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电子封装专用设备

第一部分

1.半导体制造主要工艺流程与设备概述。

图1 半导体制造、封装、测试工艺流程

图2 芯片制造基本工艺流程图

半导体制造工艺是由多种单项工艺组合而成的,主要包括以下四类:薄膜形成工艺;图形转移工艺;掺杂工艺;热处理工艺。

⑴薄膜形成工艺与设备

薄膜工艺包括氧化工艺和薄膜淀积工艺。通过生长或淀积的方法,生成集成电路制造过程中所需的各种材料的薄膜,如金属层、绝缘层等。

氧化(Oxidation)工艺的主要目的是在硅衬底表面形成氧化膜SiO2。

在硅衬底表面形成SiO2氧化膜的方法:化学气相淀积(CVD)和氧化。其中氧化又分为自然氧化(在常温下,硅表面可生长出SiO2氧化层,厚约2nm)和热氧化(Thermal Oxidation)(在高温炉中反应,形成较厚的SiO2氧化层,也称为热生长法)

热氧化法的3种环境:①干氧氧化(O2) ②水蒸气氧化(H2O) ③湿氧氧化(H2O+O2)

图3 热氧化生成二氧化硅设备原理示意图氧化炉主要有高温干式氧化炉和高温湿式氧化炉两种,基本原理

如上图所示。

化学气相淀积(CVD, Chemical Vapor Deposition)是利用气态的先驱反应物,以某种方式激活后,通过原子或分子间化学反应的途径在衬底上淀积生成固态薄膜的技术。利用CVD可获得高纯的晶态或非晶态的金属、半导体、化合物薄膜,能有效控制薄膜化学成分,且设备运转成本低,与其他相关工艺有较好的相容性。CVD技术已有100多年历史,应用领域很广,如轴承的耐磨涂层、核反应堆里的耐高温涂层。

CVD工艺采用的设备为CVD反应炉,有卧式反应炉立式反应炉。

(PECVD)其中PECVD是通过高能射频源获得的等离子体提供能量,

不容易对硅衬底造成损伤。每种工艺方法都有装用设备。

⑵图形转移工艺

图形转移工艺包括光刻工艺和刻蚀工艺。从物理上说,集成电路是由许许多多的半导体元器件组合而成的,对应在硅晶圆片上就是半导体、导体以及各种不同层上的隔离材料的集合。集成电路制造工艺首先将这些结构以图形的形式制作在光刻掩模板上,然后通过图形转移技术将图形转移到硅晶圆片上。

光刻工艺是一种图像复印技术,是集成电路制造工艺中的一项关键工艺。光刻利用光刻胶感光后特性发生改变的原理,将光刻掩模板的图形精确地复印到涂在硅晶圆片上的光刻胶上,然后利用光刻胶作为掩模保护,在晶圆片表面的掩模层上进行选择性加工(刻蚀或注入),从而在晶圆片上获得相应的电路图形结构。

光刻工艺三要素是光刻机,掩膜板和光刻胶。光刻机会在后面星系介绍。光刻掩膜版是集成电路设计与实际晶圆的中间环节,作用相当于将图形印到半导体材料上的膜版。光刻掩膜版的生产与晶圆的生产原理基本相同。在半导体生产早期,光刻掩膜版的生产非常简单。掩膜版上的图形与晶圆上的相同,1:1地从光刻掩膜版传输到晶圆上,并且芯片上芯片模的数量与光刻掩膜版上的相同。光刻胶(Photoresist, Resist)又叫光致抗蚀剂,是一种由碳、氢、氧等元素组成的有机化合物。正胶(Positive Resist)是指曝光前对某些溶剂不可溶,而曝光后变为可溶的一类光刻胶。负胶(Negative Resist)是指曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的一类光刻胶。光刻工艺

步骤为(1)表面准备(2)涂胶(3)软烘焙(4)对准和曝光(5)显影(6)硬烘焙(7)显影检查(8)刻蚀(9)去除光刻胶(10)最终检查。

刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶(经过曝光和显影后)覆盖和保护的部分去除掉,达到将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的。刻蚀工艺主要有湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀(Wet Etch)是利用溶液与被刻蚀材料之间的化学反应,来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分,从而达到刻蚀目的。化学溶液称为刻蚀剂(Etchant)。设备为湿法刻蚀机。干法刻蚀(Dry Etch)是利用低压放电产生的等离子体(Plasma)中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等),与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用或两者相结合,从而达到刻蚀的目的。干法刻蚀采用的是气体刻蚀剂。设备有等离子体刻蚀机和反应离子刻蚀机等。

(3)掺杂工艺

掺杂工艺包括扩散工艺和离子注入工艺,通过这些工艺将各种杂质按照设计要求掺入晶圆片的特定位置上,形成晶体管的各“极”以及欧姆接触(金属与半导体的接触)等。

扩散(Diffusion)是一种常用的衬底掺杂(Doping)工艺,使可控量的掺杂物(Dopant)进入衬底的选定区域。扩散与离子注入(另一种掺杂工艺)不同,是一个缓慢注入的过程,且发生在高温下。热扩散是最主要、最普遍的掺杂方法。扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一,主要用途是对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂

材料扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。

离子注入(Ion Implantation)是一种物理掺杂工艺,用于向衬底中掺杂。将具有很高能量的杂质离子(B, P, As)射入衬底晶片(俗称靶)之中,并通过逐点扫描完成对整块晶片的注入。离子注入现已成为优选的IC掺杂工艺,其工艺设备为离子注入机。离子注入机配有精密的电子仪器和机械装置,晶片掺杂完全处于受控状态,可以精确控制杂质分布。

(4)热处理工艺退火工艺

(5)其他辅助工艺与技术化学机械平坦化工艺,化学机械平坦化(CMP, Chemical Mechanical Planarization)是一种表面全局平坦化技术。CMP设备称为抛光机。清洗工艺,在每一工艺流程环节里都要清除掉附着在硅圆片上的污染物,防止把污染带到下一道工序。目前有全自动硅片清洗机。

2. 芯片封装工艺流程与设备概述。

集成电路封封装设备是指基片上完成制芯工艺之后的所有加工工艺设备。封装对集成电路起支撑和机械保护、传输信号和分配电源、集成电路热耗散和环境保护等作用。芯片封装设备:背面研磨、划片设备、键合设备、塑封设备、老化设备。

