一维分块量子点中电子输运性质的研究

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X GjN VG— N G+ N 0 b 2 b i,. b j二= - l I 2 l :

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第 1卷 3
第3 期
电 予元 器 件 主 用
Elcr n cC mp n n & De ieAp l ain et i o oe t o vc p i t s c o
V 1 3 No3 0 . . 1 Ma .2 1 r 0 l
2 1年 3 0 1 月
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维分块量子点 中电子输运性质 的研究
杨 新 ,滕 保 华 ,卢 兆信
( 电子科技 大学物理 电子 学院 ,四川 成都 605) 10 4
摘 要 :文 中研 究 了分块 量子 点 阵列 中的 电流及 微 分 电导 ,借 助 于 费米型格 林 函数 方法分析
了直 流 电流 、微分 电导的严格 解析 表达 式 ,并讨 论 了其物 理 意义 。通过 对量 子点 中电流等特
( 1 )
(: B ,b )为 量子点A或 的一位 电子能级 。 为便 于 计算 ,令t 、 , 。 由矩阵公式定义 :
击 一 v 西
其 中 和‰ 为库a £ )中k 素 电子 的产 元 生和湮 灭算 符 ,c 和c为第i 子点 的 产生 和湮 灭 i 量
Vb
温 下 随着 B 单 电 子 能级 差 值 的加 大 就会 出现 的
双 主 台 阶 结 构 曲 线 。 此 外 .从 图 中 还 可 以 发 现 随
XA △去 Bn F -,
达为 :
,去 △

( 6 )
( 7 )
( )=
着△ 和△ 与 隧道耦 合 系数t 差值 变化 时 ,D 电流 , 曲 C
1 理 论模 型

_
GI . 2
C = O
xGi _ i 广 G + 0 a ' I 一 i 2 G 1 N l
维 分块 量子点 (N 2 )阵列 如 图1 示 ,其 哈 所


GNl -
l II 2 N_

密 顿量 为 :
X GN1N 日 2.t G b +,— b N_ b 2 GN ,
吁 翻
_ 锕 ? 母
・ :
分 块 量 子 点 阵 7 , 1
() q b

图 1 一 维介 观 系统 中
收 稿 日期 :01 — 2 O 2 0 1一 1
5 8
电子元 嚣 件主 用
2 1 . W Wed. 01 W . a n 3 c c
第 1卷 3
2l 第 3 01 月期 年3
性 为制 造各 种量 子器 件和 纳米结 构器 件 开辟 了新 的发展 方 向 .本文 借 助于 费米 型格林 函数 方 法对 分 块 量 子 点 阵列 中 的 电 流 、微 分 电 导 进 行 了研 究 .通 过研究 量子 点 中 电流 等特 性为将 来 电子 器
件 的发展 奠定坚 实 的理 论基础 。
N 2 , ) H3( b b 一 _ ( _ , ) a 】} B — N , ) N1(b b A N3(aa s[ 一 — 4( 一 , )+ _ X/) a  ̄ )
图 。 图2 所 有 的 能 级 由单 位t来 表 示 。 中 ,
由图2 可看 出 ,在低 温 情况 下 ,D C电流 在偏
算符 ,
与库

是 量 子 点 阵列 两端 量 子 点A一 风) (
㈥ 为两 相邻 量
)的隧道 耦合 ,8 )是 量子 点 阵列 中 (b
量子 点A ( 的单 电子 能 级 , 源自文库
子点 之间 的隧道 耦合 。
为 了便 于描 述 电子 的传输 过程 ,本文研 究 电 流从左 库 到右库 的传 输过 程及 微分 电导 。根 据 费 米 型格 林 函数 方法 ,G 上为第 1 点 到 第 2 , N 个 N个 点
( ,s= 1 b一 .,△ = ,A = 蓝) 红) 一 , = 04 L 1 R 1( ,和 = 一 1 , = 04,A = ,△ = ( ) 情 况 下 的 趋 势 . 一 . 2 1 2 绿
响 ,从 图3 中可 以 看 出 当△ 和 △ 的 L R
( 下转第6 页) 4
导 的 的两 个 主 峰 之 间 的距 离 也 不 断 增 大 。此 外 ,
△, △ 也 对 微 分 电 导 的 双 主 峰 结 构 有 一 定 的 影 和

k = . 下 随左 库 费米 能 级 化 ,且 在 其 不 同 的 T 00 8 变
共 振 宽 度 = 08 一 ., = 05 A = ., A = . 一 ., L 02 R 04
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式 ( 3 )中满 足关 系 :cs . ,可 得到G。 : oh = 2 N




