光电导器件
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线性），式（1-84）与（1-87）分别给出了它在弱辐射 和强辐射作用下的光电导与辐射通量的关系。
bd 1 q 2 g q g Φ e , （1-87） e, （1-84） 3 2 hl hK f l
1 2
实际上，光敏电阻在弱辐射到强辐射的作用下，它的 光电特性可用在“恒定电压”作用下流过光敏电阻的电流 Ip与作用到光敏电阻上的光照度E的关系曲线来描述。
二、基本特性和参数
1)暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称 为暗电阻，或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。例如 MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。 光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻 值称 为 亮电 阻 或亮 阻 。此 时 流过 的 电流 称 为亮 电 流 。 MG41—21型光敏电阻亮阻小于等于1k。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 显然，光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好， 也就是说暗电流要小，亮电流要大。这样光敏电阻的灵敏 度就高。
代入
i
VRg ( RL Rg ) 2
得：
u VRg RL ( RL Rg ) 2
当 RL Rg 时，上式有最大值， Rg为有光照时的亮电阻，
RL为负载电阻，称为匹配负载电阻，但是入射光功率 在较大的动态范围内变化，保持匹配工作状态就比较 难，此其缺点之二。
缺点之三：光敏电阻的响应频率比较低，响应时间长。
iu i 2 Rg Pmax
V 代入 i 得偏臵电压： RL Rg
Pmax 12 V ( ) ( RL Rg ) Rg
在匹配条件下：
V 2( Rg Pmax )
1
2
可知，光敏电阻伏安特性近似直线，受耗散功率的限 制，在使用时，光敏电阻两端的电压不能超过最高工作电 压，图中虚线为允许功耗曲线，由此可确定光敏电阻正常 工作电压。
第二章、光电导器件
光电探测器是一种能够将光的信号转换为电的信号的 半导体器件。光探测器的工作包括三个步骤：
①由入射光产生载流子； ②通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增； ③电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。
光电探测器在所工作的波长中具有高灵敏度、高响应 速度及低噪声。另外，光电探测器必须轻薄短小、使用低 电压或低电流，并具有高可靠度。
i VRg ( RL Rg )
2
上述两式相减，则有：
( RL Rg Rg RL Rg )
式中负号表示光照增大，亮阻减小，电流增大。同时，电 流变化，引起光敏电阻两端电压的变化：
u u V (i i) RL u iRL u V iRL
为何？
在电路中的符号
常见的光敏电阻有CdS、CdSe、PbS、InSb、HgxCd1-xTe （是由HgTe和CdTe两种材料混在一起的固溶体 ）
用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化 物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等 方法在绝缘衬底上制做很薄的光敏电阻体及梳状欧姆 电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体 内，以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如 右图所示。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到 光照时，只要光子能 h 量大于半导体材料的禁 带宽度，则价带中的电 子吸收一个光子的能量 后可跃迁到导带，并在 L W 价带中产生一个带正电 D 半导体 荷的空穴，这种由光照 欧姆接触 产生的电子—空穴对增 加了半导体材料中载流 欧姆接触
光敏电阻的基本原理
光电导效应原理（半导体材料的体效应）——光电 导探测器 ——光照下改变自身的电阻率（光照愈强,器件 自身的电阻愈小） ——光敏电阻（光导管）
本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作，适用于 可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作， 常用于中、远红外辐射探测
6)频率特性
由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频 率特性也不相同。附图1给出相对灵敏度，与光强变化频 率f之间的关系曲线，可以看出硫化铅的使用频率比硫化
『补充』前历效应
指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种 现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性的 影响。 暗态前历效应：指光敏电阻测试或工作前处于暗态， 当它突然受到光照后光电流上升的缓慢程度。一般， 工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越重。
2)光谱特性
对于不同波长的入射光，光敏电阻的相对灵敏度是不 相同的。各种材料的光谱特性如下图所示。从图中看出， 硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值在红外区域， 因此在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来 考虑，才能获得满意的结果。