(1)研磨、划片工艺与设备

最常用的背面减薄技术有:磨削、CMP(化学机械抛光)、湿法腐蚀、ADPE(常压等离子腐蚀)和干式拋光五种。

芯片封装测试主要工艺流程

背面研磨的两种方式,即缓进式和切人式。

缓进式使晶圆通过一个杯形砂轮的底部进行研磨;晶圆本身不旋转;研磨机有三个轴,分别作粗磨、中度磨、精细磨。

切入式通过将晶圆放置在载台上旋转,同时杯形砂轮逐渐下切来实现研磨;晶圆厚度通过一个接触式在线测量探针来监控;研磨机有两

个轴,分别作粗磨和精细磨。研磨机基本结构示意图

研磨过程:①研磨轴Z1粗磨一结束,晶圆就转到第二根研磨轴Z2进行精细研磨。②研磨轴的关键点在结束前的驻留(消痕)阶段。③杯形砂轮在研磨过程中会产生弹性形变。④消痕指的是杯形砂轮在下切压力解除后在晶圆上短暂驻留。也就是说,一旦测得研磨即将结束(通过在线测量仪的反馈),轴杆停止下切,晶圆载台在此状态下继续旋转数圈。

主要组成:(1)承片台多套承片台分布在360度圆周上。(2)折臂式机械手装置三个伺服电机系统,一个旋转汽缸,三个编码器和一个光电传感器。机械手具有4个自由度。驱动部分采用伺服电机驱动精密滚珠丝杠来实现,定位精度为0.01mm。(3)在线测量系统测量范围:应当包含0-1000微米。测量精度应当不低于1微米,分辨率在0.1微米左右。能在加工过程中进行在线测量件。

在线测量系统原理

划片是将经过背面研磨工艺磨薄的晶圆切割成单个芯片的工艺制程。

常用划片方法:砂轮划片机,干式激光划片机,微水导激光划片机。划片机构成特点:划片机包括:切刃具支撑(金刚刀支架、主轴或激光器等)、Z向划切深度控制、Y向分度定位、X向划切进给以及晶向平行调整结构;都具备X、Y、Z、晶向四维基本运动;根据类型及自动化程度不同,分别配有空气静压主轴、激光器以及位置对准显微镜、自动上下片和自动清洗甩干等辅助功能单元。

划片机功能构成:1) 对准在晶圆被划片之前,切割部位必须对准。

2) 刀片破损探测器3)非接触设置这项功能非常重要。知道刀片和晶圆载台的相对位置对于划片机的控制是非常重要的。划片机必须将切割精度控制在几个微米之内。4)划痕检查划痕是指在划片过程中,街区上实际被切除的材料尺寸,通常为刀片的厚度。在划片进行中通过划痕检查来检查划片的质量。5)二氧化碳混入器

硅晶圆划片时使用去离子水用做冷却液。将二氧化碳溶入去离子水中,形成微弱的碳酸,从而将去离子水中的电阻率降到1MΩ.cm。这样起到降低刀片冷却液表面张力、清除颗粒沾污物以及延长刀片使用寿命的作用。6)转台清洗这个设备在划片后清洗和干燥晶圆。7)紫外光照射设备划片工艺使用UV胶带时,这个设备在划片后的晶圆放入框架匣内之前用紫外光照射来降低胶带黏性,以便在划片工艺结束后直接进行贴片工艺。

(2)键合工艺与设备芯片封装形式主要有三种:引线键合、TAB(载带自动安装)、倒装芯片

上相对应的焊盘连接起来的芯片封装互连技术,每次连接一根。

引线键合设备的精度在微米级水平,而芯片键合设备的定位精度在

10-100μm之间。芯片键合设备组成:承片台、点胶系统、键合头、视觉系统、物料传输系、基座等。点胶系统在封装基底上涂覆一定量的芯片附着于封装上所需的黏合剂。点胶系统分为点蘸式和喷涂式两种。键合头与承片台相互配合,从蓝膜上准确地拾取芯片,然后与物料传输系统相互配合准确地把芯片放置在封装基底涂覆了黏合剂的位置上。接着对芯片施加压力,在芯片和封装基底之间形成厚度均匀的黏合剂层。视觉系统由光路、照明和摄像头组成。光路是常规的显微镜光学系统。照明采用LED光源,分为直光(也叫同轴光)和侧光两部分。直光由位于光路物镜正上方的一个LED构成,提供成像所需的基本照明。侧光由多个LED围绕物镜呈环形分布而成,是图像具有识别功能所需的足够反差的基本保证。物料传输系统负责芯片键合工艺中料条(引线框架或PCB基板)的自动操作,包括上料机构、进给/夹持机构和下料机构。

载带自动安装载带自动安装(TAB)是一种将IC组装和互连到金属化柔性聚合物载带上的IC组装技术。采用这一新技术的目的是以低成本的高度自动卷带式“群键合”技术取代引线键合技术,用于大批量、低I/O数器件的封装。

倒装芯片倒装芯片互连技术是将集成电路芯片的有源面朝向基板,与载体或基板相连接。倒装芯片键合方法主要是钎焊,通过钎焊来实现芯片与载体间的电连接和机械连接,但也有采用导电胶等其他材料来实现连接的。

倒装芯片键合工艺流程

倒装芯片键合工艺主要设备:UBM制作:投影光刻机、接触/接近光刻机、蚀刻机、溅射台、CVD、电镀设备。凸点生成:投影光刻机、接触/接近光刻机、蚀刻机、溅射台、CVD、电镀设备、丝网/模印刷机、改进金丝球焊机、回流炉。倒装键合:倒装芯片键合机、回流炉、固化炉。底部填充:涂覆设备(通常集成为倒装芯片键合机的一部分)、固化炉。倒装芯片键合机组成:①倒装芯片的运动平台②对倒装芯片与基板实施精确定位的视觉系统③对倒装芯片进行键合的超声换能系统④在键合过程中完成芯片的自动拾取的真空吸附系统及加热键合工作台⑤使工作台保持恒定温度的温控系统组成。

3. 电子组装工艺流程与设备概述。

电子组装基本工艺包括涂覆(点胶和印刷)、贴片和焊接(波峰焊和再流焊),辅助工艺包括清洗、检测和返修。

(1)波峰焊与再流焊工艺与设备尽管目前波峰焊工艺一部分应用正在被再流焊逐渐取而代之,不过波峰焊还是电子组装焊接的重要方法之一。再流焊工艺是贴装技术的主流工艺。再流焊(亦称回流焊)是预先在PCB焊接部位(焊盘)施放适量和适当形式的焊料,然后贴放表面组装元器件,经固化(在采用焊膏时)后,再利用外部热源使焊料再次流动达到焊接目的的一种成组或逐点焊接工艺。

