开关电源设计入门培训资料
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管栅极驱动电路
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•分离的图腾柱驱动电路wenku.baidu.com
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管选择及应用降额.
Mosfet的常用类型
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
N Mosfet
P Mosfet
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管的基本特点 > 开关速度快, ~100ns > 开关频率高,50Khz~400Khz > 输出功率大
1> 最大允许的结温: 80% 2> 栅极最大电压:80% 3> 漏源最大电压: 80%
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率二极管
功率二极管的常用类型
1> 肖特基二极管 (<200V) 2> 快恢复二极管 (200V~800V) 3> 普通整流二极管(桥堆)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率二极管
Mosfet的常用类型 功率场效应管的基本特点 功率场效应管工作原理 功率场效应管的输出特性 (Id~Vds) 功率场效应管的输入阻抗及栅极电流 功率场效应管栅极驱动上升和下降时间 功率场效应管栅极驱动电路 选择及应用注意事项
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管的输入阻抗及栅极电流
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
如上图所式,栅极电压从0V上升到10V过程中,栅极电流Ig包括I1和I2两 部分,
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
肖特基二极管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒 二极管(Schottky Barrier Diode——SBD),简称为肖特基二极 管20世纪80年代以来,由于工艺的发展得以在电力电子电路中广 泛应用
肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短(10~40ns)正向恢复过程中也不会有明显的
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管工作原理 Mosfet是三端电压控制型器件,而三极管
是电流控制型器件,当栅极有驱动电压 时Mosfet管完全导通,驱动电压需要满 足尽可能减小导通压降的要求。 当栅极 无驱动电压时Mosfet应关断。
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管的输入阻抗及栅极电流
Ciss: C1+C2 Coss: C2+C3 Crss: C2
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管的输入阻抗及栅极电流 栅源极间的结电容不容忽略,为了快速
地开通和关断漏极电流,需要较大的栅 极电流驱动栅极电压快速地上升和下降 。
•
开关电源的基本原理
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
开关电源的发展趋势
开关电源的发展趋势
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
开关电源的发展趋势
数字化及多相控制技术 国际的数字通讯总线:PMbus,PSMI 功率管理 模块化设计 交差配合使用 高功率密度及用统一标准
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
开关电源的发展趋势
低成本 较短的开发及交货周期 高可靠性 :MTBF(1~4 百万小时) 高效率:94%~96% 更严格的安规标准 高度小型化发展
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
开关电源的最新的拓扑
半桥谐振 (LLC) 有源钳位 (Active clamp forward) ZVS 全桥 无桥PFC 跟多的交错式控制方式
电压过冲在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小(一般0.5V 左右),明显低于快速恢复二极管(一般1V左右) 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高 肖特 基二极管的弱点 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用 于200V以下反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不 能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度.
开关电源设计入门培训 资料
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
2020年4月5日星期日
基本原理介紹
➢ AC 输入部分 ➢ EMI 滤波 部分 ➢ PFC 部分 ➢ DC-DC转换部分 ➢ 均流技術 ➢ 保護与反馈控制線路
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
开关电源的基本原理及功能框图
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•需要栅极的总电流Ig为Ig=I1+I2=0.36+0.564=0.924A
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管栅极驱动上升和下降时间
导通延迟时间:
Trd=Vgsth(2.5V)-(0V)
关断延迟时间:
Tfd=Vgl(10V)-Vgsth(2.5V)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管工作原理
Mosfet管的三端引脚分别是漏极,栅极和 源极,N沟道型Mosfet管适用于正电源供 电,P沟道型Mosfet管适用于负电源供电 ,目前大部分开关电源功率管用N沟道增 强型,而N沟道耗尽型主要应用于小信号 控制。
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
主要元器件的选择及应用
开关电源主要元器件的选择及应用
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
开关电源主要元器件的选择及应用
功率场效应管 (Mosfet) 功率二极管 Fuse (保险丝) 电解电容
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
功率场效应管的输出特性 (Id~Vds)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
•
功率场效应管 (Mosfet)
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索