第10章 二极管和晶体管习题答案
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
最新 年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟 总分： 分 班级： 班 命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N 型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性。
（错误）5. PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的PN 结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN 结而工作的。
（正确） 8. 二极管具有单向导电性。
（正确） 9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误） 13. 二极管的核心是一个PN 结，PN 结具有单向导电特性。
（正确）14. PN 结的单向导电性，就是PN 结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN 结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但姓名： 考号： 班级：工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
第10章《自测题、习题》参考答案
第10章 直流电源自测题填空题1．单相半波整流与桥式整流电路相比，输出波形脉动比较大的是 。
2．电容滤波电路的滤波电容越大，整流二极管的导通角越 ，流过二极管的冲击电流越 ，输出纹波电压越 ，输出直流电压值越 。
3．电容滤波电路中的电容器与负载 联，电感滤波电路中的电感器与负载 联。
电容滤波和电感滤波电路相比，带负载能力强的是 ，输出直流电压高的是 。
4．并联型稳压电路主要是利用 工作在 状态时，电流在较大范围内变化，管子两端的 基本保持不变来达到稳压的目的。
5．串联型稳压电路正常时，调整管工作在 状态，比较放大管工作在 状态，提供基准电压的稳压二极管工作在 状态。
6．在图10.4.4所示的串联型稳压电路中，要改变输出直流电压应调节 电路的 电阻，输出电压最大时应将 电阻调至 。
7．如题10.1.7图所示的电路，已知1240ΩR =，2480ΩR =。
（1）1R 上的电压为 V ，2R 上的电压为 V 。
（2）输出电压为 V ，输入电压最小应为 V 。
（3）电容1C 的作用是 ，电容2C 的作用是 。
8．串联型稳压电路的控制对象是调整管的 ，而开关型稳压电路是控制调整管的 。
9．串联型稳压电路与开关型稳压电路相比效率高的是 ，主要原因W7805 题10.1.7图是 。
答案：1．单相半波整流电路。
2．小，大，平滑，高。
3．并，串，电感滤波电路，电容滤波电路。
4．稳压二极管，反向击穿，电压。
5．放大，放大，反向击穿。
6．取样，可变，最下端。
7．5，10；15，18；减小纹波和防止自激振荡，抑制高频干扰（消除高频噪声）。
8．管压降，导通、截止时间的比例。
9．开关型稳压电路、开关型稳压电路的调整管工作在开关状态，功率损耗小。
选择题1．理想二极管在单相半波整流、电阻性负载中，其导通角为 。
A ．小于o 180；B ．等于o 180；C ．大于o 180；D ．等于o 360。
2．电感滤波电路常用在 的场合。
半导体物理与器件习题
半导体物理与器件习题目录半导体物理与器件习题 (1)一、第一章固体晶格结构 (2)二、第二章量子力学初步 (2)三、第三章固体量子理论初步 (2)四、第四章平衡半导体 (3)五、第五章载流子输运现象 (5)六、第六章半导体中的非平衡过剩载流子 (5)七、第七章pn结 (6)八、第八章pn结二极管 (6)九、第九章金属半导体和半导体异质结 (7)十、第十章双极晶体管 (7)十一、第十一章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 (8)十二、第十二章MOSFET概念的深入 (9)十三、第十三章结型场效应晶体管 (9)一、第一章固体晶格结构1．如图是金刚石结构晶胞，若a 是其晶格常数，则其原子密度是。
2．所有晶体都有的一类缺陷是：原子的热振动，另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。
3．半导体的电阻率为10-3～109Ωcm。
4．什么是晶体？晶体主要分几类？5．什么是掺杂？常用的掺杂方法有哪些？答：为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。
常用的掺杂方法有扩散和离子注入。
6．什么是替位杂质？什么是填隙杂质？7．什么是晶格？什么是原胞、晶胞？二、第二章量子力学初步1．量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。
2．什么是概率密度函数？3．描述原子中的电子的四个量子数是：、、、。
三、第三章固体量子理论初步1．能带的基本概念◼能带（energy band）包括允带和禁带。
