基于DSP的高频感应加热电源

基于DSP的高频感应加热电源
摘要
感应加热表面淬火是利用感应电流通过工件产生热效应，使工件表面局部加热继之快速冷却的现代工业淬火技术。

淬火后，工件心部仍保持淬火前的韧性，而表面具有高硬度和高耐磨性的优点。

这种淬火技术的核心部分是智能化感应加热电源。

本文研究了适用于较大直径轴类、中大齿轮淬火的20kHz/10kW电源的设计。

该电源的主电路由三相不可控整流电路和容易频繁启动的串联谐振逆变器组成。

该逆变器的功率开关器件采用金属氧化物半导体晶体MOSFET，控制芯片采用TI公司的DSP芯片TMS320F2812。

本文对该感应加热电源进行了整体设计并重点研究了其数字化频率跟踪和功率控制技术。

论文首先介绍了串联感应加热电源的工作原理，具体分析了串联逆变器在感性、谐振、容性三种工作情况下功率器件的开关状态，然后根据软开关技术及MOSFET的特性设计了感性移相功率控制，并具体介绍了感性状态下移相PWM功率调节的方法，还采用MATLAB/SIMULINK仿真对所设计的功率调节方法进行了验证。

在感应加热电源硬件电路设计方面，采用了以TMS320F2812为核心的控制采样电路及MOSFET驱动电路，完成了电路的整体设计。

关键词感应加热电源; MOSFET; 感性移相PWM调功; 数字锁相环;
DSP
High frequency induction heating power supply
based on DSP
Abstract
Based on the thermal effects ,induction current can heat the surface of the work piece, make the surface heat fast and then refrigerate quickly. This modern industrial quenching technology is called induction heating surface hardening. After quenching, the heart still keep the toughness while the surface changed high hardness and wear resistance. The score of the quenching technology is the induction heating power supply.
In this dissertation a power supply in 20kHz/10kW is designed, which can be used in the heating of axle and gear. In the power supply, a three-phase uncontrolled rectifier and the series resonance inverter was applied. Metal oxide semiconductor transistor MOSFET used as the inverter switching devices. The TI’s DSP chip TMS320F2812 used as the control chip. The whole induction heating power supply especially the digital frequency tracking and power control were designed.
Firstly, the principles of the series power supply system were introduced, the statues of power switch device MOSFET at three working circumstances; inductive, resonant, capacitive was concretely analyzed. On the basis of soft switch technology and the characteristics of MOSFET, inductive phase-shifted PWM power modulation was designed. Then the principle of inductive phase-shifted PWM power control was introduced. The feasibility of power control was confirmed through the MATLAB/SIMULINK.
On the hardware circuit side, the system of TMS320F2812, the sampling circuit and the driving circuit of MOSFET were designed.，and I completed the overall design of the circuit.
Keywords Induction Heating; MOSFET; Inductive Phase-shifted PWM Power Modulation; DPLL; DSP不要删除行尾的分节符，此行不会被打印
目录
摘要 (I)
Abstract (II)
第1章绪论 (1)
1.1 课题背景 (1)
1.2 感应加热电源的理论基础 (1)
1.2.1电磁感应定律和焦耳热效应 (1)
1.2.2集肤效应 (2)
1.3 感应加热电源发展现状与趋势 (3)
1.3.1感应加热电源发展与现状 (3)
1.3.2感应加热电源发展趋势 (4)
1.4 本课题主要目的及内容 (4)
第2章高频感应加热电源的结构及原理 (6)
2.1 高频感应加热电源的原理结构分析 (6)
2.1.1整流电路和滤波电路 (7)
2.1.2逆变器电路 (7)
2.2感应加热电源谐振电路分析 (8)
2.3逆变器结构分析 (10)
2.3.1电压型串联形式逆变器 (10)
2.3.2电流型并联形式逆变器 (11)
2.3.3并联谐振逆变器和串联谐振逆变器的比较 (11)
2.4本章小结 (13)
第3章高频感应加热电源控制电路 (14)
3.1全桥移相逆变器工作原理 (14)
3.1.1软开关技术 (14)
3.1.2串联谐振逆变器的三种工作状态 (15)
3.2频率跟踪技术 (21)
3.2.1传统的相位跟踪技术 (21)
3.2.2锁相环的基本工作原理 (22)
3.3功率调节技术 (24)
3.3.1调功方式的分析与选择 (24)
3.3.2移相脉冲生成方法 (26)
3.4本章小结 (28)
第4章感应加热电源电路参数设计及仿真 (29)
4.1主电路参数设计 (29)
4.1.2逆变器及负载参数设计 (31)
4.2感应加热电源仿真及仿真分析 (32)
4.2.1MATLAB/SIMULINK简介 (32)
4.2.2系统仿真模型 (33)
4.3本章小结 (35)
第5章感应加热电源整体设计 (36)
5.1 TMS320F2812控制系统硬件设计 (37)
5.1.1DSP芯片的特点 (37)
5.1.2 DSP外围电路设计 (38)
5.2MOSFET驱动电路 (40)
5.2.1IR2110芯片功能介绍 (40)
5.2.2 IR2110驱动电路设计 (41)
5.3负载电压、电流取样检测电路 (42)
5.4 感应加热电源的软件设计 (43)
5.4.1 软件开发环境 (43)
5.4.2 主程序设计 (44)
5.5数字PID控制 (44)
5.5.1 PID控制原理 (44)
5.5.2 PID控制程序 (46)
5.5.3 有功功率计算 (47)
5.5.4 有功功率计算程序 (48)
结论 (50)
致谢 (51)
参考文献 (52)
附录A英文文献 (54)
附录B翻译文献 (70)
第1章绪论
1.1课题背景
感应加热是利用电磁感应原理把电能转化为热能的一种加热方式，是非接触式加热。

