芯片结构与流程说明
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钝化层
表面金属
掺金
N型发射区
N型硅衬底
N型硅衬底
N型硅衬底
N型硅衬底
-钝化层保护表面
- 表面金属层实现表面 的电连接
- 掺金调整开关参数
- N型掺杂形成发射区
P6
LRC Proprietary & Confidential
NPN 三极管-2
N型硅衬底
N型硅衬底
背面金属
-芯片背面进行减薄，以 实现更好的特性
- P阱调整衬底浓 度
掺金 表面金属 表面金属 N+
P型硅衬底 背面金属
P型硅衬底
P型硅衬底
P型硅衬底
- 背面金属层实现背面 的电连接
- 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性
- 掺金调整开关参数
- N+ 调整结
P4
LRC Proprietary & Confidential
BAV99 二极管
N型外延 N型硅衬底 N型硅衬底
-芯片背面进行减薄，以 实现更好的特性
- 背面金属层实现背面 的电连接
P9
LRC Proprietary & Confidential
Thank You！
P10
LRC Proprietary & Confidential
- 背面金属层实现背面 的电连接
P7
LRC Proprietary & Confidential
PNP 三极管-1
氧化层 P型外延 P型硅衬底 P型硅衬底 P型外延 P型硅衬底 N型基区 P型硅衬底
- 芯片衬底
- P型外延做器件基底
- 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层
- N型掺杂形成基区
掺金
N+
- 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性
- 表面金属层实现表面的 电连接
- P+ 实现欧姆接触
P3
LRC Proprietary & Confidential
TVS/ESD二极管
P型外延 P型硅衬底 P型硅衬底
氧化层 P型外延 P型硅衬底
P阱
P型硅衬底
- 芯片衬底
- P型外延做器件基底
- 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层
表面金属
P型发射区
P型硅衬底
P型硅衬底
P型硅衬底
P型硅衬底
- 表面金属层实现表面 的电连接
- 掺金调整开关参数
-N+ 掺杂形成欧姆接触
- P型掺杂形成发射区
P8
LRC Proprietary & Confidential
PNP 三极管-2
钝化层
P型硅衬底
P型硅衬底
P型硅衬底 背面金属
-钝化层保护表面
- 掺金调整开关参数
- N+ 调整终端特性
P5
LRC Proprietary & Confidential
NPN 三极管-1
氧化层 N型外延 N型硅衬底 N型硅衬底 N型外延 N型硅衬底 P型基区 N型硅衬底
- 芯片衬底
- N型外延做器件基底
- 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层
- P型掺杂形成基区
- P+ 做保护环
表面金属
P+ P+
表面金属
P+ P+
表面金属
P+ P+
势垒金属 P+ P+
N型硅衬底 背面金属
- 背面金属层实现背面 的电连接
N型硅衬底
N型硅衬底
N型硅衬底
- 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性
- 表面金属层实现表面的 电连接
- 阻挡层金属也就是肖特 基势垒金属层
P2
LRC Proprietary & idential
芯片结构与流程说明
LRC/Zhang Shu 2017-07-14
P1
LRC Proprietary & Confidential
肖特基二极管
氧化层 N型外延 N型硅衬底 N型硅衬底 N型外延 N型硅衬底 P+ P+ N型硅衬底
- 芯片衬底
- N型外延做器件基底
- 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层
P+ 氧化层 N型外延 N型硅衬底 N型硅衬底
- 芯片衬底
- N型外延做器件基底
- 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层
- P+ 调整结
钝化层 掺金 表面金属 表面金属 N+
N型硅衬底 背面金属
N型硅衬底
N型硅衬底
N型硅衬底
- 背面金属层实现背面 的电连接
- 表面金属层实现表面 的电连接 - 钝化层保护表面 - 芯片背面进行减薄， 以实现更好的特性
稳压二极管
N型外延 N型硅衬底 N型硅衬底
氧化层 N型外延 N型硅衬底
P-
N型硅衬底
- 芯片衬底
- N型外延做器件基底
- 氧化层作为掺杂阻挡层 和金属前介质层
- P- 调整结边缘 特性
P+ 表面金属 N型硅衬底 背面金属 表面金属 表面金属 N型硅衬底 N型硅衬底
N型硅衬底
- 背面金属层实现背面 的电连接