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模拟电子技术全套课件

模拟电路的性能指标包括电压增益、电流增益、带宽、噪声系数等，通过合理选择元件参数和优化电路结构，可以提升这些性能指标，从而提高电路的整体性能。
模拟电路的性能指标与优化
模拟电子电路设计
04
模拟电路设计的基本原则与方法
总结词：掌握模拟电路设计的基本原则和方法是设计出高效、稳定、可靠的模拟电路的关键。
详细描述
模拟电路的制程与工艺
模拟电子技术实践应用
05
信号调制与解调
通过模拟电路实现信号的调制和解调，以实现信号的传输和接收。
信号放大
模拟电路可用于放大微弱信号，为通信系统提供稳定、可靠的信号源。
滤波处理
模拟电路可用于对信号进行滤波处理，以提取有用信号并抑制噪声干扰。
模拟电路在通信系统中的应用
模拟电路可用于放大音频信号，为音响设备提供足够的功率。
按工作频带可分为窄带放大器和宽带放大器。
放大器的分类
增益、通频带、输入输出阻抗等。
放大器的主要参数
放大器基础
提取有用信息，抑制噪声和干扰。
信号处理的目的
滤波器的种类
滤波器的工作原理
低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
利用电路的频率特性实现对信号的过滤和处理。
03
02
01
信号处理与滤波器
音频信号放大
通过模拟电路实现音频效果的添加，如混响、均衡器等。
音频效果处理
模拟电路在音频录制和编辑过程中起到关键作用，如调音台等设备。
音频录制与编辑
模拟电路在音频处理中的应用
信号转换与接口
模拟电路用于实现不同系统之间的信号转换与接口连接。
控制系统稳定性
模拟电路有助于提高控制系统的稳定性和可靠性。

模拟电子技术第1章PPT课件

多数载流子——自由电子施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－－－－
+3 +4
－－－－
－－－－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ，所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。
P区耗尽层 N 区－
P 区中电子浓度分布
N 区中空穴浓度分布
极间电容（结电容）
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்

模拟电子技术ppt课件

9.1.1 功率放大电路的特点
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO ：输入为正弦波且不失真。
注：交流功率，PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率：直流电源电压和其输出电流平均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态（ICM ; U(BR)CEO ; PCM）。大功率管，散热，保护
静态：
动态：
电容电压：
T1导通，T2截止 T2导通，T1截止
甲乙类工作状态
第九章功率放动态电阻很小，R2 的阻值也较小。
第九章功率放大电路
若静态工作点失调，如虚焊
第九章功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择：
第九章功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值：最大输出功率：
第九章功率放大电路
若忽略UCES：在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率：
若忽略UCES：
第九章功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较：
OCL电路
OTL电路
第九章功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择一、最大管压降

模拟电子技术课件

等。
音频领域
在音频系统中，模拟电子技术主要用于信号的放大和处理，如音频放大器、混响器等。
视频领域
在视频系统中，模拟电子技术主要用于信号的传输和处理，如视频放大器、矩阵切换器等。
控制领域
在控制系统中，模拟电子技术主要用于信号的转换和处理，如模拟控制器、模拟仪表等。
02
模拟电路基础
电阻、电容、电感等元件介绍
放大器的分类
根据工作原理和应用领域，放大器可分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等。
放大器的工作原理
放大器通过改变输入信号的电压或电流，以获得所需的输出信号。
滤波器设计与应用
滤波器的作用
滤波器用于提取有用信号并抑制无用信号，提高信号质量。
滤波器的分类
根据频率响应特性，滤波器可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
电源效率
优化电源设计，提高电源转换效率，减少能源浪费。
电磁兼容性
考虑电源的电磁兼容性，采取措施减小电源产生的电磁干扰对其他电路的影响。
06
实验操作与案例分析环节
实验操作步骤及注意事项说明
搭建电路
按照实验指导书的要求，正确搭建电路，注意电源极性、元件参数等细节。
记录数据
将测量数据记录在实验报告中，并进行分析和整理。
发展历程与现状
发展历程
自20世纪初以来，模拟电子技术经历了从基础理论到应用的发展过程，目前已经形成了完整的理论体系和成熟的应用领域。
现状
随着电子技术的不断进步，模拟电子技术也在不断发展，目前正朝着高速、高精度、高可靠性方向发展。
模拟电子技术的应用领域
通信领域
在通信系统中，模拟电子技术主要用于信号的发送、接收和处理，如调制解调器、滤波器

