量子霍尔效应
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第三讲高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor)
一.前言
二.MESFET
三.高电子迁移率晶体管(HEMT)
四.量子霍尔效应(IQHE &FQHE)
1
量子霍尔效应及其它
z1998年诺贝尔物理奖授予Horst Stomer, 崔琦和Robert Laughlin, 以表彰他们发现分数量子霍尔效应及对这一新的量子液体的深刻理解.
z for their discovery of a new form of quantum fluid with fractionally charged excitations.
z1998年诺贝尔化学奖由理论物理学家Walter Kohn 与化学家J. Pople 共享, Kohn的贡献在于为基于量子力学的从头计算奠定了基础.
z to Walter Kohn for his development of the density-functional theory
1879,24岁的霍耳(E.T.Hall,美,1855-1938)发现:
霍耳效应
发现
“电流通过金属,在磁场作用下产生横向电动势”
------霍耳效
应
霍尔效应的历史
1930年,L a n d a u证明量子力学下电子对磁化率有贡献,同时也指出动能的量子化导致磁化率随磁场的倒数周期变化.
1975年S.K a w a j i等首次测量了反型层的霍尔电导,1978年K l a u s
e h2/
v o n K l i t z i n g和T h.E n g l e r t发现霍尔平台,但直到1980年,才注意到霍尔平台的量子化单位,1985年,K l a u s v o n K l i t z i n g获诺贝尔物理奖.
1982年,崔琦,H.L.S t o m e r等发现具有分数量子数的霍尔平台,一年后,R.B.L a u g h l i n写下了一个波函数,对分数量子霍尔效应给出了很好的解释.
.
霍尔效应基础
根据德鲁特电导理论,金属中的电子在被杂质散射前的一段时间t内在电场下加速,散射后速度为零.t称为弛豫时间.电子的平均迁移速度为.
电流密度为
若存在外加静磁场,则电导率和电阻率都变为张量
此处仍然成立.
有磁场时,加入罗仑兹力,电子迁移速度为
稳态时,假定磁场沿z方向,在x y平面内
此处
由此易得
电导率与电阻率的关系为
如果, 则当为0时也为0. 另一方面
由此, 当时, , 为霍尔电导
在量子力学下
选择矢量势波函数为
计算平均速度
由此, 其中i=0, 1, 2, 3, 4, ?, 与经典结果相同.在Landau 能级上, 纵向电流为
0.
目前, 二维电子气主要以下面三个方式实现1, MOSFET
2, 超晶格
3, 液He表面
MOSFET 示意图
半导体反型层中的电子密度大约为
MOSFET 的电子能级结构
GaAs/AlGaAs 异质结的电子能级结构
实验观测到的霍尔电阻
1, 霍尔电阻有台阶,
2, 台阶高度为, i 为整数, 对应于占满第i 个Landau能级,精度大约为5ppm.
3, 台阶处纵向电阻为零.
实验设置示意图
由于杂质的作用, Landau能级的态密度将展宽(如下图).
两种状态: 扩展态和局域态
只有扩展态可以传导霍尔电流(0度下), 因此若扩展态的占据数不变, 则霍尔电流不变. 当Fermi能级位于能隙中时, 出现霍尔平台. Laughlin(1981) 和Halperin(1982)基于规范变换证明, 只要第i个扩展态占满, 则霍尔电阻由下式精确给出
Schematic Picture of the Quantum Hall Effect B 2B 1B
应用:
1, 1990年起, 电阻标准为:
精度2, 精细结构常数
精度
分数量子霍尔效应
分数效应
崔琦, Stomer 等发现, 当Landau能级的占据数
这里p, m 为整数, m为奇数时, 有霍尔平台.
分数量子霍尔效应不可能在单粒子图象下解释, 引入相互作用
在超强磁场下, 电子位于第一Landau能级. 其单粒子波函数为
这里z=x+iy. 这一状态对应于电子在一由下式给出的面积内运动.
Laughlin 建议了如下形式的波函数
这一状态的占据数为
.
Laughlin 计算了m=3, m=5时这一波函数的能量, 发现比对应密度下CDW 的能量要低. 这一状态称为分数量子霍尔态, 或Laughlin 态, 当密度改变从而偏离占据数1/3, 1/5时, 对应于准粒子激发, 激发谱具有能隙, 准粒子的电荷为分数(1/3, 1/5?). 因此Laughlin 态是一个不可压缩的量子液体状态
.
FQHE 态. 绿球代表被暂时冻结的电子, 蓝色为代表性电子的电荷密度, 黑色箭头代表磁通线.
同IQHE一样, Fermi 能级处于能隙位置时, 出现FQHE 平台. 不同之处在于IHQE的能隙来源于单粒子态在强磁场中的量子化, 而FQHE的能隙来源于多体关联效应.
Haldane 和Halperin, 利用级联模型, 指出Laughlin 态的准粒子和准空穴激发将凝聚为高阶分数态, 如从1/3 态出发, 加入准粒子导致2/5态, 加入空穴导致2/7态. 准粒子由这些态激发出来并凝聚为下一级的态? .
P 为偶数, 对应于
粒子型元激发对应于
空穴型元激发