第八章薄膜材料的制备

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膜,涉及化工、核工程、微电子以及相关行业。 真空基础
一、真空蒸发镀膜(蒸镀)
蒸镀→在真空条件下,加热蒸发物质使之气化并沉积 在衬底表面形成固体薄膜。
蒸镀示意图,1→衬底 加热器,2→衬底, 3→待蒸原料,4→料 舟
优缺点:
1. 操作方便,沉积参数易于控制; 2. 所制膜纯度高,可以用于薄膜性质的研究; 3. 可在电镜监测下进行镀膜,可对薄膜生长过程和生长机
第8章 薄膜材料的制备
薄膜材料在现代科学技术中应用广泛,其制备 技术发展也十分迅速。
制备方法→分为物理和化学两大类方法: 本章介绍薄膜常用制备方法及其原理、工艺、
设备等。
薄膜材料的分类
按化学组成分为: 无机膜、有机膜、复合膜;
按相组成分为: 固体薄膜、液体薄膜、气体薄膜、胶体薄膜;
按晶体形态分为: 单晶膜、多晶膜、微晶膜、 纳米晶膜、超晶格膜 等。
③薄膜太阳能电池:特别是非晶硅、CuInSe2和 CdSe薄膜太阳电池。
(2)光学薄膜
①减反射膜 例如照相机、幻灯机、投影仪、电影
放映机、望远镜、瞄准镜以及各种光学仪器透镜
和(带减S棱iO反镜2射、上膜Z所r。O镀2、的A单l2O层3、MTgiFO2 2薄等膜)和薄双膜层组或成多的
层 宽
②反射膜 例如用于民用镜和太阳灶中抛物面太阳
薄膜尺寸:
厚膜: d >几个μm 薄膜: 30 nm< d < 几个μm 纳米材料: 1nm < d < 100 nm
微粒,粉 (零维); 线 (一维); 膜 (二维) 团簇: 0 < d < 10 nm
按薄膜的功能及其应用领域分为:
电学薄膜 光学薄膜 硬质膜、耐蚀膜、润滑膜 有机分子薄膜 装饰膜 、包装膜
凝聚系数: α=衬底上凝聚原子数目/入射原子的总数≤1 α与蒸发物质、入射原子密度、衬底温度、膜 厚因素有关,且不是常数。
8.2 物理气相沉积(PVD)
物理气相沉积→Physical Vapor Deposition, PVD; 包括:蒸发蒸镀(蒸镀)、溅射沉积和离子镀等。 通常用于沉积薄膜和涂层; 这是一类应用很广泛的成膜技术,从装饰涂层到各种功能薄
能接收器的镀铝膜;用于大型天文仪器和精密光 学仪器中的镀膜反射镜;用于各类激光器的高反 射率膜(反射率可达99%以上)等等。
(3)硬质膜、耐蚀膜、润滑膜
①硬质膜 用于工具、模具、量具、刀具表面的TiN、 TiC、TiB2、(Ti, Al)N、Ti(C, N)等硬质膜,以及 金刚石薄膜、C3N4薄膜和c-BN薄膜。
• 真空蒸发镀膜 • 溅射镀膜 • 化学气相淀积(CVD,MOCVD) • 化学液相法:电沉积,溶胶凝胶法
(Sol-gel) 等。
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8.1 薄膜的形成机理
一、分类
电子显微镜对薄膜蒸镀过程观察,发现其生长可以分为 如下三种类型: 1. 核生长类型: 特点:到达衬底表面的沉积原子先凝聚成核,然后到达 的原子不断聚集在核附近,使核在三维方向上不断长大 而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和薄膜晶格不匹配时出 现,大部分薄膜的形成过程属于这种类型。
(5)装饰膜、包装膜
① 广泛用于灯具、玩具及汽车等交通运输工具、家 用电气用具、钟表、工艺美术品、“金”线、 “银”线、日用小商品等的铝膜、黄铜膜、不锈 钢膜和仿金TiN膜与黑色TiC膜。
② 用于香烟包装的镀铝纸;用于食品、糖果、茶叶、 咖啡、药品、化妆品等包装的镀铝涤纶薄膜;用 于取代电镀或热涂Sn钢带的真空镀铝钢带等。
②耐蚀膜 用于化工容器表面耐化学腐蚀的非晶镍膜 和非晶与微晶不锈钢膜;用于涡轮发动机叶片表 面抗热腐蚀的NiCrAlY膜等。
③润滑膜 使用于真空、高温、低温、辐射等特殊场 合的MoS2、MoS2-Au、MoS2–Ni等固体润滑膜和 Au、Ag、Pb等软金属膜。
(4)有机分子薄膜
有机分子薄膜也称LB(Langmuir-Blodgett)膜, 它是有机物,如羧酸及其盐、脂肪酸烷基族和染 料、蛋白质等构成的分子薄膜,其厚度可以是一 个分子层的单分子膜,也可以是多分子层叠加的 多层分子膜。多层分子膜可以是同一材料组成的, 也可以是多种材料的调制分子膜,或称超分子结 构薄膜。
薄膜生长的四个阶段:
① 成核,在此期间形成许多小的晶核,按统计规律分布在衬底 表面上;
② 晶核长大并形成较大的岛,这些岛常具有小晶体的形状; ③ 岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络; ④ 沟道被填充。在薄膜的生长过程中,当晶核一旦形成并达到
一定大小后,另外再撞击的粒子不会形成新的晶核,而是依 附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐 长大彼此结合便形成连续薄膜。
2. 层状生长
特点:沉积原子在衬底表面以单原子层的形式均匀 地涂覆一层,然后再在三维方向上生长第二层、第 三层……。
一般在衬底原子与蒸发原子之间的结合能接近于蒸 发原子之间结合能的情况下(共格)发生这种生长 方式。
以这种方式形成的薄膜,一般是单晶膜并且与衬底 具有确定的取向关系,例如在Au衬底上生长Pb单晶 膜,在PbS衬底上生长PbSe单晶膜。
(1)电学薄膜
①半导体器件与集成电路中使用的导电材料与介 质薄膜材料:Al、Cr、Pt、Au、多晶硅、硅化 物、SiO2、Si3N4、Al2O3等的薄膜。
②超导薄膜:特别是近年来国外普遍重视的高温 超导薄膜,例如YBaCuO系稀土元素氧化物超 导薄膜以及BiSrCaCuO系和TlBaCuO系非稀土 元素氧化物超导薄膜。
理进行研究。 4. 膜沉积速率较快,还可以多块同时蒸镀; 5. 沉积温度较高,薄膜与衬底的结合强大不高。
2. 物理基础:
(1)物理阶段: ① (淀积材料)升华:固→气; ② 输运:蒸发源→生长基元; ③ 沉积:气→固; ④ 重排列:淀积粒子在衬底上重新排列或键合
3.层核生长
特点:是生长机制的中间状态,在衬底原子与沉 积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能 (准共格)的情况下多发生这种方式的生长。
在半导体表面形成金属膜时,常呈现这种方式的 生长,例如在Ge表面沉积Cd,在Si表面沉积Bi、 Ag等都属于这种类型。
在薄膜的三种生长方式中,核生长型最为 普遍,理论上也较为成熟,我们主要讨论这种 类型的形成机理。
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