ecc校验码位宽计算公式
ecc校验码位宽计算公式
ECC校验码位宽计算公式是一种用于计算ECC校验码位宽的公式。ECC校验码是一种用于检测和纠正数据传输中错误的技术，它可以在数据传输过程中检测出错误，并自动进行纠正，从而保证数据的完整性和准确性。在计算ECC校验码位宽时，需要考虑数据位宽、ECC码位宽、纠错能力等因素。
ECC校验码位宽计算公式如下：
ECC码位宽 = 数据位宽 + log2(纠错能力 + 1) + 1
其中，数据位宽是指数据的位数，纠错能力是指ECC码可以纠正的错误位数。这个公式可以帮助我们计算出ECC校验码的位宽，从而确定ECC码的大小和纠错能力。
在实际应用中，ECC校验码位宽的计算非常重要。如果ECC码位宽过小，可能会导致无法检测和纠正所有的错误，从而影响数据的完整性和准确性。如果ECC码位宽过大，可能会浪费存储空间和计算资源，从而降低系统的效率和性能。
因此，在计算ECC校验码位宽时，需要根据实际情况进行调整和优化。一般来说，可以根据数据的重要性和传输环境的复杂程度来确定ECC码的大小和纠错能力。如果数据非常重要，可以选择更高的纠错能力和更大的ECC码位宽，以确保数据的完整性和准确性。如果传输环境比较简单，可以选择较小的ECC码位宽和较低的纠错
能力，以节省存储空间和计算资源。
ECC校验码位宽计算公式是一种非常重要的技术，它可以帮助我们计算出ECC码的大小和纠错能力，从而保证数据的完整性和准确性。在实际应用中，我们需要根据实际情况进行调整和优化，以达到最佳的效果和性能。
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
内存条一般都有标注大小
内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存 例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。 hynix(hyundai)现代 现代内存的含义： hy5dv641622at-36 hyxxxxxxxxxxxxxxxx 123456789101112 1、hy代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)； 3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v 4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref； 64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、1 6、32分别代表4位、8位、16位和32位
NandFLash分析与总结
友善之臂K9F1208U0C PCB0 4-5位，12代表512M位，也就是64M字节 熟悉一下NandFlash的硬件： 1主要的引脚： I/O0 —I/O7:数据输入输出端，命令，数据，地址复用端口（LDATA0-LDATA7）R/B: 准备忙输出（RnB） CE：芯片使能（nFCE） CLE: 命令锁存使能（CLE） ALE：地址锁存使能（ALE） WE：写使能（nFWE） RE：读使能（nFRE）
2Mini2440的一些引脚设置：和寄存器设置： (NCON(Advflash), GPG13(页大小), GPG14(地址周期), GPG15(总线宽度)–参考引脚配置）
#define rGSTATUS0 (*(volatile unsigned *)0x560000ac) //External pin status 3NandFlash启动时，代码小于4k与大于4k的情况： 在三星的NAND Flash 中，当CPU从NAND Flash开始启动时，CPU会通过
内部的硬件将NAND Flash开始的4KB数据复制到称为“Steppingstone”的4KB 的内部RAM中，起始地址为0，然后跳到地址0处开始执行。这也就是我们为什么可以把小于4KB的程序烧到NAND Flash中，可以运行，而当大于4KB时，却没有办法运行，必须借助于NAND Flash的读操作，读取4KB以后的程序到内存中。 4NandFlash的存储结构以及读写原理： 4.1NandFlash中的块，页，位宽： ●NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell（存储单元）一般情 况下，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line ,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Flash的位宽。这些Line会再组成Pape（页）。然后是每32个page形成一个Block，所以一个Block（块）大小是16k.Block是NAND Flash中最大的操作单元。 ●1block = 32page 1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(oob) ●K9F1208U0B总共有4096 个Blocks，故我们可以知道这块flash的容量为 4096 *(32 *528)= 69206016 Bytes = 66 MB 但事实上每个Page上的最后16Bytes是用于存贮检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为 4096 *(32 *512) = 67108864 Bytes = 64 MB ● 一页有528个字节，而在前512B中存放着用户的数据。在后面的16字节中（OOB）中存放着执行命令后的状态信息。主要是ECC校验的标识。列地址A0-A7可以寻址的范围是256个字节，要寻址528字节的话，将一页分为了A.（1half array）B(2 half array) C(spare array)。A区0—255字节，B区256-511 字节C区512—527字节。访问某页时必须选定特定的区。 这可以使地址指针指向特定的区实现。 4.2NandFlash存储操作特点： ●其中的擦除操作是以Block为单位进行擦除的，而读写和编程是以page为 单位进行操作的，并且读写之前必须进行flash的擦写。 ●OOB部分的第六字节（即517字节）标志是否坏块，如果不是坏块该值为 FF，否则为坏块 ●擦除操作的最小单位是块 ●Nand Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进 行写入操作之前一定要将相应块擦除（擦除就是将相应块的位全部变为1 ●除OOB第六字节外，通常至少把OOB前3字节存放Nand Flash硬件ECC 码 4.3NandFlash读写操作原理： ●只能8个I/O引脚充当地址、数据、命令的复用端口，所以每次传地址只能 传8位 ●。这样就需要4个地址序列。因此读写一次nand flash需要传送4次（A[7:0] A[16:9] A[24:17] A[25]）。 ●在NAND Flash 中存在三类地址，分别为Block Address 、Column Address
ECC校验
NAND FLASH读写数据产生错误的原因主要有：program disturb，read disturb，data retention，endurance等。SLC NAND FLASH主要采用汉明码纠一位错检两位错，而对于MLC NAND FLASH，则要采用纠错能力更高的BCH码或RS码。BCH码是纠错能力可控的纠随机差错码，是循环码的子类。RS码是BCH码的重要子类，可视为BCH码的特例。SLC 中常用的一位纠错码(如汉明码)已不适合MLC的情况，RS码作为一种基于符号的码拥有更强的纠错能力，但MLC NAND FLASH的差错类型测试显示错误是以位的形式分散在整个数据块内的，像BCH码具有的随机错误纠错能力使它特别适于对MLC NAND FLASH进行差错控制。下面对汉明码和RS码分别介绍。 5.4.1.2.4.1 汉明码 ECC校验是在奇偶校验的基础上发展而来的，它将数据块看作一个矩阵，利用矩阵的行、列奇偶信息生成ECC校验码。它能够检测并纠正单比特错误和检测双比特错误，但对双比特以上的错误不能保证检测。它克服了传统奇偶校验只能检出奇数位出错、校验码冗长、不能纠错的局限性。每nbit的ECC数值可满足2n bit数据包的校验要求。又由于这种Hamming码算法要求一对ECC数据(奇偶)，所以总共要求2nbit的ECC校验数据来处理2n bit的数据包。ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这三字节共24比特分成两部分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1，这样对于每页2048字节的存储器需要24字节的ECC校验位。 为计算ECC值，数据包中的比特数据要先进行分割，如1/2组、1/4组、1/8组等，直到其精度达到单个比特为止，以8bit即1Byte的数据包为例进行说明，如表1所示。
ECC校验算法
极详细的ECC讲解 ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。 校验码生成算法：ECC校验每次对256字节的数据进行操作，包含列校验和行校验。对每个待校验的Bit位求异或，若结果为0，则表明含有偶数个1；若结果为1，则表明含有奇数个1。列校验规则如表1所示。256字节数据形成256行、8列的矩阵，矩阵每个元素表示一个Bit位。 其中CP0 ~ CP5 为六个Bit位，表示Column Parity（列极性）， CP0为第0、2、4、6列的极性，CP1为第1、3、5、7列的极性， CP2为第0、1、4、5列的极性，CP3为第2、3、6、7列的极性， CP4为第0、1、2、3列的极性，CP5为第4、5、6、7列的极性。 用公式表示就是：CP0=Bit0^Bit2^Bit4^Bit6，表示第0列内部256个Bit位异或之后再跟第2列256个Bit位异或，再跟第4列、第6列的每个Bit位异或，这样，CP0其实是256*4=1024个Bit位异或的结果。CP1 ~ CP5 依此类推。 行校验如下图所示
