电池片生产各工序质量控制

3.2扩散后抽测：每批次抽测五片，确保少子寿命大于4 us，否则报告值班工
程师进行处理。
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3.刻蚀
1.自检
1.1导电类型检测：将夹具左右两侧螺丝平衡拧开后，按上中下的顺 序从硅片叠中各取两片共六片用导电类型检测仪对刻蚀后硅片的周边 一圈导电类型进行检测，测试时冷热笔测试端必须紧紧靠在硅片边缘 上，看主机面板上直接显示的测试结果“P/N”，显示“P”为合格，否 则不合格。
1.3胶条检测 检测印刷胶条是否有破损、变形。
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6. 印刷烧结
2.不合格处理 2.1不合格品放置于单独的承载盒里，不允许流入下一工序。 2.2不合格的网板和胶条要立即更换。
3.异常处理 3.1设备出现故障信号（红灯显示），组长应立即报告班长。 3.2工艺出现异常，如破片率高、连续印刷质量问题，组长立即通知班长和工 艺工程师。 3.3后续工序异常,烧结炉、测试分选仪出现工艺异常或设备故障，丝网印刷 机需紧急停止印刷，待工艺、设备人员确认后续工序恢复正常后，后方可继 续印刷。
• 2.不合格片处理 不符合1.标准的硅片视为不合格片。按照以下方式处理：
2.1硅片颜色不均匀，或者均匀但与样品差据较大，或者有较多斑点的，需要整批返 工制绒。
2.2硅片表面仅是有水痕的，整批重新清洗。（不需要制绒）
• 3.异常处理
• 3.1设备异常
• 凡出现不符合工艺文件的要求的情况，立刻停止生产，报告设备工程师。
1.2方块电阻要求： 1.2.1不均匀度=（R□max - R□min）/( R□max + R□min）×100%,且同一炉硅 片方块电阻不均匀度≤10%， 同一硅片方块电阻不均匀度≤5%。如有异常，则联系值班工程师进行处理。 1.2.2根据硅片来料电阻率控制方块电阻值的范围,具体如下表：
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4.二次清洗
4.不良缺陷图片
二洗白点（恩地清洗液痕迹）
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二洗水纹（HF脏）
5. PECVD
1.自检 操作人员在卸片过程中，应同时参考硅片样本的颜色对硅片进行外观自检。
自检要求如下所示：
1.1颜色检验： 每石墨框随机目视检查2-4片，要求硅片颜色为深蓝色，没有出现明显的色斑、 水斑、不均匀、色差。
电池片生产各工序质量控制
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1.一次清洗 6.1 印刷电极
6.2 烧结
目录
2.扩散 5.PECVD 7.分选测试
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3.周边刻蚀 4.二次清洗 8.检验入库
1.一次清洗
• 1.自检要求 • 1.1外观检验
要求甩干后的硅片颜色均匀，和样品色差不大。表面没有水痕，没有明显的斑点。
• 1.2硅片重量检查 一次清洗后硅片重量减轻≤25g
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4.二次清洗
1.自检要求 外观检验：要求硅片清洗后表面脱水，即表面没有水膜，只有少数水滴； 甩干后硅片表面没有水痕。
2.不合格片处理 达不到6.1指标的片视为不合格片。有不合格片出现的，整批硅片重新清 洗。
3.异常处理 3.1设备异常 凡出现不符合4.2～4.5的情况，立刻停止生产，报告值班班长。 3.2工艺异常 连续两批出现不合格片，停止生产，报告。
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3.不良缺陷图片
5. PECVD
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6. 印刷烧结
1.自检 操作人员在生产过程中，应同时参考《CSG-SL125太阳电池标准》定时对
硅片进行外观自检。自检要求如下所示：
1.1硅片外观检测 要求硅片印刷图形完整，清晰；无印刷缺陷，漏浆，栅线断线，表面玷污。
1.2网板检测 检测网板张力是否足够，是否存在破损。
1.2破片检验： 要求硅片没有裂片、没有明显裂纹、崩边、缺角。
1.3椭偏仪测量：
每隔1小时，在石墨框的左、中、右各取1片硅片测试厚度和折射率；要求单晶
硅片厚度为（75-78）±3nm，折射率2.1±0.1；多晶硅片厚度82±4nm，折射
率2.1±0.1。
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5. PECVDБайду номын сангаас
1.4镀膜厚度控制办法 若厚度小于75nm，降低带速（1-3cm/min）；若厚度大于78nm，则提高带
• 3.2工艺异常
• 连续两批出现颜色不均匀，或者均匀但与样品差据较大，或者有较多斑点的情况，
停止生产，报告工艺工程师。
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4.外观缺陷
1.一次清洗
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4.外观缺陷
1.一次清洗
一次清精洗品P后PT 水痕
4.外观缺陷
1.一次清洗
花篮印
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水痕
2.扩散
1.自检要求 1.1外观要求： A.扩散前检查：确保硅片已彻底甩干，绒面良好没有色斑和雨点，没有 碎 片和隐裂片，硅片数目与流程卡一致。如存在此类问题，返还上一道工序进 行处理。 B.扩散后检查：确保硅片偏磷酸污染，裂纹，崩边，V型缺口。如出现此类问 题，由本工序组长决定是否返工。批量出现时立即联系技术部值班工程师， 值班工程师给予解决。
1.2刻蚀后外观检查：对硅片扩散面活性面积被刻蚀掉的情况进行目 视检查，白色痕宽度正常为≤0.5mm、灰白色痕宽度≤2mm，要不然， 即刻蚀过多，则认为异常
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3.刻蚀
2.异常处理 2.1导电类型异常：检测时只要发现任一硅片周边任何一处的导电 类型不合格，即没有刻蚀完全，则应对整个这一批次的硅片进行 返工处理，返工处理的辉光时间缩短为5min，待返工刻蚀合格后 再流入后面的工序。 2.2外观异常：对刻蚀后硅片外观进行目视检测，如果发现硅片扩 散面的有效面积被刻蚀掉过多，虽该批次硅片仍旧可以流入后续 工序，但必须报告。
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4.不良缺陷图片
2.扩散
电阻率范围 ρ<0.5
0.5<ρ<1 1<ρ<3 3<ρ<6
ρ<6
工艺参数号
1# 2# 3# 5# 9#
R□控制范围
44-50/□ 40-45/□ 38-42/□ 34-38/□ 30-33/□
3少子寿命要求：
3.1扩散前抽测：每盒抽测一片，确保少子寿命大于2us，否则返还上道工序
进行酸洗。
速（1-3cm/min），使镀膜厚度控制在（75-78）±3nm。每次修改带速 后，必须抽测膜厚。
2返工标准： 规定以下的情况必须返工： 2.1厚度大于85nm或者小于65nm； 2.2折射率大于2.25或者小于1.95； 2.3过程出现故障，导致硅片上吸附很多碎屑； 2.4过程出现故障，导致硅片镀膜严重不均匀。