《数字电子技术基础》——集成逻辑门电路
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第2章 集成逻辑门电路
2.1 分立元件门电路 2.2 TTL集成逻辑门电路 2.3 CMOS集成逻辑门电路 2.4 集成门电路的应用注意事项
学习要点
分立元件门电路的构成 TTL集成逻辑门电路功能及特点 CMOS集成逻辑门电路功能及特点 逻辑电路使用过程中的注意问题
逻辑门电路 --由具体器件构成能够实现基本和常用逻 辑关系的电子线路，简称门电路 。 是实现逻辑功能的基本单元。
如图，低阻通路产生很 大电流，可能烧坏器件， 且无法确定输出是高电 平还是低电平。
当二极管两端加上反向电压时， 在开始很大范围内，二极管相 当于非常大的电阻，反向电流 极小，二极管处于截止状态， 此时相当于开关断开。
注意： 普通二极管反向击穿后， 将失去单向导电性。
iD / mA
0.5 0.7 uD /V
(VT) 伏安特性曲线
开关等效电路
（2）动态特性。
通常情况下，二极管从截止变为导通和从 导通变为截止都需要一定的时间，不能象 理想开关那样瞬间完成。而且从导通变为 截止所需的时间更长一些。 一般把二极管从导通到截止所需的时间称 为反向恢复时间tre。若输入信号频率过高， 负半周宽度小于tre时，二极管会双向导通， 失去单向导电作用。 因此高频应用时需要考虑此参数的影响。
74LS00引脚图和逻辑符号
例 如图所示电路，已知74LS00门电路参数为：
IOH/IOL=1.0mA/-20mA, IIH/IIL=50μA/-1.43mA
求门GP的扇出数是多少？
GP
解：门GP输出低电平时，设可带门
&
G1
数为NL： N L I IL I OL
&
NL
I OL I IL
20 1.43
2.38
因为UBE0.5V，三极管截止的 假设成立，根据截止时三极管，
iB iC 0 可求出
uO U CC 12V
R1 3.9KΩ
uI
R2
8.2KΩ
UCC=12V
Rc
②当uI 10V时：
1KΩ
假设三极管已饱和，则UBE=0.7V
uO
T
20
iB
i1
i2
uI
uBE R1
uBE VBB R2
20
解：分析三极管 电路，关键是要 抓住三极管三种 工作状态的条件 和特点。
UBB=-8V
R1 3.9KΩ
uI 0.3V
R2 iB 0
8.2KΩ
UBB=-8V
等效电路
①当uI 0.3V 时：
假设三极管已截止，iB iC 0
U BE
uI U BB R1 R2
R2
VBB
0.3 8 8.2 8 3.9 8.2
1.二极管的开关特性
（1）静态特性。
iD /mA
阳极
阴极
0.5 0.7 uD/V
(VT)
（a） 电路符号
（b）特性曲线
二极管当作开关来使用正是利用了二极管的单向导电性。
当外加正向电压大于死区电压时， 二极管呈现很小的电阻处于导通 状态，相当于开关闭合，一般硅 管的正向导通压降UD约为 0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V。
2.三极管的开关特性
（1）静态特性。
RB
u i iB
+UCC
RC iC
uo
T
（a） 电路
iC / A
饱
和
放
区
大
区
iB 0A
截止区
（b）特性曲线
uCE /V
iC / A
饱
和
放
区
大
在开关状态下，三极管主要工 作在饱和区（开关闭合）和截 止区（开关断开），放大区只
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区
是极短暂的过渡状态。
iB 0A
截止区
（6）扇入扇出数。
扇入数：
--门电路输入端的个数，用NI表示。 扇出对数于：一个2输入的“或非”门，其扇入数NI＝2。
--门电路在正常工作时，
所能带同类门电路的最大数目， 它表示带负载能力。
&
IOH IIH
拉电流负载：（存在高电平下限值）。
&
N OH
I
（驱动门）
OH
I
（负载门）
IH
IIH &
...