模拟电子技术PPT课件全套课件

扩散运动加强形成正向电流 IF 。外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。限流电阻
+
U

R
IF = I多子 I少子 I多子
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias IR 漂移运动加强形成反向电流 IR
P区 N区
U R PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
C (cathode)
点接触型按结构分面接触型平面型
正极引线 PN 结 N型锗金锑合金
正极负极引线引线
引线
P N
P 型支持底衬
外壳
触丝
负极引线
点接触型
面接触型
底座
集成电路中平面型
1.2.2 二极管的伏安特性一、PN 结的伏安方程
玻尔兹曼常数
i D I S (e
反向饱和电流
模块1
常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识
1.2 半导体二极管
1.3 半导体三极管
1.4 场效应管 1.5 晶闸管及应用
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子 — 自由运动的带电粒子。共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
uD / UT
1)
温度的电压当量
kT UT q
电子电量
当 T = 300(27C)：
UT = 26 mV
二、二极管的伏安特性
iD /mA
0 U Uth
uD /V
iD = 0

《模拟电子技术》课件

《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术，具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理，即对连续变化的电压或电流信号进行处理，实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比，模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如，石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性，可以应用于高性能的电子器件中。
此外，还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中，以提高器件的性能和稳定性。
03
此外，还需要加强人才培养和技术交流，提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分，也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成，其结构简单、可靠，应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时，电流可以通过PN结，表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时，电流很难通过PN结，表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路，主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性，将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除，从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。

《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先导通现象。
R
D1 －5V
D2 0V
D2导通，D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度（Si：1.21eV，Ge：0.785eV）；
T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低，导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力，可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发热而损坏。
二极管相同等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效

模拟电子技术PPT

模拟电子技术基础
3．电子技术应用 (1) 通信系统无线电通信(包括广播、电报、电视等)、有线载波通信、激光通信、光纤维通信等。
(2) 自动控制在自动化技术中，电子控制是后起之秀。特点：快速、灵敏、精确等。
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模拟电子技术基础
(3) 测量方面的应用 a. 电量测量 b. 非电量电测量
模拟电子技术基础
0 绪言 0.1 什么是电子技术
电子技术就是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。 1．电子器件电子器件的发展历程
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模拟电子技术基础
第一代电子器件
电真空器件
电子管离子管
(1) 电子管
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模拟电子技术基础
电子管的结构和工作原理
a. 有密封的管壳，内部抽到高真空。 b. 在热阴极电子管中，有一个阴极。 c. 阴极可由灯丝加热，使温度升高，发射出电子。 d. 电子受外加电场和磁场的作用，在真空中运动就形成了电子管中的电流。
电测量的主要特点 a. 准确度和灵敏度高，测量范围广。 b. 可以智能化。 c. 可以进行远距离测量。
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模拟电子技术基础
(4) 电子技术对计算机的发展 20世纪40年代第一台数字电子计算机的一些参数 a. 使用了18,000个电子管 b.功率130 kW c. 质量达30 t d.占地约150 m2 e. 运算速度约5000 次/秒 f. 故障率高
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模拟电子技术基础
电子管的主要特点 a. 体积大、重量重、耗电大、寿命短。 b. 目前在一些大功率发射装置中使用。
(2) 离子管 a. 与电子管类似,也抽成高真空。 b. 管子中的电流，除了电子外，也有正离子。

模拟电子技术基础课件(全)