波峰焊工艺流程

(2)焊膏涂覆与胶黏剂涂覆技术与设备印刷机主要分手动、半自动印刷机和全自动印刷机。半自动印刷机:操作简单,印刷速度快,结构简单,缺点是印刷工艺参数可控点较少,印刷对中精度不高,锡膏脱模差,一般适用于0603(英制)以上元件、引脚间距大于1.27mm 的PCB印刷工艺。全自动印刷机:印刷对中精度高,

锡膏脱模效果好,印刷工艺较稳定,适用密间距元件的印刷,缺点是维护成本高,对作业员的知识水平要求较高。全自动焊膏印刷机机构组成:PCB导入机构,PCB导出机构,PCB定位与固定机构,PCB与网板标识识别机构,网板固定与驱动机构,刮刀驱动机构,网板清洗系统,控制系统,基座,辅助系统。印刷模板有丝网版和金属模板,为使基板在工作台面准确定位,一般需设置2处以上图像识别基准标记,用于光学摄像对位。在摄像头(CCD)识别基板位置时,可以和印刷网板的位置识别重合进行,操作时可以采用由摄像头移动识别等识别方法。网板识别CCD和基板识别CCD的位置关系十分重要,应作为内部测定参数给予保存。实际印刷时的位置精度是基板、网板相对制作精度的叠加。位置的重合精度还与确定位置精度时所使用的运动坐标轴数有关,通常在确定位置精度时使用的坐标组合轴数较少时,可以提高位置的重合精度。常采用刮刀头部的浮动机构来实现对网板实施均匀压力的印刷,利用这种浮动机构,还可以使基板中心和刮刀中心具有一致性。如果基板中心和刮刀中心发生偏错时,刮刀将倾斜,由此产生的“存入不良”会在网板表面留有焊膏残留物,进而造成印刷性能的劣化。浮动机构及时调整与基板的平行度,以保持良好的印刷状态。脱板过程通常采用低速控制,使基板与网板顺利分离,焊膏完好地复制到基板焊区。可以通过精密控制的伺服电机和脉冲电机来完成脱板速度控制。

焊膏喷印时焊膏储藏在可更换的管状容器中,通过微型螺旋杆将焊膏定量输送到一个密封的压力舱,然后由一个压杆压出定量的焊膏微滴

并高速喷射在焊盘上。在程序控制下实现焊盘上规定的焊膏堆积面积和堆积高度。焊膏喷印技术无点涂与印刷方式的缺陷,而且与传统的网板印刷相比,具有不需要调整刮刀压力、速度或其它丝网印刷参数的特点。通过计算机控制,其喷印程序可以完全控制每一个焊盘上的喷印细节,喷印次数和焊膏的堆积量,实现完全一致的焊膏喷印,极大地提高了焊膏喷印质量和保证了随后贴片与回流过程的可控性与焊点的质量。MYDATA 公司推出的首款MY500,借鉴了计算机喷墨打印机的原理,采用获得专利保护的喷印技术,由喷印机主机、喷印头和焊膏盒、计算机控制系统3部分组成。可以根据计算机设定的程序,以500点/s(180万点/h)的最高速度在电路板上喷射焊膏。MY500焊膏喷印机可喷印的最大的电路板为508mm×508mm,电路板厚度介于0.4mm-0.7mm。MY500的基座由大理石制作而成,基板传送采用线性马达驱动,通过激光测量定位基板高度。

(3)贴装技术与工艺设备贴装技术是表面组装技术中的必不可少的基本技术之一。贴装技术的特点:贴装对象是表面贴装元器件,涵盖了传统电子元器件的全部;目前每个元器件贴装的时间已经缩短到0.06 s左右(片式元件),已经几乎达到机械结构运动速度的极限。采用机、光、电和软硬件综合技术,使现在贴装精确度已经可以达到3 Sigma 下75μm的精度,一部分细小元件和细节距IC贴装精度甚至达到4 Sigma下50 μm ;承载贴装元器件的电路板与贴装技术相关的主要是几何尺寸和板厚方向的刚度;

贴片机的工作流程:

(1)待贴装的PCB进入传送轨道,在轨道入口处的传感器发现PCB,系统通知传送带电机工作,将PCB送入下一位置。

(2)PCB进入工作区起点,传送装置将PCB送入贴片位置,在即将到位时触发装配位置的传感器,系统控制相应机构使PCB停留在预定贴装位置上。机械定位装置工作,将PCB固定在预定位置。夹紧装置工作,将PCB夹紧固定,避免PCB移动。

(3)PCB定位装置工作,确定PCB的位置是在预定的位置上,否则对PCB的位置坐标参照系统坐标系进行修正。

(4)按照程序设定对加工光学判别标志点(Mark)进行检查,确定PCB 位置。

(5)包装在专用供料器中的元器件按照程序设定的位置被运送或准备到预定的位置。

(6)贴片头吸嘴移动到拾取元件位置,真空打开,吸嘴下降吸取元件。

(7)通过真空压力传感器或光电传感器检测是否吸到元件。

(8)通过摄像头或光电传感器检测元件高度(垂直方向)。

(9)通过摄像头或光电传感器检测元件转角(水平方向),并识别元件特征,然后读取元件数据库中预先设置的元件特征值,将实际值与检测值相比较,从而对元件特征进行判断。当特征值不符时则判别拾取元件错误,重新拾取。如相符则对元件目前的中心位置和转角进行计算。

(10)将错误的元件抛到废料收集盒中。

(11)按照程序设定,通过贴片头的旋转调整元件角度;通过贴装头的移动,或PCB的移动调整X/Y方向坐标到程序设定的位置,使元件中心与贴装位置点重合。

(12)吸嘴下降到预先设定的高度,真空关闭,元件落下,完成贴装。(13)从(5)步开始循环,直到贴装完毕。

(14)贴片部分移动到卸载位置,将贴装好的PCB传送到卸载轨道。

卸载轨道开始位置的传感器被触发,控制系统通知传送带电机工作,将PCB送入下一位置,直到送出机器。

精度、速度和适应性是贴片机的3个最重要的特性。精度决定贴装机能贴装的元器件种类和它能适用的领域,精度低的贴装机只能贴装SMC和极少数的SMD,适用于消费类电子产品领域用的电路组装,而精度高的贴装机,能贴装SOIC和QFP等多引线细间距器件,适用于产业电子设备和军用电子装备领域的电路组装。速度决定贴装机的生产效率和能力。适应性决定贴装机能贴装的元器件类型和能满足各种不同贴装要求,贴装性差的贴装机只能满足单一品种的电路组件的贴装要求,当对多品种电路组件组装时,就须增加专用贴装机才能满足不同的贴装要求。