光敏电阻的光谱响 应主要由光敏材料 禁带宽度、杂质电 离能、材料掺杂比 与掺杂浓度等因素 有关。
声性能大大改善 峰值响应波长为5μm；响应时间短（大约50×10-9s） 适用于快速红外信号探测 HgxCd1-xTe探测器
化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和CdTe两种 材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化 当x=0.2时响应波长为8～14μm,工作温度77k，用液 氮致冷。
另外，当环境温度在0～+60℃的范围内时，光敏 电阻的响应速度几乎不变；而在低温环境下，光敏电 阻的响应速度变慢。例如，-30℃时的响应时间约为 +20℃时的两倍。
光敏电阻的允许功耗,随着环境温度的升高而降低。
4)伏安特性 在一定照度下，光敏电 阻两端所加的电压与流过光 敏电阻的电流之间的关系， 称为伏安特性。光敏电阻两 端电压为：
u V iRL
Rg 为有光照时的亮电阻，当光 Rg 变为 Rg Rg， 照变化时，
电流 i 变为 i i ，
V i RL Rg
V i i RL Rg Rg
从图中可以看出，它的峰值随着温度上升向波长短 的方向移动。因此，有时为了提高灵敏度，或为了能接 受远红外光而采取降温措施。
100 在有光照时，光敏电阻的阻 1 值随温度变化而变化的变化 80 2 率,在弱光照和强光照时都较 60 大,而中等光照时 ,则较小。 40
Kr (%)
100 80来自百度文库
Kr (%)
5)时间响应特性
当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才 能达到稳态值，光照突然消失时，光电流也不立刻为零。 这说明光敏电阻有时延特性。 光敏电阻的响应时间常数是由电流上升时间 t r 和衰减时 间 t f 表示的。
光敏电阻的响应时间与入射光的照度、所加电压、负载 电阻及照度变化前电阻所经历的时间（称为前历时间） 等因素有关。
附图2 PbS的光谱温度特性
60 40
+2 0℃
-2
0℃
20 20 例：CdS光敏电阻的温度系数 在10lx照度时约为 0；照度高 10 100 1000 10000 1.0 2.0 3.0 于10lx时，温度系数为正；小 于10lx时，温度系数反而为负；照度偏离 10lx愈多， 图6-1-9 光敏电阻的频率特性 6-1-10 硫化铅的光谱温度特性 1-硫化铅光敏电阻 2-硫化铊光敏电阻 温度系数也愈大。
Kr (%)
2
60 40 20
10 100 1000 10000 光敏电阻和其他半导体器件 附图1 光敏电阻的频率特性 一样，受温度影响较大，当 1-PbS 2-CdS 图6-1-9 光敏电阻的频率特性 温度升高时，它的暗电阻会 1-硫化铅光敏电阻 2-硫化铊光敏电阻 下降。温度的变化对光谱特性也有很大影响。附图2是硫 化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。
几种典型的光敏电阻
CdS和CdSe（ 2.42、1.7 ev ） 低造价、高可靠、长寿命、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103～104) 响应时间比较长(大约50ms) 广泛用于自动化技术和摄影机中的光计量。 PbS（常温下禁带宽度为0.41eV） 近红外辐射探测器 波长响应范围在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm 内阻（暗阻）大约为1MΩ 响应时间约200μs 广泛用于遥感技术和武器红外制导技术 InSb(锑化铟，室温下禁带宽度为0.18eV) 近红外辐射探测器，室温下，噪声大。在77k下,噪
1-黑暗放臵3分钟后 2-黑暗放臵60分钟后 3-黑暗放臵24小时后
亮态前历效应： 光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作 时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象。
镉高的多。但多数光敏电阻 的时延都较大，因此不能用 在要求快速响应的场合，这 是光敏电阻的一个缺陷。 7)温度特性
100 1 80
原因分析：忽略了极间电容的影响，当入射光功率变化频 率较高时，等效电容不能省去。并且为了获得大的电流， L尺寸小，使得极间电容较大。
以上分析了光敏电阻工作电流和电压，下面看一下其 工作功率，讨论偏臵电压V的选取。 在一定光照下，光敏电阻上产生的热损耗功率为：
iu i Rg
2
每一个型号的光敏电阻有对应的额定功率 Pmax ，因此，
如图2-3所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流 Ip与入射光照度E间的变化关系，由图可见它是由直线性 渐变到非线性的。
在恒定电压的作用下，流 过光敏电阻的光电流Ip为
I p g pU US g E
式中Sg为光电导灵敏度， E为光敏电阻的照度。
显然，当照度很低时，曲线近似为线性，Sg由式（1-85） 描述；随照度的增高，线性关系变坏，当照度变得很高 时，曲线近似为抛物线形，Sg由式（1-87）描述。
在第1章讨论光电导效应时发现，光敏电阻在微弱辐 射作用的情况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距 离l的平方成反比，参见（1-85）式；在强辐射作用的情 况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的二分之 三次方成反比，参见（1-88）式；都与两电极间距离l有 关。 根据光敏电 阻的设计原则可 以设计出如图22所示的3种基本 结构，图2-2（a） 所示光敏面为梳 形的结构。
