2SC3838NPN晶体管产品规格书

主要应用于 VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器，参数性能优于国
外同类型号产品,可以替代；
封装形式：SOT-323 或者 SOT-23；
集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA；集电极功率：
PC=200mW,特征频率：fT=3.2GHz。
极限参数（Tamb=25℃）：
N
56～120
P
82～180
HADN
HADP
2SC3838 NPN 微波低噪声晶体管
北京鼎霖电子科技
2SC3838 NPN 微波低噪声晶体管
北京鼎霖电子科技
NF(dB) 7
6
5
VCE=10V
4
f=1GHz
3
2
1
0
0.5
1
5
10
50 70 IC(mA)
NF(dB) 5
F=1GHz
4
IC=20mA
3
￨S21Leabharlann Baidu￨2
￨S21e￨2(dB) 15 12 9
2
6
NF
1
3
0
2
4
0
6
8
10
VCE(V)
S21e-FREQUENCY CONDITION:VCE=10V,IC=20mA
120°
90°
600°
150°
0.2GHz
S21e
30°
180°
2.0GHz 5 10 15 20
0°
-150°
-30°
-120°
封装形式以及外形尺寸
SOT-23 PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm)
0.4±0.05
3
SOT-323 PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm)
0.3 TYP.
3
Marking
Marking
2.3±0. 1.251±0.
1
2.40±0.05 1.300±0.03
1
2
0.4 ±0.03
1.90±0.03 2.90±0.05
1
0.3 TYP.
2
1.3±0.1 2.1±0.1
0.06±0.0 4
0.95 TYP.
0.100±0.01
0.970±0.03
R0.08
0.1±0.03
0.20(MIN)
PIN CONNECTIONS 1.Base 2. Emitter 3.Collector
2SC3838 NPN 微波低噪声晶体管
北京鼎霖电子科技
2SC3838NPN TRANSISTOR (NPN)
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述：
本芯片采用硅外延工艺制造；
Lead-free
具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；
3000pcs/Tape&Reel 5Tape&Reel 12 Inner Box
参数名称
集电极-基极击穿电压 集电极-发射极击穿电 压 发射极-基极击穿电压 集电极电流 耗散功率 最高结温 储存温度
符号
BVCBO BVCEO BVEBO
IC PC TJ Tstg
额定值
20 11 3 50 200 150 -55～+150
Collector 3 1 Base
Emitter 2
3
2 1 SOT-323 or SOT-23
PIN CONNECTIONS 1.Base 2. Emitter 3.Collector
包装信息 PACKAGE INFORMATION
Package
Shipping
Inner Box
Carton
SOT-23
3000pcs/Tape&Reel 10 Tape&Reel 6 Inner Box
SOT-323
单位
V V V mA mW ℃ ℃
电参数及规格（Tamb=25℃）：
参数名称
集电极截止电流 发射极截止电流 直流电流放大系数 集电极-发射极饱和压降 特征频率 输出电容 噪声系数
符号
测试条件
ICBO VCB=10V,IE=0
IEBO VEB=1.0V,IC=0
hFE VCE=10V,IC=20mA
VCE（sat） IC=10mA, IB=5mA
fT
VCE=10V,IC=20mA
Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz
NF VCE=6V,IC=2mA,f=500MHz
最小值
-
56 -3.2 -
额定值 典型值
4.5 0.8 3.5
最大值
0.5
单位 μA
0.5
μA
300
0.5
V
GHz
1.5
pF
-
dB
RANK RANGE MARKING
CLASSIFICATION OF hFE
-90°
-60°
S12e-FREQUENCY CONDITION:VCE=10V,IC=20mA
120°
90°
2.0GHz
60°
150°
30°
180°
0.2GHz
0.05 0.1 0.15 0.2 0.250°
-150°
-30°
-120°
-90°
-60°
2SC3838 NPN 微波低噪声晶体管
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