下面简单介绍几种贴片机:

(1)高速贴片机从功能上划分,专门高速贴装中小元器件的贴片机也叫做高速机;一些专门高速贴装中小元器件的中速贴片机和超高速贴片机在功能上也属于高速机。高速贴片机具有以下特点:转塔式结构贴片机曾经是大规模生产中高速机的主力,现在高速机可以采用各种结构。高速机的元件贴装范围一般较窄,所能贴装的元件一般从01005(0.4 mm×0.2 mm)-24 mm×24 mm,元件的高度一般最多为6.5 mm。大的元件需要换装贴片元件范围更大的贴装头,或者在吸取元件时跳过一些吸嘴,但贴装速度会因此降低。元件的包装方式:一般只能为卷带装和散料盒装,也有小部分高速贴片机可以接受管装和盘装物料,但在速度上会作出一些牺牲。大部分的高速贴装头在吸

取和贴装小型元器件(小于4 mm×4 mm)时可以全速贴装,在吸取、贴装更大元件时,由于旋转的速度过快、吸嘴的刚性接触、照相机识别复及真空吸力不足够等原因,需要在元件吸取、识别、校正及贴装环节降速,从而影响了整台机器的产能。高速贴片机的吸嘴一般只有真空吸嘴。大部分的高速贴片机都是牺牲了一定的贴装精度和功能来实现高速贴装的。现在新型的复合式和平行式高速贴片机可以兼顾贴装的速度和精度。

(2)多功能贴片机多功片机也叫泛用机或者高精度贴片机,可以贴装高精度的大型、异型元器件,一般也能贴装小型片状元件,几乎可以涵盖所有的元件范围,故称为多功能贴片机,又因大型器件封装节距很小,对贴片机精度要求高,因此也称为高精度机。多功能贴片机的特点如下:多功能贴片机的结构大多采用拱架式结构,具有精度高、灵活性好的特点;在X和Y定位系统中大多采用全闭环伺服电动机驱动,用线性光栅尺编码器来进行直接位置反馈,避免因丝杆扭曲变形的误差;有的在Y轴采用双电动机和双丝杆在平台的两边驱动,并用双线性光栅尺进行反馈,可以有效地减小因贴装头静止造成的等待,减少了横梁的不同步变形而造成的误差;有更先进的采用线性磁悬浮电动机,除了具备双驱等技术特点外,还具有驱动直接、机械结构少磨损、反馈快、安静、易保养和精度高等特点。多功能贴片机大多采用线路板固定式,用贴装头的移动来实现X和Y定位,不会因为台面的移动而使大型或较重的元件因为惯性而移位。能接受所有的物料包装方式,如卷带装、管装、盒装和盘装;在物料吸取时除了可以采用

传统的真空吸嘴外,对于异型较难吸取的元件可采用专用吸嘴,另外,对于用真空吸嘴无法吸取的元件可使用气动夹爪;元件在校正时一般采用上视相机,具有前光、侧光、背光和在线光等功能,可以识别各种不同的元件。

(3)高速多功能贴片机目前有的复合式贴片机和平行式贴片机能安装多功能贴装头或者多功能模组,从而实现既能同时高速贴装小型片状元件,又能贴装高精度、大型、异型元件;可以接受几乎所有的元件包装方式,包括可以加装盘装元件送料器。代表产品:松下的CM602C,西门子的HF3或者D3平台。

4. 电子制造工艺中精确对准的实现方法

(1)视觉对位系统当一块新的待贴装PCB通过送板机构传送到指定位置固定起来时,安装在贴片头上的基准(MARK点)照相机CCD在相应的区域通过图像识别算法搜寻出MARK点,并由系统软件计算出其在坐标系中的坐标,同时将相应的元器件应贴装的位置数据送给主控计算机。当相应的贴装元器件拾取后,经过元件照相机时,照相机对元器件进行检测,得到其在拾取后位置坐标并送给主控计算机,与目标位置比较,得到贴装头应移动的位置和转角,在贴装前进行位置和转角的调整,从而达到视觉对中的目的。(2)激光检测是指从光源产生一适中的光束照射在元件上来测量元件投射的影响。激光对位允许“飞行中”修正,飞行对中是指将激光检测系统或照相机直接安装在贴片头上,在贴片头拾取元件移到指定位置的过程中,完成对元件的检测和对中的方式。

常见电子元器件封装

常见电子元器件封装 元件封装是指实际元件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一元件封装,同种元件也可有不同的元件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。 电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D-44D-37D-46 单排多针插座CON SIPn(n为针脚个数) 双列直插元件(集成块):DIP8-DIP40,其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 石英晶体振荡器XTAL1 运放OP07 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4封装属性为axial系列AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4/0.3 添片的有0603080510051206 无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电位器:VR pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 发光二极管:led RB.1/.2 二极管:DIODE封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 三极管:TO IGBT NPN常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v

电子元件封装大全及封装常识

电子元件封装大全及封装常识 2010-04-12 19:33 一、什么叫封装 封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素: 1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1; 2、引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能; 3、基于散热的要求,封装越薄越好。 封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面,封装经历了最早期的晶体管TO(如TO-89、TO92)封装发展到了双列直插封装,随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC (小外形集成电路)等。从材料介质方面,包括金属、陶瓷、塑料、塑料,目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->PLCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 二、具体的封装形式 1、 SOP/SOIC封装 SOP是英文Small Outline Package 的缩写,即小外形封装。SOP封装技术由1968~1969年菲利浦公司开发成功,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。 2、 DIP封装 DIP是英文 Double In-line Package的缩写,即双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 < 1 > 3、 PLCC封装 PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写,即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 4、 TQFP封装 TQFP是英文thin quad flat package的缩写,即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装(TQFP)

