2-任务2半导体二极管的识别与检测
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
学习情境一常用半导体器件的识别与检测
任务二半导体二极管的识别与检测
一、任务目的
1.了解半导体二极管导电特性;
2.了解半导体二极管的种类;
3.掌握半导体二极管的识别与检测。
二、任务的要求及技术指标
1.了解本征半导体与杂质半导体的区别;
2.掌握PN结的形成与单向导电性;
3.了解半导体二极管的结构类型和型号。
4.掌握半导体二极管的识别与检测。
三、半导体导电特性介绍
自然界的物质就其导电性能可分为导体、绝缘体、和半导体。
导体:导电性能良好的物质。如金、银铜等。
绝缘体:几乎不导电的物质。如陶瓷、橡胶、玻璃等。
値)硅的原子结构示意團(b)硅原孑在晶体中的共价键排列
图1-10共价键示意图
半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗。
半导体一般分为本征半导体和杂质半导体两种类型。
1.本征半导体
常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体。
图1-10所示分别为硅(锗)的原子结构示意图及硅(锗)原子在晶体中的共价键排
如果共价键中的价电子受热激发获得足够能量,则可摆脱共价键的束缚而成为自由电
子。这个电子原来所在的共价键的位置上就留下一个缺少负电荷的空位, 这个空位称为空穴。
空穴带正电。
2. 杂质半导体
本征半导体实际使用价值不大,但如果在本征半导体中掺入微量的某种杂质元素, 就形
成N 型和P 型半导体。
(1)N 型半导体
在本征半导体(以硅为例)中掺入少量的 5价元素,如磷(P )、砷(As )等。磷原子的 最外层有5个价电子,其中4个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结 构,多余的电子很容易受激发成为自由电子。这种掺入
5价元素的半导体称为 N 型半导体,
如图1-11所示。N 型半导体主要靠自由电子导电。
©©㊉•
ST
㊉㊉心㊉㊉ 商矽窗<
$)
图1-11 N 型半导体原理图
(2) P 型半导体
在本征半导体(以硅为例)中掺入三价元素如硼(
B ),硼原子最外层的3个价电子工和
相邻的3个硅原子形成共价键后,就留下一下空穴,空穴数量增多,自由电子则相对很少, 这种掺入3价元素的半导体称为 P 型半导体,如图1-12所示。
列。
电子空穴对
自由电孑
图1-12 P 型半导体原理图
注意:不论是 N 型半导体还是 P 型半导体都是中性,对外不显电性。
当P 型半导体与N 型半导体接触以后,由于交界两侧半导体类型不同, 存在电子和空穴 的浓度差。这样,P 区的空穴向N 区扩散,N 区的电子向P 区扩散。这样,在 P 区和N 区的 接触面就产生正、负离子层。这离子层就称为 PN 结。如图1-13所示。
图1-13 PN 结形成示意图
3.PN 结的特性
(1)PN 结的正向导通特性
给PN 结加正向电压,即 P 区接正电源,N 区接负电源,此时称 PN 结为正向偏置,如图 1-14所示。
这时PN 结外电场与内电场方向相反,外加电场抵消内电场使空间电荷区变薄,有利于 多数载运动,形成正向电流,外加电场越强,正向电流越大,这意味
q
㊀。
㊀ 。
㊀卷
电子空穴对
PIZ
0° 9° 砌就
(
◎ ◎ ee G G : G Q PG?:
㊉㊉©①
Ml 0
PN 结正向电阻变小。
空穴
空间电荷区•
电子』㊀毋[侈旳二&
◎◎◎
「
“ ©㊀;©㊉L 苗㊉
「,曲
图1-15 PN结反向偏置示意图
(2)PN结的反向截止特性
给PN结加反向电压,即电源正极接N区,负极接P区,称PN结反向偏置,如图1-15
所示。这时外加电场与内电场方向相同,使内电场的作用增强,PN结变厚,多数载流子运动难于进行,有助于少数载流子运动,所以电流很少,接近于零,即PN节反向电阻很大。
综上所述:PN结具有单向导电性,正向偏置时,
四、半导体二极管的结构、类型与符号介绍
一个PN结和加上相应的引出线,然后用塑料、玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最
简单的二极管。二极管按所用材料不同分为锗管和硅管。接在二极管P区引出线为阳极,接在N区引出线为阴极。如图1-16所示。
二极管有许多类型:从工艺上分为点接触型和面接触型;
管、稳压二极管和开关二极管,二极管的外形也是多种多样,如图1-17。
五、二极管检测
1.普通二极管的识别与检测
(1)极性的判别
PN结导通,反向偏置时,PN结载止。
图1-17二极管图形符号及外观
按用途分有整流管、检波二极图1-14 PN结正向偏置示意图
图1-16 二极管结构图
将万用表置于R X 100档或R X 1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。
(2)单向导电性能的检测及好坏的判断
通常,锗材料二极管的正向电阻值为1k Q左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极
管的电阻值为5 k Q左右,反向电阻值为g(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。
(3)反向击穿电压的检测
二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“ NPN/PNP选择键设置为NPN犬态,再将被测二极管的正极接测试表的“C'插孔内,负极插入测试表的“ e”插孔,然后按下“ V'键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定
而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。
2、发光二极管的识别与检测
(1)单色发光二极管的检测
①目测极性
判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明犬,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。
②用指针式万用表检测极性
在万用表外部附接一节1.5V干电池,将万用表置R X 10或R X 100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。
(2)红外发光二极管的检测
将万用表置于R X 1K挡,测量红外发光二极管的正、反向电阻,通常,正向电阻应在