与传统的使用煤气或石油为能源的直接加热装置相比较，感应加热具有诸如速度快，效率高，向外界空气散发的热量少，加热品质好，受环境制约小，易于进行局部加热自动化程度高，节能环保，等等优点。

迄今为止，感应加热己经广泛用于金属熔炼、透热、焊接、弯管、表面淬火等热加工和热处理行业。

对于不同工件，不同工艺，需要不同的电源工作频率和输出功率。

在某些应用场合：如淬火、热处理等，希望工件的发热层即透入深度越薄越好。

透入深度是由电磁场的集肤效应决定的，交流电流的频率越高，产生的集肤效应越严重。

这就要求感应加热电源的频率要提高，所以，研究感应加热电源的高频化具有实际意义。

1.2感应加热电源的理论基础
感应加热是相对于传统电阻的电流热效应加热和火焰加热而言的一种新型加热方式，是一种高效、节能、环保、安全的加热方式，所谓感应加热，就是将被加热物体置于高频交变磁场(如通以交变电流的环形线圈)中，构成磁场的磁力线切割处于磁场中的加热物体，在垂直于磁力线的截面上，根据法拉第电磁感应定律产生涡流，感生涡流(感应电流)在导电物体上依据焦耳热效应产生热能对工件进行加热。

1.2.1电磁感应定律和焦耳热效应
图1-1 感应加热原理
生感生电动势，如果该回路为闭合回路，则产生感应电流。

如图1-1所示，通有交变电流i 的螺线管绕在圆柱形铁芯上，铁芯内的磁通量随着交变电流的变化也在不断改变。

将铁芯看成一层一层的闭合回路的圆筒状薄壳，那么穿过每层薄壳横截面的磁通在不断变化，因此，每层薄壳中都会产生感应电动势，形成环形的感应电流[1-2]。

假设线圈等效匝数为N ，则产生的感应电势为：
d E dt
ϕ=- (1.1) 式中E 为感应电动势；
ϕ为Wb ；
T 为时间；
式中的负号反映了感应电动势的方向与磁通量变化成反比，是楞次定律的数学表示，即闭合回路内感应电流(或感应电动势)具有确定的方向，它所产生的磁通总是企图阻碍原来磁通的变化。

如果磁通是交变的，令sin 2m ft ϕϕπ=，则
s i n 2m d E N N f t dt
ϕϕπ=-=- （1.2） 有效值为
4.33m E fN ϕ= （1.3）
由于金属导体的电阻阻值很小，感应电流很大，所以热效应极为显著，产生的热量为：
20.24Q I RT = （1.4）
式中I 是工件上的感应电流
R 是被加热工件等效电阻
T 是工件加热时间。

由式(l.3)(1.4)可以看出，感应电动势E 及发热能量Q 与交变磁通的频率和感应电流有关，感应线圈中流过的电流越大，其产生的相应磁通量也就越大，因而可以提高感应线圈中的电流值，增大工件中产生的热量[3]。