◼允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。
◼禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。
◼允带又分为空带、满带、导带、价带。
◼空带（empty band）：不被电子占据的允带。
◼满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。
导带：有电子能够参与导电的能带，但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。
价带:由价电子形成的能带，但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。
电工电子技术基础第十章
第二节 晶体三极管
不同的晶体管， 值不同，即电流的放大能力不同，一般为 20 ～ 200。 ② 直流电流放大系数 I C IB 通常 晶体管的放大作用的意义： 基极电流的微小变化引起集电极电流的较大变化，当基极 电路中输入一个小的信号电流 ib ，就可以在集电极电路中得到 一个与输入信号规律相同的放大的电流信号ic。 可见，晶体管是一个电流控制元件。
操作：调节(或改变 E1 )以改变基极电流 IB 的大小,记录 每一次测得的数据。
次数
电流
IB/mA IC/mA
1
0 0.01
2
0.01 0.56
3
0.02 1.14
4
0.03 1.74
5
0.04 2.33
IE/mA
0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
（1）直流电流分配关系：
IE IC IB
晶体三极管
一、晶体管的结构 二、晶体管的放大作用
三、晶体管的三种工作状态
四、晶体管的主要参数 五、晶体管的管型和管脚判断
第二节 晶体三极管
一、晶体管的结构
1．结构和符号
、发射区 三个区：集电区、基区 （1）结构： 两个PN 结：集电结、发射结 发射极：e 三个区对应引出三个极： 基极：b 集电极：c
第二节 晶体三极管
（2）放大状态 UBE 大于死区电压，IB > 0，集电极电流 IC 受 IB 控制，即
I C I B 或 ΔI C Δ I B
晶体管处于放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏， 即VC > VB > VE （NPN管，PNP管正好相反） 。
第二节 晶体三极管
电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N 型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
习题及答案
习题一一、判断题1．金属都是靠自由电子导电（√ ）。
2．半导体主要靠空穴导电（⨯）。
3．常温下，本征半导体的两种载流子的数量都很少，所以导电性能很差（√ ）。
4．在半导体中掺入其它物质就称杂质半导体（⨯）。
5．在本征半导体中掺入微量的三价元素硼，就成为N型半导体（⨯）。
6．采用不同的掺杂工艺，将N型半导体和P型半导体制作在同一块硅片上，在两者交界面形成PN结（√）。
7．半导体不具有热敏特性（⨯）。
8．从PN结两个杂质半导体分别引出电极，再以合适的形式封装起来，即为二极管（√）。
9．二极管在正向导通时，管压降为0.7V左右（⨯）。
10．二极管一旦正向导通，其正向管压降变化范围较小，但电流变化却很大（√ ）。
11．点接触型二极管，其结电容小，工作频率高，适合于高频电路和小功率整流（√）。
12．从PN结的结面积大，通过的电流也越大（√）。
13．变容二极管是点接触型二极管（√）。
14．稳压二极管一旦击穿就损坏了（⨯）。
15．稳压二极管按材料分有硅管和锗管（⨯）。
16．稳压二极管正向导通时同普通二极管的功能和压降基本一样（√）。
17．用数字万用表检测发光二极管同检测普通二极管的方法相同（⨯）。
18．反向漏电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流（√）。
19．温度对锗管和硅管具有相同影响力，即温升相同反向电流变化一样大（⨯）。
20．所有的晶体管都是双极型晶体管（⨯）。
21．晶体管最主要的功能是电流放大作用（⨯）。
22．晶体管包含两个PN结，NPN型共用P极，PNP型共用N极，所以晶体管也称共阳极和共阴极双二极管（⨯）。
23．晶体管工作时发热主要集中在基区（⨯）。
24．晶体管有两个PN结，它们和二极管的单向导电特性一样，在检测晶体管时可以把晶体管视作两个共基极的二极管（√ ）。
25．要使晶体管具有正常的电流放大作用，必须在其发射结加正向电压，在集电结加反向电压——这是对NPN型管来说的，不适合于对PNP型管（⨯）。
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第10章电子电路中常用的元件习题参考答案一、填空题：1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP型三极管。
三、选择题：2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）。
A、PNP管，CBE；B、NPN管，ECB；C、NPN管，CBE；D、PNP 管，EBC。
