第5章 光电发射器件1

(a)金属光电子发射体 (b)具有正电子亲和势 的半导体光电子发射体 (c) 具有负电子亲和势的半导体光电子发射体
（一）常用的经典发射材料
• 1、银氧铯阴极
– 两个峰值：可见和红外，量子效率低，暗电流 大；
• 2、锑铯阴极
– 量子效率高，光谱响应窄，对红光和红外不灵 敏；
• 3、多碱光电阴极（响应度高）
• 二、各种光电检测器件的性能比较
– – – – – – – 在动态特性方面（响应）：PMT，PIN，APD； 线性（光电特性）：PMT，光电二极管，光电池； 灵敏度：PMT，APD，光敏二极管，光敏三极管； 输出电流：大面积光电池，光敏电阻，APD，光 电三极管； 外加电压：光电二、三极管，光电池； 暗电流：PMT，光电二极管，光电池； 工作稳定性：光电二极管和光电池>PMT与光电三 极管 光谱响应：PMT和CdSe光敏电阻。
• NEA阴极的特点：
5.2 光电管
• 光电管分为真空型和充气型两种。
– 在抽成真空或充以惰性气体的玻璃泡内，设置 阳极和对光敏感的阴极，就构成了真空光电管 和充气光电管。
5.3 光电倍增管（PMT）
• 光电倍增管把微弱入射光转换成光电子， 并获得倍增的重要的真空光电发射器件。 工作原理是建立在光电效应、二次电子发 射和电子光学的理论基础上的。 • （一）PMT的基本结构与原理
–运算放大器输出
• PMT的使用
– 阳极电流IP随入射光功率Ps的变化规律是：开始 阶段是线性增长，当Ps大到一定值时，IP增加缓 慢，出现饱和现象。这是由于光阴极受强光照 射后发射电子的速率过高，内部来不及重新补 充电子，致使灵敏度下降（出现疲劳效应）。 在轻度疲劳时，若停止工作一段时间，可以恢 复正常工作能力。但是太强的光照射会使光电 倍增管损坏。所以，切忌过强的光照射。
5.3.1 光电倍增管的结构
光电倍增管主要由光入射窗口、光电阴极、 电子光学输入系统、二次发射倍增系统及阳 极组成 。
侧窗式：一 般使用反射 式光电阴极， 大多数用于 分光光度和 光度测量中。 端窗式：光 电阴极沉积 在入射窗的 内侧面。为 了使各处的 灵敏度一致， 阴极面做成 半球状。
• 电子光学输入系统主要起两方面作用：一 是使光电阴极发射的光电子尽可能全部会 聚到第一倍增极上，而将其他部分的杂散 热电子散射掉，提高信噪比；二是使阴极 面上各处发射的光电子在电子光学系统中 渡越的时间尽可能相等，以保证光电倍增 管的快速响应。 • 倍增系统必须有高的倍增效益，增益A由下 式决定： n A 0 ( )
7、稳定性（灵敏度的慢漂移，滞后 效应）
8、最小可探测功率（NEP）
9、伏安特性
10、磁场特性 11、空间均匀性(一些电子偏离设计轨 道、加漫射器）
12、偏振效应
慢漂移主要是由于 最后几级倍增极在 大量电子轰击下受 损，引起二次发射 系数变化。主要取 决于阳极电流的大 小。 在PMT加上高压 或开始光照的短 时间内，阳极输 出电流存在短暂 的不稳定，电流 可能比稳定值大， 也可能小。
象限探测器
象限探测器有二象限和四象限探测器， 又分光电二极管象限探测器和硅光电池象 限探测器。象限探测器是在同一块芯片上 制成两或四个探测器，中间有沟道将它们 隔开，因而这两或四个探测器有完全相同 性能参数。当被测体位置发生变化时，来 自目标的辐射量使象限间产生差异，这种 差异会引起象限间信号输出变化，从而确 定目标方位，同时可起制导、跟踪、搜索、 定位等作用。
4、高压电源得稳定性必须为所需测量精度得10 倍左右； 5、输出信号采用运放作电流电压变换，以获得 高得信噪比和好的线性； 6、采取电磁屏蔽，最好使屏蔽筒与阴极处于相 同的电位； 7、应贮存在黑暗中，使用前最好先接通高压电 源，在黑暗总存放几小时； 8、最好在光电阴极前放置优质的漫射器； 10、不应在He中使用。
第5章 光电发射器件
• 光电发射探测器是基于外光电效应的器件， 最典型的光电发射探测器是光电倍增管 （PMT），本章主要介绍PMT的主要特性。 使用要点、常用电路及选择依据。
5.1 光电发射效应
