光致发光的光谱

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Intensity/a.u.
643.3
+
100 90 80
Intensity/a.u.
507.7 3+
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40 30 20 10 0 630
1-Excited by 270nm 2-Excited by 470nm 2 642.6 + 1
70 60 50 40 30 20 10 0 450
2 5 6 1 7 8
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Intensity/a.u.
643.3
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40 30 20 10 0 630
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1-Excited by 270nm 642.6 2-Excited by 470nm
Intensity/a.u.
+
30 25 20 15 10 5 0 200
470.3
268.3
620.3
640 /nm
650
发光光谱是怎样形成的呢?
发光体吸收外界的能量以后,经过传输、转换等一 系列过程,最后以光的形式发射出来。光的发射对应着 电子在某些能级之间的跃迁。如果所涉及的能级是属于 一定的离子、离子团或分子时,这种离子、离子团或分 子就称为发光中心。 发光中心的结构决定发射光谱的形成。因此,不同的 发光谱带,是来源于不同的发光中心,因此又具有不同的 性能。 有一些材料的发光谱带比较窄,并且在低温下(液氮 或液氦温度下)显现出结构,即分解成许多谱线。还有一 些材料在室温下的发射光谱就是线状谱。
660
300
400 /nm
500
600
CaS:Eu,Sm的激发光谱和荧光发射光谱波长比较
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
E13 E12 E11
E03 E02 E01
上发光中心的能级结构示意图
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ຫໍສະໝຸດ Baidu
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量。这种 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。但是它
光致发光光谱
1 光致发光发光光谱
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光致发光光谱的产生机理
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斯托克斯发光和反斯托克斯 发光
一 光致发光发光光谱(也称发射光谱)
我们知道,光致发光是发光材料吸收光子(或电 磁波)后重新辐射出光(或电磁波)的过程。
1 光致发光发光光谱简介
发光材料的发射光谱,指的是发出光的能量按波长 或频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带 谱。 一般地,光谱的形状可以用高斯函数来表示,即 EV = EV0 exp[-a(υ-υ0)2] 其中υ 是频率,EV是在频率υ 附近的发光能量密 度相对值,Evo是在峰值频率u0时的相对能量,а 是正 的常数。一般的发光谱带,至少近似地都可以用如上 公式表示。
的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。
实际上,对大多数发光材料而言,即使用发光区内的 波长还能够激发发光,效率也是极低的。随着激发波长的 增长,效率趋近于零。因此过去认为,反斯托克斯发光只 有理论上的意义。
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100
7000
80
632
Intensity/a.u.
6000
Intensity/a.u.
4
二 光致发光光谱的产生机理 1 光致发光过程中的能量传输及转化
发光材料吸收了激发光 ,就会在内部发生能量状态的 转变:有些离子被激发到较高的能量状态,或者晶体内产生 了电子和空穴等。而电子和空穴一旦产生,它们的运动也伴
随着能量的传输和激发态的转移。这样,激发状态也就不会
局限在一个地方,而将发生转移。即使只是离子被激发,不 产生自由电子,处于激发态的离子也可以和附近的离子相互 作用而将激发能量传出去。这就是说,原来被激发的离子回 到基态,而附近的离子则转到激发态。这样的过程可以一个 接一个地继续下去,形成激发能量的传输。
800 1000 1200 1400 1600
60 40 20 0
5000 4000 3000 2000 1000 0
/nm
-1000 550 600 650 wavelength/nm 700 750
图6-9 CaS:Eu,Sm的红外响应光谱和红外转换发射光谱波长比较
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三 斯托克斯发光和反斯托克斯发光
如果我们把一种材料的发射光谱和激发光谱加以比较, 就会发现,在绝大多数的情况下,发光谱带总是位于相 应的激发谱带的长波边。 斯托克斯定律:指发射的光子能量小于吸收的光子能 量,材料的发光谱带位于其相应激发谱带的长波边,即 材料吸收高能量的短波辐射,而发射出低能量的长波辐 射。
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2 发光和猝灭
并不是激发能量全部都要经过传输,能量传输也不会 无限的延续下去。激发的离子处于高能态,它们就不是稳 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中,如果 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子,而将激发能 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。 激发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁,或者 是将激发能量传递给别的离子,这几种过程都有一定的几 率,决定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、位置 等)。
1 2 3 4 5 6 7 8 557.5 +
Ce0.02 Ce0.06 Ce0.1 Ce0.2 Ce0.3 Ce0.4 Ce0.5 Ce0.6
640 /nm
650
660
500
550
600
650
700
/nm
燃烧法CaS:Eu,Sm 样品的荧光发射光谱
燃烧法CaS:Ce,Sm样品的荧 光发射光谱
2 发光中心
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3 猝灭中心
对于由激发而产生的电子和空穴,它们也不是稳定的, 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。 一般而言,电子和空穴总是通过某种特定的中心而实 现复合的。如果复合后发射出光子,这种中心就是发光中 心(它们可以是组成基质的离子、离子团或有意掺入的激 活剂)。有些复合中心将电子和空穴复合的能量转变为热 而不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 发光和猝灭在发光材料中互相独立互相竞争的两种过 程。猝灭占优势时,发光就弱,效率也低。反之,发光就 强,效率也高。
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