5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ,这说明该二极管是属于（ D ）。
A、短路状态；B、完好状态；C、极性搞错；D、断路状态。
7. PN结加正向电压时，其正向电流是（A）。
A、多子扩散而成；B、少子扩散而成；C、少子漂移而成；D、多子漂移而成。
四、计算题2. 在图7.2所示电路中，设D为理想二极管，已知输入电压u i的波形。
试画出输出电压u o的波形图。
解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。
yingg首先从（b）图可以看出，当二极管D导通时，理想二极管电阻为零，所以u o＝u i；当D截止时，电阻为无穷大，相当于断路，因此u o＝5V，即是说，只要判断出D导通与否，就可以判断出输出电压的波形。
要判断D是否导通，可以以接地为参考点（电位零点），判断出D两端电位的高低，从而得知是否导通。
u o 与u i的波形对比如右图所示：第11章基本放大电路习题参考答案一、填空题：2. 射极输出器具有电压放大倍数恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
汽车电工电子技术习题及答案
汽车电工电子技术习题及答案一、单选题（共52题，每题1分，共52分）1.下列属于特殊二极管的是（）A、检波二极管B、整流二极管C、开关二极管D、发光二极管正确答案：D2.用万用表测量换向器和铁芯之间的电阻，应为（）A、∞B、5000ΩC、50ΩD、500Ω正确答案：A3.用数字万用表测量某未知电阻时，正确的测量方法为（）A、从中间挡位向高挡位依次测试B、量程由大到小依次测试C、量程由小到大依次测试D、从中间挡位向低挡位依次测试正确答案：B4.图样上所标注的尺寸，为该图样所示机件的（），否则应另有说明。
A、有关测量尺寸B、加工参考尺寸C、最后完工尺寸D、留有加工余量尺寸正确答案：C5.直流电动机是把电能转化为（）能的一种旋转机械。
A、化学能B、电能C、机械能D、以上都对正确答案：C6.一盏弧光灯正常工作时两端的电压为40V，允许通过的电流为10A，先要接入220V电路中正常工作，应采取的办法是（）A、并联一个4Ω的电阻B、串联一个4Ω的电阻C、并联一个18Ω的电阻D、串联一个18Ω的电阻正确答案：D7.两个电阻串联，已知RA=2RB，RA 两端的电压为4V，则RB两端的电压为（）A、2VB、4VC、6VD、5V正确答案：A8.理想运算放大器的开环电压放大倍数是（）A、零B、120dBC、无穷大D、小于零正确答案：C9.普通交流发电机中的定子的功用是（）A、产生直流电B、产生感应电动势C、产生三相交流电D、产生磁场正确答案：C10.下面哪种说法是正确的（）。
A、图样应尽可能采用1：1的比例B、图形一定是机件的真实大小C、标题栏中的字体应为草书字体D、图框格式中必须预留装订边正确答案：A11.使用数字万用表测量电阻前，应进行“电阻挡调零”的量程为（）A、20kΩ和200k ΩB、200Ω和200MΩC、200MΩ正确答案：B12.下列选项中，不属于普通二极管的是（）A、整流二极管B、检波二极管C、光电二极管D、开关二极管正确答案：C13.普通低压导线根据外皮绝缘包层的材料不同可分为（）A、QVR型和QFR型B、QFR型和QYR型C、QVR型和QBR型D、QBR型和QYR型正确答案：A14.交流发电机中每相绕组的线圈个数应（）A、不相等B、相等C、没关系D、以上都不对正确答案：B15.汽车发电机中，硅整流二极管的作用是将发电机输出的交流电转变为直流电，同时阻止电流逆流至（）A、点火开关B、发电机C、蓄电池D、启动机正确答案：B16.我国安全用电规定安全电压为（）以下A、60VB、36VC、56VD、46V正确答案：B17.汽车用的蓄电池电动势为（）B、12或24VC、24VD、12V正确答案：B18.电动势的单位为（）。
《晶体管放大电路》练习题及答案
《晶体管放大电路》练习题及答案1.晶体管能够放大的外部条件是 (C)A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结反偏2. 当晶体管工作于饱和状态时,其 (A)A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结反偏3.对于硅晶体管来说其死区电压约为 (B)A.0.1VB.0.5VC.0.7V4.储晶体管的导通压降|UBE|为 (B)A.0.1VB.0.3VC.0.5V5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的β为（C）A.40B.50C.606.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（A）A.越好B.越差C.一样7.与储晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（A）A.高B.低C.一样8.温度升高，晶体管的电流放大系数（A）A.增大B.减小C.不变9.温度升高，最体管的管压降|UBE|（B）A.升高B.降低C.不变10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时__C___极的电位最低。