• 当光照射到某种物质时，若入射的光子能量hv足 够大，它和物质中的电子相互作用，致使电子逸 出物质表面，这种现象称为光电发射效应，又称 为外光电效应。能产生光电发射效应的物体，称 为光电发射体，在光电管中称为光阴极。 • 光电子发射过程包括以下几个阶段：（1）光电发 射体中的电子吸收入射光光子能量后其能量增大； （2）受激电子（得到光子能量的电子）从发射体 内向真空界面运动；（3）电子越过发射体表面势 垒向真空（或其它介质）中逸出。但是电子从吸 收光子能量到逸出发射体表面的时间是很短的， 这个时间约为10-12s。
• 2.放大倍数（电流增益）A 0 ( )
–ε 0为第一倍增极对阴极的电子收集效率，即 光学系统的收集率；ε 为倍增极间的传递效率； σ 为次级发射系统的平均值；n为倍增极的级数。
• 3.暗电流Id
– 光电阴极和第一倍增极的热电子发射； – 极间漏电流； – 离子和光的反馈作用； – 场致发射； – 放射性同位素和宇宙射线的影响 – 减少暗电流的方法：直流补偿、选频、锁相放 大、制冷、电磁屏蔽和磁场散焦。
• 一、接收光信号的方式
– 光信号的有无：即被测对象造成投射到光电器 件上的光信号截断或通过。 – 光信号按一定频率交替变化：光信号的输入有 一定的频率，必须使所选器件的上限截止频率 大于输入信号频率。 – 光信号的幅度大小：被测对象因对光的反射率、 投射率变化或被测对象本身光辐射强度变化， 光信号的幅度改变。 – 光信号的色度差异
(1)基本原理 由半导体能带理论可知，当图像 的光子大量入射到半导体光电导材 料上时，使大量的电子吸收能量进 入导带，从而使其导电性能改善， 电导率增加或电阻下降，形成了电 子图像信号。
光电导摄像管
(2) 组成： 电子枪 偏转线圈 光电导靶面
光电池
（1）原理与结构
光电池
（2）特性： • 波长范围: 硅光电池为400 — 1100 nm， 峰值波长在 850 nm 附近； • 灵敏度：硅光电池为 6-8 毫安／流明； • 可靠性好，寿命也较长； • 体积小。
应用举例：光子计数
工作原理：光子计数器一般 测量小于10-14W的连续弱辐 射。假设为He－Ne激光，则 发生光子速率 Np＝10－14/hv=3.18*104/s
讨论： PMT为何做成球面？
如何选择倍增极之间的极间电压？
光电发射和二次电子发射两者有何不同？
光电倍增管产生暗电流的原因有哪些？如 何减少暗电流？
5.3.3 PMT的供电和信号输出电路
一、高压供电
1、供电电压的极性（阳极接地、阴极接地）
2、线性供电方式 （1）直流信号 （2）脉冲信号 3、高压电源
二、信号输出
1、负载电阻输出 2、运放输出
– 1.分压电路
• 电压不均匀分布时分压器的设计原则：
– 光电阴极K与第一倍增极D1间电压要足够高； – 中间相邻间采用均匀分压； – 最后三极间通常也加较高电压。
光敏三极管
结构
光敏三极管
灵敏度比光敏二极管高，是光敏二极管 的数十倍，故输出电流要比光敏二极管大 得多，一般为毫安级。但其它特性不如光 敏二极管好，在较强的光照下，光电流与 照度不成线性关系。频率特性和温度特性 也变差，故光敏三极管多用作光电开关或 光电逻辑元件。
第五节 各种光电检测器件的 性能比较和应用选择
PMT的应用： PMT具有极高的灵敏度和快速响应等特点， 在精密测量中，正确使用PMT，应注意： 1、阳极电流不超过1A，可以减缓疲劳和 老化效应，减少负载电阻反馈和分压器电压 的再分配效应； 2、电压分压器中流过的电流至少应大于期 望阳极电流的1000倍，即1mA； 3、阴极和第一倍增极之间，以及末级倍增 极和阳极之间的极间电压应设计得与总电压 无关；
– (1) 锑钾钠阴极 – （2）锑钾钠铯阴极
• 4、紫外光电阴极（碲化铯）
（二）负电子亲和势材料
• 表面区域能带弯曲，真空能级降到导带之 下，从而使有效的电子亲和势为负值。 • 与经典的光电发射材料的区别：
– 参与发射的电子是导带的“热化”电子或称 “冷”电子； – NEA阴极中导带的电子逸出真空不需作功； – NEA是指在半导体内的有效值。
–
ห้องสมุดไป่ตู้
