一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法

一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法

本发明为一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法，涉及一种抗电磁干扰的阻变存

储器以及其制备方法。

该抗电磁干扰的阻变存储器有铜介导层、介质层以及一改变阻值元件，铜介导层与介

质层交替组成，介质层具有电磁屏蔽性能，改变阻值元件位于铜介导层和介质层之间，铜

介导层与介质层的厚度都小于100nm，至少有一层改变阻值元件的金属形成层的厚度小于

10nm，所述改变阻值元件是作为记忆的器件，金属形成层能够发生断裂，改变元件的阻值，所述断裂产生在金属形成层的厚度小于10nm的区域，两层改变阻值元件的金属形成层设

置在改变阻值元件的两个主面之间，改变阻值元件的两个主面分别位于铜介导层和介质层

之间，这样形成的抗电磁干扰的阻变存储器，能增大元件内部断裂的阻值，使元件具备更

好的电磁屏蔽性能，从而减小改变阻值元件被电磁侵蚀的概率。

1. 将厚度小于100nm的铜等金属电介导材料空间固定在晶圆表面；

2.在铜介导层上沉积介质层，让介质层有电磁屏蔽的作用；

3.在铜介导层和介质层之间沉积金属；

4. 将厚度小于10nm的金属形成两个层，改变阻值元件、铜介导层和介质层两个主面

之间，两个金属形成层之间相互联结；

5.将材料经由暴露、去膜、漂白、重新沉积膜层，形成抗电磁干扰的阻变存储器。

以上就是本发明的有关内容，以及抗电磁干扰的阻变存储器的制备方法，可以改善元

件受电磁干扰的概率，改善存储器的可靠性。