现代电子材料与元器件_复习讲义
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极化机制
极化的本质和机制、分类 复数介电常数与频率、温度的关系
压电性质
压电效应和电致伸缩效应
铁电性质
钛酸钡的晶体结构对极化的影响
7
8. 磁电子学材料与器件
磁性
磁性的分类(原则，每一类的特点) 几种交换作用
磁畴
磁畴(形成，影响因素) 磁化曲线（磁化机制） 磁滞回线（特征参数）
10
半导体光电探测器
主要类型(特别是APD的基本结构和工作原理)
5
6. 光电子材料与器件
光纤
损耗(三个低损耗窗口的形成原因) 色散(种类&影响) 制备(拉丝)
激光材料
发光机制(三能级或四能级激光的不同)
液晶显示材料与器件
液晶的分类 TN液晶显示的原理 发展趋势
6
7. 电介质材料
现代电子材料与元器件
光电工程学院微电子教学部 冯世娟 fengsj@
3. 半导体材料与应用
半导体材料的性质
霍尔效应 压阻效应 磁阻效应
半导体材料的分类
非晶态半导体(与晶体的区别)
半导体材料的制备
分子束外延(原理、适用范围，优缺点)
2
பைடு நூலகம்
4. 化合物半导体基础
载流子的瞬态输运
磁性材料与应用
矩磁材料——磁心存储器(工作原理) 磁光写入读出(工作原理)
8
题型
填空（1×28=28分） 简答（6×8=48分） 分析（8×3=24分）
9
分值分布
半导体材料与应用：10分 化合物半导体基础：10分 化合物半导体器件：20分 光电子材料与器件：20分 电介质材料：20分 磁电子学材料与器件：20分
速度过冲(产生条件)
二维电子气
形成及特点
半导体异质结
平衡时的能带图（及特点）
半导体超晶格
分类
3
5. 化合物半导体器件
GaAs MESFET
与硅基MOSFET相比的性能优势
HBT
注入比
HEMT
基本结构和工作原理
4
5. 化合物半导体器件
半导体光源
二能级体系的三种基本光学过程 实现激光振荡的三个必要条件
极化的本质和机制、分类 复数介电常数与频率、温度的关系
压电性质
压电效应和电致伸缩效应
铁电性质
钛酸钡的晶体结构对极化的影响
7
8. 磁电子学材料与器件
磁性
磁性的分类(原则，每一类的特点) 几种交换作用
磁畴
磁畴(形成，影响因素) 磁化曲线（磁化机制） 磁滞回线（特征参数）
10
半导体光电探测器
主要类型(特别是APD的基本结构和工作原理)
5
6. 光电子材料与器件
光纤
损耗(三个低损耗窗口的形成原因) 色散(种类&影响) 制备(拉丝)
激光材料
发光机制(三能级或四能级激光的不同)
液晶显示材料与器件
液晶的分类 TN液晶显示的原理 发展趋势
6
7. 电介质材料
现代电子材料与元器件
光电工程学院微电子教学部 冯世娟 fengsj@
3. 半导体材料与应用
半导体材料的性质
霍尔效应 压阻效应 磁阻效应
半导体材料的分类
非晶态半导体(与晶体的区别)
半导体材料的制备
分子束外延(原理、适用范围，优缺点)
2
பைடு நூலகம்
4. 化合物半导体基础
载流子的瞬态输运
磁性材料与应用
矩磁材料——磁心存储器(工作原理) 磁光写入读出(工作原理)
8
题型
填空（1×28=28分） 简答（6×8=48分） 分析（8×3=24分）
9
分值分布
半导体材料与应用：10分 化合物半导体基础：10分 化合物半导体器件：20分 光电子材料与器件：20分 电介质材料：20分 磁电子学材料与器件：20分
速度过冲(产生条件)
二维电子气
形成及特点
半导体异质结
平衡时的能带图（及特点）
半导体超晶格
分类
3
5. 化合物半导体器件
GaAs MESFET
与硅基MOSFET相比的性能优势
HBT
注入比
HEMT
基本结构和工作原理
4
5. 化合物半导体器件
半导体光源
二能级体系的三种基本光学过程 实现激光振荡的三个必要条件