• 三、光电检测器件的应用选择
– 光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在 光谱特性上匹配； – 光电转换特性必须和入射辐射能量的匹配； – 必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相 匹配； – 必须和输入电路在电特性上匹配； – 必须注意器件的规格和使用环境条件。
在低电压时，暗电 流由漏电流决定； 电压较高时，主要 是热电子发射；电 压再高，则导致场 致发射和残余气体 离子发射，使暗电 流急剧增加，甚至 可能发生自持放电。
暗电流的补偿方法： 1、直流补偿 2、选频和锁相放大 3、致冷 4、电磁屏蔽 5、磁场散焦
• 4.PMT的噪声（散粒噪声、闪烁噪声。 热噪声） • 5.时间特性和频率响应 • 6. 线性度：不仅与PMT的内部结构有关， 很大程度上取决于外部的高电压供电电 路及信号输出电路。
光敏二极管
• (1) 结构
光敏二极管
(2) 特性 • 体积小，稳定性好； • 灵敏度高，响应速度快； • 易于获得定向性； • 光谱响应在可见和红外区。
光敏二极管
• 雪崩光敏二极管 频率响应很高，带宽可达100GHz。是目前 响应最快的一种光敏二极管。适用于光纤通信、 激光测距及其他微弱光的探测等。 • 光敏二极管阵列 将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起， 用来同时探测被测物体各部位提供的不同光信 息，并将这些信息转换为电信号的器件。
光电倍增管采用负高压供电或正高压供电， 各有什么优缺点？他们分别使用哪些情况 下？现有12级倍增极的光电倍增管，若要 求正常工作时放大倍数的稳定度为1％， 则电源电压的稳定度是多少？
光电倍增管
(1)光电倍增管利用外光电效应制成 (2)结构
光电倍增管
(3) 特点 • 灵敏度高，适宜弱光信号； • 响应时间极短； • 频率特性较好，频率可达106赫或更高； (4) 缺点 需高压直流电源、价贵体积大、经不 起机械冲击等。
光敏电阻
(1) 结构
光敏电阻
(2) 优点 • 光谱响应相当宽; 光敏电阻的灵敏域可在紫外光区，可见光区， 也可在红外区和远红外区。 • 所测的光强范围宽; • 使用方便，成本低，稳定性高，寿命长; • 灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。 (3) 不足 • 在强光照射下线性较差，频率特性也较差。
光电导摄像管
光电发射基本定律
• 斯托列托夫定律（光电发射第一定律）： 当入射辐射的光谱分布不变时，发射的饱 和光电流I与入射的幅通量（或光强）Φ成 正比：I=SKΦ • 爱因斯坦定理（光电发射第二定律）：发 射的光电子的最大动能随入射光子光频率 的增加而线性地增加，而与入射光地强度 无关： 1 m V 2 hv W
2
e max
• 一、光电发射材料
– 分为三类：纯金属材料、表面吸附一层其它元素原 子的金属和半导体材料。 – 光电发射材料应具备的条件：
• 1、光吸收系数大； • 2、光电子在体内传输过程中受到的能量的损失小，使其逸出深 度大； • 3、表面势垒低，使表面逸出几率大。
– 金属不能作为光电发射材料原因： – 半导体作为光电发射材料； – 负亲和势光电阴极。
5.3.2 PMT的基本特性参数
• 1.灵敏度
– 光谱响应度 – 阴极灵敏度 – 阳极灵敏度
ik ( ) ( ) S k ( ) q PI ( ) hc Sk S a ( ) S k ( ) A

2
1
P ( )S k ( )d 1

n

0
P ( )d 1
• 最后三级并联电容的选取
– 2.供给电源
• （1）对电源的要求 • （2）PMT的馈电方法
• 2、PMT的输出电路
–负载电阻输出
• 在频响要求比较高的场合，负载电阻应尽可能小 一些。 • 当输出信号的线性要求较高时，选择的负载电阻 应使信号电流在它上面产生的压降在几伏以下。 • 负载电阻应比放大器的输入阻抗小得多。