3)光电特性
光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。 如图2-3所示，光敏电阻的光电特性呈非线性。前面所讲 的光电转换定律表达式是理想情况的转换关系式。考虑到 许多实际因素，光敏电阻的光电特性并非呈线性
在1.5.1节讨论光电导效应时我们看到，光敏电阻在
弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性（线性与非
可以看出光敏电阻不适宜做检测元件，这是光敏电阻的缺 点之一，在自动控制中它常用做开关式光电传感器。
在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用 如图2-4所示的特性曲线。图2-4所示为两种坐标框架的 特性曲线，其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R 与入射照度EV的关系曲线，而(b)为对数直角坐标系下的 阻值R与入射照度EV的关系曲线。 如图2-4(b)所示的对数坐标系中光敏电阻的阻值R在 某段照度EV范围内的光电特性表现为线性，即（2-2）式 中的γ保持不变。 γ值为对数坐标下特性曲线的斜率。即 logR1 logR2 （2-3） logE2 logE1 R1与R2分别是照度为E1和E2时光敏电阻的阻值。
光敏电阻的光电特性可用一个随光度量变化的指数伽 玛（γ）来描述，并定义γ为光电转换因子。并将式（2-1） 改为
I p g pU USg E
Sg 与器件材料、尺寸、形状以及载流子的寿命有关；电压指数一 般取值在1.0～1.2；照度指数取值约在0.5～1.0。
在低偏压（几伏到几十伏），弱光照下，电压指数和照度 指数通常都取1
子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下 降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发 产生的电子—空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就 逐渐恢复原值。
在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便 有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随 光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有 极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压， 也可以加交流电压。 某些光敏电阻的增益甚至可高达 106。一般光敏电阻的响 应时间为10-3s~10-10s，它们被大量应用于红外光侦测， 尤其是波长大于几微米以上的区域。
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实际上，光敏电阻在弱辐射到强辐射的作用下，它的 光电特性可用在“恒定电压”作用下流过光敏电阻的电流 Ip与作用到光敏电阻上的光照度E的关系曲线来描述。
二、基本特性和参数
1)暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称 为暗电阻，或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。例如 MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。 光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻 值称 为 亮电 阻 或亮 阻 。此 时 流过 的 电流 称 为亮 电 流 。 MG41—21型光敏电阻亮阻小于等于1k。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 显然，光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好， 也就是说暗电流要小，亮电流要大。这样光敏电阻的灵敏 度就高。
代入
i
VRg ( RL Rg ) 2
得：
u VRg RL ( RL Rg ) 2
当 RL Rg 时，上式有最大值， Rg为有光照时的亮电阻，
RL为负载电阻，称为匹配负载电阻，但是入射光功率 在较大的动态范围内变化，保持匹配工作状态就比较 难，此其缺点之二。
缺点之三：光敏电阻的响应频率比较低，响应时间长。
iu i 2 Rg Pmax
V 代入 i 得偏臵电压： RL Rg
Pmax 12 V ( ) ( RL Rg ) Rg
在匹配条件下：
V 2( Rg Pmax )
1
2
可知，光敏电阻伏安特性近似直线，受耗散功率的限 制，在使用时，光敏电阻两端的电压不能超过最高工作电 压，图中虚线为允许功耗曲线，由此可确定光敏电阻正常 工作电压。
第二章、光电导器件
光电探测器是一种能够将光的信号转换为电的信号的 半导体器件。光探测器的工作包括三个步骤：
①由入射光产生载流子； ②通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增； ③电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。
光电探测器在所工作的波长中具有高灵敏度、高响应 速度及低噪声。另外，光电探测器必须轻薄短小、使用低 电压或低电流，并具有高可靠度。
i VRg ( RL Rg )
2
上述两式相减，则有：
( RL Rg Rg RL Rg )
式中负号表示光照增大，亮阻减小，电流增大。同时，电 流变化，引起光敏电阻两端电压的变化：
u u V (i i) RL u iRL u V iRL
