芯片的切割技术 - 激光切割
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采用激光全切割工艺，加工后的切割槽宽度小，与刀片相比切割槽损 失少，所以可以减少芯片间的间隔，对于为了切割出更多小型芯片而致使 加工线条数增多的化合物半导体晶片而言，通过减小芯片间的间隔，可以 提高单枚晶片上可生产的芯片数量。多用于化合物半导体切割如：GaAs。
DBG + DAF激光切割
1、DBG (Dicing Before Grinding) : 这种技术将传统的“背面研削→晶片切断” 的工艺倒过来，先将晶片半切割，然后利用 背面研削进行芯片分割。
感谢聆听！
集成电路封装与测试
芯片的切割技术
2020年3月
目录/Contents
01
芯片切割的概念
02
芯片切割的方式
03
激光切割技术
03 激光切割技术
激光切割技术
4
技术 种类
激光半切割方式 激光全切割方式 DBG + DAF激光切割 激光隐形切割
激光半切割方式
5
结合刀片切割和激光切割，先在切割道内用激光切割方式切开2条细槽 （开槽），然后再使用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工，通 过采用该项加工工艺，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂，分层 （薄膜剥离）等不良因素造成的加工质量问题。
激光开槽加工包括IT激光开槽加工：阶梯式磨轮刀片（Z1、Z2磨轮刀 片）切割；ω激光开槽加工:一次式磨轮刀片切割）
晶圆激光开槽设备
应用于半导体行业40nm及以下线宽的 low-k晶圆的表面开槽
适用于表面需要进行划线或者开细槽加 工的半导体晶圆
激光全切割方式
6
本工艺是在厚度200um以下的薄型晶片表面（图案面）用激光照射1次 或多次，切入胶带实现晶片全切割的切割方式，因为激光全切割可以加快 进给速度，从而可以提高生产效率。
8
隐形切割是将半透明波长的激光束聚集在工件 材料内部，形成一个分割用的起点(改质层:以下称 之为SD层)，再对晶圆片施以外力将其分割成小片 芯片的切割技术。
切割步骤： 1、激光切割在硅片内部形成改质层。 2、扩展粘贴硅片的蓝膜使得硅片分离开将激 光聚光照射于晶圆内部形成SD层。在SD层形成的 同时，也会形成向晶圆正反两个表面延伸的龟裂。 此龟裂现象是促使芯片分割的重要因素。
2、DAF (Dຫໍສະໝຸດ Baidue Attach Film) : 这是一种 薄膜状的接合材料，用于薄型芯片叠层等。 将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉 表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进 行全切割。晶片已经分离成了芯片，所以就 可以从芯片间照射激光，只将DAF切断。
7
DBG法（先划片后减薄）
激光隐形切割
DBG + DAF激光切割
1、DBG (Dicing Before Grinding) : 这种技术将传统的“背面研削→晶片切断” 的工艺倒过来，先将晶片半切割，然后利用 背面研削进行芯片分割。
感谢聆听！
集成电路封装与测试
芯片的切割技术
2020年3月
目录/Contents
01
芯片切割的概念
02
芯片切割的方式
03
激光切割技术
03 激光切割技术
激光切割技术
4
技术 种类
激光半切割方式 激光全切割方式 DBG + DAF激光切割 激光隐形切割
激光半切割方式
5
结合刀片切割和激光切割，先在切割道内用激光切割方式切开2条细槽 （开槽），然后再使用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工，通 过采用该项加工工艺，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂，分层 （薄膜剥离）等不良因素造成的加工质量问题。
激光开槽加工包括IT激光开槽加工：阶梯式磨轮刀片（Z1、Z2磨轮刀 片）切割；ω激光开槽加工:一次式磨轮刀片切割）
晶圆激光开槽设备
应用于半导体行业40nm及以下线宽的 low-k晶圆的表面开槽
适用于表面需要进行划线或者开细槽加 工的半导体晶圆
激光全切割方式
6
本工艺是在厚度200um以下的薄型晶片表面（图案面）用激光照射1次 或多次，切入胶带实现晶片全切割的切割方式，因为激光全切割可以加快 进给速度，从而可以提高生产效率。
8
隐形切割是将半透明波长的激光束聚集在工件 材料内部，形成一个分割用的起点(改质层:以下称 之为SD层)，再对晶圆片施以外力将其分割成小片 芯片的切割技术。
切割步骤： 1、激光切割在硅片内部形成改质层。 2、扩展粘贴硅片的蓝膜使得硅片分离开将激 光聚光照射于晶圆内部形成SD层。在SD层形成的 同时，也会形成向晶圆正反两个表面延伸的龟裂。 此龟裂现象是促使芯片分割的重要因素。
2、DAF (Dຫໍສະໝຸດ Baidue Attach Film) : 这是一种 薄膜状的接合材料，用于薄型芯片叠层等。 将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉 表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进 行全切割。晶片已经分离成了芯片，所以就 可以从芯片间照射激光，只将DAF切断。
7
DBG法（先划片后减薄）
激光隐形切割