富士通：铁电存储器我也很牛的!

富士通：铁电存储器我也很牛的！

铁电随机存取记忆体(Ferroelectric RAM，FRAM；或称FeRAM)由于结合了ROM 与RAM 的优势，具备非挥发性、高速写入、高耐受度、低功耗等方

面的条件，在这几年来不断扩大市场版图，特别是在工业应用领域备受瞩目；

随着物联网(IoT)崛起，FRAM 也可望在各类智慧连网装置上找到更多新应用商机。

在FRAM 技术领域耕耘15 年的日商富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)，自1999 年首度量产FRAM 元件以来，全球出货量累计已超过25 亿颗，具备多样化的产品种类选择；富士通半导体资深产品工程师谢京桦表示，该公司的FRAM 一开始以日本国内的智慧卡(交通票券、金融卡)、RFID 应用为主，后来逐渐拓展至医疗、智慧仪表、工业自动化设备等多元化应用领域，可提供

4Kbit~4Mbit 容量的串列式(I2C、SPI)与并列式介面产品。

富士通半导体FRAM 产品系列包括独立式记忆体、内建FRAM 的RFID/验

证系统级晶片(LSI)，以及客制化解决方案；谢京桦指出，富士通半导体的FRAM 产品从设计到封装、测试的完整流程都是在公司内部进行，在技术的成

熟度、产品可靠度、供货稳定性上已经获得广大客户的肯定，而该公司也持续

精进技术的研发，目前其FRAM 产品除了保证1 兆次读写操作的耐久性，低功耗以及写入速度表现都在业界同类产品中名列前茅。

FRAM 的高耐久性以及高速写入特性，在工业自动化应用环境特别能展现优势，有助于成本的节省以及生产效率的提升；智慧电表也是富士通FRAM 产品应用主力，据统计目前市场上已经有3,000 万台以上的智慧电表采用FRAM 做为内建记忆体。谢京桦表示，智慧电表应用的FRAM 在容量上，会因为各国法规政策不同而有差异，例如成长特别快速的中国智慧电表市场，采用的是