1.2.2集肤效应
等截面的导电体通过直流电流时，导体截面的电流分布是均匀的，电流密度是相等的。

当等截面的导电体通过高频交变电流时，导体截面上的电流分布将出现不均匀状态，电流只在导体表面层流过，表层的电流密度最大，导体深层电流密度较小，这种高频交变电流的趋表现象称为集肤效应[4]。

由于集肤效应的影响，电流只在导体表面层通过，表面层的深度与导
密度的1e时，该深度为电流的穿透深度∆(单位cm)，可表示为：
∆=（1.5）
式中ρ代表导体材料电阻率
u代表导体材料相对磁导率
r
f为电流频率。

当加热工件确定后，相应的导体材料电阻率和相对磁导率也就确定了，由式1.5知，此时电流的透入深度与感应电流频率的开方成反比。

感应电流频率越高，透入深度越小，因此只要改变电流的频率值，就能改变工件的透入深度。

实际应用时，可以根据需要选择合适的加热频率。

1.3感应加热电源发展现状与趋势
1.3.1感应加热电源发展与现状
电磁感应原理由法拉第于1831年发现，然而直至20世纪30年代感应加热技术才被人类应用。

初期，感应加热技术发展缓慢、产品技术水平低﹑主要是工频感应加热炉﹑电磁倍频器﹑中频发电机组和电子管高频加热装置，缺乏滋生感应加热成长的基础-电力电子技术及半导体功率器件的支撑[5]。

感应加热电源的制造水平与电力半导体功率器件的发展密切相关。

20世纪50年代末晶闸管SCR的出现引起了感应加热电源技术以致整个电力电子学的一场革命，感应加热电源及应用得到了飞速发展。

20世纪60年代研制出门极关断晶闸管GTO，可用外部控制信号关断，避免了晶闸管需要结构复杂的强迫换流电路，提高了感应电源的可靠性[6]。

20世纪70年代场效应晶体管MOSFET及20世纪80年代绝缘栅双极型晶体管IGBT的诞生，使感应加热电源的发展如虎添翼，加热的电流频率扩展到MHz 级，感应加热电源趋向模块化﹑标准化[7]。

我国开始感应加热的研究与应用，起步较晚，大约是在20世纪50年代，从借鉴﹑消化﹑引进国外先进技术和设备到自主创新，经历了一段相当长的过渡期，与国外相比有相当大的差距，其主要原因是:受半导体功率器件的制约，半导体器件加工设备和制造水平落后;由于国外技术水平先进﹑电源功率大﹑自动化程度高等优势，抢占国内很大一部分市场，制约了国内的发展。

近十年来，国内的感应加热电源发展迅速，广泛应用于工业领域[8]。

目前，国内制造水平同国外相比仍有差距，国外IGBT感应加热电源普遍水平是2000kw 400kHz，国内IGBT感应加热电源的水平是1200kw 100kHz[9]。

感应加热电源的技术发展与制造水平与电力半导体功率器件的技术发展密切相关，同时也与先进的电路拓扑结构及控制技术不可分割。

目前感应加热电源的发展趋势主要是朝着大功率容量、高频率和智能化控制技术发展[10]。

(l)扩展功率容量
主要是通过提高单体半导体功率器件的容量实现的，当使用单体电力半导体功率器件模块不能满足感应加热电源输出功率时，需要采用功率器件串﹑并联工作方式，以提高输出电压和电流，提升加热电源的功率容量。