其中RP0 ~ RP15 为十六个Bit位，表示Row Parity（行极性）， RP0为第0、2、4、6、….252、254个字节的极性 RP1-----1、3、5、7……253、255 RP2----0、1、4、5、8、9…..252、253（处理2个Byte，跳过2个Byte） RP3---- 2、3、6、7、10、11…..254、255（跳过2个Byte，处理2个Byte） RP4---- 处理4个Byte，跳过4个Byte； RP5---- 跳过4个Byte，处理4个Byte； RP6---- 处理8个Byte，跳过8个Byte RP7---- 跳过8个Byte，处理8个Byte； RP8---- 处理16个Byte，跳过16个Byte RP9---- 跳过16个Byte，处理16个Byte； RP10----处理32个Byte，跳过32个Byte RP11----跳过32个Byte，处理32个Byte； RP12----处理64个Byte，跳过64个Byte RP13----跳过64个Byte，处理64个Byte； RP14----处理128个Byte，跳过128个Byte RP15----跳过128个Byte，处理128个Byte； 可见，RP0 ~ RP15 每个Bit位都是128个字节（也就是128行）即128*8=1024个Bit位求异或的结果。 综上所述，对256字节的数据共生成了6个Bit的列校验结果，16个Bit的行校验结果，共22个Bit。在Nand中使用3个字节存放校验结果，多余的两个Bit位置1。存放次序如下表所示：
内存颗粒识别
内存颗粒识别 存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。 有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 SAMSUNG 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数（代宽），08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位－－连线“-”，没有实际意义。 第12、13位――为速度标志。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。 例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
ecc的读修改写操作
ecc的读修改写操作 ECC的读修改写操作 ECC（Error Correcting Code）是一种用于数据传输和存储的纠错编码技术，可以检测和纠正数据中的错误。在计算机科学和信息技术领域，ECC被广泛应用于存储器、通信和数据传输等领域。本文将重点介绍ECC的读、修改和写操作。 一、读操作 在ECC中，读操作是指从存储器或数据通道中读取数据的过程。在读操作中，ECC会对读取的数据进行校验，以检测数据中的错误。ECC使用一定的算法和校验位来计算数据的校验和，并与存储的校验和进行比较，从而确定数据是否存在错误。如果数据校验和与存储的校验和不一致，则ECC会通过纠正编码的算法尝试纠正错误。 二、修改操作 在ECC中，修改操作是指对存储的数据进行修改的过程。当数据被修改时，ECC会重新计算数据的校验和，并更新存储的校验和。这样做的目的是确保数据的完整性和一致性。如果在修改过程中发现数据存在错误，ECC会尝试纠正错误，并重新计算校验和。 三、写操作
在ECC中，写操作是指将数据写入存储器或数据通道的过程。在写操作中，ECC会对写入的数据进行校验和计算，并将校验和一同写入存储器。这样做的目的是在读取数据时，能够通过校验和来检测数据中的错误，并尝试纠正错误。写操作的过程中，ECC会根据一定的算法和编码方式对数据进行编码，以提高数据的可靠性和容错能力。 ECC的读修改写操作在数据传输和存储中起着至关重要的作用。通过对数据进行校验和计算和纠正错误，ECC可以有效地保证数据的完整性和可靠性。在存储器中，ECC可以检测和纠正存储器中的位错误，从而提高存储器的可靠性和容错能力。在数据通信中，ECC 可以检测和纠正数据传输过程中的错误，提高数据的传输速率和可靠性。 总结起来，ECC的读修改写操作是一种重要的纠错编码技术，可以用于数据传输和存储中。通过对数据进行校验和计算和纠正错误，ECC可以提高数据的可靠性和容错能力。在实际应用中，ECC被广泛应用于存储器、通信和数据传输等领域，为数据的安全和可靠性提供了保障。通过不断研究和改进，ECC的性能和效果将进一步得到提高，为数据传输和存储领域带来更多的优势和机遇。