t
2.1.2 基本晶体管门电路
电位 --指绝对电压的大小。
电平 --指一定的电压范围。
门电路的输入和输出信号都是用电平（或电位） 的高低来表示的。 高电平和低电平又可用逻辑“1”和逻辑“0”表 示，这样可以得到逻辑电路的真值表，便于进 行逻辑分析。
1.与门
逻辑状态表
A 0（0V） 0（0V） 1（5V） 1（5V）
噪声容限越大，集成门电 路的抗干扰能力越强。
（5）传输延迟时间tpd 。 电路在动态脉冲信号作
用下，输出脉冲相对于 输入脉冲延迟了多长时 间。
tPHL --输出电压由高变低，输出脉冲的延迟时间；
tPLH --输出电压由低变高，输出脉冲的延迟时间。
这两个延迟时间的平均值称为平均传输延迟时间tpd。
TTL门电路的平均传输延迟时间tpd一般在20nS左右。
T1 D2
T3
T2
D3
F
T4 R3
输入级 中间级 输出级
（1）输入级。
对输入变量实现“与”运算，
输入级相当于一个与门。
A
（2）中间级。
B D1
实现放大和倒相功能。向后级
提供两个相位相反的信号，分
别驱动T3、T4管。
（3）输出级。
R1 T1 D2
输入级
R2 T2
R3 中间级
R4 +UCC T3
D3 F
开关等效电路
三极管相当于一个由基极电流控制的开关。
例1 若三极管导通电压为0.5V，饱和时UBE=0.7V，
UCES=0.3V。求当输入 u I 分别为0.3V和10V时，
三极管的工作状态处于哪个区域，对应的输 出电压 uO为多少？
UCC=12V
R1 3.9KΩ
uI
R2
8.2KΩ
Rc 1KΩ
uO
T
14
G2 &
...
门GP输出高电平时，设可带门数为NH：
N H I IH I OH
NH
I OH I IH
1.0 20 0.05
取最小值， 扇出系数=14。
2.2.2 TTL集电极开路门和三态门电路
1.TTL集电极开路门电路（OC门）
“线与” --将两个以上门
电路的输出端直接并 联以实现“与”逻辑 的功能。
2.2 TTL集成逻辑门电路
2.2.1 TTL与非门电路 2.2.2 TTL集电极开路门和三态门电路 2.2.3 TTL集成电路的系列产品
2.2.1 TTL与非门电路
输入级和输出级均采用晶体三极管，称为晶体三极 管-晶体三极管逻辑电路，简称TTL电路。
1.电路结构
R1
R2
R4 +UCC
A B
D1
uCE /V A、截止区
uBE UTH
其中UTH为三极管的导通电压，如硅管 UTH 0.5V
此时，iB 、iC 均近似为0，三极管的集电极和发射极之间相
当于开关断开 。
B、饱和区
iB I BS
其中， I BS URCCC为临界饱和电流。
三极管的发射结正偏，集电结正偏，集电极和发射 极间电压为反向饱和电压UCES（0.2～0.3V左右）。 饱和越深，UCE越小。三极管的集电极和发射极间相 当于短路状态。
uO 1输出 UOH(min)
UNH UIH(min) UIL(max)
UNL 0输出 UOL(max)
uI
1输入
显然， UNH＝UOH（min）—UIH（min ）
输入低电平噪声容限UNL：
输入低电平时，保证TTL
0输入
电路仍可正常输出的最大 允许正向干扰电压。
1
uO
1
uI
输入噪声容限示意图
UNL＝UIL（max）—UOL（max）
灌电流负载：
&
（低电平存在上限值）
IOL IIL
&
N OL
I
（驱动门）
OL
I
（负载门）
IL
IIL &
...
