变频器技术基础及应用(补充版)

1 1 4
(1) (4)
(2) (5) IGBT
(3)
Isolated Gate Bipolar Transistor BJT( MOSFET IPM(Intelligent Power Module IC
) IGBT ) IPM IC

CPU
“
”

IGBT
PWM PWM PWM

1 RAM
1 PROM ASIC A / D D A
(1) ( 4 RS—485 ) 20mA ( A D )
(
) 0 10V RS—232C
(2)
3—20a
3—20b )
(

TA 20b S 20b S ts1 ts4
3—20a TD S
3—
3—

(3) PROM (
V
f )
(4)PWM ( PAL
PWM GAL)
PWM CPU CPU
LSI
DDC ASIC DSP
(
)
— CPU CPU

1 2
IGBT
GTO
(
)
(1) (2) (3) 3—1 GTO
IGBT
MOSFET (
)

1
3

1 4
(1)
200

50 (2) CPU
(3)
200V 400V 400V 800V

(4)
200V 200V 400V 400V
2s

(5) 115
(
)
110
150 lmin (6)
(7) IGBT GTO IGBT

(
8)
CPU 1 5
(1) (2) (3) (4)

(1)
(2)
(3) PLC PLC (4) PLC RS—232 RS—485 PLC
3—2

1
6
(1)
(2)

1). S 2) V f PWM
3—3

(3) ( (4) 3—21 1 7
)
1
7 1 (1) V f V f
V
f 1

(2)
(3)

(4)
1
3
1
5
(5)
3—22

3—4
(7)
3—5

(8)
10 (9)3 3 3—23

(10) 1) ( 2) )
1 (1)
7 8
PLC

(2) 3—24 (3) ( )
3—25 (4) 80 (5) 3—26
(6) 3—27 (7)

(8)S
S
( 1 7 9
3—2(
)
3

1 (1)
7 10
( 3—29
)

3—30 3—31 ( )
100

(2)
(3)
( ) ( )
(
)
1 7 11 (1) · (2) THR

(3)
(4)
1 (1)
7 12
(2)
5 70
50

(3)
(4)
(5)
2s (6)

(7)
(8)
V/f V / f
1 (1) (2)
7 13
1 6 10 12 36 (3)

(4)
1 (1) (2)
12
(3)
(4)

2
4—1

4—2a ( ( ) ) ( +
) ( ) (4-1)
TM
TL (GD2 375)
(dn dt)
dn dt o dn dt>O dn dt

dn 4—2a 4—2b
dt
C a c a b c
4—2b
2
1 —— —
2
1 1
4—3
P=Tn/975
T
n

2
1 2 ( )
4—4

2
1 3
(
4—5
)

2
1 4 ( V 4—6 V f f V f 50Hz )

f1 6 f1Hz
50Hz(
60Hz)

2
2 V f
2
2 1
4—6
(1) (2) (3)