ram ecc编码译码原理
ram ecc编码译码原理 RAM ECC编码译码原理 简介 RAM（Random Access Memory）是计算机中用于临时存储数据的重要组件。为了提高RAM的可靠性和稳定性，人们引入了ECC（Error Correcting Code）编码技术。本文将从浅入深解释RAM ECC编码译码原理。 什么是RAM ECC编码 RAM ECC编码是一种错误检测和纠正技术，通过在RAM存储的数据中添加冗余位，可以检测和纠正单个或多个位的错误。ECC编码可以有效地提高计算机系统对数据完整性的保护。 编码原理 RAM ECC编码是通过增加冗余位来实现错误检测和纠正的。具体原理如下： 1.数据划分：将待存储的数据划分为多个数据块。 2.编码计算：对每个数据块进行计算，生成对应的冗余位。 3.存储数据：将原始数据和冗余位一起存储到RAM中。
ECC编码类型 常见的ECC编码类型包括奇偶校验码、海明码和RS码等。这些编码类型在纠正能力和编码效率等方面各有特点。 奇偶校验码 奇偶校验码是最简单的一种ECC编码类型，通过统计数据块中二 进制位的1的个数，来确定冗余位的值。如果统计出来的1的个数是 偶数，冗余位的值设为0，如果是奇数，冗余位的值设为1。奇偶校验 码只能检测单个错误，无法纠正错误。 海明码 海明码是一种常用的ECC编码类型，它可以检测和纠正多个位的 错误。海明码通过使用多个冗余位，使得每个数据块内的每个位都参 与到冗余位的计算中。当读取数据时，通过对冗余位进行计算，可以 检测和纠正错误。 RS码 RS码是一种高级的ECC编码类型，可以检测和纠正多个位的错误，并且具有更高的纠正能力。RS码通过在数据流中添加大量的冗余位， 使得它可以纠正多个错误，并且效果可靠。RS码广泛应用于存储介质 和通信领域。 译码原理 译码是指在读取RAM存储的数据时，通过对冗余位的计算，检测 和纠正可能存在的错误。具体译码原理如下：
基于数据总线的ecc纠错方法及系统
基于数据总线的ecc纠错方法及系统 基于数据总线的ECC纠错方法及系统 引言： 在现代计算机系统中，数据传输的可靠性是至关重要的。由于数据传输过程中存在噪声、干扰和错误等因素，为了保证数据的准确性，纠错编码技术被广泛应用。本文将重点介绍基于数据总线的ECC （Error Correction Code，纠错码）纠错方法及系统。 一、数据总线的基本概念 数据总线是计算机系统中用于传输数据的一组导线，它连接了计算机的各个部件，负责传输指令、数据和控制信号。数据总线的可靠性直接影响计算机系统的性能和稳定性。 二、ECC纠错码的基本原理 ECC纠错码是一种通过在数据中添加冗余信息来检测和纠正错误的编码技术。它基于数学算法，在发送数据时添加额外的校验位，以便在接收数据时检测和纠正错误。常用的ECC纠错码有海明码（Hamming Code）、RS码（Reed-Solomon Code）等。 三、基于数据总线的ECC纠错方法 1. 海明码纠错方法： 海明码是一种最简单的ECC纠错码，可以检测并纠正单个比特的错误。在数据总线上，海明码通过在数据位中插入冗余位来实现纠
错。发送端根据数据位计算校验位，并将它们添加到数据中，接收端根据接收到的数据计算校验位，并与接收到的校验位进行比较，从而检测并纠正错误。 2. RS码纠错方法： RS码是一种广泛应用于数据存储和通信系统中的ECC纠错码。RS码可以同时检测和纠正多个比特的错误。在数据总线上，RS码通过将数据分成多个块，并在每个块中添加冗余信息来实现纠错。发送端根据数据块计算校验信息，并将它们添加到数据中，接收端根据接收到的数据块计算校验信息，并与接收到的校验信息进行比较，从而检测并纠正错误。 四、基于数据总线的ECC纠错系统 基于数据总线的ECC纠错系统主要包括发送端和接收端两部分。 1. 发送端： 在发送端，数据经过编码器进行编码，根据选用的ECC纠错码生成对应的冗余信息，并将冗余信息添加到数据中。发送端还需要在数据中添加同步信息，以便接收端正确解码。 2. 接收端： 在接收端，数据经过解码器进行解码，根据选用的ECC纠错码进行纠错。接收端根据接收到的数据和冗余信息计算校验信息，并与接收到的校验信息进行比较，从而检测并纠正错误。解码后的数据
网络工程师软考常用计算公式单位的换算
网络工程师软考常用计算公式单位的换算 网络工程师软考常用计算公式单位的换算 1字节(B)=8bit 1KB=1024字节1MB=1024KB 1GB=1024MB 1TB=1024GB 通信单位中K=千，M=百万 计算机单位中K=210，M=220 倍数刚好是1024的幂 ^为次方；/为除；*为乘；(X/X)为单位 计算总线数据传输速率 总线数据传输速率=时钟频率(Mhz)/每个总线包含的时钟周期数*每 个总线周期传送的字节数(b) 计算系统速度 每秒指令数=时钟频率/每个总线包含时钟周期数/指令平均占用总线周期数 平均总线周期数=所有指令类别相加(平均总线周期数*使用频度) 控制程序所包含的总线周期数=(指令数*总线周期数/指令) 指令数=指令条数*使用频度/总指令使用频度 每秒总线周期数=主频/时钟周期 FSB带宽=FSB频率*FSB位宽/8 计算机执行程序所需时间 P=I*CPI*T 执行程序所需时间=编译后产生的机器指令数*指令所需平均周期数*每个机器周期时间 指令码长 定长编码:码长>=log2