通常逻辑器件扇出数须通过计算或实验的方法求得。 若NOL≠NOH，一般取两者中的最小值。 为了能够保证数字电路或系统能正常工作，在设计时还 需要注意要留有一定的余地。
5.常用TTL与非门集成芯片 74LS00——4-2输入与非门 74LS04——6反相器 74U20——2-4输入与非门 74LS08——4-2输入与门 74LS02——4-2输人或非门 74LS86——异或门
数字集成电路
一种是由三极管组成的双极型集成电路，例如 晶体管-晶体管逻辑电路（简称TTL电路）和射极耦 合逻辑电路（简称ECL电路）。
一种是由MOS管组成的单极型集成电路，例如NMOS逻辑电路和互补MOS（简称COMS）逻辑电路。
2.1 分立元件门电路
2.1.1 晶体管开关特性 2.1.2 基本晶体管门电路
T4
输出级
减小电路的输出电阻，提高输出
带负载能力和抗干扰能力。T3和 T4管总处于一管导通而另一管截
R1
R1
止的工作状态。
T1
2.工作原理
R1
R2
当输入全为高电平，UA=UB=3.6V，
T1的两个发射结都反偏，集电 A
结正偏。 T2和T4饱和导通。 T3和D3都截止，输出低电平。
B D1
T1 D2
UBB=-8V
10 0.7 0.7 8 1.32mA
3.9
8.2
R1 3.9KΩ
又知：
I。 BS
VCC U CES
RC
12 0.3 0.58mA 20 1
uI 10V R2 iB
8.2KΩ
UBE
iB I BS
=0.7V 三极管饱和的假设成立，可求出
UBB=-8V
等效电路
uO U CES 0.3V
理想开关 开关闭合时，开关两端电压为0； 开关断开时，其流过的电流为0， 其两端间呈现的电阻为无穷大； 且开关的转换在瞬间完成。
半导体二极管、三极管和MOS管，是构成这种电子 开关的基本开关元件。
导通时，相当于开关闭合；
截止时，相当于开关断开。
可用逻辑变量的“1”“0”来表示。
2.1.1 晶体管开关特性
输入低电平的上限值UIL（max） 输入高电平的下限值UIH（min） 输出低电平的上限值UOL（max） 输出高电平的下限值UOH（min）
（2）开门电平UON和关门电平UOFF。
保证输出电压为额定低电平时，所允许的最小输入
高电平，即只有当U I U ON 时，输出才是低电平。
保证输出电压为额定高电平时，所允许的最大输入 低电平，即只有当U I U OFF时，输出才是低电平。
（2）动态特性。
uI U IH
iC I CS 0.9I CS
0.1I CS
uO
U CC
(a)
tr
ts
td
tf
(b)
(c)
延迟时间td ,上升时间tr 存储时间ts ,下降时间tf 开通时间 ton=td+tr 从截止到饱和所需的时间。
t
关闭时间 toff=ts+tf 从饱和到截止所需的时间。
t
开关时间越短，开关速度 越高，在高频应用时需要 特别注意考虑这个问题。
（3）阈值电压UTH。 电压传输特性曲线转折区的中点所对应的输入电 压值--使输出发生高低电平转换的输入电压值，也 称门槛电压。
TTL与非门的阈值电压UTH=1.4V左右。
（4）噪声容限。 保证电路正常输出的前提下，输入电平允许波动 的最大范围。
输入高电平噪声容限UNH： 输入高电平时，保证TTL电路仍可正常输出 的最大允许负向干扰电压。
A 0（0V） 0（0V） 1（5V） 1（5V）
B 0（0V） 1（5V） 0（0V） 1（5V）
F 1（5.7V） 1（5.7V） 1（5.7V） 0（0.3V）
与非门电路波形图。
这种分立元件的门电路虽然电路结构简单，但由 于二极管正向压降的影响会产生电平偏离，并且 速度较低、带负载能力差，现在一般都被集成逻 辑门电路所取代。
3.非门
电路波形图
逻辑状态表
A 0（0V） 1（3V）
F 1（12V） 0（0.3V）
数字电路逻辑符号中，若 在输入端加小圆圈，表示 输入低电平信号有效。若 在输出端加小圆圈，表示 输出信号取反。
与非门电路
A B
+12V +5V
R1
Rc
D1 R2
D F
D2 u1 R3
T
-12V
A B
&
F
逻辑状态表
电压传输特性是指输出电压uO
关系曲线，即 uO f (u I )
随输入电压u
I变化的
uO /V
3. A B 6
2. 0
C
1.0
AB --截止区 BC --线性区 CD --转折区 DE --饱和区
D
E
0
0.5 1. 1. 2. 2.