电子封装的现状及发展趋势

电子封装的现状及发展趋势 现代电子信息技术飞速发展,电子产品向小型化、便携化、多功能化方向发展.电子封装材料和技术使电子器件最终成为有功能的产品.现已研发出多种新型封装材料、技术和工艺.电子封装正在与电子设计和制造一起,共同推动着信息化社会的发展 一.电子封装材料现状 近年来,封装材料的发展一直呈现快速增长的态势.电子封装材料用于承载电子元器件及其连接线路,并具有良好的电绝缘性.封装对芯片具有机械支撑和环境保护作用,对器件和电路的热性能和可靠性起着重要作用.理想的电子封装材料必须满足以下基本要求: 1)高热导率,低介电常数、低介电损耗,有较好的高频、高功率性能; 2)热膨胀系数(CTE)与Si或GaAs芯片匹配,避免芯片的热应力损坏;3)有足够的强度、刚度,对芯片起到支撑和保护的作用;4)成本尽可能低,满足大规模商业化应用的要求;5)密度尽可能小(主要指航空航天和移动通信设备),并具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性。电子封装材料主要包括基板、布线、框架、层间介质和密封材料. 1.1基板 高电阻率、高热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的最基本要求,同时还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本并具有一定的机械性能电子封装基片材料的种类很多,包括:陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料等.

1.1.1陶瓷 陶瓷是电子封装中常用的一种基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,化学性能非常稳定且热导率高随着美国、日本等发达国家相继研究并推出叠片多层陶瓷基片,陶瓷基片成为当今世界上广泛应用的几种高技术陶瓷之一目前已投人使用的高导热陶瓷基片材料有A12q,AIN,SIC和B或)等. 1.1.2环氧玻璃 环氧玻璃是进行引脚和塑料封装成本最低的一种,常用于单层、双层或多层印刷板,是一种由环氧树脂和玻璃纤维(基础材料)组成的复合材料.此种材料的力学性能良好,但导热性较差,电性能和线膨胀系数匹配一般.由于其价格低廉,因而在表面安装(SMT)中得到了广泛应用. 1.1.3金刚石 天然金刚石具有作为半导体器件封装所必需的优良的性能,如高热导率(200W八m·K),25oC)、低介电常数(5.5)、高电阻率(1016n·em)和击穿场强(1000kV/mm).从20世纪60年代起,在微电子界利用金刚石作为半导体器件封装基片,并将金刚石作为散热材料,应用于微波雪崩二极管、GeIMPATT(碰撞雪崩及渡越时间二极管)和激光器,提高了它们的输出功率.但是,受天然金刚石或高温高压下合成金刚石昂贵的价格和尺寸的限制,这种技术无法大规模推广. 1.1.4金属基复合材料

常用电子元件封装尺寸规格汇总

常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种,用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码,前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸: 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸,SMT发展至今,业界为方便作业,已经形成了一个标准零件系列,各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法,如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注: a、L(Length):长度;W(Width):宽度;inch:英寸 b、1inch=25.4mm(b)、在(1)中未提及零件的厚度,在这一点上因零件不同而有所差异,在生产时应以实际量测为准。(c)、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻(排阻)和电容(排容),其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小,且形状也多种多样,在此不作讨论。(d)、SMT发展至今,随着电子产品集成度的不断提高,标准零件逐步向微型化发展,如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1)电阻:最为常见的有0805、0603两类,不同的是,它可以以排阻的身份出现,四位、八位都有,具体封装样式可参照

集成电路ic封装种类、代号、含义

【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义 2011-03-24 15:10:32| 分类:维修电工| 标签:|字号大中小订阅 本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》 IC封装的种类,代号和含 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等 多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。 此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。 8、COB(Chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本 上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号,第7位是附加的备注或特 殊的识别标记(除电容的命名方式外) 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明: XX-XX-XXXXXX-XXX-X | | | | | 空位(环保区分时备 用) | | | | 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 | | | | | | 元件种类/电气参数/型号 | | 供应商名代码 | 物品代码 注:编码长度一至,编码中间的“—”不纳入ERP系统,例: RE0120000061280 2.1、电子元器件物品(电子元器件的命名字母缩写): 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL

电子元件封装大全及封装常识

修改者:林子木 电子元件封装大全及封装常识 一、什么叫封装 封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连 接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、 密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线 连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连 接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空 气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也 更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与 之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比 值越接近1 越好。封装时主要考虑的因素: 1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1; 2、引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性 能; 3、基于散热的要求,封装越薄越好。 封装主要分为DIP 双列直插和SMD 贴片封装两种。从结构方面,封装经历了最 早期的晶体管TO(如TO-89、TO92)封装发展到了双列直插封装,随后由PHILIP 公司开发出了SOP 小外型封装,以后逐渐派生出SOJ(J 型引脚小外形封装)、 TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、 TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电 路)等。从材料介质方面,包括金属、陶瓷、塑料、塑料,目前很多高强度工作 条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->PLCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 二、具体的封装形式 1、SOP/SOIC 封装 SOP 是英文Small Outline Package 的缩写,即小外形封装。SOP 封装技术由 1968~1969 年菲利浦公司开发成功,以后逐渐派生出SOJ(J 型引脚小外形封 装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、 TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电 路)等。 SOP(Small Out-Line package) 也叫SOIC,小外形封装。表面贴装型封装之一, 引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP 除了用 于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距 1.27mm,引脚数从8~44。另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配 高度不到1.27mm 的SOP 也称为TSOP。还有一种带有散热片的SOP。

常用电子元器件封装图集

TQFP hin Quad Flat Packs PPGA Plastic Pin Grid Arrays Mini-BGA Mini Ball Grid Array BGA Ball Grid Array CerDIP Ceramic Dual-In-Line Packages CQFP Ceramic Flatpacks CerSOJ Ceramic Small Outline J-Bend CPGA Ceramic Pin Grid Arrays WLCC Ceramic Windowed J-Leaded Chip Carriers PLCC Plastic Leaded Chip Carriers CerPACK Cerpacks LCC Ceramic Leadless Chip Carriers PQFP Plastic Quad Flatpacks SSOP Shrunk Small Outline Packages PDIP Plastic Dual-In-Line Packages QSOP Quarter Size Outline Packages W-LCC Ceramic Windowed Leadless Chip Carriers WPGA Ceramic Windowed Pin Grid Arrays SOIC Plastic Small Outline ICs W-CerPACK Windowed Cerpacks CQFP Ceramic Quad Flatpacks SOJ Plastic Small Outline J-Bend W-CerDIP Ceramic Windowed Dual-In-Line Packages CLCC Ceramic J-Leaded Chip Carriers TSOP Thin Small Outline Packages STSOP Small Thin Small Outline Packages RTSOP Reverse Thin Small Outline Packages TSOP II Thin Small Outline Packages, Type I 芯片的封装 芯片包装指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的包装称为 TSOP(Thin Small Outline Packaging) ,早期的芯片设计以 DIP(Dual In-line Package) 以及 SOJ(Small Outline J-lead) 的方式包装。较新的芯片,例如RDRAM 使用 CSP(Chip Scale Package) 包装。以下对不同封装方式的介绍能够帮助了解它们的不同点。 DIP (Dual In-Line Package 双列直插式封装、双入线封装)

