至 0.6V?（ms= -0.98V ）
MOSFET的阈值电压的控制
某 铝 栅 P 沟 道 MOSFET 的 衬 底 掺 杂 浓 度 qN a V V V 为 2 ， 栅 氧 化 层 的 厚 度 为 100nm，QOX q 5 1011 cm2 。若要得到-1.5V的阈 值电压，应采用沟道区硼离子注入。设注入深 度大于沟道下耗尽区最大厚度，则所需的注入 浓度为多少？
阈值电压，漏极附近的沟道 被夹断。 IDS 不随 VDS 线性上
升，而是达到某一数值，几
乎不变。
MOSFET的输出特性
击穿区：当VDS达到或超过漏
端PN结反向击穿电压时，漏 端PN结反向击穿，MOSFET进
入击穿状态。
MOSFET的转移特性和跨导
MOS 管的转移特性是指在漏源电压 VDS 一定时，栅源电压 VGS和漏源电流IDS之间的关系。 当 VGS<VT 时 ， IDS=0 ， 只 有 当
形成导电沟道，因此 IDS=0 。
MOSFET的输出特性
线性区：随着栅压逐渐增大，
VGS>VT 时，半导体表面形成导电
沟道。 VGS 越大，曲线越陡，相 应等效电阻越小。该区域又称 为可调电阻区域。 夹断特性与饱和区：当VDS继 续增大，导电沟道存在电压 降，有效栅压从源到漏逐渐
降低。当漏端有效栅压小于
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
MOSFET直流电流-电压曲线特点
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
MOSFET亚阈值电流
栅偏压低于阈值以致沟道区表面是弱反型时，MOSFET仍有很 小的漏极电流（亚阈值电流），器件的工作状态在亚阈值区。在 器件的开关和数字电路应用中亚阈值区特性比较重要。 为表征亚阈值电流随栅压变化，引入亚阈值斜率S表示IDS改 变一个数量级时所需要的栅压。S越小，器件导通和截止之间的 转换就越容易，亚阈值区特性越好。
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
例4 对一如图所示的NMOSFET，VT为1V,沟道宽 度W为40µm,沟道长度为4µm，栅氧化层厚度800Å， VDD等于5V，VG等于6.5V，求IDS。
设计一NMOSFET，要求VT为0.5V, IDS 为40mA；,工艺最小线宽为2.5µm，栅氧化 层厚度600Å，求沟道宽度W 。（VDS等于 6V，VGS等于4V ）
- + UDS IDS=0 D N+
相当于 两个反接的PN结
P型硅衬底
当UGS>0时 垂直于衬底表面 产生电场 电场吸引衬底中 电子到表层 耗尽层
●
S N+
- + UGS G
- + UDS IDS D N+
P型硅衬底
N沟道 沟通源区与漏区 与衬底间被耗尽层绝缘
●
S N+
- + UGS G
- + UDS ID D N+
VT
2 0 Si qNB COX
2 F VBS 2 F
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
线性区的直流电流-电压特性
I DS UGS UT U DS
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
饱和区的直流电流-电压特性
I Dsat
1 2 (U GS U T ) 2
对于长沟MOS场效应晶体管，沟道渡越时间是限制 截止频率的主要因素，截止频率就由沟道渡越时间决定。
L L2 n Ex n U GS UT L
X dm
2 0 Si (2 F ) qN B
1
2
表面耗尽层中单位面积上电荷密度也达到最大值：
QBM qNB X dm 2 0 Si qNB (2 F )
由于p-Si衬底中的空间电荷是带负电的受主离子，QBM 取负值；对n-Si衬底是空间电荷是带正电的施主离子，QBM 取正值。
饱和区电流:
Xd 1 L U DS
I
' Dsa t
1 2 U GS U T 1 U DS 2
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
例3 对一如图所示的 NMOSFET，VT为1V,沟道宽 度W为40µm,沟道长度为4µ m，栅氧化层厚度800Å， VDD等于5V，求IDS。
MOSFET的结构
N沟道
SiO2绝缘层
P沟道
源极 栅极 漏极 S G D
SiO2绝缘层 源极 栅极 漏极 S G D P+ P+
N+
N+
P型硅衬底 NMOSFET的结构
N型硅衬底 PMOSFET的结构
MOSFET的工作原理 （以N沟MOSFET为 例说明）
●
当UGS=0时
S N+
- + UGS G
BUGS EOX max t OX
EOX max 8 10 V cm
6
MOS结构电容
MOS场效应晶体管的频率特性
1. MOS场效应管截止频率
gm fT 2CGS
MOS场效应晶体管在饱和工作区时截止频率 （电压放大系数为1）与基本结构参数的关系。
MOS场效应晶体管的频率特性
CMOS反相器
MOSFET的结构
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）是集成电路的 基本元件。MOSFET有四个电极：源极S、漏极D、栅极G和衬底B。结构参数包括： 沟道长度、宽度、厚度；栅氧化层厚度；源、漏区结深以及半导体表面掺杂浓度。
MOSFET的阈值电压表达式
例 1 有 一 n 沟 道 MOSFET ， 衬 底 掺 杂 浓 度 NA=5×1015cm-3 ，栅金属为 Al ，作为栅绝缘体的 SiO2 膜厚度为100nm，并且等效电荷密度为1×1010cm-2。 试计算该MOS晶体管阈值电压？该MOS晶体管是耗尽 型还是增强型？（ms=-0.8V）
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
漏-源穿通机构
当漏极电压UDS增大时，漏结耗尽区扩展，使沟道有效 长度缩短，沟道表面漏结耗尽区的宽度Xdm为
X dm
2 S 0 U D U DS qN A
当Xdm扩展到等于沟道长度L时，漏结耗尽区扩展到源 极，这便发生漏-源之间的直接穿通。穿通电压：
漏- 源饱和电流随着沟道长度的减小（由于 UDS增大，漏端 耗尽区扩展所致）而增大的效应称为沟道长度调变效应，这个 效应会使MOS场效应晶体管的输出特性曲线发生倾斜，导致它 的输出阻抗降低。
MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
饱和区的直流电流-电压特性
比较MOS场效应晶体管与双极型晶体管的工作机理可发现： 在N型沟道中运动的电子到达沟道夹断处时，被漏端耗尽区的电 场扫进漏区形成电流，这相似于NPN管的集电结电场将通过基区 输运的电子扫进集电区形成集电极电流，MOS场效应晶体管的沟 道长度调变效应相似于双极型晶体管的基区宽度调变效应，其 结果都是使增益变大，输出阻抗变小。 引入描述沟道长度调制效应的沟道调制系数:
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压 沟道雪崩倍增击穿机理
导通状态漏源击穿是沟道载流子雪崩倍增。从沟道进入 夹断区的载流子大部分在距表面0.2~0.4微米的次表面流动， 漏衬PN结的冶金结附近电场最高，达到和超过雪崩击穿临界 电场强度时，击穿就发生了。
MOS场效应晶体管击穿区特性及击穿电压
NPN晶体管击穿机理
N沟道增强型 P沟道增强型
D
D G
G
S
S
D
N沟道耗尽型
P沟道耗尽型
D G S G
S
MOS管按沟道中载流子类别分P型沟道和N型沟道两种；按 零栅压时是否存在导电沟道又分为增强型和耗尽型两类。
MOSFET的阈值电压表达式
定义为沟道源端的半导体表面开始强反型所需要的栅 压。由三部分作用：抵消功函数差和有效界面电荷的影响 所需栅压，即平带电压VFB；产生强反型所需表面势；强反 型时栅下表面耗尽层电荷在氧化层上产生的附加压降。