0 UTH 5 0
5
3 uI /V
4.主要参数 （1）输入和输出的高、低电平。
B 0（0V） 1（5V） 0（0V） 1（5V）
F 0（0.7V） 0（0.7V） 0（0.7V）
1（5V）
与门电路波形图
2.或门
电路图和符号
电路波形图
或门逻辑状态表
A 0（0V） 0（0V） 1（5V） 1（5V）
B 0（0V） 1（5V） 0（0V） 1（5V）
F 0（0V） 1（4.3V） 1（4.3V） 1（4.3V）
T2
R3
uO u C4 U CES 0.3V
R4 +UCC
T3 D3 F T4
当输入中至少有一个为低电平时，T1的两个发射结必 然有一个导通，T2和T4均截止，而此时T3和D3导通， 输出高电平 。
uO U CC U BE3 U D3 3.6V
即输入输出之间实现了“与非”的逻辑关系。
3.TTL与非门传输特性
2.1 分立元件门电路 2.2 TTL集成逻辑门电路 2.3 CMOS集成逻辑门电路 2.4 集成门电路的应用注意事项
学习要点
分立元件门电路的构成 TTL集成逻辑门电路功能及特点 CMOS集成逻辑门电路功能及特点 逻辑电路使用过程中的注意问题
逻辑门电路 --由具体器件构成能够实现基本和常用逻 辑关系的电子线路，简称门电路 。 是实现逻辑功能的基本单元。
如图，低阻通路产生很 大电流，可能烧坏器件， 且无法确定输出是高电 平还是低电平。
当二极管两端加上反向电压时， 在开始很大范围内，二极管相 当于非常大的电阻，反向电流 极小，二极管处于截止状态， 此时相当于开关断开。
注意： 普通二极管反向击穿后， 将失去单向导电性。
iD / mA
0.5 0.7 uD /V
(VT) 伏安特性曲线
开关等效电路
（2）动态特性。
通常情况下，二极管从截止变为导通和从 导通变为截止都需要一定的时间，不能象 理想开关那样瞬间完成。而且从导通变为 截止所需的时间更长一些。 一般把二极管从导通到截止所需的时间称 为反向恢复时间tre。若输入信号频率过高， 负半周宽度小于tre时，二极管会双向导通， 失去单向导电作用。 因此高频应用时需要考虑此参数的影响。
74LS00引脚图和逻辑符号
例 如图所示电路，已知74LS00门电路参数为：
IOH/IOL=1.0mA/-20mA, IIH/IIL=50μA/-1.43mA
求门GP的扇出数是多少？
GP
解：门GP输出低电平时，设可带门
&
G1
数为NL： N L I IL I OL
&
NL
I OL I IL
20 1.43
2.38
因为UBE0.5V，三极管截止的 假设成立，根据截止时三极管，
iB iC 0 可求出
uO U CC 12V
R1 3.9KΩ
uI
R2
8.2KΩ
UCC=12V
Rc
②当uI 10V时：
1KΩ
假设三极管已饱和，则UBE=0.7V
uO
T
20
iB
i1
i2
uI
uBE R1
uBE VBB R2
20
解：分析三极管 电路，关键是要 抓住三极管三种 工作状态的条件 和特点。
UBB=-8V
R1 3.9KΩ
uI 0.3V
R2 iB 0
8.2KΩ
UBB=-8V
等效电路
①当uI 0.3V 时：
假设三极管已截止，iB iC 0
U BE
uI U BB R1 R2
R2
VBB
0.3 8 8.2 8 3.9 8.2
1.二极管的开关特性
（1）静态特性。
iD /mA
阳极
阴极
0.5 0.7 uD/V
(VT)
（a） 电路符号
（b）特性曲线
二极管当作开关来使用正是利用了二极管的单向导电性。
当外加正向电压大于死区电压时， 二极管呈现很小的电阻处于导通 状态，相当于开关闭合，一般硅 管的正向导通压降UD约为 0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V。
2.三极管的开关特性
（1）静态特性。
RB
u i iB
+UCC
RC iC
uo
T
（a） 电路
iC / A
饱
和
放
区
大
区
iB 0A
截止区
（b）特性曲线
uCE /V
iC / A
饱
和
放
区
大
在开关状态下，三极管主要工 作在饱和区（开关闭合）和截 止区（开关断开），放大区只
wenku.baidu.com
区
是极短暂的过渡状态。
iB 0A
截止区
（6）扇入扇出数。
扇入数：
--门电路输入端的个数，用NI表示。 扇出对数于：一个2输入的“或非”门，其扇入数NI＝2。
--门电路在正常工作时，
所能带同类门电路的最大数目， 它表示带负载能力。
&
IOH IIH
拉电流负载：（存在高电平下限值）。
&
N OH
I
（驱动门）
OH
I
（负载门）
IH
IIH &
...