电子封装材料典型应用

电子封装材料典型应用 电子封装材料是用于承载电子元器件及其互连线,并具有良好电绝缘性能的基本材料,主要起机械支持、密封保护、信号传递、散失电子元件所产生的热量等作用,是高功率集成电路的重要组成部分。因此对于封装材料的性能要求有以下几点:具有良好的化学稳定性,导热性能好,热膨胀系数小,有较好的机械强度,便于加工,价格低廉,便于自动化生产等。然而,由于封装场合的多样化以及其所使用场合的差异性,原始的单一封装材料已经不能满足日益发展的集成电路的需要,进而出现了许多新型的封装材料,其中一些典型材料的种类及应用场合列举如下。 1、金属 金属材料早已开发成功并用于电子封装中,因其热导率和机械强度高、加工性能好,因此在封装行业得到了广泛的应用。表1为几种传统封装金属材料的一些基本特性。其中铝的热导率高、质量轻、价格低、易加工,是最常用的封装材料。但由于铝的线膨胀系数α 与Si的线膨胀系数(α1为4.1×10?6/K)和GaAs 1 的线膨胀系数(α1为5.8×10?6/K)相差较大,所以,器件工作时热循环所产生的较大热应力经常导致器件失效,铜材也存在类似的问题。Invar(镍铁合金)和Kovar(铁镍钴合金)系列合金具有非常低的线膨胀系数和良好的焊接性,但电阻很大,导热能力较差,只能作为小功率整流器的散热和连接材料。W和Mo具有与Si相近的线膨胀系数,且其导热性比Kovar合金好,故常用于半导体Si片的支撑材料。但由于W、Mo与Si的浸润性不好、可焊性差,常需要在表面镀上或涂覆特殊的Ag基合金或Ni,从而增加了工序,使材料可靠性变差,提高了成本,增加了污染。此外,W,Mo,Cu的密度较大,不宜作航空、航天材料;而且w,Mo价格昂贵,生产成本高,不适合大量使用。

电子元件标准封装.doc

| 电子元件标准封装 封装形式外形尺寸mm SOD-723** ! SOD-523** SOD-323** SOD-123 | ** SOT-143 SOT-523** \ SOT-363/SOT26 ** SOT-353/SOT25** SOT343**

| SOT-323** SOT-23** SOT23-3L & ** SOT23-5L** SOT23-6L** | SOT-89 ** `SOT-89-3L** `SOT-89-5L**( `SOT-89-6L** SOT-223**

TO-92 —** TO-92S-2L** TO-92S-3L** > TO-92L ** TO-92MOD** TO-94** [ TO-126** TO-126B** TO-126C ;** TO-251**

TO-252-2L** " TO-252-3L ** TO-252-5L** TO-263-2L** # TO-263-3L** TO-263-5L** TO-220-2L 。** TO-220-3L** TO-220-5L** $ TO-220F **

TO-220F-4** TO-247**: TO-264 TO-3P** TO-3P-5 > ** TO-3PF-5** TO-3 。 TO-5 TO-8 TO-18 ;TO-52

TO-71 · TO-72 TO-78 TO-93 ( TO-99 FTO-220 ITO-220 ~ ITO-3P 集成电路标准封装(s-z开关头) 集成电路标准封装(s开关头) / 外形图封装说明

金属基电子封装材料进展

金属基电子封装材料进展 刘正春 王志法 姜国圣 (中南大学) 摘 要:对照几种传统的金属基电子封装材料,较详细地阐述了W Cu、M o Cu、SiC/Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望,作者认为,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展。 关键词:电子封装;复合材料;膨胀系数;热导率 中图分类号:T F125.7,T G139 文献标识码:A 文章编号:1004—244X(2001)02—0049—06 金属基电子封装材料具有强度高、导电导热性能好等优点。因此,它们与陶瓷基、树脂基封装材料一样,一直是电子工程师所青睐的热沉和支承材料,广泛地应用于功率电子器件(如整流管、晶闸管、功率模块、激光二极管、微波管等)和微电子器件(如计算机C PU、DSP芯片)中,在微波通讯、自动控制、电源转换、航空航天等领域发挥着重要作用[1-6][9][13]。 作为一种理想的电子封装材料,必须满足这么几个基本要求[4]:一是材料的导热性能要好,能够将半导体芯片在工作时所产生的热量及时地散发出去;二是材料的热膨胀系数(C TE)要与Si或Ga As 等芯片相匹配,以避免芯片的热应力损坏;三是材料要有足够的强度和刚度,对芯片起到支承和保护的作用;四是材料的成本要尽可能低,以满足大规模商业化应用的要求。在某些特殊的场合,还要求材料的密度尽可能地小(主要是指航空航天设备和移动计算/通信设备),或者要求材料具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性。 1 传统的电子封装材料 传统的金属基电子封装材料,包括因瓦合金(Inv ar)、可伐合金(Kova r)、W、Mo、Al、Cu等,这些材料可以部分的满足上面所提到的要求,然而,它们仍然存在许多不尽人意之处。表1列出了几种常规电子材料的性能。 表1 Si、GaAs及几种传统封装材料的性能[4][7]材 料 C TE ppm/K 热导率 W/(m·K) 密度 /(g·cm-3) Si 4.1135 2.3 Ga As 5.839 5.3 Invar0.4118.1 Kovar 5.9178.3 W 4.417419.3 M o 5.014010.2 Cu17.74008.9 Al23221 2.7环氧树脂600.3 1.2 Inva r、Kov ar的加工性能良好,具有较低的热膨胀系数,但导热性能很差;M o和W的热膨胀系数较低,导热性能远高于Inva r和Kov ar,而且强度和硬度很高,所以,Mo和W在电力半导体行业得到了普遍的应用。但是,Mo和W价格昂贵,加工困难,可焊性差,密度大,况且导热性能比纯Cu要低得多,这就阻碍了其进一步应用。Cu和Al的导热导电性能很好,可是热膨胀系数过大,容易产生热应力问题。 2 新型电子封装材料 现代电子技术的飞速发展,使得电子元器件能够具有更高的集成度、更快的运行速度和更大的容 第24卷 第2期 2001年 3月 兵器材料科学与工程 ORDNANCE M ATERIAL SC IEN CE AND EN GIN EERING V o l.24 No.2  M ar. 2001 收稿日期:2000-06-02  资助项目:国家高新工程重点资助项目  作者简介:刘正春,中南大学材料科学与工程系,长沙,410083