A.发射极B.基极C.集电极11.温度升高，晶体管输入特性曲线（B）A右移B.左移C.不变12.温度升高，最体管输出特性曲线（A）A.上移B.下移C.不变13.对于电压放大器来说，（B）电阻越小，电路的带负载能力越强。
A.输入电阻B.输出电阻C.电压放大倍数14.（单选题5.0分）测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为（B）A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管15.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管（C）A.处于饱和状态B.放大状态C.截止状态D.已损坏16.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位（B）A.同相B.反向C.相差90度18.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是（A）失真。
电力电子第二章、第九章、第十章课后习题答案
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构为什么 GTO 能够自关断而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。
α1 + α 2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通；α1 + α 2＜1 不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO 在设计时α 2 较大,这样晶体管 T2 控制灵敏,易于 GTO 关断;2)GTO 导通时α1 + α 2 的更接近于 l,普通晶闸管α1 + α 2 ≥ 1.5 ,而 GTO 则为α1 + α 2 ≈ 1.05 ，GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
2-7与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高电压和大电流的能力？1．垂直导电结构：发射极和集电极位于基区两侧，基区面积大，很薄，电流容量很大。
2．N-漂移区：集电区加入轻掺杂N-漂移区，提高耐压。
3．集电极安装于硅片底部，设计方便，封装密度高，耐压特性好。
(整理)电工学(电子技术)习题答案第一部分_第六版_秦曾煌主编
独家放送，不用钱，不用谢我！ 第14章晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压D U =0.7V 。
25610VD1(a)(b)(c)(d)例14.1图解：○1图（a ）电路中的二极管所加正偏压为2V ，大于DU =0.7V ，二极管处于导通状态，则输出电压0U =A U —D U =2V —0.7V=1.3V 。
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子技术习题答案
第1章半导体晶体管和场效应管一、重点和难点1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电特点决定了半导体器件的特点和应用场合，因此透彻的了解半导体的导电特点是学习电子技术的基础，也是本章的重点之一。
2.PN结的单向导电性所有的半导体器件都是由一个或者多个PN结组合而成的，深刻理解PN结的单向导电性的特点是本章的重点。
3.二极管的参数二极管的参数中，有表示极限的参数，有表示优劣的参数，同时有直流参数，又有交流参数，有建立在时间积累效应基础上的电流参数，还有建立在雪崩效应和隧道效应基础上的瞬时电压参数，正确的理解二极管的参数是应用的前提和基础，掌握每个参数的意义是本章的重点，也是本章的难点，4.二极管的应用二极管的主要利用其单向导电性可以用来构成各种电路，二极管的应用是本章的重点。
5.三极管的结构三极管的是由两个相互关联的PN结构成的，三极管由于其内部载流子的运动规律难于形象描述而成为本章的难点。
6.三极管的特性三极管不论输入还是输出都是非线性的，故此其为本章的难点，由于了解管子的特性是对于管子应用的基础和前提，因此正确理解输入电流对输出电流的控制也是本章的重点。
7.三极管的应用三极管在日常生活中有着非常广泛的应用，模拟电子中主要用其放大作用，数字电子中主要用其开关作用。
学习的目的主要是为了应用，因此是本章的重点。
二、学习方法指导1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，其导电特性包括：对温度反映灵敏(热敏性) ，杂质的影响显著(掺杂性) ，光照可以改变电阻率(光敏性)。
2.自由电子和空穴当一部分价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下相应的空位，这个空位被称为空穴。
原子因失去一个价电子而带正电，也可以说空穴带正电。
在本征半导体中，电子与空穴总是成对出现的，它们被称为电子空穴对。
如果在本征半导体两端加上外电场，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子将产生定向移动，形成电子电流；一是由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次填补空穴，亦即空穴也会产生定向移动，形成空穴电流。