t
2.1.2 基本晶体管门电路
电位 --指绝对电压的大小。
电平 --指一定的电压范围。
门电路的输入和输出信号都是用电平（或电位） 的高低来表示的。 高电平和低电平又可用逻辑“1”和逻辑“0”表 示，这样可以得到逻辑电路的真值表，便于进 行逻辑分析。
1.与门
逻辑状态表
A 0（0V） 0（0V） 1（5V） 1（5V）
噪声容限越大，集成门电 路的抗干扰能力越强。
（5）传输延迟时间tpd 。 电路在动态脉冲信号作
用下，输出脉冲相对于 输入脉冲延迟了多长时 间。
tPHL --输出电压由高变低，输出脉冲的延迟时间；
tPLH --输出电压由低变高，输出脉冲的延迟时间。
这两个延迟时间的平均值称为平均传输延迟时间tpd。
TTL门电路的平均传输延迟时间tpd一般在20nS左右。
T1 D2
T3
T2
D3
F
T4 R3
输入级 中间级 输出级
（1）输入级。
对输入变量实现“与”运算，
输入级相当于一个与门。
A
（2）中间级。
B D1
实现放大和倒相功能。向后级
提供两个相位相反的信号，分
别驱动T3、T4管。
（3）输出级。
R1 T1 D2
输入级
R2 T2
R3 中间级
R4 +UCC T3
D3 F
开关等效电路
三极管相当于一个由基极电流控制的开关。
例1 若三极管导通电压为0.5V，饱和时UBE=0.7V，
UCES=0.3V。求当输入 u I 分别为0.3V和10V时，
三极管的工作状态处于哪个区域，对应的输 出电压 uO为多少？
UCC=12V
R1 3.9KΩ
uI
R2
8.2KΩ
Rc 1KΩ
uO
T
14
G2 &
...
门GP输出高电平时，设可带门数为NH：
N H I IH I OH
NH
I OH I IH
1.0 20 0.05
取最小值， 扇出系数=14。
2.2.2 TTL集电极开路门和三态门电路
1.TTL集电极开路门电路（OC门）
“线与” --将两个以上门
电路的输出端直接并 联以实现“与”逻辑 的功能。
2.2 TTL集成逻辑门电路
2.2.1 TTL与非门电路 2.2.2 TTL集电极开路门和三态门电路 2.2.3 TTL集成电路的系列产品
2.2.1 TTL与非门电路
输入级和输出级均采用晶体三极管，称为晶体三极 管-晶体三极管逻辑电路，简称TTL电路。
1.电路结构
R1
R2
R4 +UCC
A B
D1
uCE /V A、截止区
uBE UTH
其中UTH为三极管的导通电压，如硅管 UTH 0.5V
此时，iB 、iC 均近似为0，三极管的集电极和发射极之间相
当于开关断开 。
B、饱和区
iB I BS
其中， I BS URCCC为临界饱和电流。
三极管的发射结正偏，集电结正偏，集电极和发射 极间电压为反向饱和电压UCES（0.2～0.3V左右）。 饱和越深，UCE越小。三极管的集电极和发射极间相 当于短路状态。
uO 1输出 UOH(min)
UNH UIH(min) UIL(max)
UNL 0输出 UOL(max)
uI
1输入
显然， UNH＝UOH（min）—UIH（min ）
输入低电平噪声容限UNL：
输入低电平时，保证TTL
0输入
电路仍可正常输出的最大 允许正向干扰电压。
1
uO
1
uI
输入噪声容限示意图
UNL＝UIL（max）—UOL（max）
灌电流负载：
&
（低电平存在上限值）
IOL IIL
&
N OL
I
（驱动门）
OL
I
（负载门）
IL
IIL &
...