封装材料行业基本概况

封装材料行业研究报告 研究员:高鸿飞一、行业定义 根据国民经济行业分类《国民经济行业分类GB/T 4754-2011》),引线框架和LED支架制造业属于为计算机、通信和其他电子设备制造业(行业代码:C39);根据中国证监会行业分类(《上市公司行业分类指引》),引线框架和LED支架制造业属于计算机、通信和其他电子设备制造业C396。 二、行业的监管体制 引线框架和LED支架制造业所属的行业主管部门是国家发展改革委员会、中国环境保护部及中国工业和信息化部。国家发改委主要负责本行业发展政策的制定;中国环境保护部负责环境污染防治的监督管理,制定环境污染防治管理制度、标准和技术规范并组织实施;中国工业和信息化部负责制定我国电子元器件行业的产业规划和产业政策,对行业的发展方向进行宏观调控。 引线框架和LED支架制造业的行业自律性组织是中国电子材料行业协会(以下简称“行业协会”),该协会是由从事电子材料生产、研制、开发、经营、应用、教学的单位及其他相关企、事业单位自愿结合组成的全国性的行业社会团体,为政府对电子材料行业实施行业管理提供帮助,同时也是政府部门和企业单位之间的桥梁纽带。行业协会主要在电子材料行业自律、技术培训、信息交流、国内外交流与合作等方面广泛开展工作,为行业的进步和发展起到了促进作用。行业协会下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会和半导体支撑业分会等5个分会。 三、封装材料行业基本概况 (1)引线框架概念及应用领域 引线框架是一种用来作为芯片载体的专用材料,借助于键合丝使芯片内部电

路引出端(键合点)通过内引线实现与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件。在半导体中,引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用,需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面形、应力释放等方面达到较高的标准。 (2)LED支架概念及应用领域 LED是“Light Emitting Diode”的缩写,中文译为“发光二极管”,是一种可以将电能转化为光能的半导体器件,不同材料的芯片可以发出红、橙、黄、绿、蓝、紫色等不同颜色的光。LED的核心是由p型半导体和n型半导体组成的芯片,而LED支架就是芯片的承载物,担负着机械保护,提高可靠性;加强散热,降低芯片结温、提高LED性能;光学控制,提高出光效率,优化光束分布;供电管理,包括交流/直流转变、电源控制等作用。 (3)半导体封装材料产业链结构 ①引线框架产业链结构 引线框架的上游行业主要是铜合金带加工企业和生产氰化银钾的化工企业,由于铜基材料具有导电、导热性能好,价格低以及和环氧模塑料密着性能好等优势,当前已成为主要的引线框架材料,其用量占引线框架材料的80%以上。 公司引线框架产业的下游行业是集成电路和分立器件封装测试行业。一般的封装工艺流程为:划片→装片→键合→塑封→去飞边→电镀→打印→切筋和成型→外观检查→成品测试→包装出货。引线框架主要是在装片步骤中,作为切割好晶片的基板,是封装过程中所需的重要基础材料。 公司引线框架产业处于产业链中游,随着电子信息技术的高速发展,对集成电路的性能要求越来越多样化,对集成电路封装测试行业的要求也越来越高。公司将会充分发挥创新优势,致力于研发多样化和高性能的引线框架。 ②LED支架产业链结构 LED支架的主要原材料为铜合金带、氰化银钾和PPA,铜合金带属于金属加工产品,氰化银钾属于化工产品,而PPA则是塑料制品,因此,公司的上游产业主要是金属加工企业、化工企业和塑料制品企业。 LED支架主要应用在电子和照明领域,主要产品有汽车信号灯、照明灯、家用电器、户外大型显示屏、仪器仪表等光电产品。LED支架主要是作为LED

电子元器件封装图示大全.

电子元器件封装图示大全 LQFP 100L METAL QUAD 100L

PQFP 100L QFP

Quad Flat Package QFP Quad Flat Package TQFP 100L RIMM RIMM For Direct Rambus SBGA

SC-70 5L SDIP SIMM30 SIMM30 Pinout SIMM30 Single In-line Memory Module SIMM72 SIMM72 Pinout SIMM72 Single In-line Memory Module SIMM72 Single In-line Memory Module

SIP Single Inline Package SLOT 1 For intel Pentium II Pentium III & Celeron CPU SLOT A For AMD Athlon CPU SNAPTK SNAPTK SNAPZP

SO DIMM Small Outline Dual In-line Memory Module SO Small Outline Package SOCKET 370 For intel 370 pin PGA Pentium III & Celeron CPU SOCKET 423 For intel 423 pin PGA Pentium 4 CPU SOCKET 462/SOCKET A For PGA AMD Athlon & Duron CPU SOCKET 7 For intel Pentium & MMX Pentium CPU

FPC PCB焊盘元件封装设计规范

焊盘设计规范 1、对于0201 C&R : 焊盘开窗方式如右图示:并要求焊盘设计尺寸如下: L=0.8~0.9mm W=0.3~0.35mm Z=0.15~0.22mm 2、对于0201无引脚二极管: 焊盘开窗方式如右图示:并要求焊盘设计尺寸如下: Z=C; W=B+0.1mm; L=A+0.25mm 3、对于0402无引脚二极管: 焊盘开窗方式如右图示:并要求焊盘设计尺寸如下: Z=C; W=B+0.1mm; L=A+0.3mm 4、对于0402有引脚二极管 焊盘开窗方式如右图示:并要求焊盘设计尺寸如下: Z=A-0.2mm; Y=B+0.2mm; L =A+0.7mm 零件 物料