04
模拟电子电路分析
模拟电路的组成
负载
电路的输出部分，可以是电阻、电容、电感等元件。
开关
控制电路的通断。
电源
为电路提供所需电压和电流。
传输线
连接电源和负载的导线或传输介质。
保护元件
如保险丝、空气开关等，保护电路免受过载或短路等故障的影响。
模拟电路的分析方法
01
02
03
04
欧姆定律
用于计算电路中的电流和电压。
稳定性影响因素
电路中的元件参数、电源电压、负载变化等都会影响电路的稳定性。
稳定性分析方法
通过计算电路的极点和零点，分析系统的稳定性。
提高稳定性的措施
如采用负反馈、调整元件参数等手段，提高电路的稳定性。
05
模拟电子技术的应用
音频信号处理
音频信号放大
模拟电子技术可以用于放大音频信号，提高声音质量，使声音更加清晰和饱满。
技术进步与创新
绿色与可持续发展
随着科技的不断发展，模拟电子技术也在不断创新和进步。新型材料、工艺和设计方法的应用将进一步提高模拟电路的性能和集成度。
在环保意识日益增强的背景下，模拟电子技术将更加注重绿色、节能和可持续发展，推动产业向低碳、环保的方向发展。
与其他技术的融合
模拟电子技术正与其他领域的技术相互融合，如人工智能、物联网和生物医疗等，为各种应用场景提供更高效、更智能的解决方案。
欧姆定律和基尔霍夫定律是电路分析的基本定律，对于理解和分析电路具有重要的作用。
电路分析方法
支路电流法
通过设定未知的电流为变量，建立并解决包含这些变量的线性方程组来求解电路的方法。

模拟电子技术基础(第4版华成英)ppt课件

1
乙类功率放大器是一种非线性放大器，其工作原理是将输入信号的负半周切除，仅让正半周通过晶体管放大。
2
在乙类功率放大器中，晶体管只在正半周导通，因此效率较高。但因为晶体管工作在截止区和饱和区，所以失真较大。
3
乙类功率放大器通常采用推挽电路形式，以减小失真。
THANKS
感谢观看
利用晶体管、可控硅等开关元件的开关特性，通过适当组合实现非正弦波信号的输出。
非正弦波发生电路的组成
包括开关元件、储能元件和输出电路。
非正弦波发生电路的特点
输出信号波形多样，幅度大，但频率稳定性较差，且波形质量受开关元件特性的影响较大。
波形变换电路
波形变换电路的原理
利用运算放大器和适当组合的RC电路，将一种波形变换为另一种波形。
基本放大电路放大电路的基本概念和性能指标
总结词
共基极放大电路的特点是输入阻抗低、输出阻抗高。
VS
详细描述
共基极放大电路是一种特殊的放大电路，其工作原理基于晶体管的电压放大作用。由于其输入阻抗低、输出阻抗高的特点，因此常用于实现信号的电压放大。在电路结构上，共基极放大电路与共发射极放大电路类似，只是晶体管的基极接输入信号而不是发射极。
01
特征频率
晶体管在特定工作点上的最高使用频率，超过该频率时放大电路将失去放大能力。
截止频率
02
03
放大倍数
晶体管在正常放大区与截止区的交界点上所对应的频率，是晶体管的重要参数之一。
晶体管在不同频率下的电压放大倍数，反映了晶体管在不同频率下的放大性能。
单级放大电路的频率响应
低通部分
放大电路对低频信号的放大能力较强，随着频率升高，增益逐渐下降。

模拟电子技术PPT课件

处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路输出信号中包含的信息与输入信号完全相同。输出波形的任何变形，都被认为是产生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi

模拟电子技术第一章PPT课件

06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈：将放大电路输出信号的一部分或全部，通过一定的方式（反馈网络）送回到输入端的过程。
反馈的判断：瞬时极性法。
反馈的分类：正反馈和负反馈。反馈的连接方式：串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及，模拟电子技术需要实现更高的集成度和更小体积，以满足设备小型化的需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展，模拟电子技术将逐渐实现智能化，
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效，通过优化电路设计和材料
选择，提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中各元件的参数有关，可以通过调整元件参数来改变电压放大倍数。在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的电压放大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表示放大电路对信号源和负载的阻抗，影响信号源和负载的工作状态。
输入电阻越大，信号源的负载越轻，信号源的输出电压越稳定；输出电阻越小，放大电路对负载的驱动能力越强，负载得到的信号电压越大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路，其输入级和输出级采用相同的晶体管，输入信号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路，其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。

模拟电子技术基础PPT课件-经典全

温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
两种载流子
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？
二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。
➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。
4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。
于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。
四、PN 结的电容效应
1. 势垒电容
PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。
2. 扩散电容
PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。
若反向电压u UT，则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓
T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
增大1倍/10℃
三、二极管的等效电路
1. 将伏安特性折线化
理想二极管
导通时△i与△u成线性关系
理想开关导通时 UD＝0截止时IS＝0