变长编码:将每个码长*频度，再累加其和 平均码长=每个码长*频度 流水线计算 流水线周期值等于最慢的那个指令周期 流水线执行时间=首条指令的执行时间+（指令总数－1）*流水线周期值 流水线吞吐率=任务数/完成时间 流水线加速比=不采用流水线的执行时间/采用流水线的执行时间 存储器计算 存储器带宽:每秒能访问的位数单位ns=10-9秒 存储器带宽=1秒/存储器周期(ns)*每周期可访问的字节数 (随机存取)传输率=1/存储器周期 (非随机存取)读写N位所需的平均时间=平均存取时间+N位/数据传输率 内存片数：（W/w）*（B/b）W、B表示要组成的存储器的字数和位数；w、b表示内存芯片的字数和位数 存储器地址编码=(第二地址–第一地址)+1 {例:[(CFFFFH- 90000H)+1]/[(16K*1024)*8bit]} 内存位数：log2（要编址的字或字节数） Cache 计算 平均访存时间：Cache命中率*Cache访问周期时间+Cache失效率*主存访问周期时间 [例:(2%*100ns+98%*10ns)+1/5*(5%*100ns+95%*10ns)=14.7ns] 映射时，主存和 Cache会分成容量相同的组 cache组相联映射主存地址计算
计算机常用计算公式汇总
常用计算公式汇总 单位的换算 1字节(B)=8bit 1KB=1024字节1MB=1024KB 1GB=1024MB 1TB=1024GB 通信单位中K=千, M = 百万 计算机单位中K=210 , M= 220 倍数刚好是1.024的幂 p.s: ^ 为次方; /为除; *为乘; (X/X)为单位 计算总线数据传输速率 总线数据传输速率= 时钟频率(Mhz)/每个总线包含的时钟周期数*每个总线周期传送的字节数(b) 计算系统速度 每秒指令数=时钟频率/每个总线包含时钟周期数/指令平均占用总线周期数 平均总线周期数=所有指令类别相加(平均总线周期数*使用频度) 控制程序所包含的总线周期数=(指令数*总线周期数/指令) 指令数=指令条数*使用频度/总指令使用频度 每秒总线周期数=主频/时钟周期 FSB带宽=FSB频率*FSB位宽/8 计算机执行程序所需时间 P=I*CPI*T 执行程序所需时间=编译后产生的机器指令数*指令所需平均周期数*每个机器周期时间 指令码长 定长编码: 码长>=log2 变长编码:将每个码长*频度,再累加其和 平均码长=每个码长*频度 流水线计算 流水线周期值等于最慢的那个指令周期λ λ流水线执行时间=首条指令的执行时间+（指令总数－1）*流水线周期值 流水线吞吐率=任务数/完成时间λ λ流水线加速比=不采用流水线的执行时间/采用流水线的执行时间 存储器计算 存储器带宽:每秒能访问的位数单位ns=10-9秒λ λ存储器带宽=1秒/存储器周期(ns)*每周期可访问的字节数 (随机存取)传输率=1/存储器周期λ λ (非随机存取)读写N位所需的平均时间=平均存取时间+N位/数据传输率 λ内存片数：（W/w）*（B/b）W、B表示要组成的存储器的字数和位数； w、b表示内存芯片的字数和位数 存储器地址编码=(第二地址–第一地址)+1λ
内存条芯片参数(精)
内存条芯片参数 内存条芯片参数整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下： 1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷 内存条芯片参数 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12： 512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA （UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP （Hynix）；MU＝MCP（UTC））
网络工程师软考常用计算公式28539