为何？
在电路中的符号
常见的光敏电阻有CdS、CdSe、PbS、InSb、HgxCd1-xTe （是由HgTe和CdTe两种材料混在一起的固溶体 ）
用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化 物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等 方法在绝缘衬底上制做很薄的光敏电阻体及梳状欧姆 电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体 内，以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如 右图所示。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到 光照时，只要光子能 h 量大于半导体材料的禁 带宽度，则价带中的电 子吸收一个光子的能量 后可跃迁到导带，并在 L W 价带中产生一个带正电 D 半导体 荷的空穴，这种由光照 欧姆接触 产生的电子—空穴对增 加了半导体材料中载流 欧姆接触
光敏电阻的基本原理
光电导效应原理（半导体材料的体效应）——光电 导探测器 ——光照下改变自身的电阻率（光照愈强,器件 自身的电阻愈小） ——光敏电阻（光导管）
本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作，适用于 可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作， 常用于中、远红外辐射探测
6)频率特性
由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频 率特性也不相同。附图1给出相对灵敏度，与光强变化频 率f之间的关系曲线，可以看出硫化铅的使用频率比硫化
『补充』前历效应
指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种 现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性的 影响。 暗态前历效应：指光敏电阻测试或工作前处于暗态， 当它突然受到光照后光电流上升的缓慢程度。一般， 工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越重。
2)光谱特性
对于不同波长的入射光，光敏电阻的相对灵敏度是不 相同的。各种材料的光谱特性如下图所示。从图中看出， 硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值在红外区域， 因此在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来 考虑，才能获得满意的结果。
光敏电阻的光谱响 应主要由光敏材料 禁带宽度、杂质电 离能、材料掺杂比 与掺杂浓度等因素 有关。
声性能大大改善 峰值响应波长为5μm；响应时间短（大约50×10-9s） 适用于快速红外信号探测 HgxCd1-xTe探测器
化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和CdTe两种 材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化 当x=0.2时响应波长为8～14μm,工作温度77k，用液 氮致冷。
另外，当环境温度在0～+60℃的范围内时，光敏 电阻的响应速度几乎不变；而在低温环境下，光敏电 阻的响应速度变慢。例如，-30℃时的响应时间约为 +20℃时的两倍。
光敏电阻的允许功耗,随着环境温度的升高而降低。
4)伏安特性 在一定照度下，光敏电 阻两端所加的电压与流过光 敏电阻的电流之间的关系， 称为伏安特性。光敏电阻两 端电压为：
u V iRL
Rg 为有光照时的亮电阻，当光 Rg 变为 Rg Rg， 照变化时，
电流 i 变为 i i ，
V i RL Rg
V i i RL Rg Rg
从图中可以看出，它的峰值随着温度上升向波长短 的方向移动。因此，有时为了提高灵敏度，或为了能接 受远红外光而采取降温措施。
100 在有光照时，光敏电阻的阻 1 值随温度变化而变化的变化 80 2 率,在弱光照和强光照时都较 60 大,而中等光照时 ,则较小。 40
Kr (%)
100 80来自百度文库
Kr (%)
5)时间响应特性
当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才 能达到稳态值，光照突然消失时，光电流也不立刻为零。 这说明光敏电阻有时延特性。 光敏电阻的响应时间常数是由电流上升时间 t r 和衰减时 间 t f 表示的。
光敏电阻的响应时间与入射光的照度、所加电压、负载 电阻及照度变化前电阻所经历的时间（称为前历时间） 等因素有关。
附图2 PbS的光谱温度特性
60 40
+2 0℃
-2
0℃
20 20 例：CdS光敏电阻的温度系数 在10lx照度时约为 0；照度高 10 100 1000 10000 1.0 2.0 3.0 于10lx时，温度系数为正；小 于10lx时，温度系数反而为负；照度偏离 10lx愈多， 图6-1-9 光敏电阻的频率特性 6-1-10 硫化铅的光谱温度特性 1-硫化铅光敏电阻 2-硫化铊光敏电阻 温度系数也愈大。
Kr (%)
2
60 40 20
10 100 1000 10000 光敏电阻和其他半导体器件 附图1 光敏电阻的频率特性 一样，受温度影响较大，当 1-PbS 2-CdS 图6-1-9 光敏电阻的频率特性 温度升高时，它的暗电阻会 1-硫化铅光敏电阻 2-硫化铊光敏电阻 下降。温度的变化对光谱特性也有很大影响。附图2是硫 化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。