直流稳压电路习题及答案
直流稳压电路习题及答案直流稳压电路习题及答案直流稳压电路是电子工程中常见的一种电路，用于将输入电压稳定在一个固定的数值，以供给电子设备稳定的直流电源。
在学习和掌握直流稳压电路的原理和应用过程中，习题是非常重要的一部分。
下面将给出一些直流稳压电路的习题及答案，帮助大家更好地理解和应用该电路。
习题一：简单稳压二极管电路考虑一个简单的稳压二极管电路，其输入电压Vin为10V，稳压二极管的额定稳定电压Vz为5V，负载电阻Rl为100Ω。
求负载电流I和输出电压Vout。
解答：根据稳压二极管的特性，稳压二极管的两端电压为稳定电压Vz，即Vout = Vz = 5V。
根据欧姆定律，我们可以计算负载电流I为：I = (Vin - Vz) / Rl = (10V - 5V) / 100Ω = 0.05A = 50mA。
习题二：稳压二极管与晶体管组合电路考虑一个稳压二极管与晶体管组合的稳压电路，其输入电压Vin为12V，稳压二极管的额定稳定电压Vz为6V，负载电阻Rl为200Ω，晶体管的放大倍数β为100。
求负载电流I和输出电压Vout。
解答：首先，我们可以计算稳压二极管的两端电压Vz为6V，即Vout = Vz = 6V。
然后，我们可以通过晶体管的放大倍数β来计算基极电流Ib：Ib = Ic / β = I / β = (Vin - Vz) / (Rl * β) = (12V - 6V) / (200Ω * 100) = 0.03A = 30mA。
最后，我们可以通过负载电阻Rl和基极电流Ib来计算负载电流I：I = Ib * β = 30mA * 100 = 3A。
因此，负载电流I为3A，输出电压Vout为6V。
习题三：稳压集成电路LM317考虑一个使用稳压集成电路LM317的稳压电路，其输入电压Vin为15V，调整电阻R1为240Ω，调整电阻R2为1.2kΩ，负载电阻Rl为300Ω。
求负载电流I 和输出电压Vout。
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者，掌握电工学知识是基础中的基础。
而掌握电工学知识的最好方法，就是不断练习。
本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。
希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。
第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ，±5%的电阻，求它允许误差的范围？答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管？答案三极管是一种半导体器件，也叫做双极型晶体管。
它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成（一般为PNP或NPN），分别称为发射极、基极和集电极。
三极管是一种电流控制器件，通过控制基极电流来控制集电极电流。
三极管在电子技术中广泛应用，尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。
第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入施主原子（如磷原子），会使其变成N型半导体。
引入施主原子的过程叫做掺杂。
在N型半导体中，掺有大量的自由电子，这些自由电子会带负电荷。
由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合，因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子，即位于导带下方。
2. 硅板在常温下引入受主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入受主原子（如硼原子），会使其变成P型半导体。
引入受主原子的过程叫做掺杂。
在P型半导体中，掺有大量的空穴，空穴带正电荷。
由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子，因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高，即位于空穴带上方。
第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么？答案晶体管的三个引脚分别代表：1.发射极（E）：用来连接基极和集电极之间的导体，主要负责发射电子。
2.基极（B）：设置在发射极与集电极之间的控制电极，主要控制电流。
3.集电极（C）：负责接受发射极电子，主要负责放大电流。
第1章课后习题参考题答案
第1章课后习题参考题答案第⼀章半导体器件基础1．试求图所⽰电路的输出电压Uo，忽略⼆极管的正向压降和正向电阻。
解：（a）图分析：1）若D1导通，忽略D1的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所⽰，则U O=1V，U D2=1-4=-3V。
即D1导通，D2截⽌。
