为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛

为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛
IGBT就是绝缘栅双极晶体管，目前大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。

氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。

今天小编就重点讲述一下氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的重要应用。

氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的产业应用
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型晶体管，是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，被誉为现代工业变流装置的“CPU“，在轨道交通、航空航天、新能源汽车、风力发电、国防工业等战略性产业广泛应用。

氮化铝陶瓷基板被应用到IGBT模块的重要原因
高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

它既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能，并能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。

氮化铝陶瓷覆铜板集合了功率电子封装材料所具有的各种优点：
1)陶瓷部分具有优良的导热耐压特性;
2)铜导体部分具有极高的载流能力;
3)金属和陶瓷间具有较高的附着强度和可靠性;
4)便于刻蚀图形，形成电路基板;
5)焊接性能优良，适用于铝丝键合。

陶瓷覆铜板性能的决定因素是氮化铝陶瓷基板材料的性能
目前，已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷，分别是氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。

氧化铝基陶瓷基板是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格，但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。

作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。

氮化铝陶瓷基板在热特性方面具有非常高的热导率，散热快;在应力方面，热膨胀系数与硅接近，整个模块内部应力较低，提高了高压IGBT模块的可靠性。

这些优异的性能都使得氮化铝覆铜板成为高压IGBT模块封装的首选。

本文研究了直接覆铜工艺(DBC)和活性金属焊接工艺(AMB)制备氮化铝陶瓷覆铜板的工艺方法，对比了两种工艺的异同点和制备的氮化铝陶瓷覆铜板的性能差异。

国家新兴行业的兴起和发展促进高压IGBT陶瓷模块的发展。

电力电子技术在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车、轨道交通等先进制造业等重要领域都发挥着重要的作用，而这其中的许多领域在“十三五”规划中都具备万亿以上的市场规模，其必将带来电力电子技术及其产业的高速发展，迎来重大的发展机遇期。

这些将对IGBT模块封装的关键材料---陶瓷覆铜板形成了巨大需求。

因此，需要抓住机遇，开发系列化的陶瓷覆铜基板以适应不同领域的需求，特别是需要加快高可靠氮化铝陶瓷覆铜基板、氮化硅陶瓷覆铜基板的研发及产业化进度，为我国高压IGBT模块的国产化奠定基础。

以上是小编从氮化铝陶瓷基板在产业应用、广泛应用的缘由、包括新兴产业对IGBT模块需求增长带来的氮化铝陶瓷基板的需求增长做了全面的阐述，相信您对氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域广泛应用的原因了吧。

更多氮化铝陶瓷基板的需求可以咨询金瑞欣特种电路。

金瑞欣十年行业经验，主营氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板加工生产，是值得信赖的氧化铝和氮化铝陶瓷基板厂家。