网络工程师软考常用计算公式 单位的换算 1字节(B)=8bit 1KB=1024字节1MB=1024KB 1GB=1024MB 1TB=1024GB 通信单位中K=千,M=百万 计算机单位中K=210,M=220 倍数刚好是1024的幂 ^为次方;/为除；＊为乘；（X/X)为单位 计算总线数据传输速率 总线数据传输速率=时钟频率（Mhz）/每个总线包含的时钟周期数*每个总线周期传送的字节数(b） 计算系统速度 每秒指令数=时钟频率/每个总线包含时钟周期数/指令平均占用总线周期数 平均总线周期数=所有指令类别相加（平均总线周期数*使用频度) 控制程序所包含的总线周期数=（指令数＊总线周期数/指令） 指令数=指令条数*使用频度/总指令使用频度 每秒总线周期数=主频/时钟周期 FSB带宽=FSB频率＊FSB位宽/8 计算机执行程序所需时间 P=I＊CPI*T 执行程序所需时间=编译后产生的机器指令数*指令所需平均周期数＊每个机器周期时间 指令码长 定长编码:码长〉=log2 变长编码：将每个码长＊频度，再累加其和 平均码长=每个码长*频度 流水线计算 流水线周期值等于最慢的那个指令周期 流水线执行时间=首条指令的执行时间+(指令总数－1）*流水线周期值 流水线吞吐率=任务数/完成时间 流水线加速比=不采用流水线的执行时间/采用流水线的执行时间 存储器计算 存储器带宽：每秒能访问的位数单位ns=10—9秒 存储器带宽=1秒/存储器周期(ns）＊每周期可访问的字节数
（随机存取)传输率=1/存储器周期 (非随机存取)读写N位所需的平均时间=平均存取时间+N位/数据传输率 内存片数：（W/w)＊（B/b）W、B表示要组成的存储器的字数和位数； w、b表示内存芯片的字数和位数 存储器地址编码=（第二地址–第一地址)+1 {例：[（CFFFFH-90000H）+1］/[（16K＊1024）*8bit]} 内存位数：log2（要编址的字或字节数） Cache计算 平均访存时间：Cache命中率＊Cache访问周期时间+Cache失效率*主存访问周期时间［例:（2％＊100ns+98%＊10ns）+1/5*(5％*100ns+95％*10ns)=14.7ns] 映射时，主存和Cache会分成容量相同的组 cache组相联映射主存地址计算 主存地址=（主存容量块数*字块大小)log2(主存块和cache块容量一致） [例：128*4096=219(27*212)］ 主存区号=(主存容量块数/cache容量块数)log2 Cache访存命中率=cache存取次数/（cache存取次数+主存存取次数） 磁带相关性能公式 数据传输速率（B/s)=磁带记录密度(B/mm)＊带速(mm/s) 数据块长充=B1（记录数据所需长度）+B2(块间间隔） B1=(字节数/记录）＊块因子/记录密度 读N条记录所需时间：T=S(启停时间）+R+D R(有效时间）=（N*字节数/记录）/传输速度 D(间隔时间）=块间隔总长/带速=［(N/块化因子)＊（块间间隔)]/带速 每块容量=记录长度＊块化系数 每块长度=容量/（记录密度） 存储记录的块数=磁带总带长/（每块长度+每块容量） 磁带容量=每块容量*块数 磁盘常见技术指标计算公式 双面盘片要＊2因为最外面是保护面又—2 N＊2-2 非格式化容量＝位密度＊3。14159*最内圈址径＊总磁道数 ［例:(250＊3.14＊10*10＊6400)/8/1024/1024=59.89MB］ 总磁道数=记录面数*磁道密度＊（外直径—内直径）/2 [例:8面＊8＊(30—10)/2＊10=6400］ 每面磁道数＝(（外径－内径）/2）×道密度 每道位密度不同，容易相同 每道信息量＝内径周长×位密度 ［例：10cm×10×3。14159×250位/mm＝78537.5位/道] 格式化容量＝每道扇区数*扇区容量*总磁道数
内存知识--颗粒编号
内存知识 内存颗粒编号,内存知识具体含义解释：例：samsungk4h280838b-tcb0 主要含义：第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表dram。第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a 代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。hynix(hyundai)现代现代内存的含义：hy5dv641622at-36 hyxxxxxxxxxxxxxxxx 9101112 1、hy 代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系7、i/o界面：1:sstl_3、2:sstl_2 8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、k:ddr266a 现代的mbga封装的颗粒infineon（英飞凌）infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；-8——表示该内存的工作频率是100mhz。例如：1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。kingmax、kti kingmax内存的说明kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且