模拟电子技术例题习题ppt课件

IBQ V BB R U bBE Q 1 V 5 K 0 .7 V60 A
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路（ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ

模拟电子技术基础简明教程第三版PPT课件第五章

差分放大电路四种接法的性能比较
接法差分输入性能双端输出
差分输入单端输出
单端输入双端输出
单端输入单端输出
Ad
( RC
//
RL 2
)
1 (Rc // RL )
(Rc
//
RL 2
)
R rbe
2 R rbe
R rbe
KCMR
很高
较高
很高
1 (Rc // RL )
2 R rbe 较高
2、长尾式差分放大电路
可减小每个管子输出端的温漂。
(1)电路组成
Re 称为“长尾电阻”。
且引入共模负反馈。
Rc
Rc +VCC
Re 愈大，共
模负反馈愈强。
Ac 愈小。每个管
+ uId
子的零漂愈小。
对差模信号
R
~+1 2 uId
~+1 2 uId
R
+ uo
VT1
VT2
Re
VEE
无负反馈。
图 5.2.8 长尾式差分放大电路
Δ uo Δ uId
Au1
(3) 共模抑制比
差分放大电路输入电压
差模输入电压 uId
共模输入电压 uIc (uIc大小相等，极性相同) +VCC
共模电压放大倍数：
Ac
Δ uo Δ uIc
+
uIc ~
Ac 愈小愈好，而 Ad 愈大愈好
Rb
Rc
+ uo
Rc Rb
R
VT1
VT2
R
图 5.2.7 共模输入电压
Ad
( RC
//

模拟电子课件ppt

实验三：滤波电路设计与实现
总结词
掌握滤波电路的设计与实现方法
VS
详细描述
通过设计并实现滤波电路，了解滤波电路的基本原理和分类，掌握巴特沃斯、切比雪夫等滤波器的设计方法，理解滤波电路在信号处理和通信系统中的应用。
06
CATALOGUE
模拟电子常见问题与解决方案
问题一：放大电路失真问题
• 总结词：放大电路失真问题通常是由于信号源内阻、信号源负载、电源内阻和电源电压等因素引起的。
振荡电路
总结词
振荡电路用于产生正弦波或方波等周期性信号。
详细描述
振荡电路通过正反馈和选频网络，使电路产生自激振荡，从而输出具有一定频率和幅度的周期性信号。
总结词
振荡电路有多种类型，包括RC振荡器、LC振荡器和晶体振荡器等。
详细描述
RC振荡器利用电阻和电容的组合产生振荡，LC振荡器利用电感和电容的组合产生振荡，晶体振荡器则利用石英晶体的特性产生稳定的振荡信号。
系统设计流程
需求分析
明确系统的功能需求和技术指标，为后续设计
提供依据。
方案设计
根据需求分析，制定系统设计方案，包括硬件和软件架构、模块划分
等。
详细设计
对每个模块进行详细设计，包括电路原理图、 PCB布线图、程序流程
图等。
调试与测试
对系统进行集成和测试，确保系统功能和性能
的正确性。
系统设计优化
问题一：放大电路失真问题
详细描述
信号源内阻过大，导致信号源无法提供足够的电流，从而使放大电路无法正常工作。
信号源负载过大，导致信号源无法提供足够的电压，从而使放大电路无法正常工作。
问题一：放大电路失真问题