5、对于0402 C&R 焊盘开窗方式如右图示:并要求焊盘设计尺寸如下 Z=0.25~0.3mm L=1.3~1.65mm W=0.55~0.7mm 6.对于0603 C&R 焊盘开窗方式如右图示: Z=0.7~0.8mm X=0.8~1.0mm Y=0.9~1.0mm 6.对于0603二极管 焊盘开窗方式如右图示: Z=A-0.2mm; Y=B+0.2mm; L=A+0.7mm 6.对于0805 C&R 焊盘开窗方式如右图示: Z=0.8~1.0mm X=1.2~1.45mm Y=1.35~1.5mm

7、LED 焊盘设计如右图示: 8、QFN 焊盘设计如右图示: 并要求焊盘设计尺寸如下 X=B+0.6mm; W=A ~A+0.05mm 9、CN 焊盘设计如右图示: L=A+0.6mm; W=B +0.4mm 0.05~0.08mm 物料

常用电子元件封装、尺寸、规格汇总

贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种,用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码,前两位与后两位分别表示电阻的长与宽,以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码,也由4位数字表示,其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸: 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸,SMT发展至今,业界为方便作业,已经形成了一个标准零件系列,各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法,如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义

L:W: L:W: L:W: L:W: 注: a、L(Length):长度; W(Width):宽度; inch:英寸 b、1inch= (b)、在(1)中未提及零件的厚度,在这一点上因零件不同而有所差异,在生产时应以实际量测为准。 (c)、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻(排阻)和电容(排容),其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小,且形状也多种多样,在此不作讨论。 (d)、SMT发展至今,随着电子产品集成度的不断提高,标准零件逐步向微型化发展,如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1)电阻: 最为常见的有0805、0603两类,不同的是,它可以以排阻的身份出现,四位、八位都有,具体封装样式可参照MD16仿真版,也可以到设计所内部PCB库查询。 注: ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸: X X (公制表示法) 1206具体尺寸: X 0X (公制表示法) 2)电阻的命名方法 1、5%精度的命名: RS – 05 K 102 JT 2、1%精度的命名:RS – 05 K 1002 FT R -表示电阻 S -表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 -表示尺寸(英寸): 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、

电子元件封装术语大全

电子元件封装术语大全 目录 1、BGA(ball grid array) (3) 2、BQFP(quad flat package with bumper) (3) 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 (3) 4、C-(ceramic) (3) 5、Cerdip (3) 6、Cerquad (4) 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) (4) 8、COB(chip on board) (4) 9、DFP(dual flat package) (4) 10、DIC(dual in-line ceramic package) (4) 11、DIL(dual in-line) (5) 12、DIP(dual in-line package) (5) 13、DSO(dual small out-lint) (5) 14、DICP(dual tape carrier package) (5) 15、DIP(dual tape carrier package) (5) 16、FP(flat package) (6) 17、flip-chip (6) 18、FQFP(fine pitch quad flat package) (6) 19、CPAC(globe top pad array carrier) (6) 20、CQFP(quad fiat package with guard ring) (6) 21、H-(with heat sink) (7) 22、pin grid array(surface mount type) (7) 23、JLCC(J-leaded chip carrier) (7) 24、LCC(Leadless chip carrier) (7) 25、LGA(land grid array) (7) 26、LOC(lead on chip) (8) 27、LQFP(low profile quad flat package) (8) 28、L-QUAD (8) 29、MCM(multi-chip module) (8) 30、MFP(mini flat package) (8) 31、MQFP(metric quad flat package) (9) 32、MQUAD(metal quad) (9) 33、MSP(mini square package) (9) 34、OPMAC(over molded pad array carrier) (9) 35、P-(plastic) (9) 36、PAC(pad array carrier) (9) 37、PCLP(printed circuit board leadless package) (10) 38、PFPF(plastic flat package) (10) 39、PGA(pin grid array) (10)

电子封装的现状及发展趋势

现代电子信息技术飞速发展,电子产品向小型化、便携化、多功能化方向发展.电子封装材料和技术使电子器件最终成为有功能的产品.现已研发出多种新型封装材料、技术和工艺.电子封装正在与电子设计和制造一起,共同推动着信息化社会的发展 一.电子封装材料现状 近年来,封装材料的发展一直呈现快速增长的态势.电子封装材料用于承载电子元器件及其连接线路,并具有良好的电绝缘性.封装对芯片具有机械支撑和环境保护作用,对器件和电路的热性能和可靠性起着重要作用.理想的电子封装材料必须满足以下基本要求: 1)高热导率,低介电常数、低介电损耗,有较好的高频、高功率性能; 2)热膨胀系数(CTE)与Si或GaAs芯片匹配,避免芯片的热应力损坏;3)有足够的强度、刚度,对芯片起到支撑和保护的作用; 4)成本尽可能低,满足大规模商业化应用的要求;5)密度尽可能小(主要指航空航天和移动通信设备),并具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性。电子封装材料主要包括基板、布线、框架、层间介质和密封材料. 基板 高电阻率、高热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的最基本要求,同时还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本并具有一定的机械性能电子封装基片材料的种类很多,包括:陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料等. 陶瓷

陶瓷是电子封装中常用的一种基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,化学性能非常稳定且热导率高随着美国、日本等发达国家相继研究并推出叠片多层陶瓷基片,陶瓷基片成为当今世界上广泛应用的几种高技术陶瓷之一目前已投人使用的高导热陶瓷基片材料有A12q,AIN,SIC和B或)等. 环氧玻璃 环氧玻璃是进行引脚和塑料封装成本最低的一种,常用于单层、双层或多层印刷板,是一种由环氧树脂和玻璃纤维(基础材料)组成的复合材料.此种材料的力学性能良好,但导热性较差,电性能和线膨胀系数匹配一般.由于其价格低廉,因而在表面安装(SMT)中得到了广泛应用. 金刚石 天然金刚石具有作为半导体器件封装所必需的优良的性能,如高热导率(200W八m·K),25oC)、低介电常数、高电阻率(1016n·em)和击穿场强(1000kV/mm).从20世纪60年代起,在微电子界利用金刚石作为半导体器件封装基片,并将金刚石作为散热材料,应用于微波雪崩二极管、GeIMPATT(碰撞雪崩及渡越时间二极管)和激光器,提高了它们的输出功率.但是,受天然金刚石或高温高压下合成金刚石昂贵的价格和尺寸的限制,这种技术无法大规模推广. 金属基复合材料 为了解决单一金属作为电子封装基片材料的缺点,人们研究和开

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