功率器件串、并联数目受器件参数离散性导致可靠性下降及控制驱动复杂的制约。

在器件串﹑并联不能满足功率容量时，采用多台加热电源并联工作扩充电源的总容量[11]。

(2)感应加热电源高频化
实现高频化首先可选用工作频率高的半导体器件。

其次，感应加热电源高频化受开关器件损耗的制约，开关频率越高，损耗越大，使电源效率低，温升高并且极易损害半导体器件[12]。

所以，要实现加热电源高频化还必须改进加热电源的控制技术，以使开关损耗近似为零，软开关技术可实现这一目的。

(3)感应加热电源的智能化
随着感应热处理自动化程度和电源可靠性的要求的提高，感应加热电源正向智能化控制方向发展。

选用智能半导体模块﹑集成驱动模块是实现智能化的基础，运用数字处理技术是实现智能化的核心[13]。

感应加热电源的控制电路采用模拟电路，难以实现智能化，而且模拟电路受环境温度影响和抗干扰性差，导致参数不稳定和可靠性变差。

应用数字信号处理器DSP，信息容量大，处理能力更强更灵活，整个控制电路可用一片DSP 完成，实现自动化控制。

(4)数字化频率跟踪
频率自动跟踪是当代感应加热电源重点解决的关键技术。

感应加热电源的频率跟踪是保证加热电源获得最大功率输出，提高电源效率，安全稳定工作的重要控制特征[14]。

最早的频率跟踪电路采用模拟锁相环实现，其跟踪速度及稳定性较差，无法满足高精度和宽范围跟踪要求，采用数字信号处理器DSP实现锁相和频率跟踪是目前感应加热电源发展的方向。

1.4本课题主要目的及内容
本论文的研究内容主要是串联谐振式高频感应加热电源。

论文介绍了高频感应加热电源的发展概况及串联谐振式感应加热电源工作原理，并对
一种新的方案，使其在对负载频率进行无相差频率跟踪的前提下，对逆变器的输出功率进行移相式PWM调节，实现了数字锁相环DPLL与移相式PWM的有机结合。

用MATLAB/SIMULINK对该算法进行了仿真，给出相应仿真结果验证了其可行性。

第一章阐述了感应加热的理论基础，结合国内外感应加热电源的发展状况介绍了目前感应加热电源的发展趋势，阐述了本文的主要内容。

第二章完成了感应加热电源的原理结构及逆变器电路的设计。

并将并联谐振逆变器和串联谐振逆变器作了比较。

最终选择串联谐振逆变器作为方案。

第三章针对高频感应加热电源的控制电路进行了设计。

首先阐述了软开关技术，之后具体分析了串联逆变器在感性、谐振、容性三种工作情况下功率开关器件MOSFET的开关状态，结合MOSFET的特征选取感性移相功率控制。

最后针对调功电路和锁相环技术实现频率的跟踪进行了详细的说明。

第四章对感应加热电源主电路参数进行了设计，并通过MATLAB/SIMULINK仿真验证参数设计和感性移相PWM控制的正确性。

第五章完成了系统的硬件电路设计，包括TMS320F2812控制芯片外围电源、复位、时钟、JTAG接口等电路、MOSFET驱动电路、信号采集电路包括负载电压、电流、频率采样电路，并且给出了利用TMS320F2812的软件实现流程。

第2章高频感应加热电源的结构及原理
2.1高频感应加热电源的原理结构分析
感应加热电源拓扑结构在不断的完善过程中，已形成了一种固定的变换形式:AC/DC/AC，基本结构由整流器、滤波器、逆变器及一些控制和保护电路组成[15]，如图2-1所示。

三相50Hz工频交流电输入整流器，经整流电路转变为脉动的直流电，滤波环节将脉动的直流电变为平滑的直流电，平滑直流电经逆变器环节逆变为一定频率的交流电供与负载。

图2-1 感应加热电源的原理框图
感应加热电源无论是何种拓扑结构，作为电子开关的功率开关管是不可缺少的重要器件，要求其工作在快速开通和快速关断两种状态，以减少转换过程中引起的损耗，同时要求通态压降小，IGBT是一种典型的双极MOS复合型功率器件，是在功率MOSFET工艺技术基础上的产物。

IGBT既具有功率MOSFET的高速开关及电压驱动特性，又具有双极型晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力。

IGBT的静态特性基木与功率MOSFET相同，其动态特性也类似与功率MOSFET。

但由于有空穴注入，所以IGBT有拖尾电流问题存在，限制了器件的开关速度[16]。

MOSFET适合于频率50kHz的中大功率电源，而IGBT更适合于频率50kHz以下的中大功率电源。

由于本文为高频感应加热电源因此采用MOSFET作为功率开关管，大大的减少了关断过程中产生的拖尾电流现
2.1.1整流电路和滤波电路
整流电路就是将交流信号变成直流信号，整流可分为可控整流和不可控整流，为使输出直流信号的脉动减少，需采用平滑滤波，使输出电压变得平缓，平滑滤波使得直流信号通过，而阻挡住交流信号，其器件主要有电容滤波和电抗滤波。