通常逻辑器件扇出数须通过计算或实验的方法求得。 若NOL≠NOH，一般取两者中的最小值。 为了能够保证数字电路或系统能正常工作，在设计时还 需要注意要留有一定的余地。
5.常用TTL与非门集成芯片 74LS00——4-2输入与非门 74LS04——6反相器 74U20——2-4输入与非门 74LS08——4-2输入与门 74LS02——4-2输人或非门 74LS86——异或门
数字集成电路
一种是由三极管组成的双极型集成电路，例如 晶体管-晶体管逻辑电路（简称TTL电路）和射极耦 合逻辑电路（简称ECL电路）。
一种是由MOS管组成的单极型集成电路，例如NMOS逻辑电路和互补MOS（简称COMS）逻辑电路。
2.1 分立元件门电路
2.1.1 晶体管开关特性 2.1.2 基本晶体管门电路
T4
输出级
减小电路的输出电阻，提高输出
带负载能力和抗干扰能力。T3和 T4管总处于一管导通而另一管截
R1
R1
止的工作状态。
T1
2.工作原理
R1
R2
当输入全为高电平，UA=UB=3.6V，
T1的两个发射结都反偏，集电 A
结正偏。 T2和T4饱和导通。 T3和D3都截止，输出低电平。
B D1
T1 D2
UBB=-8V
10 0.7 0.7 8 1.32mA
3.9
8.2
R1 3.9KΩ
又知：
I。 BS
VCC U CES
RC
12 0.3 0.58mA 20 1
uI 10V R2 iB
8.2KΩ
UBE
iB I BS
=0.7V 三极管饱和的假设成立，可求出
UBB=-8V
等效电路
uO U CES 0.3V
理想开关 开关闭合时，开关两端电压为0； 开关断开时，其流过的电流为0， 其两端间呈现的电阻为无穷大； 且开关的转换在瞬间完成。
半导体二极管、三极管和MOS管，是构成这种电子 开关的基本开关元件。
导通时，相当于开关闭合；
截止时，相当于开关断开。
可用逻辑变量的“1”“0”来表示。
2.1.1 晶体管开关特性
输入低电平的上限值UIL（max） 输入高电平的下限值UIH（min） 输出低电平的上限值UOL（max） 输出高电平的下限值UOH（min）
（2）开门电平UON和关门电平UOFF。
保证输出电压为额定低电平时，所允许的最小输入
高电平，即只有当U I U ON 时，输出才是低电平。
保证输出电压为额定高电平时，所允许的最大输入 低电平，即只有当U I U OFF时，输出才是低电平。
（2）动态特性。
uI U IH
iC I CS 0.9I CS
0.1I CS
uO
U CC
(a)
tr
ts
td
tf
(b)
(c)
延迟时间td ,上升时间tr 存储时间ts ,下降时间tf 开通时间 ton=td+tr 从截止到饱和所需的时间。
t
关闭时间 toff=ts+tf 从饱和到截止所需的时间。
t
开关时间越短，开关速度 越高，在高频应用时需要 特别注意考虑这个问题。
（3）阈值电压UTH。 电压传输特性曲线转折区的中点所对应的输入电 压值--使输出发生高低电平转换的输入电压值，也 称门槛电压。
TTL与非门的阈值电压UTH=1.4V左右。
（4）噪声容限。 保证电路正常输出的前提下，输入电平允许波动 的最大范围。
输入高电平噪声容限UNH： 输入高电平时，保证TTL电路仍可正常输出 的最大允许负向干扰电压。
A 0（0V） 0（0V） 1（5V） 1（5V）
B 0（0V） 1（5V） 0（0V） 1（5V）
F 1（5.7V） 1（5.7V） 1（5.7V） 0（0.3V）
与非门电路波形图。
这种分立元件的门电路虽然电路结构简单，但由 于二极管正向压降的影响会产生电平偏离，并且 速度较低、带负载能力差，现在一般都被集成逻 辑门电路所取代。
3.非门
电路波形图
逻辑状态表
A 0（0V） 1（3V）
F 1（12V） 0（0.3V）
数字电路逻辑符号中，若 在输入端加小圆圈，表示 输入低电平信号有效。若 在输出端加小圆圈，表示 输出信号取反。
与非门电路
A B
+12V +5V
R1
Rc
D1 R2
D F
D2 u1 R3
T
-12V
A B
&
F
逻辑状态表
电压传输特性是指输出电压uO
关系曲线，即 uO f (u I )
随输入电压u
I变化的
uO /V
3. A B 6
2. 0
C
1.0
AB --截止区 BC --线性区 CD --转折区 DE --饱和区
D
E
0
0.5 1. 1. 2. 2.
0 UTH 5 0
5
3 uI /V
4.主要参数 （1）输入和输出的高、低电平。
B 0（0V） 1（5V） 0（0V） 1（5V）
F 0（0.7V） 0（0.7V） 0（0.7V）
1（5V）
与门电路波形图
2.或门
电路图和符号
电路波形图
或门逻辑状态表
A 0（0V） 0（0V） 1（5V） 1（5V）
B 0（0V） 1（5V） 0（0V） 1（5V）
F 0（0V） 1（4.3V） 1（4.3V） 1（4.3V）
T2
R3
uO u C4 U CES 0.3V
R4 +UCC
T3 D3 F T4
当输入中至少有一个为低电平时，T1的两个发射结必 然有一个导通，T2和T4均截止，而此时T3和D3导通， 输出高电平 。
uO U CC U BE3 U D3 3.6V
即输入输出之间实现了“与非”的逻辑关系。
3.TTL与非门传输特性