2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所⽰，则U O=4V，在这种情况下，D1两端电压为U D1=4-1=3V，远超过⼆极管的导通电压，D1将因电流过⼤⽽烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。
综上分析，正确的答案是 U O= 1V。
（b）图分析：1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压⽽截⽌，等效电路如图所⽰，所以U O=U I=10V。
2．图所⽰电路中，E解：由于Eu oE u i3．选择正确的答案填空在图所⽰电路中，电阻R为6Ω，⼆极管视为理想元件。
当普通指针式万⽤表置于R×1Ω挡时，⽤⿊表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万⽤表的指⽰值为( a )。
a.l8Ω，b.9Ω，c.3Ω，d.2Ω,e.0Ω解：由于A端接电源的正极，B端接电源的负极，所以两只⼆极管都截⽌，相当于断开，等效电路如图，正确答案是18Ω。
4．在图所⽰电路中，uI =10sinωt V，E = 5V，⼆极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。
解：（a ）图当u I ＜E 时，D 截⽌，u O =E=5V ；当u I ≥E 时，D 导通，u O =u I u O 波形如图所⽰。
（b ）图当u I ＜-E=-5V 时,D 1导通D 2截⽌，uo=E=5V ；当-E ＜u I ＜E 时，D 1导通D 2截⽌，uo=E=5V ；当u I ≥E=5V 时，uo=u I所以输出电压u o 的波形与（a ）图波形相同。
5．在图所⽰电路中，试求下列⼏种情况下输出端F 的电位UF 及各元件(R 、DA 、DB)中通过的电流：( 1 )UA=UB=0V ；( 2 )UA= +3V ，UB = 0 V 。
电子技术考试题库及答案
电子技术考试题库及答案一、单项选择题（每题1分，共10分）1. 在数字电路中，逻辑“与”运算的输出为高电平的条件是：A. 所有输入都为高电平B. 至少有一个输入为高电平C. 至少有一个输入为低电平D. 所有输入都为低电平答案：A2. 以下哪种二极管是用于稳压的？A. 发光二极管B. 光电二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管答案：C3. 在模拟电路中，放大器的增益通常表示为：A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益答案：A4. 以下哪个元件不是基本的数字逻辑门？A. 与门B. 或门C. 非门D. 锁存器答案：D5. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 所有选项答案：B6. 在数字电路中，一个D触发器的输出Q与输入D的关系是：A. Q = DB. Q = ¬ DC. Q = D'D. Q = ¬D'答案：A7. 以下哪种波形是正弦波？A. 方波B. 三角波C. 锯齿波D. 所有选项答案：A8. 在电子电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 减小噪声C. 改变信号频率D. 所有选项答案：B9. 以下哪种元件是半导体材料制成的？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C10. 以下哪种电路元件具有非线性特性？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C二、多项选择题（每题2分，共10分）1. 下列哪些是数字电路的特点？A. 离散值B. 连续值C. 高抗干扰性D. 低功耗答案：AC2. 在模拟电路中，下列哪些元件可以用于滤波？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：BCD3. 以下哪些是基本的数字逻辑运算？A. 与B. 或C. 非D. 加答案：ABC4. 在电子电路中，下列哪些元件可以用于信号放大？A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A5. 下列哪些是电子电路中的无源元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 晶体管答案：AB三、判断题（每题1分，共10分）1. 晶体管的基极电流可以控制集电极电流。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
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10.1 半导体的导电特性
10.2 PN结及其单向导电性 10.3 二极管 10.4 稳压二极管 10.5 晶体管 10.6 光电器件
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10.3.1 图10.01所示电路中的VA=0V，VB=1V，试求下述情况 下输出端的电压VF。 (1)二极管的正向压降可忽略不计；(2)二极管为锗二极管；(3) 二极管为硅二极管； D