几种典型的光敏电阻
CdS和CdSe（ 2.42、1.7 ev ） 低造价、高可靠、长寿命、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103～104) 响应时间比较长(大约50ms) 广泛用于自动化技术和摄影机中的光计量。 PbS（常温下禁带宽度为0.41eV） 近红外辐射探测器 波长响应范围在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm 内阻（暗阻）大约为1MΩ 响应时间约200μs 广泛用于遥感技术和武器红外制导技术 InSb(锑化铟，室温下禁带宽度为0.18eV) 近红外辐射探测器，室温下，噪声大。在77k下,噪
1-黑暗放臵3分钟后 2-黑暗放臵60分钟后 3-黑暗放臵24小时后
亮态前历效应： 光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作 时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象。
镉高的多。但多数光敏电阻 的时延都较大，因此不能用 在要求快速响应的场合，这 是光敏电阻的一个缺陷。 7)温度特性
100 1 80
原因分析：忽略了极间电容的影响，当入射光功率变化频 率较高时，等效电容不能省去。并且为了获得大的电流， L尺寸小，使得极间电容较大。
以上分析了光敏电阻工作电流和电压，下面看一下其 工作功率，讨论偏臵电压V的选取。 在一定光照下，光敏电阻上产生的热损耗功率为：
iu i Rg
2
每一个型号的光敏电阻有对应的额定功率 Pmax ，因此，
如图2-3所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流 Ip与入射光照度E间的变化关系，由图可见它是由直线性 渐变到非线性的。
在恒定电压的作用下，流 过光敏电阻的光电流Ip为
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式中Sg为光电导灵敏度， E为光敏电阻的照度。
显然，当照度很低时，曲线近似为线性，Sg由式（1-85） 描述；随照度的增高，线性关系变坏，当照度变得很高 时，曲线近似为抛物线形，Sg由式（1-87）描述。
在第1章讨论光电导效应时发现，光敏电阻在微弱辐 射作用的情况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距 离l的平方成反比，参见（1-85）式；在强辐射作用的情 况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的二分之 三次方成反比，参见（1-88）式；都与两电极间距离l有 关。 根据光敏电 阻的设计原则可 以设计出如图22所示的3种基本 结构，图2-2（a） 所示光敏面为梳 形的结构。
3)光电特性
光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。 如图2-3所示，光敏电阻的光电特性呈非线性。前面所讲 的光电转换定律表达式是理想情况的转换关系式。考虑到 许多实际因素，光敏电阻的光电特性并非呈线性
在1.5.1节讨论光电导效应时我们看到，光敏电阻在
弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性（线性与非
可以看出光敏电阻不适宜做检测元件，这是光敏电阻的缺 点之一，在自动控制中它常用做开关式光电传感器。
在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用 如图2-4所示的特性曲线。图2-4所示为两种坐标框架的 特性曲线，其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R 与入射照度EV的关系曲线，而(b)为对数直角坐标系下的 阻值R与入射照度EV的关系曲线。 如图2-4(b)所示的对数坐标系中光敏电阻的阻值R在 某段照度EV范围内的光电特性表现为线性，即（2-2）式 中的γ保持不变。 γ值为对数坐标下特性曲线的斜率。即 logR1 logR2 （2-3） logE2 logE1 R1与R2分别是照度为E1和E2时光敏电阻的阻值。
光敏电阻的光电特性可用一个随光度量变化的指数伽 玛（γ）来描述，并定义γ为光电转换因子。并将式（2-1） 改为
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Sg 与器件材料、尺寸、形状以及载流子的寿命有关；电压指数一 般取值在1.0～1.2；照度指数取值约在0.5～1.0。
在低偏压（几伏到几十伏），弱光照下，电压指数和照度 指数通常都取1
子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下 降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发 产生的电子—空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就 逐渐恢复原值。
在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便 有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随 光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有 极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压， 也可以加交流电压。 某些光敏电阻的增益甚至可高达 106。一般光敏电阻的响 应时间为10-3s~10-10s，它们被大量应用于红外光侦测， 尤其是波长大于几微米以上的区域。