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等效电路模型
UD(on)
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
恒压
iD
降模
O uD
型
0.7 V (Si)
UD(on)= 0.2 V (Ge)
含义：
u D ＞U D(on) 时导通，二极管等效为恒压源，其值为U D(on)
u D ＞U D(on)
UD(on)
u D <U D(on) 时截止，二极管等效为开路， iD = 0
IO = UO / R = 1.3 V/ 2 kΩ = 0.65 mA
当VDD =10 V 时，同理可得采用理想模型分析法时 UO = 10V， IO =5 mA 采用恒压降模型分析法时UO = 9.3V， IO =4.65 mA
EXIT
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结论： VDD 大宜采用理想模型 VDD 小宜采用用恒压降模型
当VDD = 2 V 时采用理想模型分析法可得
UO = VDD = 2 V
IO = VDD / R = 2 V/ 2 kΩ = 1 mA
采用恒压降模型分析法可得
UO = VDD – UD(on) =（ 2 0.7 ）V= 1.3 V
IO = UO / R = 1.3 V/ 2 kΩ = 0.65 mA
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模拟电子技术
耿苏燕主编
参考教材：胡宴如主编.模拟电子技术基础.高教出版社
EXIT
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第1章第2章第3章第4章第5章第6章
半导体二极管半导体三极管放大电路基础负反馈放大电路与基本运算电路线性集成电路的应用集成模拟乘法器及其应用
IO= UO / RL= 14.3 V/ 3 kΩ = 4.8mA I2 = (UO VDD2) / R = (14.3 12) V/ 1 kΩ = 2.3 mA
第7章信号产生电路
第8章直流稳压电源
EXIT
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第 1 章半导体二极管
1.1 半导体的基础知识
1.2 半导体二极管的特性及主要参数
1.3 二极管电路的分析方法
1.4 特殊二极管
1.5 半导体二极管特性的测试与应用
本章小结
EXIT
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Analog Circuits
UD(on) VDD IO R UO
（b）理想模型等效电路（c）恒压降模型等效电路
EXIT
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[解]
VDD
Analog Circuits
UD(on)
IO R UO
VDD IO R UO
（d）采用理想模型后的简化电路（e）采用恒压降模型后的简化电路
VDD IO R UO
UD(on) VDD IO R UO
二极管的折
斜率1/rDiD UD(on) U
I uD
线
自学
模
型
思考题：如何理解二极
管的导通电阻rD？
EXIT
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（二）理想模型和恒压降模型应用举例
例2 试求下图硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 值
I1
IO
解：假设二极管断开
15 V
（b）理想模型等效电路（c）恒压降模型等效电路
EXIT
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[简解称]利EV用WDDEBl）ect软IOro件nRi进cs行UOW仿o真rk实bVeD验nDc（h（I演UO电D示(o子nR)1）工U作O 台，
（d）采用理想模型后的简化电路（e）采用恒压降模型后的简化电路
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一、二极管的理想模型分析法和恒压降模型分析法
（一）理想模型和恒压降模型的建立
理想模型
iD
含义：
O
uD 正偏导通，uD = 0
反偏截止， iD = 0 ，
符 S S号
U(BR)=
恒压
iD
降模
O uD
型
0.7 V (Si)
UD(on)= 0.2 V (Ge)
I1 0.7V IO
15 V
VDD1
PN
I2
VDD2
R
1 k
RL
3 k
12V
UO
解：假设二极管断开
UP UN
= 15
R
V RL L
R
V DD2
3 12V 9V 31
UP N >0.7V，二极管导通，
等效为 0.7 V 的恒压源
UO= VDD1 UD(on)= （15 0.7）V = 14.3 V
1.3 二极管电路的分析方法
主要要求：
掌握二极管电路的理想模型分析法和恒压降模型分析法。了解图解分析法和微变等效电路分析法。了解二极管的一般应用。
重点：
二极管理想模型和恒压降模型的含义及其应用
EXIT
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一、二极管的理想模型分析法和恒压降模型分析法
iD O uD
当VDD =10 V 时，同理可得采用理想模型分析法时 UO = 10V， IO =5 mA 采用恒压降模型分析法时UO = 9.3V， IO =4.65 mA
EXIT
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[解]EWB仿真实验结果：
UD(on)
VDD =10VVDD时，IOUO =R9.3U1VO ， IOV=D4D.65 mIOA R UO
VDD1
PN
I2
VDD2
R
1 k
RL
3 k 12V
UO
UP UN
= 15
R
V RL L
R
V DD2
3 12V 9V 31
UP N >0.7V，二极管导通，等效为 0.7 V 的恒压源
EXIT
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（二）理想模型和恒压降模型应用举例
例2 试求下图硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 值
（VdD）D =采2用V理时想模，型U后O的=简1.化36电V路， IO （=0e.）68采m用A恒压降模型后的简化电路
当VDD = 2 V 时采用理想模型分析法可得
UO = VDD = 2 V
IO = VDD / R = 2 V/ 2 kΩ = 1 mA
采用恒压降模型) =（ 2 0.7 ）V= 1.3 V
u D <U D(on)
UD(on)
U D(on)
EXIT
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例 1 硅二极管电路如下图（a）所示，R = 2 k，
试用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 值。
VDD IO R UO
（a）电路图
VDD IO R UO