() 4
其中, △ () ( )= s{ 【 w 。a - b C ( XA X鹏 — c J _ , )B , 3
逐 渐 分 离 。 另 一 个 比 较 重 要 的 现 象 在 图 3 所 展 中
等J 榔 ) 胁) 丽
微 分 电导 为 :
4』 c 一 2
A. L A
在 上 面 的 方 程 组 中 , 用 E=Ev , - / ̄
{p e ( a 1 为 电子 库a x ( ) ) c ]+ J 的费米 分 布 函数 ,
M a .2 l r 01
2 1 3 01 年 月
不敏 感 。在计 算 中Ip = 0 m 。  ̄ o1
图 1 图2 别 为 空 穴 型 二 极 管 N S P V和 、 分 R —P
O 1 I— P C C O P V在 不 同 温 度 下 的 实 验 结 果 。
图 中给 出了拟 合 曲线 .并且 对 实验数 据也 进 行 了 比较 ,可见拟 合结 果 和实验 数据 是令 人满 意
图像 的 台 阶状 结 构 也将 随 着 变 化 ,而 D C电流 的
因此 .从 左 电子 库到 右 电子 库 的 电流 可 以表
值都 比较小 ,只有 当△ 和△ 与 隧 道耦 合 系数 的
值 比较 接 近 的 时 候 .DC 流 的 值 才 接 近 它 们 的 电 最 大 值 。 另外 ,D 电 流 的 台 阶 结 构 将 随着 量 子 C 点 数 量 的 增 加 和 温 度 的 升 高 逐 渐 消 失 .D C电流 曲线将 逐 渐地 变为 平滑 。 由图3 知 ,在低 温 下 ,当量 子 点 阵列 的 电 可 子能 级差 值 逐渐 变 大后 .在 偏 压下 的微 分 电导 将
的跃 迁 概 率 ,G. 《 i 》 ()为 系统 傅 立 叶分 i c :
量 .将 格 林 函数 满 足 的运 动 方 程 进 行 傅 立 叶变
换 ,得 到 :∞ cc 》 = [,+ [, l 》 ,其 《ij )<cc】 cB]; ) I+ ij 《 ; c
中疗为 系 统 的 哈 密 顿 量 。基 于 系 统 的 哈 密 顿 量 G 的运动 公式 为 : 。
分 电 导 就 开 始 从 中 间 附 近 渐 渐 分 离 .并 逐 步 演 变
块 量子 点 阵列 电流 ,见 图2 。
图2 左 库 费 米 能 D 是 C电 流 在 t= ., 2 8 , 11 Ⅳ= , b
为双 主峰 的结 构 。另 一个 值得 注意 的现 象 是 随着 分 块A B 子 点单 电子 能级 差值 的逐 渐 增 大 ,D /量 C 电流 曲线 的 台 阶状结 构越 来 越 明显 ,同时 微分 电
2 结 果 和 讨 论
由式 ()一 ()可 以得 到 分 块 一位 量 子点 阵 4 7 列 的电流 、微 分 电导 和 态密度 ,为 便 于讨 论 ,假
设N 4 = ,右 库 费 米 能 级 R )为 零 , 因 此 可 得 出 分
台 阶状结 构 完全 吻合 。低温 下 ,随 着点 在 能级 差 值 的加 大D C电 流 出现 台 阶状 结 构 .与 此 同时 微
性的 分析为 电子元 器件 的发展 奠定 坚实的理 论基础 。
关 键 词 :量 子 点 ; 电 流 ;格 林 函数
0 引 言
随着 器件 向小 型化 微型化 发 展 ,介 观 尺寸 器 件 结构 的微观 特性 已变 得 十分 明显 ,量子 效应 也
日渐 突 出 。纳 米级 器件 的量子 尺 寸效应 、隧道 效 应将 会成 为未来 电子器 件的基 础 .因此 是 当 电子 器件 进一 步细微 化 时必须 要考 虑 的 。而 这些 新 特
B — X ̄ )— b - ,a N2(b b b 一 Nl(b b N3(a )B - , ) ]— 2[
N_ 4

压五 下呈现一种平台状结构 ,且这种台阶状结构
分 块A B 子 点 的单 电 子 能级 差 值 的增 大 显 著地 /量 扩 大 。图 中另 一 个 比较 明 显 的 现 象 是 D C电流 呈 现一 个较 为 明显 的双 主 台阶结 构 。这表 明 ,在低
2 1 一
i +1 =N
) ∑ i + + ∑即 + i ∑
i =l i N+1 =
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其中亡2 ,… , ’ , - + ,N 3 =,3 Ⅳ 1 jN 2 + ,… ,2 - , Ⅳ1
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(a a N (b b XA N ,)B - X, ) X ̄)B _ , )+ B - U 2 3( v N b b a 2( v () 5
h N ,)B - ) 2 _ N b b} B3 & 3( , 】

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b A N2( ) Nl(b b )十 - , — , )— a a B _ b b — ) N2( ,) v {
N ,a N _ 2( )B - 2
图2
分 块 量 子 点 阵 列 电 流 曲 线
( , ) 2[ N ,a N X ̄)+ B _ , ]一 b — bb _ )B _ b b A N 3( 2( 1 ) 2(
W W e c c 2 1 . 电 手 元 嚣 件 主 硐 5 W .  ̄ n 01 c 3 9
第 l卷 3
第3 期
电予元 器 件 焘 用
E e to i o o e t De ie Ap l a in lc r nc C mp n n & vc pi t s c o
Vo .3 No3 I . 1
为 电子库a 化学 势 。为 便 于计 算 ,令 为 约化 的
为 l 电子 能级 。 的
现 的是 双主 峰结 构 的 出现 ,这 一现 象说 明 ,随着
分 块 量 子 点 阵 列 电 子 能 及 差 值 的 增 大 ,在 一 定 偏 压 下 的 微 分 电 导 将 出 现 双 主 峰 结 构 ,且 微 分 电 导 的两 个 主峰关 于 中间点 对称 。 观察 图2 图3 和 ,可 知 微 分 电 导 的 双 主 峰 结 构 是 与 D 电 流 中 出 现 的 C
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