因为逆变器是整流电路的输出负载，所以整流器应该有如下的基本要求：
1. 是因为电流型逆变器和电压型逆变器对电流和电压输出要求不同，所以其采用的电路结构也有所区别，一般来说，电流型的宜采用电抗滤波，电压型的宜采用电容滤波。

2. 是有必要的保护电路，比如在出现负载短路或者逆变颠覆时，电压型逆变器要求整流停止工作，电流型逆变器要把元器件中的能量迅速返回到电网中去。

3. 是要求输出的负载发生变化时，电路能够自动的控制电流和电压的输出，以及过压过流保护。

2.1.2逆变器电路
逆变器由逆变桥和谐振回路组成，它是感应加热电源的核心部分，也是我们本课题主要研究对象。

逆变器电路按直流电源供电的类型来分，有电压源逆变器和电流源逆变器，逆变器电路按开关器件分可分为全控型器件和半控型器件[17]。

电压源逆变器与电流源逆变器两种电路应共同点是用的都是高功率器件，加之对偶电路的存在，所以反压承受能力较差，鉴于这种缺陷，因此两种电路都有各自的特性，都有各自不同的要求，正是因为电路结构的不同，两种电路都具有各自的优缺点，比如电压型的逆变器，它对反压承受要求较低，所以其电路要求较低，器件容易选择，比较容易启动，而且我们是用移相控制来控制功率输出。

而电流型的逆变器，因为电路中的电流要流经个个桥臂，因此各桥臂需加二极管，以承受反压，电路结构复杂，而且要求快速开关，所以电路器件难以选择，另外电路中为使信号波形平滑，需在电路中加滤波电感，滤波电感具有体积大，损耗大等特点，这就大大降低了整个电路的效率。

二者比较发现电压型逆变器要优于电流型逆变器，因此我们选用电压型逆变器。

全控型器件和半控型器件都是以晶闸管为基础，在感应加热领域中功率MOSFET，绝缘栅双极型晶体管IGBT，电力晶体管GTR，静电感应晶体管SIT等被广泛的应用于全控器件中，这些器件各有自己的优缺点。

半控型器件本身就是晶闸管，当其承受正向电压时，门极就有触发电流，此时晶闸管处于导通状态，门极的控制总用也随着导通而消失，晶闸管不管
器件的原因。

MOSFET ，GTR ，IGBT ，SIT 等器件目前被广泛的应用，其中功率MOSFET 具有简单的驱动电路，驱动功率较小，而且能够快速开关，频率高，均流性好。

并联容易，容量较小，高频电源常用这种器件;GRT 的驱动电路较为复杂，驱动功率较大，而且其开关速度不高，但其开关特性较好，可通较大电流，耐高压，一般用于中频和低频电源。

MOSFET 是目前应用最广泛的一种器件。

2.2感应加热电源谐振电路分析
在感应加热整体装置中，电能转化为热能对工件进行加热，这部分功能由感应圈来实现。

感应线圈的基本参数、形状、大小等对工件加热有着很大的影响，在这里只是研究感应圈的等效电路。

一般可以将感应加热工件和感应线圈用图2-2所示的电路表示。

图2-2 负载等效电路 其等效阻抗为
Z R j L ω=+ (2.1)
当负载感应圈中流过电流i 时，在电阻上消耗的有功功率为
2P i R = (2.2) 电感上产生的无功功率为
2Q L i ω= (2.3) 功率因数是有功功率和视在功率的比值。

因此，功率因数为
cos ϕ= (2.4) 负载的品质因数为
Q L Q P R
ω=
= (2.5) 一般情况下，对于感应加热电源负载其L ω远大于R ，因此电感圈消耗了非常多的无功功率，功率因数低，这就要求我们增大电源效率、提高感应加热电源的功率因数，由于电容的无功功率可以补偿电感的无功功率，减少电源的无功功率损耗。

因此，在感应加热电源中一般采用电容器来补偿无功功率。

电容构成的谐振回路，根据补偿电容器与负载连接形式的不同，可以将感应加热电源的逆变器可以分为两种类型:串联逆变器和并联逆变器。

目前国内中频感应加热电源多采用并联逆变器结构，此类电源缺点是不能满足淬火频繁启动要求，并且输出功率调节只能采用直流侧电压调功，对电网谐波污染大、功率因数低。

因此，木文选择结构简单，易于频繁起动的串联逆变器结构，串联逆变电源易于实现全工况下恒功率输出和频繁启动，其等效电路为图2-3。

图2-3 串联负载等效电路 负载的阻抗为
1()()L C Z R j L R j X X R jX C
ωω=+-=++=+ （2.6） 当0X =时，电路发生谐振，此时
0ωω==
0f f == (2.7) 谐振频率0f 又称为电路的固有频率，由电路自身参数和结构决定。

