铁电隧道结的研究进展
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万方数据
铁电隧道结的研究进展/潘瑞琨等11
D(Es)=exp{一%≠等(z+警)(,+/xss警)耽×[(E0+胸警一易)耽一(p∥+耽警一易)班])进而计算出隧穿电流密度,即口’16]:
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E■Ⅳ
当施加的电场电压V小于矫顽电压Vc(Vc—Eot。)时,d。。<O,自发极化P与外场反向。当V>Vc时,发生极化反转,d。。>0,则伴随着铁电薄膜厚度与应变的突增,因此铁电薄膜中应变随电压的变化出现类似于电滞回线的“蝶形回线”(如图2所示)。最终隧穿电流与电压的关系曲线也是回线形状,如图3所示。
图1FrJ的能带结构示意图[1】
Fig.1EnergybanddiagramofaFrJ[1]
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图2阳口中晶格应变随电压的变化[13
Fi吕2Thedependenceoflatticestrain
011theappliedvoltageLl]
然而FrJ中的电子隧穿到底是非弹性隧穿还是直接隧穿尚未定论[7“7|。Kohlstedt等的实验表明,铁电隧道结在4.2~300K内以非弹性隧穿理论模型模拟的结果更接近实验数据,因此他们认为,非弹性隧穿是电输运的主要机制[1引。Velev等的理论模拟表明,势垒层的铁电性及电极层的磁性极大地影响了电子输运过程[18-20],但是还没有相应的实验验证。关于铁电隧道结中电阻反转的起源问题,文献['173认为与铁电体的极化反转有关,文献[21-1指出,相关的验证实验均在铁电体的相变温度以上进行,不能定论。文献E223认为可视隧道结中间势垒层的铁电薄膜为绝缘体,而更多的人则认为应是半导体。吕惠宾等的研究表明,掺Te的LaMnOs和掺Nd的SrTi03异质结超薄膜具有半导体特性[23|。此外,铁电隧道结还显示了其它丰富的新物性:界面电阻可调的准二维电子气‘24’25],界面增强的热释电效应和压电效应等[26’2…。对这些新物性的研究目前还处于起步阶段。
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图3逆压电效应对电流一电压曲线的影响‘13Fig.3Influenceofconversepiezoelectriceffecton
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2隧道结的势垒层和电极材料
铁电势垒层材料可以是铁电氧化物,如钛酸铅(Pb-TiOs)、锆钛酸铅(Pb(Ti,Zr)03)、锆钛酸铅镧((Pb,La)(Ti,Zr)Os)、钛酸钡(BaTiOs)或有机聚合物铁电材料等,也可以是电极材料,如钌酸锶(SrRuOs)、钴酸锶镧((La,Sr)一CoO。)、金属铂(Pt)或金(Au)等。删的下电极材料一般采用SrRuOs、(La,Sr)CoOs等金属氧化物,既易于导电,又能与铁电势垒层材料很好地匹配,使势垒层生长晶化较好;上电极材料可以是金属或金属氧化物。陈红卫等采用射频磁控溅射法制备了Si_IT◇U汇一PbSrTi0。一Au隧道结,当外加电压为0~1V时,出现的隧穿电流曲线符合指数规律[2引。钴酸锶镧(I曳)薄膜作为下电极材料,可以很好地与铁电材料钛酸锶铅(PbSrTiOs)匹配,但电阻较大。采用钴酸锶镧和导电玻璃(IT0)构成的复合电极可起到降低电阻的作用。
隧道结的势垒层和电极材料不同,会影响铁电层的铁电稳定性,因此既要保证铁电势垒层足够薄以实现电子隧穿,又要保持其铁电性。研究者们比较了许多铁电材料和金属(金属氧化物)分别作为铁电势垒层和电极时保持铁电性的问题。
已经有较多文献研究了FrJ中隧穿电流和铁电性保持的问题[29-31]。1998年Watanabe在研究不同势垒层材料的全钙钛矿型氧化物电极/势垒层异质结5种样品时指出,只在全钙钛矿型氧化物铁电异质结Pb(Ti,Zr)Os/SrTi03
Nb和(Pb,La)(Ti,Zr)Os/SrTiOsNb中发现隧穿现象E313。Zembilgotov等采用朗道平均场理论研究了SrRuOs/PbTiOs(BaTiOs)/SrRu03以及BaTi03/SrTi03/srRu03结构的外延铁电薄膜,其自发极化受到薄膜厚度、温度及应力失配等因素的影响,在薄膜厚度小于1rim后平均自发极化才会急剧减小[3]。Junquera等指出SrRuOs/BaTiOs/SrRuOs结构中的铁电薄膜厚度在小于2.4nm时才会失去铁电
性E12]。Gerra等采用第一性原理计算表明,SrRuOs/BaTi03/万方数据
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铁电隧道结的研究进展
作者:潘瑞琨, 章天金, 杨凤霞, 马志军, 何苗, PAN Ruikun, ZHANG Tianjin, YANG Fengxia, MA Zhijun, HE Miao
作者单位:潘瑞琨,章天金,马志军,何苗,PAN Ruikun,ZHANG Tianjin,MA Zhijun,HE Miao(湖北大学材料科学与工程学院,武汉,430062), 杨凤霞,YANG Fengxia(华中科技大学物理系,武汉
,430074)
刊名:
材料导报
英文刊名:MATERIALS REVIEW
年,卷(期):2010,24(13)
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