A
(1)若忽略管压降，二极管可看
VA DB VF R -3V
作短路, DB二极管优先导通， VF=1V
(2) 二极管为锗二极管；DB二极管优 先导通，VF=1V-0.3V=0.7V (3) 二极管为硅二极管； DB二极管优先导通，VF=1V-
VB
0.7V=0.3V 在这里，二极管起钳位作用。
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10.5.1有两个晶体管替分别接在电路中，今测得它们管脚的 电位(对“地”)分别如下表所列，试判别管子的三个管脚，并 说明是还是锗管？是NPN型还是PNP型？
晶体管Ⅰ NPN硅管 晶体管Ⅱ
PNP锗管
2 -2.3 B 3 -2 E C
P N P E
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管脚 电位 （V） C
IC/mA
IB从0.4 mA变到0.8mA；
(1) ΔIC ΔIB 40 20 0.8 0.4 50
50 40 30
20ºC 1.0mA 0.8mA 0.6mA
0.6 mA变到0.8mA
(1) ΔIC ΔIB 40 30 0.8 0.6 50
0.4mA 20 IB=0.2mA
10.3.5 在图10.04中，试求下列几种情况下输出端电位VY及各 元件中通过的电流：(1)VA=+10V，VB ＝0V；( 2)VA=+6V， VB＝+5.8V；(3)VA＝VB＝+5V。设二极管的正向电阻为零， 反向电阻为无穷大。 (1)VA=+10V，VB＝0V；DA 导通 DB 截 止； VY ＝9V VA ( 2)VA=+6V， VB＝5.8V ，DA导通， DB导通； VB VY ＝5.59V (3)VA ＝VB ＝+5V。 DA 导通，DB 导通； VY ＝90/19=4.74V
DA
(1)VA=VB＝0V； DA， DB二极管导通 VY = 0V (2)VA=+3V，VB＝0V， DA二极管优先导 通， DB截止，VY = 3V
(3)VA＝VB＝+3V。DA， DB二极管导通 VY = 3V
VA DB VB 3.9kΩ -12V R VY
在这里，二极管起钳位作用。
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50kΩ +6V β=50 T
(b)
(c)
(a)发射结正偏，集电结发偏，晶体管工作在放大状态 (b)发射结正偏，集电结正偏，晶体管工作在饱和状态 (c)发射结反偏，晶体管工作在截止状态
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10.5.3图10.07所示为某晶体管的输出特性曲线，试求： UCE=10V时，（1）IB从0.4 mA变到0.8mA；从0.6 mA变到 0.8mA两种情况下的动态电流放大系数；（2）IB等于0. 4和0. 8mA两种情况下的静态电流放大系数。
1 4 B
2 3.4 E C
3 9 C
管脚
1
电位（V） -6 C C
IB
B T E
IC
B
N P
N
IB
B T
IC
B
IE (a)
IE
E
E
(b)
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10.5.2 在图10.06所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种 状态?
+12V 1kΩ +12V 1.5kΩ +12V
1kΩ 20kΩ T -6V β=50 T
1kΩ DA
1kΩ
DB VY R 9kΩ
在这里，二极管起钳位作用。
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10.4.1 现有两个稳压二极管 DZ1和DZ2，稳定电流分别是 4.5V和9.5V，正向电压降都是0.5V。试求图10.05各电路中的 输出电压Uo。 R R R
+ DZ1 Ui=18V DZ2 Uo=14V Ui=10V DZ2 + (a) R + DZ1 Ui=4V DZ2 + (d) (e) Uo=-4V Ui=8V DZ2 + (f) + DZ1 Uo=5V Ui=13V DZ1 + DZ2 R + R1 Uo=0V R2 (b) (c) + + DZ1 Uo=10V Ui=4V DZ2 + DZ1 Uo=-1V +
10.3.2 图10.02所示电路中的二极管的正向压降可忽略不计， 已知E=3V，ui=5sinωt试画出电压uo的波形。
ui 5V 3V
D +
t
R E
+ uo
ui
在这里,电源的负极为零参考点
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10.3.4 在图10.03中，试求下列几种情况下输出端Y的电位VY 及各元件(R，DA，DB)中通过的电流： (1)VA=VB＝0V； (2)VA=+3V，VB＝0V；(3)VA＝VB＝+3V。二极管的正向压降 可忽略不计。
（2）IB等于0. 4和0. 8mA
___
10
IC IB IC IB
20 0.4 40 0.8
50
O 10 20 30 UCE/V
___
50
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