当发生谐振时，阻抗为最小值，电流达到最大值，电容上的电压有效值和电感上的电压有效值均为L C U U QU ==，并且由于电感电压超前电流相位90︒，电容电压滞后电流相位90︒，电感和电容上的电压相互抵消，等效于电压全部加在电阻上。

功率因数cos ϕ是电流有功功率P 与视在功率S 之比，也就是电路中等效电阻R 与电路的总阻抗值比，即
cos P R S Z ϕ=== (2.8) 当电路发生谐振时，cos 1ϕ=，有功功率等于视在功率，即电压和电流同相。

因此，电路工作在谐振状态时，输出电流最大，消耗的无功功率最小。

2.3.1电压型串联形式逆变器
在串联形式下的逆变器中，供电电源一般为电压源，之所以采用电压源供电是相对于输出端来说负载电路呈现低的阻抗，一个大容量电容并联整流器构成所需电压源，大容量电容的存在可近似认为逆变器输入端电压不变，这样可以得到较好的交变电压，输入端的电压值决定着交变电压的幅值，频率取决于器件的开关频率。

如图2-4所示为电压型串联形式谐振逆变电路。

D3
D4
图2-4 电压型串联谐振逆变电路
在电路中，逆变桥以补偿电容和感应线圈串联后作为逆变桥的负载，为串联谐振逆变器。

图中C为补偿电容，R L为包含负载在内的负载等值电阻和电感。

串联谐振逆变器通常需要电压源供电，在感应加热中，电压源通常由整流器加一个大电容构成。

由于电容值较大，可以近似认为逆变器输入端电压固定不变。

交替开通和关断逆变器的可控器件就可以在逆变器的输出端得到交变的方波电压，其电压幅值取决于逆变器的输入端电压值，频率取决于器件的开关频率。

同时串联逆变器根据负载槽路电压电流相位关系可能工作于三种工作状态下:谐振、感性和容性状态。

在串联逆变器中，为了避免开关器件因Cd的短路电流而损坏，在开关器件换流过程中上下桥劈MOSFET必须遵守先关断后开通原则，则应留有死区时间。

在并联形式下的逆变器中，一般采用电压源供电，为得到理想的交变电流方波，电流源由整流器串一个大电感组成，这样在逆变器的输入端因为大电感的存在可近似认为电流是固定不变的，其电流幅值取决于逆变器的输入端电流值，频率取决于器件的开关频率[18]。

图2-5为电流型并联谐振逆变电路。

图2-5 电流型并联谐振逆变电路
如图2-5所示，把补偿电容和负载线圈(L和R)并联作为逆变桥的负载的逆变器，称为并联谐振式逆变器。

并联逆变器中的直流电源中串联了大电感Ld，因而负载电流是恒定的，不受负载阻抗变化的影响。

当负载功率因数不是1时，负载的无功电压分量便会加在开关器件上，为了避免MOSFET承受反向电压而损坏，必须用快速二极管与MOSFET串联。

即使是采用MOSFET模块，由于其内部已有反并联快速二极管，MOSFET 也不会承受反电压，该串联快速恢复二极管仍不能取消，否则便会因其反向电压造成的环流使器件过电流损坏。

根据负载槽路电压电流相位关系并联逆变器可能工作于三种工作状态：谐振、感性和容性状态。

由于大电感Ld的存在，为保持电流连续，在换流过程中，上下桥臂MOSFET必须遵守先开通后关断的原则，即应有一段重叠时间。

该换流重叠时间的长短与逆变器输出配线电感密切相关，电感越大，时间就越长。

2.3.3并联谐振逆变器和串联谐振逆变器的比较
分析过串并联谐振逆变器电路我们知道两种逆变器的还是有区别的，它们有各自的优点和缺点，这是因为振荡电路不同，从波形、电路特性等因素上分析，对偶是这两个电路的特性，表2-1列出它们各自的区别和特。